JPH05183227A - スペクトル範囲１．２６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器 - Google Patents
スペクトル範囲１．２６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器Info
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- JPH05183227A JPH05183227A JP4101185A JP10118592A JPH05183227A JP H05183227 A JPH05183227 A JP H05183227A JP 4101185 A JP4101185 A JP 4101185A JP 10118592 A JP10118592 A JP 10118592A JP H05183227 A JPH05183227 A JP H05183227A
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- waveguide
- optical amplifier
- fluoride glass
- range
- doped
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/17—Solid materials amorphous, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2302/00—Amplification / lasing wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2303/00—Pumping wavelength
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 現在公知のドープド光ファイバ増幅器よりも
優れた機械的特性を有する、スペクトル範囲１．２６〜
１．３４μｍの光増幅器を提供する。 【構成】 プラセオジムでドープされたフッ化物ガラス
の剛性基板２を含んでおり、前記基板２中に前記フッ化
物ガラスの屈折率に対する屈折率差Δｎが４×１０-3〜
８×１０-2の範囲にある３次元導波路３が形成されてお
り、前記導波路３に、１．０２μｍ±０．１μｍの波長
を有する光ポンプへの結合手段が備えられているスペク
トル範囲１．２６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器。
優れた機械的特性を有する、スペクトル範囲１．２６〜
１．３４μｍの光増幅器を提供する。 【構成】 プラセオジムでドープされたフッ化物ガラス
の剛性基板２を含んでおり、前記基板２中に前記フッ化
物ガラスの屈折率に対する屈折率差Δｎが４×１０-3〜
８×１０-2の範囲にある３次元導波路３が形成されてお
り、前記導波路３に、１．０２μｍ±０．１μｍの波長
を有する光ポンプへの結合手段が備えられているスペク
トル範囲１．２６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スペクトル範囲１．２
６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器に関しており、特に光
ファイバによるアナログ遠隔通信システムに適用可能で
ある。
６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器に関しており、特に光
ファイバによるアナログ遠隔通信システムに適用可能で
ある。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ＯＦＣ’９１，ｐａｐｅｒ ＰＤ
２，Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ １９９１に公開されたＹ．Ｏ
ｈｉｓｈｉ、Ｔ．Ｋａｎａｍｏｒｉ、Ｔ．Ｋｉｔａｇａ
ｗａ、Ｓ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ、Ｅ．Ｓｎｉｔｚｅｒ及
びＧ．Ｈ．Ｓｉｇｅｌによる文献“Ｐｒ3+ ｄｏｐｅｄ
ｆｌｕｏｒｉｄｅ ｆｉｂｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒ
ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ａｔ １．３１μｍ（１．３１μ
ｍで動作するＰｒ3+ドープのフッ化物ファイバ増幅
器）”は、プラセオジムでドープされたフッ化物ガラス
光ファイバを使用する光増幅器を開示している。かかる
単一モードファイバ内に光パワーを閉じ込めることによ
って、１．２６〜１．３４μｍのスペクトル範囲におい
て誘導放出を生じる反転分布を得ることができる。
ｃｅｅｄｉｎｇｓ ＯＦＣ’９１，ｐａｐｅｒ ＰＤ
