JPH05190502A - 反応性イオンエッチング法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＳｉＮ膜をＲＩＥ法によりパターニングする
際、ＲＩＥ法が持つ下地のイオン損傷が少ないという特
長を維持しつつＳｉＮ膜でのサイドエッチングの進行が
従来より起こりにくい方法を提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板上にｎ形活性層、被エッチング
物としてのＳｉＮ膜、レジストパターン１７を順に形成
してエッチング試料１１ｓとする。ＧａＡｓ基板の外形
に類似の貫き部分を有するシリコン基板（シリコンリン
グ）で構成したダミー物４１を用意する。エッチング試
料１１ｓがダミー物４１の貫き部分に納まるように、エ
ッチング試料１１ｓ及びダミー物４１を反応室３１内に
共に配置する。反応性ガスとしてＳＦ₆ ガスを用いたＲ
ＩＥ法によりＳｉＮ膜のレジストパターンから露出して
いる部分をエッチングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造な
どで用いられる反応性イオンエッチング法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】イオンエッチング法は不活性ガスを用い
るもの及び反応性ガスを用いるものに大別される。後者
は、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）と称され、
前者に比べ材料間の選択比が大きい、被エッチング物の
下層物（以下、「下地」。）の損傷が少ないなどの長所
がある。このため、微細パターン形成技術として広く利
用されている。

【０００３】このようなＲＩＥ法の従来例について、Ｇ
ａＡｓ電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと略称する
こともある。）のリセスを形成する例により説明する。
図７（Ａ）〜（Ｃ）及び図８（Ａ）〜（Ｃ）はその説明
に供する工程図である。いずれの図もＦＥＴのゲート長
方向に沿って素子を切った断面図により示してある。

【０００４】ＧａＡｓ基板１１上にエピタキシャル成長
法によりｎ型活性層１３が約１００ｎｍの膜厚で形成さ
れ、次に、このｎ型活性層１３上にＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜（ＳｉＮ膜）１５が約１００ｎｍの膜厚で形
成される（図７（Ａ））。

【０００５】次に、このＳｉＮ膜１５上にホトリソグラ
フィ法によりゲート長方向の開口幅Ｗ（図７（Ｂ）参
照）が例えば約１μｍ程度の開口部１７ａを有するレジ
ストパターン１７が形成される（図７（Ｂ））。

【０００６】次に、このレジストパターン１７がマスク
とされＳｉＮ膜１５の開口部１７ａから露出する部分が
ＲＩＥ法によりエッチングされる（図７（Ｃ））。この
際のエッチングは一般に次のように行なわれる。図９
（Ａ）及び（Ｂ）はその説明に供する図であり、その
（Ａ）は平行平板型のＲＩＥ装置及びエッチング試料１
１ｓの位置関係を説明するための概略的な平面図、
（Ｂ）はその側面図である。ここで、エッチング試料１
１ｓとは、この場合、被エッチング物であるＳｉＮ膜１
５を有するＧａＡｓ基板１１のことである。

