JPH05188082A - 半導体検出装置 - Google Patents
半導体検出装置Info
- Publication number
- JPH05188082A JPH05188082A JP2474292A JP2474292A JPH05188082A JP H05188082 A JPH05188082 A JP H05188082A JP 2474292 A JP2474292 A JP 2474292A JP 2474292 A JP2474292 A JP 2474292A JP H05188082 A JPH05188082 A JP H05188082A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- sensor package
- circuit board
- hole
- guide
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 平面上の占有スペースを小さくし、半導体セ
ンサパッケージとハイブリッドＩＣ部の雰囲気温度差を
なくし、高精度な特性を維持する。また、ハイブリッド
ＩＣの回路基板への組立てを容易にする。 【構成】 回路基板１０上の半導体センサパッケージ１
１の側周を囲って案内体２４を回路基板１０に係止手段
で固定し、配線板下面に装着したＩＣ部２２をセンサパ
ッケージ上方に近接させたハイブリッドＩＣ２０のリー
ド２３を、案内体２４の案内穴２４ｄに入口の傾斜導入
部２４ｅを経て通し、回路基板１０のスルーホール１０
ｂに挿入している。
ンサパッケージとハイブリッドＩＣ部の雰囲気温度差を
なくし、高精度な特性を維持する。また、ハイブリッド
ＩＣの回路基板への組立てを容易にする。 【構成】 回路基板１０上の半導体センサパッケージ１
１の側周を囲って案内体２４を回路基板１０に係止手段
で固定し、配線板下面に装着したＩＣ部２２をセンサパ
ッケージ上方に近接させたハイブリッドＩＣ２０のリー
ド２３を、案内体２４の案内穴２４ｄに入口の傾斜導入
部２４ｅを経て通し、回路基板１０のスルーホール１０
ｂに挿入している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、回路基板にセンサパ
ッケージとハイブリッドＩＣを組立てた、半導体検出装
置に関する。
ッケージとハイブリッドＩＣを組立てた、半導体検出装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば実開昭６２−１９２２３４
号公報に示された、従来の半導体圧力検出装置の断面図
である。１は合成樹脂成形品からなる基台、２はこの基
台上に気密に取付けられたカバー、３は基台１上に固定
された回路基板、４は回路基板上に取付けられた半導体
圧力センサパッケージで、大気導入孔１ａからの大気が
上部から導入され、導通孔１ｂから被検出の圧力気体が
下方から導かれ、圧力を検出する。５は回路基板３上に
固定され増幅回路をなすハイブリッドＩＣである。
号公報に示された、従来の半導体圧力検出装置の断面図
である。１は合成樹脂成形品からなる基台、２はこの基
台上に気密に取付けられたカバー、３は基台１上に固定
された回路基板、４は回路基板上に取付けられた半導体
圧力センサパッケージで、大気導入孔１ａからの大気が
上部から導入され、導通孔１ｂから被検出の圧力気体が
下方から導かれ、圧力を検出する。５は回路基板３上に
固定され増幅回路をなすハイブリッドＩＣである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の半
導体圧力検出装置では、回路基板３上に圧力センサパッ
ケージ４とハイブリッドＩＣ５が平面方向に装着されて
おり、高さ方向は比較的低くできるが、平面方向の占有
スペースが大きくなるという問題点があった。また、圧
力センサパッケージ４とハイブリッドＩＣ５との間に雰
囲気温度差が生じやすく、センサとハイブリッドＩＣ５
を精密に特性合わせ込みの調整しても、実機使用で雰囲
気温度差が生じ、精度を低下するという問題点があっ
た。さらに、ハイブリッドＩＣ５はリードが多数出され
ており、取扱い中にリードが小角度倒れることがある。
このため、リードを回路基板３のスルーホールに差込む
のに合わないことがあり、組立ての作業性を低下すると
いう問題点があった。
導体圧力検出装置では、回路基板３上に圧力センサパッ
ケージ４とハイブリッドＩＣ５が平面方向に装着されて