２，Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ １９９１に公開されたＹ．Ｏ
ｈｉｓｈｉ、Ｔ．Ｋａｎａｍｏｒｉ、Ｔ．Ｋｉｔａｇａ
ｗａ、Ｓ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ、Ｅ．Ｓｎｉｔｚｅｒ及
びＧ．Ｈ．Ｓｉｇｅｌによる文献“Ｐｒ3+ ｄｏｐｅｄ
ｆｌｕｏｒｉｄｅ ｆｉｂｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒ
ｏｐｅｒａｔｉｎｇ ａｔ １．３１μｍ（１．３１μ
ｍで動作するＰｒ3+ドープのフッ化物ファイバ増幅
器）”は、プラセオジムでドープされたフッ化物ガラス
光ファイバを使用する光増幅器を開示している。かかる
単一モードファイバ内に光パワーを閉じ込めることによ
って、１．２６〜１．３４μｍのスペクトル範囲におい
て誘導放出を生じる反転分布を得ることができる。
【０００３】“正味利得”なる用語を増幅媒体からの出
口における信号を入口における信号で除算した比をｄＢ
で表したものとして使用するならば、上述のファイバ増
幅器の正味利得は、１．０１７μｍにおいて１８０ｍＷ
のポンピング力に対して、１．３１μｍにおいて５．１
ｄＢである。
口における信号を入口における信号で除算した比をｄＢ
で表したものとして使用するならば、上述のファイバ増
幅器の正味利得は、１．０１７μｍにおいて１８０ｍＷ
のポンピング力に対して、１．３１μｍにおいて５．１
ｄＢである。
【０００４】しかしながら、現在公知のフッ化物ファイ
バは比較的乏しい機械的特性を有するようである。それ
らは、第１には、断面が小さくて半径は約６０μｍであ
り、第２には、ファイバをより脆弱にする外的環境から
の汚染に極めて敏感である。
バは比較的乏しい機械的特性を有するようである。それ
らは、第１には、断面が小さくて半径は約６０μｍであ
り、第２には、ファイバをより脆弱にする外的環境から
の汚染に極めて敏感である。
【０００５】本発明の目的は、現在公知のドープド光フ
ァイバ増幅器よりも優れた機械的特性を有する、スペク
トル範囲１．２６〜１．３４μｍの光増幅器を提供する
ことである。
ァイバ増幅器よりも優れた機械的特性を有する、スペク
トル範囲１．２６〜１．３４μｍの光増幅器を提供する
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラセオジム
でドープされたフッ化物ガラスの剛性基板を含んでお
り、該基板中に前記フッ化物ガラスの屈折率に対する屈
折率差Δｎが４×１０−３〜８×１０−２の範囲にある
３次元導波路が形成されており、該導波路に、１．０２
μｍ±０．１μｍの波長を有する光ポンプとの結合手段
が備えられているスペクトル範囲１．２６μｍ〜１．３
４μｍの光増幅器を提供する。
でドープされたフッ化物ガラスの剛性基板を含んでお
り、該基板中に前記フッ化物ガラスの屈折率に対する屈
折率差Δｎが４×１０−３〜８×１０−２の範囲にある
３次元導波路が形成されており、該導波路に、１．０２
μｍ±０．１μｍの波長を有する光ポンプとの結合手段
が備えられているスペクトル範囲１．２６μｍ〜１．３
４μｍの光増幅器を提供する。
【０００７】１つの実施例においては、前記導波路は、
前記フッ化物ガラス中に鉛を局所拡散することにより得
られている。
前記フッ化物ガラス中に鉛を局所拡散することにより得
られている。
【０００８】鉛は、フッ化物ガラスと適合し得て且つ上
述の屈折率差が得られる任意の材料で置き換えることが
できる。
述の屈折率差が得られる任意の材料で置き換えることが
できる。
【０００９】前記導波路は、前記基板と同じ特性である
がプラセオジムでドープされていないフッ化物ガラス層
で覆われているのが有利である。この層の厚さは１００
μｍより小さくてはならず、導波路からの損失を制限す
る目的を有する。
がプラセオジムでドープされていないフッ化物ガラス層
で覆われているのが有利である。この層の厚さは１００
μｍより小さくてはならず、導波路からの損失を制限す
る目的を有する。
【００１０】導波路が前記層で被覆されていようとなか
ろうと、フッ化物ガラスを汚染しないエポキシ樹脂、例
えば紫外線照射によって硬化され得るポリウレタン樹脂
の追加コーティングが与えられている。
ろうと、フッ化物ガラスを汚染しないエポキシ樹脂、例
えば紫外線照射によって硬化され得るポリウレタン樹脂
の追加コーティングが与えられている。
【００１１】フッ化物ガラスはＺＢＬＡＮまたはＢＩＺ
ＹＴとすることができる。
ＹＴとすることができる。
【００１２】ＺＢＬＡＮは、組成：ＺｒＦ4，ＢａＦ2，
ＬａＦ3，ＡｌＦ3，ＮａＦを有するガラスである。ＢＩ
ＺＹＴは、組成：ＢａＦ2，ＩｎＦ3，ＺｎＦ2，ＹＦ3，
ＴｈＦ4を有するガラスである。
ＬａＦ3，ＡｌＦ3，ＮａＦを有するガラスである。ＢＩ
ＺＹＴは、組成：ＢａＦ2，ＩｎＦ3，ＺｎＦ2，ＹＦ3，
ＴｈＦ4を有するガラスである。
【００１３】前記フッ化物ガラスは、プラセオジムで
