JPH05182257A - 光ディスク基板の溝欠陥検査方法 - Google Patents
光ディスク基板の溝欠陥検査方法Info
- Publication number
- JPH05182257A JPH05182257A JP154292A JP154292A JPH05182257A JP H05182257 A JPH05182257 A JP H05182257A JP 154292 A JP154292 A JP 154292A JP 154292 A JP154292 A JP 154292A JP H05182257 A JPH05182257 A JP H05182257A
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- Japan
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- laser beam
- optical disk
- substrate
- disk substrate
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 溝を有する光ディスク基板に集光したレーザ
ー光を照射することによって生じる干渉縞強度が、溝欠
陥の存在により変化することにともなう光量変化分を検
出することを特徴とする光ディスク基板の溝欠陥検査方
法。 【効果】 簡単に数ミクロン大の溝欠陥の有無を検査す
ることが可能となる。
ー光を照射することによって生じる干渉縞強度が、溝欠
陥の存在により変化することにともなう光量変化分を検
出することを特徴とする光ディスク基板の溝欠陥検査方
法。 【効果】 簡単に数ミクロン大の溝欠陥の有無を検査す
ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの製造方法に
関するものであり、更に詳しくは光ディスクに用いられ
る同心円状又はスパイラル状の溝を有する光ディスク基
板の溝欠陥の検査方法に関する。
関するものであり、更に詳しくは光ディスクに用いられ
る同心円状又はスパイラル状の溝を有する光ディスク基
板の溝欠陥の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、樹脂又はガラス円板上に
同心円又はスパイラル状の溝を設けた光ディスク基板の
溝面側に、光磁気記録膜又は相変化記録膜をスパッタリ
ング法等で成膜した構成となっている。ここで、基板上
の溝は、記録再生に用いるレーザー光の位置制御、焦点
制御に不可欠のものである為、溝に欠損の無い基板を用
いる必要がある。従来、基板溝の欠陥検査は、顕微鏡に
よる目視検査あるいはレーザー光を溝１本１本に集光
し、溝欠陥による反射の光量変化を検出する方法で行な
っていた。
同心円又はスパイラル状の溝を設けた光ディスク基板の
溝面側に、光磁気記録膜又は相変化記録膜をスパッタリ
ング法等で成膜した構成となっている。ここで、基板上
の溝は、記録再生に用いるレーザー光の位置制御、焦点
制御に不可欠のものである為、溝に欠損の無い基板を用
いる必要がある。従来、基板溝の欠陥検査は、顕微鏡に
よる目視検査あるいはレーザー光を溝１本１本に集光
し、溝欠陥による反射の光量変化を検出する方法で行な
っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
溝欠陥検査方法では、レーザー光を溝一本一本に集光し
て検査を行なうので、ディスク全面を検査するのに多大
な時間を要する欠点があった。
溝欠陥検査方法では、レーザー光を溝一本一本に集光し
て検査を行なうので、ディスク全面を検査するのに多大
な時間を要する欠点があった。
【０００４】本発明が解決しようとする課題は、従来の
溝欠陥検査方法よりも短時間で検査することができる検
査方法を提供することにある。
溝欠陥検査方法よりも短時間で検査することができる検
査方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、溝を有する光ディスク基板に集光したレー
ザー光を照射することによって生じる干渉縞強度が、溝
欠陥の存在によってより変化することにともなう光量変
化分を検出することを特徴とする光ディスク基板の溝欠
陥検査方法を提供する。
するために、溝を有する光ディスク基板に集光したレー
ザー光を照射することによって生じる干渉縞強度が、溝
欠陥の存在によってより変化することにともなう光量変
化分を検出することを特徴とする光ディスク基板の溝欠
陥検査方法を提供する。
【０００６】特に、レーザー光として集光したレーザー
光の大きさが溝と水平方向では５０μｍ以下であり、か
つ、溝と直角方向では２０〜１００μｍの範囲にある集
光したレーザー光を使用することにより効果的に検査を
行なうことができる。
光の大きさが溝と水平方向では５０μｍ以下であり、か