【０００７】ＲＩＥ装置の反応室（チャンバー）３１の
側壁に設けたガス導入管３３から反応室３１内に反応性
ガスが導入される。この反応性ガスは対向電極３５及び
電極３７間でこれら電極に印加される高周波電圧により
プラズマ状態とされる。反応性ガスとして例えばＳＦ₆
を用いた場合上記高周波電圧によりこのＳＦ₆ ガスはＳ
Ｆ₅ 、ＳＦ₄ 、・・・、Ｓ及びＦに分解されさらにこの
Ｆは活性イオン（Ｆ⁺ ）と、Ｆラジカル（Ｆ^* ）などに
なる。そして、図７（Ｃ）に示すように、この活性イオ
ン（Ｆ⁺ ）１９が両電極３５，３７間の電界に沿って被
エッチング物であるＳｉＮ膜１５に入射されその部分が
異方的にエッチングされる。一方、Ｆラジカル２１（図
７（Ｃ）参照）は、電荷を持たないためランダムな運動
をし被エッチング物にランダムに吸着しそこで被エッチ
ング物と反応し反応生成物（気体）を生じさせる。この
反応生成物が排気系３９（図９参照）から排気され等方
的なエッチングが行なわれる。しかし、活性イオンが入
射されたＳｉＮ膜部分は変質されるのでＦラジカルと反
応し易いためＳｉＮ膜１５の膜厚方向のエッチングが比
較的優位に起こるので異方性エッチングが優位に行なわ
れる。このようにして、このＳｉＮ膜１５には開口部１
５ａが形成される（図８（Ａ））。なお、このエッチン
グの際の下地（この場合ｎ型活性層１３）の損傷は不活
性ガスを用いたイオンエッチングと比べ少ない。また、
このＲＩＥ法において反応室３１内の真空度を２×１０
^-2Ｔｏｒｒ程度の圧力にすると異方性のエッチングが優
位になる。しかし、Ｆラジカルの影響がある程度は残っ
ているため、ＳｉＮ膜１５にはサイドエッチング１５ｓ
が生じるので開口部１５ａの幅Ｗ₁ （図８（Ａ）参照）
は約３μｍ程度になる。

【０００８】次に、この開口部１５ａを有するＳｉＮ膜
１５をマスクとし今度はウエットエッチング法によりｎ
型活性層１３がエッチングされリセス２３が形成される
（図８（Ｂ））。ただしこのウエットエッチングは完全
に化学反応であるのでエッチングは等方的に進むためｎ
型活性層１３にはサイドエッチング２３ａが入る。この
ため、リセス２３の長さは４μｍ程度になる。

【０００９】次に、この試料全面上に真空蒸着法により
ゲート電極形成用の薄膜（図示せず）が形成され、次い
で、レジストパターン１７を除去することによりこのレ
ジストパターン１７上のゲート電極形成用の薄膜部分が
共に除去され（リフトオフされ）て、リセス２３内にゲ
ート電極２５が形成される（図８（Ｃ））。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のＲＩＥ法では、ラジカルに起因する等方的なエ
ッチングの影響がまだ大きいため被エッチング物にサイ
ドエッチングが生じ易い。したがって、例えば上述のリ
セス形成工程であれば、リセス長が所望の寸法より長く
なるのでｎ型活性層１３の厚さの薄い部分１３ａ（図８
（Ｃ）参照）が長くなりソース抵抗の低減が図れないた
め、リセス構造本来のＦＥＴ特性が得られない。

【００１１】また、これを防止するためにＲＩＥ装置の
両電極３５，３７（図９）間の電界を強めて活性イオン
の作用を強めることも考えられるが、そうすると、活性
イオンによる下地（この場合はｎ型活性層）の損傷具合
が大きくなってしまい好ましいことではない。

【００１２】この発明はこのような点に鑑みなされたも
のであり、従ってこの発明の目的は、ＲＩＥ法が持つ下
地のイオン損傷が少ないという特長を維持しつつ被エッ
チング物でのサイドエッチングの進行を従来より起こり
にくくできそのためエッチングマスクに対する寸法変換
差を従来より少なくできる反応性イオンエッチング法を
提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明によれば、被エッチング物を反応性イオン
エッチング法によりエッチングするに当たり、ラジカル
消費量が被エッチング物より多いダミー物を反応室内に
設置した状態で該被エッチング物をエッチングすること
を特徴とする。