０．１〜２重量％の範囲の濃度にドープされているのが
好ましい。フッ化物ガラスは、イッテルビウムで０．１
〜１０重量％の範囲の濃度にドープすることもできる。
０．１〜２重量％の範囲の濃度にドープされているのが
好ましい。フッ化物ガラスは、イッテルビウムで０．１
〜１０重量％の範囲の濃度にドープすることもできる。
【００１４】有利な実施例においては、前記導波路は、
２０ｍｍ〜２００ｍｍの範囲の長さ、０．８μｍ〜６μ
ｍの範囲の幅、及び０．８μｍ〜６μｍの範囲の厚さを
有する。
２０ｍｍ〜２００ｍｍの範囲の長さ、０．８μｍ〜６μ
ｍの範囲の幅、及び０．８μｍ〜６μｍの範囲の厚さを
有する。
【００１５】
【実施例】添付の図面を参照し、本発明を実施例によっ
て説明する。
て説明する。
【００１６】図１及び図２は、本発明の増幅器の主要部
品１を示す。主要部品１は、プラセオジムで０．５重量
％の濃度にドープされたフッ化物ガラスＺＢＬＡＮでで
きた基板２を含んでいる。単一モード導波路３は、それ
自体公知の方法を使用して鉛を拡散することにより基板
中に形成されている。導波路のガラスと基板のガラスと
の屈折率差は２×１０-2である。導波路３の長さは１５
０ｍｍであり、その幅及び高さはともに４μｍである。
１．３μｍの波長に対するモード直径は４．５μｍであ
る。
品１を示す。主要部品１は、プラセオジムで０．５重量
％の濃度にドープされたフッ化物ガラスＺＢＬＡＮでで
きた基板２を含んでいる。単一モード導波路３は、それ
自体公知の方法を使用して鉛を拡散することにより基板
中に形成されている。導波路のガラスと基板のガラスと
の屈折率差は２×１０-2である。導波路３の長さは１５
０ｍｍであり、その幅及び高さはともに４μｍである。
１．３μｍの波長に対するモード直径は４．５μｍであ
る。
【００１７】導波路の上面は、例えば化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）法を使用し、基板２と同じフッ化物ガラスであるが
プラセオジムでドープされていない厚さ１００μｍの層
４で覆われている。部品１の入射面５及び出射面６はポ
リシングされており、導波路３の軸に対してわずかに、
例えば１４°の角度で傾斜している。ポリシング度は最
低でもλ／１０であらねばならない。上記構成は、レー
ザ効果を生じ得るいかなる反射をも防止するように作用
する。
Ｄ）法を使用し、基板２と同じフッ化物ガラスであるが
プラセオジムでドープされていない厚さ１００μｍの層
４で覆われている。部品１の入射面５及び出射面６はポ
リシングされており、導波路３の軸に対してわずかに、
例えば１４°の角度で傾斜している。ポリシング度は最
低でもλ／１０であらねばならない。上記構成は、レー
ザ効果を生じ得るいかなる反射をも防止するように作用
する。
【００１８】光ファイバマルチプレクサ１０は入口ファ
イバ１１を介して１．３μｍの信号を受取り、更に、
１．００８μｍで放出する光ポンプに入口ファイバ１２
を介して接続されている。出口ファイバ１３は、屈折率
差Δｎ＝２５×１０-3を有する一定長のファイバ１４と
次いで傾斜コネクタ８とを介して導波路の入射面５に接
続されている。ファイバ１４は、信号及びポンピング波
長においてマルチプレクサからの出力モードを導波路３
のモードと整合させる役割を果たす。このファイバは
（Ａ点とＢ点の間で）約０．２ｄＢの損失を生じる。傾
斜コネクタ８は、その軸に対して１４°の角度で傾斜し
た出口ファイバ面を有する。コネクタ８と類似のコネク
タ９が、導波路３の出射面６に対面して与えられてい
る。
イバ１１を介して１．３μｍの信号を受取り、更に、
１．００８μｍで放出する光ポンプに入口ファイバ１２
を介して接続されている。出口ファイバ１３は、屈折率
差Δｎ＝２５×１０-3を有する一定長のファイバ１４と
次いで傾斜コネクタ８とを介して導波路の入射面５に接
続されている。ファイバ１４は、信号及びポンピング波
長においてマルチプレクサからの出力モードを導波路３
のモードと整合させる役割を果たす。このファイバは
（Ａ点とＢ点の間で）約０．２ｄＢの損失を生じる。傾
斜コネクタ８は、その軸に対して１４°の角度で傾斜し
た出口ファイバ面を有する。コネクタ８と類似のコネク
タ９が、導波路３の出射面６に対面して与えられてい
る。
【００１９】本発明の増幅器の正味利得をＡ点とＣ点の
間で測定する。
間で測定する。
【００２０】出口Ｃには、１．００８μｍのポンピング
エネルギのための出口ファイバ１７と１．３μｍの増幅
信号のための出口ファイバ１６とを有するマルチプレク
サ１５が配置されている。
エネルギのための出口ファイバ１７と１．３μｍの増幅
信号のための出口ファイバ１６とを有するマルチプレク
サ１５が配置されている。
【００２１】図３は、波長が１．２７μｍ〜１．３３μ
ｍの範囲で変化する１０μＷのパワーの入力信号に対し
て、１．３Ｗのポンピング力を用いた正味利得がどのよ
うに変化するかを示す。
ｍの範囲で変化する１０μＷのパワーの入力信号に対し