おり、高さ方向は比較的低くできるが、平面方向の占有
スペースが大きくなるという問題点があった。また、圧
力センサパッケージ４とハイブリッドＩＣ５との間に雰
囲気温度差が生じやすく、センサとハイブリッドＩＣ５
を精密に特性合わせ込みの調整しても、実機使用で雰囲
気温度差が生じ、精度を低下するという問題点があっ
た。さらに、ハイブリッドＩＣ５はリードが多数出され
ており、取扱い中にリードが小角度倒れることがある。
このため、リードを回路基板３のスルーホールに差込む
のに合わないことがあり、組立ての作業性を低下すると
いう問題点があった。
【０００４】この発明は、このような問題点を解決する
ためになされたもので、平面上の占有スペースを小さく
し、半導体センサパッケージとハイブリッドＩＣ部の雰
囲気温度差をなくし、高精度な特性が維持され、また、
ハイブリッドＩＣの回路基板への組立ての作業性を向上
した半導体検出装置を得ることを目的としている。
ためになされたもので、平面上の占有スペースを小さく
し、半導体センサパッケージとハイブリッドＩＣ部の雰
囲気温度差をなくし、高精度な特性が維持され、また、
ハイブリッドＩＣの回路基板への組立ての作業性を向上
した半導体検出装置を得ることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
検出装置は、回路基板上に半導体センサパッケージを装
着し、このセンサパッケージの側周を囲い案内体を回路
基板に係止手段で固定し、ハイブリッドＩＣの配線板下
面に装着されたＩＣ部をセンサパッケージ上方に近接さ
せ、配線板の両端から下方に出された各リードを、案内
体の対応する各傾斜導入部に沿わせ案内穴に通し回路基
板の各スルーホールに挿入するようにしたものである。
検出装置は、回路基板上に半導体センサパッケージを装
着し、このセンサパッケージの側周を囲い案内体を回路
基板に係止手段で固定し、ハイブリッドＩＣの配線板下
面に装着されたＩＣ部をセンサパッケージ上方に近接さ
せ、配線板の両端から下方に出された各リードを、案内
体の対応する各傾斜導入部に沿わせ案内穴に通し回路基
板の各スルーホールに挿入するようにしたものである。
【０００６】
【作用】この発明においては、半導体センサパッケージ
上方に近接してハイブリッドＩＣのＩＣ部が配置されて
おり、平面上の占有スペースが小さくなるとともに、双
方の雰囲気温度がほぼ同一となり、高精度な特性が得ら
れる。さらに、ハイブリッドＩＣのリードに倒れがあっ
ても、入口の各傾斜導入部に導かれて案内穴に通され、
回路基板の各スルーホールに容易に挿入され、組立ての
作業性が向上される。
上方に近接してハイブリッドＩＣのＩＣ部が配置されて
おり、平面上の占有スペースが小さくなるとともに、双
方の雰囲気温度がほぼ同一となり、高精度な特性が得ら
れる。さらに、ハイブリッドＩＣのリードに倒れがあっ
ても、入口の各傾斜導入部に導かれて案内穴に通され、
回路基板の各スルーホールに容易に挿入され、組立ての
作業性が向上される。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例による半導体検出
装置を示し、(A)は正面断面図で、(B)は側面断面図であ
る。図において、１０は回路基板、１１は半導体センサ
パッケージ（以下「センサパッケージ」と称する）で、
半導体センサとして加速度センサの場合を示し、次のよ
うに構成されている。１２は半導体チップで、基板１３
上に固着された台座１４上に一端が固着され、他端に重
り１５が固着されている。１６は基板１３上に固着され
たカバーである。センサパッケージ１１は絶縁板１８を
介し回路基板１０上に固着され、複数のリード１７がガ
ラス絶縁封止されて下方に出されている。
装置を示し、(A)は正面断面図で、(B)は側面断面図であ
る。図において、１０は回路基板、１１は半導体センサ
パッケージ（以下「センサパッケージ」と称する）で、
半導体センサとして加速度センサの場合を示し、次のよ
うに構成されている。１２は半導体チップで、基板１３
上に固着された台座１４上に一端が固着され、他端に重
り１５が固着されている。１６は基板１３上に固着され
たカバーである。センサパッケージ１１は絶縁板１８を
介し回路基板１０上に固着され、複数のリード１７がガ
ラス絶縁封止されて下方に出されている。
【０００８】次に、２０はハイブリッドＩＣで、電子部
品（図示は略す）を装着した配線板２１の下部には、Ｉ
