JPH0518208B2 - - Google Patents
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- JPH0518208B2 JPH0518208B2 JP59179224A JP17922484A JPH0518208B2 JP H0518208 B2 JPH0518208 B2 JP H0518208B2 JP 59179224 A JP59179224 A JP 59179224A JP 17922484 A JP17922484 A JP 17922484A JP H0518208 B2 JPH0518208 B2 JP H0518208B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
[発明の技術分野]
本発明は、回路の密着性、絶縁特性に優れ、か
つ製造上絶縁被膜が低温で硬化する蒸着膜回路板
に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 一般に蒸着法によつて蒸着回路板を形成する場
合は、アルミニウム板等の基体表面上に耐熱性で
平滑な絶縁塗膜を形成し、その表面に蒸着回路を
形成する方法が採られている。ところが、このよ
うな蒸着法に用いられる絶縁塗膜は、通常20μm
以下と薄いものであり、また硬化温度200℃以上
にあげることは好ましくなく、更に蒸着膜が数ミ
クロンと極めて薄いために下地の絶縁塗膜の平滑
性が要求される。 従来この絶縁塗膜の樹脂として、縮合環化型ポ
リイミド樹脂が使用されてきたが、この樹脂の環
化(硬化)には300℃以上の高温で長時間を要し、
またこのように高温で硬化させた場合でも形成さ
れた塗膜は空気中を水分を極めて吸着しやすい欠
点がある。もしこのポリイミド樹脂を200℃以下
で硬化させた場合には、吸湿性試験で蒸着膜回路
が基体との間で絶縁不良を起こしやすく、信頼性
を低下させる一因となつていた。 [発明の目的] 本発明の目的は、上記の欠点を解消し、各種ロ
ードセルやサーマルヘツド等に好適に使用される
蒸着膜回路板を提供しようとするもので、内部的
にはその絶縁塗膜として、密着性、絶縁特性、平
滑性に優れ、かつ、低温で硬化する作業性の良い
絶縁ワニスを用いて形成させた絶縁被膜を有する
蒸着膜回路板を提供しようとするものである。 [発明の概要] 本発明は、上記の目的を達成すべく鋭意研究を
重ねた結果、後述する絶縁ワニスを用いることに
よつて上記目的が達成されることを見いだしたも
のである。即ち、本発明は、基本表面上に、一般
式 (但し、式中Xは−CH2−、−O−、−SO2−を、
nは正の整数をそれぞれ表す)で示されるポリパ
ラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶媒を必須成分
とする絶縁ワニスを塗布硬化して形成した絶縁被
膜を有し、前記絶縁被膜表面上に蒸着で形成した
導電回路を有することを特徴とする蒸着膜回路板
である。 本発明に用いる絶縁ワニスは、前記一般式で示
されるポリパラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶
媒を必須成分とするものである。ポリパラバン酸
樹脂としては、ジアミノジフエニルメタン、ジア
ミノジフエニルエーテル、ジアミノジフエニルス
ルホンから誘導されるものが用いられ、これらの
1種又は2種以上混合して使用される。通常これ
らの樹脂は溶媒に溶解して使用される。本発明に
おいては、非プロトン系極性溶媒、例えばジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チル−2−ピロリドン等が挙げられ、これらは単
独もしくは2種以上の組合せで使用される。ポリ
パラバン酸樹脂と溶媒との混合比(樹脂成分濃
度)は、塗装方法に応じて任意に変えることがで
き、必要に応じて樹脂分を高濃度にし、塗装に際
してこれを加熱し粘度を低下させて使用すること
もできる。また必要に応じて、基体との結合を高
めるカツプリング剤等、他の成分を添加してもよ
い。こうして得られた絶縁ワニスを基体の表面上
に塗布するが、塗布の方法としてはスクリーン印
刷又はスピンナーによる回転塗布等が採られる。
塗布された絶縁ワニスは100〜200℃の温度で硬化
させるが、好ましくは120〜180℃の温度で1〜2
時間加熱を行つて絶縁ワニス中の溶剤成分を飛散
させる。このようにできるので、本発明の絶縁ワ
ニスによる絶縁被膜は蒸着に適した平滑性を有す
るのである。 次に、本発明の蒸着膜回路板の製造について説
明する。絶縁ワニスを樹脂基板、金属基板、セラ
ミツク基板等の基体表面上に、前述したスクリー
ン印刷又はスピンナーを用いて回転塗布し、加熱
硬化させる。1回の塗布で厚さ7〜10μmの塗膜
層を形成し、最終時には2回の塗布を行い厚さ14
〜20μmの平滑で均一な塗膜を形成させる。加熱
乾燥条件は120〜180℃の温度で1〜2時間という
条件が採用される。得られた絶縁塗膜上に更に蒸
着によつて蒸着膜回路を形成させる。通常は真空
蒸着法によつて絶縁塗膜表面上に導体層を蒸着さ
せた後、写真法により回路のレジストパターンを
形成させ、しかる後導体層の不要部分をエツチン
グして蒸着膜回路板を製造することができる。 こうして製造される蒸着膜回路板は、各種のロ
ードセルやサマーヘツド等に好適に使用される。 [発明の実施例] 次に本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 実施例 1 ジアミノジフエニルメタンより誘導されたポリ
パラバン酸樹脂30部を、ジメチルアセトアミド
270部中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニスAを得た。 実施例 2 ジアミノジフエニルエーテルおよび誘導された
ポリパラバン酸樹脂30部を、N−メチル−2−ピ
ロリドン270部に入れ、80℃の温度で均一に溶解
し、0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶
縁ワニス(B)を得た。 実施例 3 ジアミノジフエニルスルホンより誘導されたポ
リパラバン酸樹脂30部を、ジメチルホルムアミド
270部の中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニス(C)を得た。 比較例 4,4′−ジアミノジフエニルエーテルとピロメ
リツト酸二無水物とを、N,N′−ジメチルアセ
トアミド中で当量反応せしめて樹脂分17%のポリ
イミド樹脂ワニス(D)を得た。 実施例1〜3および比較例で得られた絶縁ワニ
ス(A)〜(D)を、厚さ2mmのアルミニウム板上に
2000r.p.mで回転塗布し、150℃で1時間加熱硬化
させ、その後さらにもう1回2000r.p.mで回転塗
布し、150℃で1時間加熱硬化させて厚さ21μm
の絶縁塗膜を有する基板を得た。 次いで各々の絶縁塗膜表面上に、真空蒸着法に
よつてニツケル・クロム、チタン、銅の3層を蒸
着し、その上に写真法により回路のレジストパタ
ーンを形成した。しかる後不要部分のエツチング
を行つて蒸着膜回路板を製造した。これらの回路
板について絶縁塗膜層の試験を行つたので、その
結果を第1表に示した。
つ製造上絶縁被膜が低温で硬化する蒸着膜回路板
に関する。 [発明の技術的背景とその問題点] 一般に蒸着法によつて蒸着回路板を形成する場
合は、アルミニウム板等の基体表面上に耐熱性で
平滑な絶縁塗膜を形成し、その表面に蒸着回路を
形成する方法が採られている。ところが、このよ
うな蒸着法に用いられる絶縁塗膜は、通常20μm
以下と薄いものであり、また硬化温度200℃以上
にあげることは好ましくなく、更に蒸着膜が数ミ
クロンと極めて薄いために下地の絶縁塗膜の平滑
性が要求される。 従来この絶縁塗膜の樹脂として、縮合環化型ポ
リイミド樹脂が使用されてきたが、この樹脂の環
化(硬化)には300℃以上の高温で長時間を要し、
またこのように高温で硬化させた場合でも形成さ
れた塗膜は空気中を水分を極めて吸着しやすい欠
点がある。もしこのポリイミド樹脂を200℃以下
で硬化させた場合には、吸湿性試験で蒸着膜回路
が基体との間で絶縁不良を起こしやすく、信頼性
を低下させる一因となつていた。 [発明の目的] 本発明の目的は、上記の欠点を解消し、各種ロ
ードセルやサーマルヘツド等に好適に使用される
蒸着膜回路板を提供しようとするもので、内部的
にはその絶縁塗膜として、密着性、絶縁特性、平
滑性に優れ、かつ、低温で硬化する作業性の良い
絶縁ワニスを用いて形成させた絶縁被膜を有する
蒸着膜回路板を提供しようとするものである。 [発明の概要] 本発明は、上記の目的を達成すべく鋭意研究を
重ねた結果、後述する絶縁ワニスを用いることに
よつて上記目的が達成されることを見いだしたも
のである。即ち、本発明は、基本表面上に、一般
式 (但し、式中Xは−CH2−、−O−、−SO2−を、
nは正の整数をそれぞれ表す)で示されるポリパ
ラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶媒を必須成分
とする絶縁ワニスを塗布硬化して形成した絶縁被
膜を有し、前記絶縁被膜表面上に蒸着で形成した
導電回路を有することを特徴とする蒸着膜回路板
である。 本発明に用いる絶縁ワニスは、前記一般式で示
されるポリパラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶
媒を必須成分とするものである。ポリパラバン酸
樹脂としては、ジアミノジフエニルメタン、ジア
ミノジフエニルエーテル、ジアミノジフエニルス
ルホンから誘導されるものが用いられ、これらの
1種又は2種以上混合して使用される。通常これ
らの樹脂は溶媒に溶解して使用される。本発明に
おいては、非プロトン系極性溶媒、例えばジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チル−2−ピロリドン等が挙げられ、これらは単
独もしくは2種以上の組合せで使用される。ポリ
パラバン酸樹脂と溶媒との混合比(樹脂成分濃
度)は、塗装方法に応じて任意に変えることがで
き、必要に応じて樹脂分を高濃度にし、塗装に際
してこれを加熱し粘度を低下させて使用すること
もできる。また必要に応じて、基体との結合を高
めるカツプリング剤等、他の成分を添加してもよ
い。こうして得られた絶縁ワニスを基体の表面上
に塗布するが、塗布の方法としてはスクリーン印
刷又はスピンナーによる回転塗布等が採られる。
塗布された絶縁ワニスは100〜200℃の温度で硬化
させるが、好ましくは120〜180℃の温度で1〜2
時間加熱を行つて絶縁ワニス中の溶剤成分を飛散
させる。このようにできるので、本発明の絶縁ワ
ニスによる絶縁被膜は蒸着に適した平滑性を有す
るのである。 次に、本発明の蒸着膜回路板の製造について説
明する。絶縁ワニスを樹脂基板、金属基板、セラ
ミツク基板等の基体表面上に、前述したスクリー
ン印刷又はスピンナーを用いて回転塗布し、加熱
硬化させる。1回の塗布で厚さ7〜10μmの塗膜
層を形成し、最終時には2回の塗布を行い厚さ14
〜20μmの平滑で均一な塗膜を形成させる。加熱
乾燥条件は120〜180℃の温度で1〜2時間という
条件が採用される。得られた絶縁塗膜上に更に蒸
着によつて蒸着膜回路を形成させる。通常は真空
蒸着法によつて絶縁塗膜表面上に導体層を蒸着さ
せた後、写真法により回路のレジストパターンを
形成させ、しかる後導体層の不要部分をエツチン
グして蒸着膜回路板を製造することができる。 こうして製造される蒸着膜回路板は、各種のロ
ードセルやサマーヘツド等に好適に使用される。 [発明の実施例] 次に本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 実施例 1 ジアミノジフエニルメタンより誘導されたポリ
パラバン酸樹脂30部を、ジメチルアセトアミド
270部中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニスAを得た。 実施例 2 ジアミノジフエニルエーテルおよび誘導された
ポリパラバン酸樹脂30部を、N−メチル−2−ピ
ロリドン270部に入れ、80℃の温度で均一に溶解
し、0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶
縁ワニス(B)を得た。 実施例 3 ジアミノジフエニルスルホンより誘導されたポ
リパラバン酸樹脂30部を、ジメチルホルムアミド
270部の中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニス(C)を得た。 比較例 4,4′−ジアミノジフエニルエーテルとピロメ
リツト酸二無水物とを、N,N′−ジメチルアセ
トアミド中で当量反応せしめて樹脂分17%のポリ
イミド樹脂ワニス(D)を得た。 実施例1〜3および比較例で得られた絶縁ワニ
ス(A)〜(D)を、厚さ2mmのアルミニウム板上に
2000r.p.mで回転塗布し、150℃で1時間加熱硬化
させ、その後さらにもう1回2000r.p.mで回転塗
布し、150℃で1時間加熱硬化させて厚さ21μm
の絶縁塗膜を有する基板を得た。 次いで各々の絶縁塗膜表面上に、真空蒸着法に
よつてニツケル・クロム、チタン、銅の3層を蒸
着し、その上に写真法により回路のレジストパタ
ーンを形成した。しかる後不要部分のエツチング
を行つて蒸着膜回路板を製造した。これらの回路
板について絶縁塗膜層の試験を行つたので、その
結果を第1表に示した。
【表】
*1:碁盤目剥離により測定した。
[発明の効果] 本発明の蒸着膜回路板は、絶縁塗膜が密着性、
絶縁特性、平滑性に優れ、かつ低温で硬化する特
性を有しているから、各種ロードセルやサーマル
ヘツド等に使用すれば、信頼性の高い製品を得る
ことができる。
[発明の効果] 本発明の蒸着膜回路板は、絶縁塗膜が密着性、
絶縁特性、平滑性に優れ、かつ低温で硬化する特
性を有しているから、各種ロードセルやサーマル
ヘツド等に使用すれば、信頼性の高い製品を得る
ことができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基体表面上に、一般式 (但し、式中Xは−CH2−、−O−、−SO2−を、
nは正の整数をそれぞれ表す)で示されるポリパ
ラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶媒を必須成分
とする絶縁ワニスを塗布硬化して形成した絶縁被
膜を有し、前記絶縁被膜表面上に蒸着で形成した
導電回路を有することを特徴とする蒸着膜回路
版。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17922484A JPS6158113A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 蒸着膜回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17922484A JPS6158113A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 蒸着膜回路板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6158113A JPS6158113A (ja) | 1986-03-25 |
JPH0518208B2 true JPH0518208B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16062102
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17922484A Granted JPS6158113A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 蒸着膜回路板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6158113A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4884856A (ja) * | 1972-02-15 | 1973-11-10 | ||
JPS5615439A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-14 | Shikibo Ltd | Patterned fabric of cut pile and production |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP17922484A patent/JPS6158113A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4884856A (ja) * | 1972-02-15 | 1973-11-10 | ||
JPS5615439A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-14 | Shikibo Ltd | Patterned fabric of cut pile and production |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6158113A (ja) | 1986-03-25 |
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