JPH0518208B2 - - Google Patents
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- JPH0518208B2 JPH0518208B2 JP59179224A JP17922484A JPH0518208B2 JP H0518208 B2 JPH0518208 B2 JP H0518208B2 JP 59179224 A JP59179224 A JP 59179224A JP 17922484 A JP17922484 A JP 17922484A JP H0518208 B2 JPH0518208 B2 JP H0518208B2
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Description
［発明の技術分野］
本発明は、回路の密着性、絶縁特性に優れ、か
つ製造上絶縁被膜が低温で硬化する蒸着膜回路板
に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 一般に蒸着法によつて蒸着回路板を形成する場
合は、アルミニウム板等の基体表面上に耐熱性で
平滑な絶縁塗膜を形成し、その表面に蒸着回路を
形成する方法が採られている。ところが、このよ
うな蒸着法に用いられる絶縁塗膜は、通常20μｍ
以下と薄いものであり、また硬化温度200℃以上
にあげることは好ましくなく、更に蒸着膜が数ミ
クロンと極めて薄いために下地の絶縁塗膜の平滑
性が要求される。 従来この絶縁塗膜の樹脂として、縮合環化型ポ
リイミド樹脂が使用されてきたが、この樹脂の環
化（硬化）には300℃以上の高温で長時間を要し、
またこのように高温で硬化させた場合でも形成さ
れた塗膜は空気中を水分を極めて吸着しやすい欠
点がある。もしこのポリイミド樹脂を200℃以下
で硬化させた場合には、吸湿性試験で蒸着膜回路
が基体との間で絶縁不良を起こしやすく、信頼性
を低下させる一因となつていた。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、上記の欠点を解消し、各種ロ
ードセルやサーマルヘツド等に好適に使用される
蒸着膜回路板を提供しようとするもので、内部的
にはその絶縁塗膜として、密着性、絶縁特性、平
滑性に優れ、かつ、低温で硬化する作業性の良い
絶縁ワニスを用いて形成させた絶縁被膜を有する
蒸着膜回路板を提供しようとするものである。 ［発明の概要］ 本発明は、上記の目的を達成すべく鋭意研究を
重ねた結果、後述する絶縁ワニスを用いることに
よつて上記目的が達成されることを見いだしたも
のである。即ち、本発明は、基本表面上に、一般
式 （但し、式中Ｘは−CH2−、−Ｏ−、−SO2−を、
ｎは正の整数をそれぞれ表す）で示されるポリパ
ラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶媒を必須成分
とする絶縁ワニスを塗布硬化して形成した絶縁被
膜を有し、前記絶縁被膜表面上に蒸着で形成した
導電回路を有することを特徴とする蒸着膜回路板
である。 本発明に用いる絶縁ワニスは、前記一般式で示
されるポリパラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶
媒を必須成分とするものである。ポリパラバン酸
樹脂としては、ジアミノジフエニルメタン、ジア
ミノジフエニルエーテル、ジアミノジフエニルス
ルホンから誘導されるものが用いられ、これらの
１種又は２種以上混合して使用される。通常これ
らの樹脂は溶媒に溶解して使用される。本発明に
おいては、非プロトン系極性溶媒、例えばジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン等が挙げられ、これらは単
独もしくは２種以上の組合せで使用される。ポリ
パラバン酸樹脂と溶媒との混合比（樹脂成分濃
度）は、塗装方法に応じて任意に変えることがで
き、必要に応じて樹脂分を高濃度にし、塗装に際
してこれを加熱し粘度を低下させて使用すること
もできる。また必要に応じて、基体との結合を高
めるカツプリング剤等、他の成分を添加してもよ
い。こうして得られた絶縁ワニスを基体の表面上
に塗布するが、塗布の方法としてはスクリーン印
刷又はスピンナーによる回転塗布等が採られる。
塗布された絶縁ワニスは100〜200℃の温度で硬化
させるが、好ましくは120〜180℃の温度で１〜２
時間加熱を行つて絶縁ワニス中の溶剤成分を飛散
させる。このようにできるので、本発明の絶縁ワ
ニスによる絶縁被膜は蒸着に適した平滑性を有す
るのである。 次に、本発明の蒸着膜回路板の製造について説
明する。絶縁ワニスを樹脂基板、金属基板、セラ
ミツク基板等の基体表面上に、前述したスクリー
ン印刷又はスピンナーを用いて回転塗布し、加熱
硬化させる。１回の塗布で厚さ７〜10μｍの塗膜
層を形成し、最終時には２回の塗布を行い厚さ14
〜20μｍの平滑で均一な塗膜を形成させる。加熱
乾燥条件は120〜180℃の温度で１〜２時間という
条件が採用される。得られた絶縁塗膜上に更に蒸
着によつて蒸着膜回路を形成させる。通常は真空
蒸着法によつて絶縁塗膜表面上に導体層を蒸着さ
せた後、写真法により回路のレジストパターンを
形成させ、しかる後導体層の不要部分をエツチン
グして蒸着膜回路板を製造することができる。 こうして製造される蒸着膜回路板は、各種のロ
ードセルやサマーヘツド等に好適に使用される。 ［発明の実施例］ 次に本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 実施例 １ ジアミノジフエニルメタンより誘導されたポリ
パラバン酸樹脂30部を、ジメチルアセトアミド
270部中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニスＡを得た。 実施例 ２ ジアミノジフエニルエーテルおよび誘導された