Ｃ部２２が固着され、センサパッケージ１１上方に近接
している。配線板２１の両端から多数のリード２３が下
方に出されている。
品（図示は略す）を装着した配線板２１の下部には、Ｉ
Ｃ部２２が固着され、センサパッケージ１１上方に近接
している。配線板２１の両端から多数のリード２３が下
方に出されている。
【０００９】２４は合成樹脂成形品からなる案内体で、
穴部２４ａでセンサパッケージ１６の側周を囲ってい
る。案内体２４の両端から下方に出された１対の係合爪
部２４ｂが、回路基板１０に設けられた１対の係止穴１
０ａに挿入されてから、下面に係止され固定されてい
る。
穴部２４ａでセンサパッケージ１６の側周を囲ってい
る。案内体２４の両端から下方に出された１対の係合爪
部２４ｂが、回路基板１０に設けられた１対の係止穴１
０ａに挿入されてから、下面に係止され固定されてい
る。
【００１０】図２に案内体２４を平面図で示し、両側に
上方に突出する案内突起部２４ｃが設けられ、下部側に
は各リード２３を通す多数の案内穴２４ｄが設けられ、
この入口側には上方が広くされた傾斜導入部２４ｅが形
成されている。
上方に突出する案内突起部２４ｃが設けられ、下部側に
は各リード２３を通す多数の案内穴２４ｄが設けられ、
この入口側には上方が広くされた傾斜導入部２４ｅが形
成されている。
【００１１】回路基板１０上へセンサパッケージ１１と
ハイブリッドＩＣ２０を組立てるには、次のようにす
る。図１のように、まず、回路基板１０上へ絶縁板１８
を介しセンサパッケージ１１を固定し、各リード１７を
下方に出す。つづいて、案内体２４を穴部２４ａでカバ
ー１６の側周にはめ、下部のつば部を押付け、両係合爪
部２４ｂを回路基板１０の係止穴１０ａに通し、下面に
係止する。ついで、ハイブリッドＩＣ２０を下降し、各
リード２３を対応する各案内穴２４ｄの傾斜導入部２４
ｅに差込む。各リード２３の先端部は入口の傾斜導入部
２４ｅに案内され案内穴２４ｄに通され、回路基板１０
の各スルーホル１０ｂに容易に挿入される。各リード２
３の先端は、回路基板１０下面の配線にそれぞれはんだ
付け接合される。
ハイブリッドＩＣ２０を組立てるには、次のようにす
る。図１のように、まず、回路基板１０上へ絶縁板１８
を介しセンサパッケージ１１を固定し、各リード１７を
下方に出す。つづいて、案内体２４を穴部２４ａでカバ
ー１６の側周にはめ、下部のつば部を押付け、両係合爪
部２４ｂを回路基板１０の係止穴１０ａに通し、下面に
係止する。ついで、ハイブリッドＩＣ２０を下降し、各
リード２３を対応する各案内穴２４ｄの傾斜導入部２４
ｅに差込む。各リード２３の先端部は入口の傾斜導入部
２４ｅに案内され案内穴２４ｄに通され、回路基板１０
の各スルーホル１０ｂに容易に挿入される。各リード２
３の先端は、回路基板１０下面の配線にそれぞれはんだ
付け接合される。
【００１２】ハイブリッドＩＣ２０の各リード２３は、
取扱い中に少し倒れることがある。これを図１(C)に示
し、リード２３の先端側が実線のように角度θ倒れてい
る。ハイブリッドＩＣ２０を下降すると、各リード２３
の下端部は案内体２４の傾斜導入部２４ｅに導かれて案
内穴２４ｄに通され倒れが矯正され、スルーホール１０
ｂに円滑に挿入される。
取扱い中に少し倒れることがある。これを図１(C)に示
し、リード２３の先端側が実線のように角度θ倒れてい
る。ハイブリッドＩＣ２０を下降すると、各リード２３
の下端部は案内体２４の傾斜導入部２４ｅに導かれて案
内穴２４ｄに通され倒れが矯正され、スルーホール１０
ｂに円滑に挿入される。
【００１３】回路基板１０にセンサパッケージ１１、ハ
イブリッドＩＣ２０が組立てられた半導体検出装置は、
合成樹脂成形品からなる基台とカバーとによる容器に収
容されるが、図示は略する。
イブリッドＩＣ２０が組立てられた半導体検出装置は、
合成樹脂成形品からなる基台とカバーとによる容器に収
容されるが、図示は略する。
【００１４】なお、上記実施例ではセンサパッケージ１
１は半導体センサとして、加速度センサの場合を示した
が、これに限らず、例えば半導体圧力センサの場合にも
適用できるものである。
１は半導体センサとして、加速度センサの場合を示した
が、これに限らず、例えば半導体圧力センサの場合にも
適用できるものである。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、回路
基板上にセンサパッケージを装着し、このセンサパッケ
ージの側周を囲って案内体を回路基板に係止手段で固定