て、１．３Ｗのポンピング力を用いた正味利得がどのよ
うに変化するかを示す。
【００２２】得られた利得は、目的の用途に十分であ
る。
る。
【００２３】変形例においては、イッテルビウムで０．
５重量％の濃度にドープされた基板２が使用される。導
波路の長さは１３０ｍｍである。
５重量％の濃度にドープされた基板２が使用される。導
波路の長さは１３０ｍｍである。
【００２４】９９０ｎｍにおいて６００ｍＷを分配する
ポンプを使用し、波長１．２９８μｍの信号に対して１
２ｄＢの正味利得が得られる。正味利得は更に、イッテ
ルビウムからプラセオジムへの遷移可能性を向上するた
めにプラセオジム／イッテルビウムの同時ドーピングを
最適化することにより増大することができる。
ポンプを使用し、波長１．２９８μｍの信号に対して１
２ｄＢの正味利得が得られる。正味利得は更に、イッテ
ルビウムからプラセオジムへの遷移可能性を向上するた
めにプラセオジム／イッテルビウムの同時ドーピングを
最適化することにより増大することができる。
【００２５】当然ながら、本発明は上述の実施例に制限
されない。本発明の範囲を越えずとも、任意の手段は等
価の手段によって置き換えることができる。
されない。本発明の範囲を越えずとも、任意の手段は等
価の手段によって置き換えることができる。
【図１】本発明の増幅器の概略図である。
【図２】本発明の増幅器に属する導波路の概略斜視図で
ある。
ある。
【図３】図１の増幅器の正味利得（ｄＢ）が入力信号の
波長λ（μｍ）の関数としてどのように変化するかを示
すグラフである。
波長λ（μｍ）の関数としてどのように変化するかを示
すグラフである。
１ 主要部品、 ２ 基板、 ３ 単モード導波路、 ５ 入射面、 ６ 出射面、 １０，１５ マルチプレクサ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｚ 8934−4Ｍ (72)発明者 ジヤン−フランソワ・マルスルー フランス国、91080・クールクロンヌ、ス カール・ドウ・ラ・ブラーブ・マルゴ・３ (72)発明者 クリスチヤン・ル・セルジヤン フランス国、91460・マルクーシス、リ ユ・ドウ・ラ・ロツシユ・ガルニエ、20
Claims (8)
- 【請求項１】 プラセオジムでドープされたフッ化物ガ
ラスの剛性基板を含んでおり、該基板中に前記フッ化物
ガラスの屈折率に対する屈折率差Δｎが４×１０-3〜８
×１０-2の範囲にある３次元導波路が形成されており、
該導波路に、１．０２μｍ±０．１μｍの波長を有する
光ポンプとの結合手段が備えられているスペクトル範囲
１．２６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器。 - 【請求項２】 前記導波路が、前記フッ化物ガラス中に
鉛を局所拡散することにより得られている請求項１に記
載の光増幅器。 - 【請求項３】 前記導波路が、厚さ１００μｍ以上のフ
ッ化物ガラスで覆われている請求項１または２に記載の
光増幅器。 - 【請求項４】 フッ化物ガラスを汚染しない樹脂のコー
ティングを備えている請求項１から３のいずれか一項に
記載の光増幅器。 - 【請求項５】 前記フッ化物ガラスが、ＺＢＬＡＮ及び
ＢＩＺＹＴから選択されている請求項１から４のいずれ
か一項に記載の光増幅器。 - 【請求項６】 前記フッ化物ガラスが、プラセオジムで
０．１〜２重量％の範囲の濃度にドープされている請求
項１から５のいずれか一項に記載の光増幅器。 - 【請求項７】 前記フッ化物ガラスが、さらにイッテル
ビウムで０．１〜１０重量％の範囲の濃度にドープされ
ている請求項１から６のいずれか一項に記載の光増幅
器。 - 【請求項８】 前記導波路が、２０ｍｍ〜２００ｍｍの
範囲の長さ、０．８μｍ〜６μｍの範囲の幅、及び０．
８μｍ〜６μｍの範囲の厚さを有している請求項１から
７のいずれか一項に記載の光増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9104929A FR2675592B1 (fr) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | Amplificateur optique dans le domaine spectral 1,26 a 1,34 mum. |
| FR9104929 | 1991-04-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183227A true JPH05183227A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=9412111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4101185A Pending JPH05183227A (ja) | 1991-04-22 | 1992-04-21 | スペクトル範囲１．２６μｍ〜１．３４μｍの光増幅器 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5185847A (ja) |