【００１４】この発明の実施に当たり、前述のダミー物
を前述の被エッチング物と同程度かそれ以上のエッチン
グレートを示す物質で構成するのが好適である。

【００１５】さらにこの発明の実施に当たり、前述のダ
ミー物を前述の被エッチング物の周囲全域近傍に又は周
囲の一部近傍に設置するのが好適である。

【００１６】さらにこの発明の実施に当たり、前述のダ
ミー物を被エッチング物の外形形状と類似の貫き部分を
有する板状物とし、該貫き部分内に該被エッチング物を
置いた状態で被エッチング物のエッチングを行なうのが
好適である。或いは、前述のダミー物を被エッチング物
より平面形状が大きな板状物とし該ダミー物上に該被エ
ッチング物を置いた状態で被エッチング物のエッチング
を行なうのが好適である。なお、この場合の貫き部分の
形状、板状物（貫き部分を有する板状物も含む。）の形
状はダミー効果が有効に得られるように被エッチング物
の形状に応じて任意のものとできる。被エッチング物が
例えば半導体装置のウエハである場合では、円形の貫き
部分を有する板状物（例えばリング状板状物）や当該ウ
エハより直径が大きな円形の板状物をダミー物とするの
が好適である。

【００１７】さらにこの発明の実施に当たり、前述のダ
ミー物の形状（ダミー物が貫き部分を有するものの場合
は貫き部分の形状も含む。）及びダミー物の被エッチン
グ物に対する位置（ダミー物が貫き部分を有する場合は
ダミー物における貫き部分の位置も含む。）の一方又は
双方を少なくとも反応性ガスの流れ方向を考慮して変更
して、前述の被エッチング物のエッチングを行なうのが
好適である。

【００１８】さらにこの発明の実施に当たり、前述の被
エッチング物をシリコン窒化膜、タングステン、モリブ
デンまたは多結晶シリコンとした場合、反応性ガスとし
てフッ素系ガスを用い、前述のダミー物をシリコンで構
成するのが好適である。

【００１９】

【作用】上述したこの発明の構成によれば、ＲＩＥ装置
の反応室内のラジカルはダミー物により主に消費され、
被エッチング物のエッチングは活性イオンと少量のラジ
カルにより行なわれるようになるので、ダミー物を共存
させない場合に比べ異方性のエッチングが優位に行なわ
れる。

【００２０】また、ダミー物を被エッチング物の外形形
状と類似の貫き部分を有する板状物としこの貫き部分に
被エッチング物を置く構成或いはダミー物を被エッチン
グ物より平面形状が大きな板状物としこの板状物上に被
エッチング物を置く構成の場合、被エッチング物とダミ
ー物とを近接させた状態で共存させることができるの
で、そうしない場合に比べ、ダミー物の作用を有効に発
揮させることができる。

【００２１】また、ダミー物の形状及びダミー物の被エ
ッチング物に対する位置の一方又は双方を変更する構成
の場合、例えば反応性ガスの流れ方向に起因する被エッ
チング物のエッチングレートの不均一さの是正、被エッ
チング物の形状制御が可能になる。

【００２２】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の反応性イ
オンエッチング法の実施例について説明する。なお、説
明に用いる各図は、この発明が理解できる程度に、各構
成成分の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示して
あるにすぎない。また、以下の実施例では、直径３イン
チ（１インチは約２．５４ｃｍ。）のＧａＡｓ基板に図
７及び図８を参照して説明したＦＥＴを作製する場合に
このＧａＡｓ基板に形成されるＳｉＮ膜１５を、被エッ
チング物とする。したがって、説明に用いる各図におい
て、図７〜図９ですでに説明した構成成分と同様な成分
については、同一の符号をつけて示し、その詳細な説明
を省略する。

【００２３】１．第１実施例 先ず、図１（Ａ）及び（Ｂ）と図２（Ａ）〜（Ｃ）と図
３（Ａ）及び（Ｂ）とを参照して第１実施例の説明を行
なう。ここで、図１（Ａ）及び（Ｂ）は被エッチング物
を有するＧａＡｓ基板（エッチング試料１１ｓ）とダミ
ー物４１とをＲＩＥ装置の反応室に設置した状態を概略
的に示した平面図及び側面図、図２及び図３はＦＥＴの
製造工程図である。

【００２４】この第１実施例では、ダミー物として、直
径４インチのシリコン基板であって中央部に直径３イン
チのＧａＡｓ基板が収納できる程度の円形の貫き部分を
有するシリコン基板４１（図１参照）を用意する。な
お、貫き部分はシリコン基板の中央部分を機械的にくり
貫くことによって形成した。