し、ハイブリッドＩＣのＩＣ部をセンサパッケージ上方
に近接して配置し、ハイブリッドＩＣの各リードの先端
部を案内体の各案内穴に入口の傾斜案内部を経て通し、
回路基板のスルーホールに挿入するようにしたので、横
方向の外形が縮小され、また、センサパッケージの半導
体センサとハイブリッドＩＣのＩＣ部との雰囲気温度差
がほぼ同一となり、高精度な特性が維持される。さら
に、ハイブリッドＩＣの組込みの作業性が向上される。
基板上にセンサパッケージを装着し、このセンサパッケ
ージの側周を囲って案内体を回路基板に係止手段で固定
し、ハイブリッドＩＣのＩＣ部をセンサパッケージ上方
に近接して配置し、ハイブリッドＩＣの各リードの先端
部を案内体の各案内穴に入口の傾斜案内部を経て通し、
回路基板のスルーホールに挿入するようにしたので、横
方向の外形が縮小され、また、センサパッケージの半導
体センサとハイブリッドＩＣのＩＣ部との雰囲気温度差
がほぼ同一となり、高精度な特性が維持される。さら
に、ハイブリッドＩＣの組込みの作業性が向上される。
【図１】この発明の一実施例による半導体検出装置を示
し、(A)は正面断面図、(B)は(A)のＢ−Ｂ線における断
面図、(C)は(A)の案内体の案内穴部のリードの案内を示
す拡大断面図である。
し、(A)は正面断面図、(B)は(A)のＢ−Ｂ線における断
面図、(C)は(A)の案内体の案内穴部のリードの案内を示
す拡大断面図である。
【図２】(A)は図１(A)の案内体の平面図、(B)は(A)のＢ
−Ｂ線における拡大断面図である。
−Ｂ線における拡大断面図である。
【図３】従来の半導体圧力検出装置の正面断面図であ
る。
る。
10 回路基板 10a 係止穴 10b スルーホール 11 半導体センサパッケージ 20 ハイブリッドＩＣ 21 配線板 22 ＩＣ部 23 リード 24 案内体 24b 係止爪部 24c 案内突起部 24d 案内穴 24e 傾斜導入部
Claims (1)
- 【請求項１】 回路基板、この回路基板上に装着された
半導体センサパッケージ、合成樹脂成形品からなり、上
記半導体センサパッケージの側周を囲い、両側の上方に
突出する案内突起部に多数の案内穴が設けられ、この案
内穴には上部側に入口側を広くした傾斜導入部が形成さ
れており、上記回路基板に係止手段により固定された案
内体、及び電子部品が装着された配線板と、この配線板
の下面に取付けられ、上記半導体センサパッケージ上方
に近接するＩＣ部と、上記配線板の両端からそれぞれ下
方に出された多数のリードとからなるハイブリッドＩＣ
を備え、このハイブリッドＩＣの各リードは先端部が、
上記案内体の対応する傾斜導入部に導かれ案内穴に通さ
れ、上記回路基板の各スルーホールに挿入されたことを
特徴とする半導体検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2474292A JP2840154B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2474292A JP2840154B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05188082A true JPH05188082A (ja) | 1993-07-27 |
| JP2840154B2 JP2840154B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=12146602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2474292A Expired - Fee Related JP2840154B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 半導体検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2840154B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP2474292A patent/JP2840154B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2840154B2 (ja) | 1998-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |