JPH05182972A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH05182972A JPH05182972A JP35760491A JP35760491A JPH05182972A JP H05182972 A JPH05182972 A JP H05182972A JP 35760491 A JP35760491 A JP 35760491A JP 35760491 A JP35760491 A JP 35760491A JP H05182972 A JPH05182972 A JP H05182972A
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- JP
- Japan
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- bump
- polyimide
- wafer
- metal
- barrier metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ウェハー上に多数形成されたチップの電極部
上に、腐食の心配のないバリアメタル層及び金属バンプ
を形成でき、また耐衝撃性、耐応力の高い金属バンプを
得るバンプ形成方法を提供する。 【構成】 ウェハー１上に多数形成されたチップの電極
部４上にバンプを形成する際に、ウェハー上の全面にバ
リアメタル１１を被着した後、フォトリソグラフィによ
り電極部４位置にレジスト膜を形成し、次にバリアメタ
ルをエッチングした後レジスト膜を剥離し、ポリイミド
前駆体を全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極
部位置のみ開口し、次いでポリイミドキュアによりパッ
シベーション膜を形成し、ポリイミド前駆体を厚く全面
に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置の周囲
にポリイミド前駆体を残存し、ポリイミドキュアにより
枠状ポリイミドバンプ１６を形成した後、この枠状ポリ
イミドバンプ１６内に金属バンプ１７を形成する。
上に、腐食の心配のないバリアメタル層及び金属バンプ
を形成でき、また耐衝撃性、耐応力の高い金属バンプを
得るバンプ形成方法を提供する。 【構成】 ウェハー１上に多数形成されたチップの電極
部４上にバンプを形成する際に、ウェハー上の全面にバ
リアメタル１１を被着した後、フォトリソグラフィによ
り電極部４位置にレジスト膜を形成し、次にバリアメタ
ルをエッチングした後レジスト膜を剥離し、ポリイミド
前駆体を全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極
部位置のみ開口し、次いでポリイミドキュアによりパッ
シベーション膜を形成し、ポリイミド前駆体を厚く全面
に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部位置の周囲
にポリイミド前駆体を残存し、ポリイミドキュアにより
枠状ポリイミドバンプ１６を形成した後、この枠状ポリ
イミドバンプ１６内に金属バンプ１７を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハー上に多数形成
されたチップの電極部上に、素子実装に好適なバンプを
形成する方法に関する。
されたチップの電極部上に、素子実装に好適なバンプを
形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９に示すようにウェハー１上に多数形
成されたチップ（半導体回路）２は、切断エリア３で区
画され、周辺部に電極部４が突設されている。電極部４
上に素子実装の為のバンプを形成する従来の方法は、先
ず図10に示すようにウェハー１上の全面にポリイミド前
駆体５を塗布し、フォトリソグラフィにより図11に示す
ように電極部４の位置を開口し、次にポリイミドキュア
により図12に示すようにパッシベーション膜６を形成
し、次いでウェハー１上の全面に図13に示すようにバリ
アメタル層７を形成し、次にその上に図14に示すように
感光性レジスト８を塗布し、フォトリソグラフィにより
電極部４の位置を開口し、次いで湿式電解メッキ法によ
り開口部に図15に示すように金属バンプ９を形成し、次
に感光性レジスト８を図16に示すように剥離し、次いで
全面に感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィに
より金属バンプ９の上面及び周面に図17に示すように保
護レジスト膜10を形成し、然る後図18に示すように金属
バンプ９の下側以外のバリアメタル層７をエッチング
し、保護レジスト膜10を剥離することで金属バンプ９を
完成させていた。
成されたチップ（半導体回路）２は、切断エリア３で区
画され、周辺部に電極部４が突設されている。電極部４
上に素子実装の為のバンプを形成する従来の方法は、先
ず図10に示すようにウェハー１上の全面にポリイミド前
駆体５を塗布し、フォトリソグラフィにより図11に示す
ように電極部４の位置を開口し、次にポリイミドキュア
により図12に示すようにパッシベーション膜６を形成
し、次いでウェハー１上の全面に図13に示すようにバリ
アメタル層７を形成し、次にその上に図14に示すように
感光性レジスト８を塗布し、フォトリソグラフィにより
電極部４の位置を開口し、次いで湿式電解メッキ法によ
り開口部に図15に示すように金属バンプ９を形成し、次