【００２５】一方、図７（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明
した方法に従いＧａＡｓ基板１１上にｎ型活性層１３、
ＳｉＮ膜１５及びレジストパターン１７を形成して、被
エッチング物であるＳｉＮ膜１５を有するエッチング試
料１１ｓを得る（図２（Ａ）参照）。なお、レジストパ
ターン１７の開口部１７ａの寸法Ｗ（図２（Ａ）参照）
はこの場合約１μｍとしている。

【００２６】そしてこれらエッチング試料１１ｓとダミ
ー物４１とを、ＲＩＥ装置の反応室３１内の電極３７上
に、エッチング試料１１ｓがダミー物４１の貫き部分内
に位置するようにそれぞれ設置する（図１及び図２
（Ｂ）参照）。

【００２７】次に、反応性ガスとしてＳＦ₆ ガスを用い
かつ反応室３１内の圧力を２×１０^-2Ｔｏｒｒ程度とし
た条件（従来から多用される条件）により、エッチング
試料１１ｓのエッチングを行なう。このエッチングにお
いて反応室３１内では従来同様に活性イオン（Ｆ⁺ ）と
Ｆラジカル（Ｆ^* ）とが生じる。そして、活性イオンは
反応室３１内の圧力が２×１０^-2Ｔｏｒｒ程度であるの
で散乱されないため両電極３５，３７間の電界に沿って
エッチング試料１１ｓに入射される。一方、Ｆラジカル
は中性であるので本来は等方的な運動をしＳｉＮ膜１５
にランダムに吸着して反応するはずであるが、エッチン
グ試料１１ｓ近傍にＳｉＮ膜に比べラジカル消費量が多
い（ラジカルと反応し易い）ダミー物４１が設置されて
いるので、このダミー物４１とほとんど反応する。この
ため、ＳｉＮ膜１５と反応するラジカルはダミー物４１
を設置しない場合に比べ極めて少なくなると思われ、被
エッチング物としてのＳｉＮ膜１５は膜厚方向に垂直な
方向のエッチングが従来より優位に起こる。この結果、
ＳｉＮ膜１５にレジストパターン１７の開口部１７ａの
幅Ｗと実質的に同程度の幅の開口部１５ａが形成される
（図２（Ｃ））。

【００２８】次に、この開口部１５ａを有するＳｉＮ膜
１５をマスクとし今度はウエットエッチング法によりｎ
型活性層１３を従来同様にエッチングしてリセス２３を
形成する（図３（Ａ））。ただしこのウエットエッチン
グは完全に化学反応であるのでｎ型活性層１３のエッチ
ングは等方的に進むためｎ型活性層１３にはサイドエッ
チング２３ａが入るが、ＳｉＮ膜１５の開口部１５ａの
寸法が本来の寸法に実質的になっているためリセス２３
の寸法Ｗ_R はこの場合２μｍ程度と従来より狭くでき
る。

【００２９】次に、この試料全面上に例えば真空蒸着法
によりゲート電極形成用の薄膜（図示せず）を従来同様
に形成し、次いで、レジストパターン１７を除去するこ
とによりこのレジストパターン１７上のゲート電極形成
用の薄膜部分を共に除去し（リフトオフし）てリセス２
３内にゲート電極２５を従来同様に形成する（図３
（Ｂ））。

【００３０】この第１実施例の場合、ゲート電極２５の
長さは従来同様であるがｎ型活性層１３のリセスにより
薄くなった部分１３ａ（図３（Ｂ）参照）の長さは約
０．５μｍ程度と従来より１／３程度に短くなるためソ
ース抵抗を従来より低減できるので、相互コンダクタン
スなどのＦＥＴの特性を向上させることができる。