ポリパラバン酸樹脂30部を、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン270部に入れ、80℃の温度で均一に溶解
し、0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶
縁ワニス(B)を得た。 実施例 ３ ジアミノジフエニルスルホンより誘導されたポ
リパラバン酸樹脂30部を、ジメチルホルムアミド
270部の中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニス(C)を得た。 比較例 ４，4′−ジアミノジフエニルエーテルとピロメ
リツト酸二無水物とを、Ｎ，N′−ジメチルアセ
トアミド中で当量反応せしめて樹脂分17％のポリ
イミド樹脂ワニス(D)を得た。 実施例１〜３および比較例で得られた絶縁ワニ
ス(A)〜(D)を、厚さ２mmのアルミニウム板上に
2000r.p.mで回転塗布し、150℃で１時間加熱硬化
させ、その後さらにもう１回2000r.p.mで回転塗
布し、150℃で１時間加熱硬化させて厚さ21μｍ
の絶縁塗膜を有する基板を得た。 次いで各々の絶縁塗膜表面上に、真空蒸着法に
よつてニツケル・クロム、チタン、銅の３層を蒸
着し、その上に写真法により回路のレジストパタ
ーンを形成した。しかる後不要部分のエツチング
を行つて蒸着膜回路板を製造した。これらの回路
板について絶縁塗膜層の試験を行つたので、その
結果を第１表に示した。
つ製造上絶縁被膜が低温で硬化する蒸着膜回路板
に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 一般に蒸着法によつて蒸着回路板を形成する場
合は、アルミニウム板等の基体表面上に耐熱性で
平滑な絶縁塗膜を形成し、その表面に蒸着回路を
形成する方法が採られている。ところが、このよ
うな蒸着法に用いられる絶縁塗膜は、通常20μｍ
以下と薄いものであり、また硬化温度200℃以上
にあげることは好ましくなく、更に蒸着膜が数ミ
クロンと極めて薄いために下地の絶縁塗膜の平滑
性が要求される。 従来この絶縁塗膜の樹脂として、縮合環化型ポ
リイミド樹脂が使用されてきたが、この樹脂の環
化（硬化）には300℃以上の高温で長時間を要し、
またこのように高温で硬化させた場合でも形成さ
れた塗膜は空気中を水分を極めて吸着しやすい欠
点がある。もしこのポリイミド樹脂を200℃以下
で硬化させた場合には、吸湿性試験で蒸着膜回路
が基体との間で絶縁不良を起こしやすく、信頼性
を低下させる一因となつていた。 ［発明の目的］ 本発明の目的は、上記の欠点を解消し、各種ロ
ードセルやサーマルヘツド等に好適に使用される
蒸着膜回路板を提供しようとするもので、内部的
にはその絶縁塗膜として、密着性、絶縁特性、平
滑性に優れ、かつ、低温で硬化する作業性の良い
絶縁ワニスを用いて形成させた絶縁被膜を有する
蒸着膜回路板を提供しようとするものである。 ［発明の概要］ 本発明は、上記の目的を達成すべく鋭意研究を
重ねた結果、後述する絶縁ワニスを用いることに
よつて上記目的が達成されることを見いだしたも
のである。即ち、本発明は、基本表面上に、一般
式 （但し、式中Ｘは−CH2−、−Ｏ−、−SO2−を、
ｎは正の整数をそれぞれ表す）で示されるポリパ
ラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶媒を必須成分
とする絶縁ワニスを塗布硬化して形成した絶縁被
膜を有し、前記絶縁被膜表面上に蒸着で形成した
導電回路を有することを特徴とする蒸着膜回路板
である。 本発明に用いる絶縁ワニスは、前記一般式で示
されるポリパラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶
媒を必須成分とするものである。ポリパラバン酸
樹脂としては、ジアミノジフエニルメタン、ジア
ミノジフエニルエーテル、ジアミノジフエニルス
ルホンから誘導されるものが用いられ、これらの
１種又は２種以上混合して使用される。通常これ
らの樹脂は溶媒に溶解して使用される。本発明に
おいては、非プロトン系極性溶媒、例えばジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン等が挙げられ、これらは単
独もしくは２種以上の組合せで使用される。ポリ
パラバン酸樹脂と溶媒との混合比（樹脂成分濃
度）は、塗装方法に応じて任意に変えることがで
き、必要に応じて樹脂分を高濃度にし、塗装に際
してこれを加熱し粘度を低下させて使用すること
もできる。また必要に応じて、基体との結合を高
めるカツプリング剤等、他の成分を添加してもよ
い。こうして得られた絶縁ワニスを基体の表面上
に塗布するが、塗布の方法としてはスクリーン印
刷又はスピンナーによる回転塗布等が採られる。
塗布された絶縁ワニスは100〜200℃の温度で硬化
させるが、好ましくは120〜180℃の温度で１〜２
時間加熱を行つて絶縁ワニス中の溶剤成分を飛散
させる。このようにできるので、本発明の絶縁ワ
ニスによる絶縁被膜は蒸着に適した平滑性を有す
るのである。 次に、本発明の蒸着膜回路板の製造について説
明する。絶縁ワニスを樹脂基板、金属基板、セラ
ミツク基板等の基体表面上に、前述したスクリー
ン印刷又はスピンナーを用いて回転塗布し、加熱
硬化させる。１回の塗布で厚さ７〜10μｍの塗膜
層を形成し、最終時には２回の塗布を行い厚さ14
〜20μｍの平滑で均一な塗膜を形成させる。加熱
乾燥条件は120〜180℃の温度で１〜２時間という
条件が採用される。得られた絶縁塗膜上に更に蒸
着によつて蒸着膜回路を形成させる。通常は真空
蒸着法によつて絶縁塗膜表面上に導体層を蒸着さ
せた後、写真法により回路のレジストパターンを
形成させ、しかる後導体層の不要部分をエツチン
グして蒸着膜回路板を製造することができる。 こうして製造される蒸着膜回路板は、各種のロ
