JPH05175709A - 温度補償型静磁表面波フィルタ - Google Patents
温度補償型静磁表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH05175709A JPH05175709A JP3084723A JP8472391A JPH05175709A JP H05175709 A JPH05175709 A JP H05175709A JP 3084723 A JP3084723 A JP 3084723A JP 8472391 A JP8472391 A JP 8472391A JP H05175709 A JPH05175709 A JP H05175709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- thin film
- single crystal
- magnitude
- surface wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Hard Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静磁表面波フィルタの温度特性を改良する。
【構成】 直流外部磁界を構成する永久磁石の磁界の温
度特性を強磁性単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性と
は反対の極性にする。具体的には、永久磁石として、サ
マリウム・エルビウム・コバルト磁石を用いるか、又は
サマリウム・エルビウム・コバルト磁石とフェライト磁
石の組み合わせを用いる。
度特性を強磁性単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性と
は反対の極性にする。具体的には、永久磁石として、サ
マリウム・エルビウム・コバルト磁石を用いるか、又は
サマリウム・エルビウム・コバルト磁石とフェライト磁
石の組み合わせを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波無線装置に
用いる静磁表面波フィルタに関し、特に温度特性を改良
した温度補償型静磁表面波フィルタに関する。
用いる静磁表面波フィルタに関し、特に温度特性を改良
した温度補償型静磁表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の静磁表面波フィルタの構成例を図
４に示す。誘電体基板１はアルミナセラミックから作ら
れ、この誘電体基板上に、例えばフォトエッチング法を
用いて金属薄膜パターン３、入力側ストリップ（この従
来例ではパラレルストリップ）トランスデューサ４、出
力側ストリップ（この従来例ではパラレルストリップ）
トランスデューサ５が形成されている。また、誘電体基
板１には強磁性体単結晶薄膜を片面に形成した単結晶基
板（以下試料を呼ぶ）２が取付けられている。この試料
２は、例えば、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
（Ｇ．Ｇ．Ｇ）基板上にイットリウム・鉄・ガーネット
（Ｙ．Ｉ．Ｇ）薄膜を形成したものであり、薄膜側が誘
電体基板１に対向するように配置される。断面Ｕ字型ヨ
ーク１０の両方の脚部の内側には直流外部磁界印加用の
永久磁石、例えばフェライト磁石６が取付けられてお
り、このフェライト磁石６は、試料２の強磁性体薄膜
に、その面に平行で、パラレルストリップトランスデュ
ーサの長手方向に平行に、直流磁界を印加する。
４に示す。誘電体基板１はアルミナセラミックから作ら
れ、この誘電体基板上に、例えばフォトエッチング法を
用いて金属薄膜パターン３、入力側ストリップ（この従
来例ではパラレルストリップ）トランスデューサ４、出
力側ストリップ（この従来例ではパラレルストリップ）
トランスデューサ５が形成されている。また、誘電体基
板１には強磁性体単結晶薄膜を片面に形成した単結晶基
板（以下試料を呼ぶ）２が取付けられている。この試料
２は、例えば、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
（Ｇ．Ｇ．Ｇ）基板上にイットリウム・鉄・ガーネット
（Ｙ．Ｉ．Ｇ）薄膜を形成したものであり、薄膜側が誘
電体基板１に対向するように配置される。断面Ｕ字型ヨ
ーク１０の両方の脚部の内側には直流外部磁界印加用の
永久磁石、例えばフェライト磁石６が取付けられてお
り、このフェライト磁石６は、試料２の強磁性体薄膜
に、その面に平行で、パラレルストリップトランスデュ
ーサの長手方向に平行に、直流磁界を印加する。
【０００３】このように構成した静磁表面波フィルタの
動作を次に説明すると、Ａ点から入力された高周波信号
は金属薄膜パターン３に沿って伝送され、次で、入力側