【００３１】２．第２実施例 次に、ダミー物の形状及びダミー物と被エッチング物と
の配置を違えた場合に被エッチング物のエッチングのさ
れ方がどのように変わるかについて以下に説明するよう
に調べる。図４（Ａ）及び（Ｂ）と図５（Ａ）及び
（Ｂ）と図６とはその説明に供する図である。特に、図
４（Ａ）及び（Ｂ）は比較例の説明図であり被エッチン
グ物（エッチング試料１１ｓ）のみを反応室３１内に設
置した際の被エッチング物のエッチング具合の面内分布
の、反応性ガスの流れ方向依存性を示した図である。ま
た、図５（Ａ）及び（Ｂ）は反応室３１内に被エッチン
グ物とダミー物１４１とを共存させる場合の両者の配置
関係条件を説明する平面図及び側面図である。なお、こ
の第２実施例では直径４インチのシリコン基板そのもの
をダミー物として用いる。また、図６は図５に示した各
配置条件での被エッチング物のエッチング具合の面内分
布に違いが生じることを示した図である。

【００３２】先ず、比較例として、図４（Ａ）に示すよ
うに、円形の反応室３１の壁に沿って設けた無数の穴を
有するステンレス管から成るガス導入管３３から反応性
ガスが反応室に供給される場合で、反応室３１の電極３
７上にエッチング試料１１ｓのみを設置した条件でＲＩ
Ｅ法によるエッチングを行なう。そして、このエッチン
グによりエッチング試料１１ｓ上に多数形成されるＳｉ
Ｎ膜１５の開口部（図８（Ａ）、図２（Ｃ）参照）のう
ちの、図４（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った各位置での開口部
１５ａの寸法をそれぞれ測定する。この結果を、図４
（Ｂ）に、縦軸に開口部１５ａの寸法をとり、横軸にエ
ッチング試料１１ｓ上での位置をとって示した。この図
４（Ｂ）から明らかなように、比較例では、反応性ガス
の流れ方向の下流に形成された開口部ほど開口寸法が大
きくなることが分かった。また、開口寸法も２〜４μｍ
の範囲にばらつくことが分かった。

【００３３】比較例においてこのような結果となる理由
は、反応性ガスの流れ方向上流ではラジカルの生成が未
だ少ないためにＳｉＮ膜にサイドエッチングが生じにく
く、これに対し下流側ではラジカルが多く生成されるよ
うになるのでその分サイドエッチングが生じるためと考
えられる。なお、エッチング試料１１ｓの反応性ガスの
流れ方向に対する位置の特定はＧａＡｓ基板のオリエン
テーションフラット１１ａを用いて行なっている（以下
の第２実施例において同じ。）。

【００３４】これに対し、この第２実施例では、図５
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、反応室３１の電極３７
上にダミー物としての４インチシリコン基板１４１及び
エッチング試料１１ｓをこの順に重ねて配置すると共に
シリコン基板１４１のエッチング試料１１ｓに対する位
置を、（ａ）反応性ガスの流れ方向上流側にシリコン基
板１４１が寄るようにした場合、（ｂ）シリコン基板１
４１がエッチング試料１１ｓと同心となるようにした場
合、（ｃ）反応性ガスの流れ方向下流側にシリコン基板
１４１が寄るようにした場合、それぞれとし、比較例と
同様な条件でそれぞれＲＩＥを行なう。そして、
（ａ），（ｂ），（ｃ）それぞれの配置条件でのエッチ
ング試料１１ｓの図４（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った各位置
でのＳｉＮ膜１５の開口部１５ａの寸法をそれぞれ測定
する。その結果を図６に図４（Ｂ）と同様な表記法によ
り示した。

【００３５】図６から明らかなように、（ａ），
（ｂ），（ｃ）それぞれの配置条件いずれの場合も、各
開口部１５ａの寸法は比較例に比べ小さくなりいずれも
レジストパターンの開口部寸法と同程度の１μｍ程度に
抑えられることが分かった。これは、ダミー物１４１を
共存させたためにラジカルが充分に減少したためと思わ
れる。