ードセルやサマーヘツド等に好適に使用される。 ［発明の実施例］ 次に本発明を実施例によつて具体的に説明す
る。以下の実施例および比較例において「部」と
は「重量部」を意味する。 実施例 １ ジアミノジフエニルメタンより誘導されたポリ
パラバン酸樹脂30部を、ジメチルアセトアミド
270部中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニスＡを得た。 実施例 ２ ジアミノジフエニルエーテルおよび誘導された
ポリパラバン酸樹脂30部を、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン270部に入れ、80℃の温度で均一に溶解
し、0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶
縁ワニス(B)を得た。 実施例 ３ ジアミノジフエニルスルホンより誘導されたポ
リパラバン酸樹脂30部を、ジメチルホルムアミド
270部の中に入れ、80℃の温度で均一に溶解し、
0.03部のカツプリング剤を添加して黄色の絶縁ワ
ニス(C)を得た。 比較例 ４，4′−ジアミノジフエニルエーテルとピロメ
リツト酸二無水物とを、Ｎ，N′−ジメチルアセ
トアミド中で当量反応せしめて樹脂分17％のポリ
イミド樹脂ワニス(D)を得た。 実施例１〜３および比較例で得られた絶縁ワニ
ス(A)〜(D)を、厚さ２mmのアルミニウム板上に
2000r.p.mで回転塗布し、150℃で１時間加熱硬化
させ、その後さらにもう１回2000r.p.mで回転塗
布し、150℃で１時間加熱硬化させて厚さ21μｍ
の絶縁塗膜を有する基板を得た。 次いで各々の絶縁塗膜表面上に、真空蒸着法に
よつてニツケル・クロム、チタン、銅の３層を蒸
着し、その上に写真法により回路のレジストパタ
ーンを形成した。しかる後不要部分のエツチング
を行つて蒸着膜回路板を製造した。これらの回路
板について絶縁塗膜層の試験を行つたので、その
結果を第１表に示した。
【表】
＊１：碁盤目剥離により測定した。
［発明の効果］ 本発明の蒸着膜回路板は、絶縁塗膜が密着性、
絶縁特性、平滑性に優れ、かつ低温で硬化する特
性を有しているから、各種ロードセルやサーマル
ヘツド等に使用すれば、信頼性の高い製品を得る
ことができる。
［発明の効果］ 本発明の蒸着膜回路板は、絶縁塗膜が密着性、
絶縁特性、平滑性に優れ、かつ低温で硬化する特
性を有しているから、各種ロードセルやサーマル
ヘツド等に使用すれば、信頼性の高い製品を得る
ことができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体表面上に、一般式 （但し、式中Ｘは−CH2−、−Ｏ−、−SO2−を、
ｎは正の整数をそれぞれ表す）で示されるポリパ
ラバン酸樹脂と非プロトン系極性溶媒を必須成分
とする絶縁ワニスを塗布硬化して形成した絶縁被
膜を有し、前記絶縁被膜表面上に蒸着で形成した
導電回路を有することを特徴とする蒸着膜回路
版。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17922484A JPS6158113A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 蒸着膜回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17922484A JPS6158113A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 蒸着膜回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6158113A JPS6158113A (ja) | 1986-03-25 |
| JPH0518208B2 true JPH0518208B2 (ja) | 1993-03-11 |
Family
ID=16062102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17922484A Granted JPS6158113A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 蒸着膜回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6158113A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884856A (ja) * | 1972-02-15 | 1973-11-10 | ||
| JPS5615439A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-14 | Shikibo Ltd | Patterned fabric of cut pile and production |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP17922484A patent/JPS6158113A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4884856A (ja) * | 1972-02-15 | 1973-11-10 | ||
| JPS5615439A (en) * | 1979-07-10 | 1981-02-14 | Shikibo Ltd | Patterned fabric of cut pile and production |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6158113A (ja) | 1986-03-25 |
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