に感光性レジスト８を図16に示すように剥離し、次いで
全面に感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィに
より金属バンプ９の上面及び周面に図17に示すように保
護レジスト膜10を形成し、然る後図18に示すように金属
バンプ９の下側以外のバリアメタル層７をエッチング
し、保護レジスト膜10を剥離することで金属バンプ９を
完成させていた。
【０００３】ところで、かかる従来のバンプ形成方法に
より形成した金属バンプ９は、表面が露出しており、素
子実装時やそれ以前に破壊や腐食を起こす危険がある。
また金属バンプ９自身が起立している為、比較的耐応
力、耐衝撃性の弱い材料をバンプとして用いることがで
きず、材料が限定される。さらに金属バンプ９の下側の
バリアメタル層７の周縁が腐食を起こす危険がある。
より形成した金属バンプ９は、表面が露出しており、素
子実装時やそれ以前に破壊や腐食を起こす危険がある。
また金属バンプ９自身が起立している為、比較的耐応
力、耐衝撃性の弱い材料をバンプとして用いることがで
きず、材料が限定される。さらに金属バンプ９の下側の
バリアメタル層７の周縁が腐食を起こす危険がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、金属
バンプやその下側のバリアメタル層の腐食の危険を減ら
し、金属バンプの耐衝撃性、耐応力を高めることのでき
るバンプ形成方法を提供しようとするものである。
バンプやその下側のバリアメタル層の腐食の危険を減ら
し、金属バンプの耐衝撃性、耐応力を高めることのでき
るバンプ形成方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のバンプ形成方法は、ウェハー上に多数形成さ
れたチップの電極部上にバンプを形成するに於いて、先
ずウェハー上の全面にバリアメタルをスパッタリングに
より被着し、次に感光性レジストを塗布し、フォトリソ
グラフィにより電極部位置にレジスト膜を形成し、次い
でバリアメタルをエッチングした後前記レジスト膜を剥
離し、次にポリイミド前駆体を全面に塗布し、フォトリ
ソグラフィにより電極部位置のみ開口し、次いでポリイ
ミドキュアによりパッシベーション膜を形成し、次にポ
リイミド前駆体を厚く全面に塗布し、フォトリソグラフ
ィにより電極部位置の周囲にポリイミド前駆体を残存
し、次いでポリイミドキュアにより枠状ポリイミドバン
プを形成し、然る後この枠状ポリイミドバンプ内に電極
部をカソードとして湿式電解メッキ法により金属バンプ
を形成することを特徴とするものである。
の本発明のバンプ形成方法は、ウェハー上に多数形成さ
れたチップの電極部上にバンプを形成するに於いて、先
ずウェハー上の全面にバリアメタルをスパッタリングに
より被着し、次に感光性レジストを塗布し、フォトリソ
グラフィにより電極部位置にレジスト膜を形成し、次い
でバリアメタルをエッチングした後前記レジスト膜を剥
離し、次にポリイミド前駆体を全面に塗布し、フォトリ
ソグラフィにより電極部位置のみ開口し、次いでポリイ
ミドキュアによりパッシベーション膜を形成し、次にポ
リイミド前駆体を厚く全面に塗布し、フォトリソグラフ
ィにより電極部位置の周囲にポリイミド前駆体を残存
し、次いでポリイミドキュアにより枠状ポリイミドバン
プを形成し、然る後この枠状ポリイミドバンプ内に電極
部をカソードとして湿式電解メッキ法により金属バンプ
を形成することを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】上記の本発明のバンプ形成方法によりウェハー
上のチップの電極部上に形成された金属バンプは、その
周面が枠状のポリイミドバンプにより被われているの
で、外気に触れる面積が小さく、外界からの腐食性物質
により侵食されるのが防止され、耐食性が高くなる。ま
た金属バンプの形成が工程の最後にあるので、従来のよ
うにバリアメタルのエッチングなどによりバンプ形成工
程で金属バンプやその下側のバリアメタル層が腐食する
ような心配がない。さらに金属バンプを被うポリイミド
自体の強度や弾性により外からの衝撃が直接金属バンプ
に加わることがなく、衝撃の力を緩和させることができ
る。また応力に対してもポリイミドによる支えがあるの
で、金属バンプの負担を軽減できる。従って、バンプの
耐衝撃性、耐応力が高くなる。
上のチップの電極部上に形成された金属バンプは、その
周面が枠状のポリイミドバンプにより被われているの
で、外気に触れる面積が小さく、外界からの腐食性物質
により侵食されるのが防止され、耐食性が高くなる。ま
た金属バンプの形成が工程の最後にあるので、従来のよ
うにバリアメタルのエッチングなどによりバンプ形成工
程で金属バンプやその下側のバリアメタル層が腐食する
ような心配がない。さらに金属バンプを被うポリイミド
自体の強度や弾性により外からの衝撃が直接金属バンプ
に加わることがなく、衝撃の力を緩和させることができ
る。また応力に対してもポリイミドによる支えがあるの
で、金属バンプの負担を軽減できる。従って、バンプの
耐衝撃性、耐応力が高くなる。
【０００７】
【実施例】本発明のバンプ形成方法の一実施例を図によ
って説明する。図９に示すようにウェハー１上に切断エ
リア３で区画されて多数形成されチップ（半導体回路）
２の周辺部に突設された電極部４上に、素子実装の為の
バンプを形成するには、先ず図１に示すようにウェハー
１上の全面にバリアメタル11（下層よりＴｉ1000Å、Ｐ
ｄ3000Å）をスパッタリングにより被着した。次に感光