| EP (1) | EP0511069B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05183227A (ja) |
| AT (1) | ATE122180T1 (ja) |
| CA (1) | CA2066549C (ja) |
| DE (1) | DE69202296T2 (ja) |
| ES (1) | ES2071451T3 (ja) |
| FR (1) | FR2675592B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016082122A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 固体レーザ素子 |
| JP2016082121A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 固体レーザ素子 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9109077D0 (en) * | 1991-04-26 | 1991-06-12 | Univ Southampton | Lasers |
| US5309452B1 (en) * | 1992-01-31 | 1998-01-20 | Univ Rutgers | Praseodymium laser system |
| JP3214910B2 (ja) * | 1992-08-18 | 2001-10-02 | 富士通株式会社 | 平面導波路型光増幅器の製造方法 |
| US5365538A (en) * | 1992-10-29 | 1994-11-15 | The Charles Stark Draper Laboratory Inc. | Slab waveguide pumped channel waveguide laser |
| US5287217A (en) * | 1993-03-30 | 1994-02-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Optical amplification at the 1.31 wavelength |
| GB9402472D0 (en) * | 1994-02-09 | 1994-03-30 | Univ Brunel | Infrared transmitting optical fibre materials |
| WO1997007068A1 (en) * | 1995-08-15 | 1997-02-27 | British Technology Group Ltd. | Infrared transmitting optical fibre materials |
| CA2300941A1 (en) | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Brian L. Lawrence | Multiple-window dense wavelength division multiplexed communications link with optical amplification and dispersion compensation |
| AU1997399A (en) | 1998-02-20 | 1999-09-06 | Molecular Optoelectronics Corporation | Optical amplifier and process for amplifying an optical signal propagating in a fiber optic employing an overlay waveguide and stimulated emission |
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| US6141475A (en) * | 1998-07-23 | 2000-10-31 | Molecular Optoelectronics Corporation | Optical waveguide with dissimilar core and cladding materials, and light emitting device employing the same |
| US6236793B1 (en) | 1998-09-23 | 2001-05-22 | Molecular Optoelectronics Corporation | Optical channel waveguide amplifier |
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