つ、溝と直角方向では２０〜１００μｍの範囲にある集
光したレーザー光を使用することにより効果的に検査を
行なうことができる。
【０００７】
【作用】光ディスク基板上の溝は、ＩＳＯ規格（国際標
準化機構 規格文書ＤＩＳ９１７１、ＣＤ１００９０）
では約１．６μｍ周期で規則的に並んでいる。規則的な
溝を持つ基板の表面に光が照射されると入射光は溝によ
って回折され干渉縞が生じる。光の回折に関与する溝の
本数をＭ、溝と溝の間隔をｄ、溝の幅をｅ、溝の面の法
線に対する光の入射角を θ0、射出角（回折角）をθと
すると、射出角θにおける光強度Ｉ(p)は、式（１）
準化機構 規格文書ＤＩＳ９１７１、ＣＤ１００９０）
では約１．６μｍ周期で規則的に並んでいる。規則的な
溝を持つ基板の表面に光が照射されると入射光は溝によ
って回折され干渉縞が生じる。光の回折に関与する溝の
本数をＭ、溝と溝の間隔をｄ、溝の幅をｅ、溝の面の法
線に対する光の入射角を θ0、射出角（回折角）をθと
すると、射出角θにおける光強度Ｉ(p)は、式（１）
【０００８】
【数１】
【０００９】（式中、Ｉ(p)は位置Ｐにおける回折光強
度を、Ｉ0は０次回折光の強度を、Ｍは回折に関与する
溝の本数を、ｄは溝と溝の間隔を、ｅは溝の幅を、λは
入射光の波長を夫々表わす。）で示され、光強度が極大
となる回折次数Ｎの干渉縞は、式（２）
度を、Ｉ0は０次回折光の強度を、Ｍは回折に関与する
溝の本数を、ｄは溝と溝の間隔を、ｅは溝の幅を、λは
入射光の波長を夫々表わす。）で示され、光強度が極大
となる回折次数Ｎの干渉縞は、式（２）
【００１０】
【数２】Ｐ(N)＝Ｎ・λ／ｄ
【００１１】（式中、Ｐ(N)はＮ次の回折光を与える位
置Ｐを、Ｎは０、±１、±２、・・・を、ｄは溝と溝の
間隔を、λは入射光の波長を夫々表わす。）で示される
位置に生じることが知られている。（理工学基礎講座
光学概論II 朝倉書店より）
置Ｐを、Ｎは０、±１、±２、・・・を、ｄは溝と溝の
間隔を、λは入射光の波長を夫々表わす。）で示される
位置に生じることが知られている。（理工学基礎講座
光学概論II 朝倉書店より）
【００１２】ここで、光の回折に関与する溝の一部に欠
損が生じると溝の本数Ｍが減少するとともに新らたに欠
損部による回折が生じる。その結果、式（２）で示され
る位置に生じるＮ次回折像の光強度（式（１）で示され
る。）及び強度分布が変化し、更に、欠損部による回折
と重畳される。従って、Ｎ次回折像の光強度と回折像の
光強度分布を測定すれば、溝欠損の有無を判定すること
ができる。この現象は、溝の本数Ｍに対する欠損部の大
きさがある程度以上であれば実用的に十分な光強度の変
化となり、溝欠陥検査方法に適用することができる。通
常、問題となる溝欠陥の大きさは、経験的には２〜１５
μｍの範囲にある。このとき、光の照射ビームは溝と水
平方向に５０μｍ以下で、溝と直角方向に２０〜１００
μｍである時が最適である。
損が生じると溝の本数Ｍが減少するとともに新らたに欠
損部による回折が生じる。その結果、式（２）で示され
る位置に生じるＮ次回折像の光強度（式（１）で示され
る。）及び強度分布が変化し、更に、欠損部による回折
と重畳される。従って、Ｎ次回折像の光強度と回折像の
光強度分布を測定すれば、溝欠損の有無を判定すること
ができる。この現象は、溝の本数Ｍに対する欠損部の大
きさがある程度以上であれば実用的に十分な光強度の変
化となり、溝欠陥検査方法に適用することができる。通
常、問題となる溝欠陥の大きさは、経験的には２〜１５
μｍの範囲にある。このとき、光の照射ビームは溝と水
平方向に５０μｍ以下で、溝と直角方向に２０〜１００
μｍである時が最適である。
【００１３】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００１４】（実施例）図１に測定に用いた装置の概念
図を示した。
図を示した。
【００１５】図中、１は日本科学エンジニアリング製の
レーザー光源「ＤＰＳ４０１０」である。レーザー光
は、ビーム整形レンズ群２で長さ約２００μｍ幅約４０
μｍの略楕円形に整形され、光ディスク基板３に照射し
た。光ディスク基板は、回転スピンドル上に設置され、
最大２００回転／分で回転することができる。この時、
ビームは長径が基板上の溝に直角になるように配置し
た。基板上の溝で回折されたレーザー光は、集光レンズ
群４により０次及び１次回折光がＣＣＤラインセンサー
５上に集光した。ＣＣＤセンサー出力は、傷検査装置
（中川商事製「Ｋ２−１３Ｄ」）６を用いて電気的に処
理され、オシロスコープ７上に表示した。溝欠損の有無
を判定するため１次回折光強度が±５％以上変動した
時、並びに、１次回折光の強度と１次回折光ピーク位置
から０次回折光の方向に０次と１次のピーク間隔の１／
５離れた位置の回折光強度の差が±１５％以上変動した
時にエラー検出信号を出力するように傷検査装置６とオ
シロスコープ７を設定した。光ディスク基板３上に、長