【００３６】さらに、上記（ａ），（ｂ），（ｃ）それ
ぞれの配置条件で開口部１５ａの寸法ばらつき具合は異
なったものになることが分かった。

【００３７】具体的には、上記（ａ）の条件の場合は、
反応性ガスの流れ方向上流側程、開口部の寸法が短くな
ることが分かった。これは、ダミー物であるシリコン基
板１４１が上流側で広い面積で露出されているので反応
性ガスの分解で生じるラジカル及び活性イオンはこのシ
リコン基板１４１によって消費されてしまうためエッチ
ング試料の反応性ガスの流れ方向上流側のエッチングレ
ートが低下すること、及び、下流側ではダミー物がない
ためラジカルが消費されにくくなることによると思われ
る。

【００３８】また、上記（ｂ）の条件の場合は上流側で
の開口部長は下流側のそれより１５％程短い。これは、
反応性ガスの流れ方向上流側での反応性ガスの分解程度
が下流側に比べ少ないためと思われる。

【００３９】また、上記（ｃ）の条件の場合はエッチン
グ試料上の各開口部の寸法は比較的均一であり５％のば
らつきに抑えられる。これは、反応性ガスの流れ方向下
流程ガスが分解されラジカルが多く生じるがこのラジカ
ルを消費するためのダミー物１４１の面積が広いために
このラジカルがダミー物により消費されるためと思われ
る。

【００４０】これらの結果から、エッチング試料１１ｓ
に対するダミー物１４１の位置を変えることにより、換
言すれば、シリコン基板１４１のエッチング試料で覆わ
れていない部分をシリコンリングと考えるとこのシリコ
ンリング（ダミー物４１）の貫き部分の偏心のさせ具合
により、エッチング試料のエッチングレートの面内均一
性が是正できまたエッチング形状の制御ができることが
理解できる。

【００４１】なお、上述の各実施例ではダミー物の構成
材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いていた。これは、直
径３インチのシリコン基板と別の３インチのシリコン基
板表面に例えばＣＶＤ法により形成したＳｉＮ膜とを、
実施例で設定した反応性ガス及び真空度の条件のＲＩＥ
法でそれぞれエッチングした場合のシリコンのエッチン
グレートがＳｉＮ膜のそれより２倍程度大きかったため
である。しかし、エッチング条件によってはシリコンの
エッチングレートはＳｉＮ膜のそれの１〜３倍程度の間
で変化するが、そのいずれのエッチング条件の場合もシ
リコンはＳｉＮ膜のサイドエッチングを抑制する効果を
示すことが認められた。

【００４２】上述においてはこの発明の反応性イオンエ
ッチングの各実施例について説明したがこの発明はこれ
ら実施例に限られるものではない。

【００４３】例えば実施例では被エッチング物をＳｉＮ
膜としダミー物をシリコンで構成していたが、被エッチ
ング物をタングステン（Ｗ）としダミー物をシリコンで
構成した組み合わせ、被エッチング物をモリブデン（Ｍ
ｏ）としダミー物をシリコンで構成した組み合わせ、被
エッチング物をポリシリコンとしダミー物をシリコンで
構成した組み合わせなどのように、同一の反応性ガスこ
の例示の場合は例えばＣＦ₄ などに対し反応速度差を示
す組み合わせについても、この発明の方法を適用でき
る。

【００４４】また、ダミー物の構成材料もシリコンに限
られず他の好適なものとできる。

【００４５】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明の反応性イオンエッチング法によれば、ＲＩＥ装
置の反応室内のラジカルはダミー物により主に消費さ
れ、被エッチング物のエッチングは活性イオンと少量の
ラジカルにより行なわれるようになるので、ダミー物を
共存させない場合に比べ異方性のエッチングが優位に行
なわれる。このため、反応性イオンエッチング法の特長
である下地の損傷が少ないエッチングが可能になり然も
被エッチング物のサイドエッチングが従来より少なく従
ってエッチングマスクに対する寸法変換差が従来より少
ないエッチングが可能になる。

【００４６】また、ダミー物を被エッチング物の外形形
状と類似の貫き部分を有する板状物にする構成或いはダ
ミー物を被エッチング物より平面形状が大きな板状物と
する構成の場合、被エッチング物とダミー物とを近接さ
せた状態で共存させることができるので、そうしない場
合に比べ、ダミー物の作用を有効に発揮させることがで
きる。

【００４７】また、ダミー物の形状及びダミー物の被エ
ッチング物に対する位置の一方又は双方を変更する構成
の場合、例えば反応性ガスの流れ方向に起因する被エッ
チング物のエッチングレートの不均一さの是正、被エッ
チング物の形状制御が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）及び（Ｂ）は、第１実施例の説明に供す
る図である。

【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、第１及び第２実施例の説明
に供する工程図である。

【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、第１及び第２実施例の
説明に供する図２に続く工程図である。

【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、第２実施例に対する比較
例の説明図である。

【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、第２実施例でのダミー物
とエッチング試料との配置関係を説明するための図であ
る。

【図６】第２実施例での特性説明に供する図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来技術の説明に供する工
程図である。

【図８】（Ａ）〜（Ｃ）は、従来技術の説明に供する図
７に続く工程図である。

【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は、従来技術の説明に供する
図である。

【符号の説明】

１１：ＧａＡｓ基板 １１ｓ：エッチング試料 １３：ｎ型活性層（下地） １３ａ：ｎ形活性層のリセスにより薄くされた部分 １５：被エッチング物（例えばＳｉＮ膜） １５ａ：被エッチング物に形成された開口部 １７レジストパターン １７ａ：レジストパターンの開口部 １９：活性イオン ２１：ラジカル ３１：反応室 ３３：反応性ガス導入管 ３５：対向電極 ３７：電極 ３９：排気系 ４１：ダミー物（中央部分をくり貫いたシリコン基板） １４１：ダミー物（シリコン基板）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被エッチング物を反応性イオンエッチン
   グ法によりエッチングするに当たり、 ラジカル消費量が被エッチング物より多いダミー物を反
   応室内に設置した状態で該被エッチング物をエッチング
   することを特徴とする反応性イオンエッチング法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の反応性イオンエッチン
   グ法において、 前記ダミー物を前記被エッチング物と同程度かそれ以上
   のエッチングレートを示す物質で構成したことを特徴と
   する反応性イオンエッチング法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載の反応性イオンエ
   ッチング法において、 前記ダミー物を前記被エッチング物の周囲全域近傍に又
   は周囲の一部近傍に設置することを特徴とする反応性イ
   オンエッチング法。
4. 【請求項４】 請求項１、２又は３に記載の反応性イオ
   ンエッチング法において、 前記ダミー物を前記被エッチング物の外形形状と類似の
   貫き部分を有する板状物とし、該貫き部分内に該被エッ
   チング物を置いた状態で該被エッチング物のエッチング
   を行なうことを特徴とする反応性イオンエッチング法。
5. 【請求項５】 請求項１、２又は３に記載の反応性イオ
   ンエッチング法において、 前記ダミー物を被エッチング物より平面形状が大きな板
   状物とし該ダミー物上に該被エッチング物を置いた状態
   で該被エッチング物のエッチングを行なうことを特徴と
   する反応性イオンエッチング法。
6. 【請求項６】 請求項４又は５に記載の反応性イオンエ
   ッチング法において、 前記ダミー物の形状及び該ダミー物の前記被エッチング
   物に対する位置の一方又は双方を少なくとも反応性ガス
   の流れ方向を考慮して変更して被エッチング物のエッチ
   ングを行なうことを特徴とする反応性イオンエッチング
   法。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の反
   応性イオンエッチング法において、 前記被エッチング物をシリコン窒化膜、タングステン、
   モリブデンまたは多結晶シリコンとした場合、反応性ガ
   スとしてフッ素系ガスを用い、前記ダミー物をシリコン
   で構成することを特徴とする反応性イオンエッチング
   法。