パラレルストリップトランスデューサ４に沿って伝送さ
れる。入力側パラレルストリップトランスデューサ４か
ら生じる高周波磁界により試料２の強磁性体薄膜上で静
磁表面波が励振され、静磁波は出力側パラレルストリッ
プトランスデューサ５の方向に伝搬される。次に、出力
側パラレルストリップトランスデューサ５で静磁波のエ
ネルギーは高周波磁界に変換されマイクロストリップ線
路に沿ってＢ点に伝送される。したがって、Ａ点からＢ
点への伝送特性は印加した磁界の大きさ、強磁性体薄膜
の磁化の大きさ及び入出力パラレルストリップトランス
デューサの形状により決まる周波数帯域のみが通過する
帯域通過特性を示す。
動作を次に説明すると、Ａ点から入力された高周波信号
は金属薄膜パターン３に沿って伝送され、次で、入力側
パラレルストリップトランスデューサ４に沿って伝送さ
れる。入力側パラレルストリップトランスデューサ４か
ら生じる高周波磁界により試料２の強磁性体薄膜上で静
磁表面波が励振され、静磁波は出力側パラレルストリッ
プトランスデューサ５の方向に伝搬される。次に、出力
側パラレルストリップトランスデューサ５で静磁波のエ
ネルギーは高周波磁界に変換されマイクロストリップ線
路に沿ってＢ点に伝送される。したがって、Ａ点からＢ
点への伝送特性は印加した磁界の大きさ、強磁性体薄膜
の磁化の大きさ及び入出力パラレルストリップトランス
デューサの形状により決まる周波数帯域のみが通過する
帯域通過特性を示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来の構成のフ
ィルタでは、フィルタの周囲温度が上昇すると、それに
つれて、強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさが小さくな
る。また、フェライト磁石である永久磁石６の磁化の大
きさも小さくなり、したがって、直流外部磁界の大きさ
も小さくなる。一般に、静磁表面波フィルタの中心周波
数は、静磁表面波の伝搬速度とパラレルストリップトラ
ンスデューサの電極周期長によって決まる。そして前述
の静磁表面波の伝搬速度は、強磁性体単結晶薄膜の磁化
の大きさまたは直流外部磁界の大きさが大きくなると、
大きくなり、小さくなると小さくなるように変動する。
ィルタでは、フィルタの周囲温度が上昇すると、それに
つれて、強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさが小さくな
る。また、フェライト磁石である永久磁石６の磁化の大
きさも小さくなり、したがって、直流外部磁界の大きさ
も小さくなる。一般に、静磁表面波フィルタの中心周波
数は、静磁表面波の伝搬速度とパラレルストリップトラ
ンスデューサの電極周期長によって決まる。そして前述
の静磁表面波の伝搬速度は、強磁性体単結晶薄膜の磁化
の大きさまたは直流外部磁界の大きさが大きくなると、
大きくなり、小さくなると小さくなるように変動する。
【０００５】ここで、パラレルストリップトランスデュ
ーサの電極周期長は静磁表面波の伝搬速度に比べ、温度
に対する変動が小さいので無視することができる。した
がって、静磁表面波の中心周波数の温度に対する変動
は、専ら強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさと直流外部
磁界の大きさによるものであり、いずれも温度の上昇に
つれて小さくなるときには相乗作用的に伝送速度を小さ
くするように作用し、この結果、フィルタの中心周波数
は大幅に高くなる欠点がある。
ーサの電極周期長は静磁表面波の伝搬速度に比べ、温度
に対する変動が小さいので無視することができる。した
がって、静磁表面波の中心周波数の温度に対する変動
は、専ら強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさと直流外部
磁界の大きさによるものであり、いずれも温度の上昇に
つれて小さくなるときには相乗作用的に伝送速度を小さ
くするように作用し、この結果、フィルタの中心周波数
は大幅に高くなる欠点がある。
【０００６】したがって、本発明の目的は、温度上昇に
よる静磁表面波フィルタの中心周波数が高くなることを
防止する温度補償型静磁表面波フィルタを提供すること
にある。
よる静磁表面波フィルタの中心周波数が高くなることを
防止する温度補償型静磁表面波フィルタを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明は、強磁性体単結晶薄膜を面上に形成した
単結晶基板と、該強磁性体単結晶薄膜に直流外部磁界を
印加する永久磁石とから成る静磁表面波フィルタであっ
て、永久磁石の磁界の大きさの温度特性を前記強磁性体
単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性に対して反対の極