さ１０μｍ幅４μｍの溝欠損がある時、１次回折光強度
が約１３％減少した。一方、溝欠損の大きさが約６μｍ
の略円形状の時は、１次回折光強度が約８％減少し、回
折光強度の差が１８％減少した。いずれも機械的にエラ
ー検出信号が出力され溝の欠損と判定できた。
レーザー光源「ＤＰＳ４０１０」である。レーザー光
は、ビーム整形レンズ群２で長さ約２００μｍ幅約４０
μｍの略楕円形に整形され、光ディスク基板３に照射し
た。光ディスク基板は、回転スピンドル上に設置され、
最大２００回転／分で回転することができる。この時、
ビームは長径が基板上の溝に直角になるように配置し
た。基板上の溝で回折されたレーザー光は、集光レンズ
群４により０次及び１次回折光がＣＣＤラインセンサー
５上に集光した。ＣＣＤセンサー出力は、傷検査装置
（中川商事製「Ｋ２−１３Ｄ」）６を用いて電気的に処
理され、オシロスコープ７上に表示した。溝欠損の有無
を判定するため１次回折光強度が±５％以上変動した
時、並びに、１次回折光の強度と１次回折光ピーク位置
から０次回折光の方向に０次と１次のピーク間隔の１／
５離れた位置の回折光強度の差が±１５％以上変動した
時にエラー検出信号を出力するように傷検査装置６とオ
シロスコープ７を設定した。光ディスク基板３上に、長
さ１０μｍ幅４μｍの溝欠損がある時、１次回折光強度
が約１３％減少した。一方、溝欠損の大きさが約６μｍ
の略円形状の時は、１次回折光強度が約８％減少し、回
折光強度の差が１８％減少した。いずれも機械的にエラ
ー検出信号が出力され溝の欠損と判定できた。
【００１６】
【発明の効果】以上、示した方法により従来法よりも、
かなり短時間で光ディスク基板上の溝欠陥を検査するこ
とができる。
かなり短時間で光ディスク基板上の溝欠陥を検査するこ
とができる。
【図１】測定に用いた装置の概念図
１ 半導体レーザー光源 ２ ビーム整形レンズ群 ３ 光ディスク基板 ４ 集光レンズ群 ５ ＣＣＤラインセンサー ６ 傷検査装置 ７ オシロスコープ
Claims (2)
- 【請求項１】 溝を有する光ディスク基板に集光したレ
ーザー光を照射することによって生じる干渉縞強度が、
溝欠陥の存在によってより変化することにともなう光量
変化分を検出することを特徴とする光ディスク基板の溝
欠陥検査方法。 - 【請求項２】 集光したレーザー光の大きさが溝と水平
方向では５０μｍ以下であり、かつ、溝と直角方向では
２０〜１００μｍ の範囲にある集光したレーザー光を
使用する請求項１記載の光ディスク基板の溝欠陥検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP154292A JPH05182257A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 光ディスク基板の溝欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP154292A JPH05182257A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 光ディスク基板の溝欠陥検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182257A true JPH05182257A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11504415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP154292A Pending JPH05182257A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 光ディスク基板の溝欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05182257A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8142693B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stamper and stamper evaluation method |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP154292A patent/JPH05182257A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8142693B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stamper and stamper evaluation method |
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