性レジストを膜厚1.2μｍ塗布し、フォトリソグラフィ
により図２に示すように電極部４の位置にレジスト膜12
を形成した。次いでバリアメタル11をエッチングした後
図３に示すように前記レジスト膜12を剥離した。次に図
４に示すようにポリイミド前駆体13を全面に 5.0μｍ塗
布し、フォトリソグラフィにより電極部４の位置のみ開
口した。次いでポリイミドキュア(350℃、60分のＮ2 雰
囲気中での焼成）により図５に示すように 2.5μｍのパ
ッシベーション膜14を形成した。次に図６に示すように
ポリイミド前駆体15を厚く50μｍ塗布し、フォトリソグ
ラフィにより電極部４の位置の周囲に壁厚25μｍのポリ
イミド前駆体15を残存した。次いでポリイミドキュア(3
50℃、60分のＮ2 雰囲気での焼成）により図７に示すよ
うに高さ25μｍの断面山形の枠状ポリイミドバンプ16を
形成した。然る後、この枠状ポリイミドバンプ16内に電
極部４をカソードとして湿式電解メッキ法により図８に
示すようにＡｕバンプ17を形成した。
って説明する。図９に示すようにウェハー１上に切断エ
リア３で区画されて多数形成されチップ（半導体回路）
２の周辺部に突設された電極部４上に、素子実装の為の
バンプを形成するには、先ず図１に示すようにウェハー
１上の全面にバリアメタル11（下層よりＴｉ1000Å、Ｐ
ｄ3000Å）をスパッタリングにより被着した。次に感光
性レジストを膜厚1.2μｍ塗布し、フォトリソグラフィ
により図２に示すように電極部４の位置にレジスト膜12
を形成した。次いでバリアメタル11をエッチングした後
図３に示すように前記レジスト膜12を剥離した。次に図
４に示すようにポリイミド前駆体13を全面に 5.0μｍ塗
布し、フォトリソグラフィにより電極部４の位置のみ開
口した。次いでポリイミドキュア(350℃、60分のＮ2 雰
囲気中での焼成）により図５に示すように 2.5μｍのパ
ッシベーション膜14を形成した。次に図６に示すように
ポリイミド前駆体15を厚く50μｍ塗布し、フォトリソグ
ラフィにより電極部４の位置の周囲に壁厚25μｍのポリ
イミド前駆体15を残存した。次いでポリイミドキュア(3
50℃、60分のＮ2 雰囲気での焼成）により図７に示すよ
うに高さ25μｍの断面山形の枠状ポリイミドバンプ16を
形成した。然る後、この枠状ポリイミドバンプ16内に電
極部４をカソードとして湿式電解メッキ法により図８に
示すようにＡｕバンプ17を形成した。
【０００８】このようにして形成したＡｕバンプ17は、
その周面が枠状のポリイミドバンプ16により被われてい
るので、外気に触れる面積が小さく、外界からの腐食性
物質により侵食されるのが防止され、耐食性が高くな
る。またＡｕバンプ17の形成が工程の最後にあるので、
従来のようにバリアメタルのエッチングなどによりバン
プ形成工程で金属バンプやその下側のバリアメタル層が
腐食するような心配がない。さらにＡｕバンプ17を被う
枠状のポリイミドバンプ16自体に強度や弾性を有するの
で、外からの衝撃が直接Ａｕバンプ17に加わることがな
く、衝撃の力を緩和させることができる。また応力に対
しても枠状のポリイミドバンプ16による支えがあるの
で、Ａｕバンプ17の負担を軽減できる。従って、Ａｕバ
ンプ17の耐衝撃性、耐応力が高くなる。
その周面が枠状のポリイミドバンプ16により被われてい
るので、外気に触れる面積が小さく、外界からの腐食性
物質により侵食されるのが防止され、耐食性が高くな
る。またＡｕバンプ17の形成が工程の最後にあるので、
従来のようにバリアメタルのエッチングなどによりバン
プ形成工程で金属バンプやその下側のバリアメタル層が
腐食するような心配がない。さらにＡｕバンプ17を被う
枠状のポリイミドバンプ16自体に強度や弾性を有するの
で、外からの衝撃が直接Ａｕバンプ17に加わることがな
く、衝撃の力を緩和させることができる。また応力に対
しても枠状のポリイミドバンプ16による支えがあるの
で、Ａｕバンプ17の負担を軽減できる。従って、Ａｕバ
ンプ17の耐衝撃性、耐応力が高くなる。
【０００９】
【発明の効果】以上の通り本発明のバンプ形成方法によ
れば、ウェハー上に多数形成されたチップの電極部上
に、腐食の心配のないバリアメタル層及び金属バンプを
形成することができ、これまで使用できなかった比較的
腐食し易い材料でも使用可能となり、材料選択の幅が拡
大する。また枠状のポリイミドバンプに被われて金属バ
ンプが保護されるので、耐衝撃性、耐応力の高い金属バ
ンプを得ることができ、これまで、衝撃や外力に耐えら
れなかった材料でも使用可能となり、材料選択の幅が拡
大する。
れば、ウェハー上に多数形成されたチップの電極部上
に、腐食の心配のないバリアメタル層及び金属バンプを
形成することができ、これまで使用できなかった比較的
腐食し易い材料でも使用可能となり、材料選択の幅が拡
大する。また枠状のポリイミドバンプに被われて金属バ
ンプが保護されるので、耐衝撃性、耐応力の高い金属バ
ンプを得ることができ、これまで、衝撃や外力に耐えら
れなかった材料でも使用可能となり、材料選択の幅が拡
大する。
【図１】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図２】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図７】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図８】本発明のバンプ形成方法の一実施例の工程を示
す図である。
す図である。
【図９】チップが多数形成されたウェハーの斜視図であ
る。
る。
【図10】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図11】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図12】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図13】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図14】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図15】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図16】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図17】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
【図18】従来のバンプ形成方法の工程を示す図である。
１ ウェハー ２ チップ ４ 電極部 11 バリアメタル 12 レジスト膜 13 ポリイミド前駆体 14 パッシベーション膜 15 ポリイミド前駆体 16 枠状ポリイミドバンプ 17 金属バンプ（Ａｕバンプ）
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェハー上に多数形成されたチップの電
極部上にバンプを形成するに於いて、先ずウェハー上の
全面にバリアメタルをスパッタリングにより被着し、次
に感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィにより
電極部位置にレジスト膜を形成し、次いでバリアメタル
をエッチングした後前記レジスト膜を剥離し、次にポリ
イミド前駆体を全面に塗布し、フォトリソグラフィによ
り電極部位置のみ開口し、次いでポリイミドキュアによ
りパッシベーション膜を形成し、次にポリイミド前駆体
を厚く全面に塗布し、フォトリソグラフィにより電極部
位置の周囲にポリイミド前駆体を残存し、次いでポリイ
ミドキュアにより枠状ポリイミドバンプを形成し、然る
後この枠状ポリイミドバンプ内に電極部をカソードとし
て湿式電解メッキ法により金属バンプを形成することを
特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35760491A JPH05182972A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35760491A JPH05182972A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182972A true JPH05182972A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=18454975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35760491A Pending JPH05182972A (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393697A (en) * | 1994-05-06 | 1995-02-28 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
| WO2001075969A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zu dessen herstellung |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP35760491A patent/JPH05182972A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393697A (en) * | 1994-05-06 | 1995-02-28 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
| WO2001075969A1 (de) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zu dessen herstellung |
| US6897568B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-05-24 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible contacting pads and method for producing the electronic component |
| US7312533B2 (en) | 2000-03-31 | 2007-12-25 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with flexible contacting pads and method for producing the electronic component |
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