性となるように構成することを特徴とする温度補償型静
磁表面波フィルタを採用するものである。
めに、本発明は、強磁性体単結晶薄膜を面上に形成した
単結晶基板と、該強磁性体単結晶薄膜に直流外部磁界を
印加する永久磁石とから成る静磁表面波フィルタであっ
て、永久磁石の磁界の大きさの温度特性を前記強磁性体
単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性に対して反対の極
性となるように構成することを特徴とする温度補償型静
磁表面波フィルタを採用するものである。
【０００８】また、前述の本発明の温度補償型静磁表面
波フィルタは、一層具体的には、前記強磁性体単結晶薄
膜の磁化の大きさ温度特性と前記永久磁石の磁界の大き
さの温度特性が使用温度範囲内で通過中心周波数の変動
に対して互いに相殺する作用をなすように前記永久磁石
の磁化の大きさの温度特性を選ぶことを特徴とする温度
補償型静磁表面波フィルタである。
波フィルタは、一層具体的には、前記強磁性体単結晶薄
膜の磁化の大きさ温度特性と前記永久磁石の磁界の大き
さの温度特性が使用温度範囲内で通過中心周波数の変動
に対して互いに相殺する作用をなすように前記永久磁石
の磁化の大きさの温度特性を選ぶことを特徴とする温度
補償型静磁表面波フィルタである。
【０００９】本発明の１つの態様では、前記永久磁石が
Ｓｍ(1-x) Ａx Ｃｏ5 の組成を有する希土類磁石から成
り、前記ＡはＥｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈから成る群
から選ばれたものであり、前記強磁性体単結晶薄膜の磁
化の大きさの温度特性と前記永久磁石の磁界の大きさの
温度特性が使用温度範囲内で通過中心周波数の変動に対
して互いに相殺する作用をなすようにＸの値を選ぶもの
である。
Ｓｍ(1-x) Ａx Ｃｏ5 の組成を有する希土類磁石から成
り、前記ＡはＥｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈから成る群
から選ばれたものであり、前記強磁性体単結晶薄膜の磁
化の大きさの温度特性と前記永久磁石の磁界の大きさの
温度特性が使用温度範囲内で通過中心周波数の変動に対
して互いに相殺する作用をなすようにＸの値を選ぶもの
である。
【００１０】また、本発明の他の態様では、前記永久磁
石が希土類磁石とフェライト系磁石から成り、前記希土
類磁石が前記永久磁石がＳｍ(1-x) Ａx Ｃｏ5 の組成を
有し、前記ＡはＥｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈから成る
群から選ばれたものであり、前記強磁性体単結晶薄膜の
磁化の大きさの温度特性と前記永久磁石の磁界の大きさ
の温度特性が使用温度範囲内で通過中心周波数の変動に
対して互いに相殺する作用をなすようにＸの値を選ぶも
のである。
石が希土類磁石とフェライト系磁石から成り、前記希土
類磁石が前記永久磁石がＳｍ(1-x) Ａx Ｃｏ5 の組成を
有し、前記ＡはＥｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈから成る
群から選ばれたものであり、前記強磁性体単結晶薄膜の
磁化の大きさの温度特性と前記永久磁石の磁界の大きさ
の温度特性が使用温度範囲内で通過中心周波数の変動に
対して互いに相殺する作用をなすようにＸの値を選ぶも
のである。
【００１１】
【作用】本発明の静磁表面波フィルタは、このフィルタ
の中心周波数が主に強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさ
と直流外部磁界の大きさに依存していることを利用する
ものである。
の中心周波数が主に強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさ
と直流外部磁界の大きさに依存していることを利用する
ものである。
【００１２】一般に、強磁性体単結晶薄膜の磁化の大き
さが大きくなると、静磁表面波の伝搬速度は大きくな
り、また直流外部磁界の大きさが大きくなると、やはり
静磁表面波の伝搬速度も大きくなる。したがって、強磁
性体単結晶薄膜の磁化の大きさと直流外部磁界の大きさ
が温度特性として反対の極性を持つようにすると、周囲
温度の変化に対して静磁表面波の伝搬速度が一定とな
り、この結果、フィルタの中心周波数も変動しないこと
になる。本発明では、強磁性体単結晶薄膜の磁化の大き
さは、温度の上昇に伴って小さくなること、即ち負極性
の温度特性を持つことを考慮して、直流外部磁界の大き
さが温度の上昇に伴って大きくなる、即ち正極性の温度
特性を持つように構成するものである。その際、単に反
対の極性を持つだけでなく、定量的に、フィルタの中心
周波数の変動に対してできるだけ相殺する作用を持つよ
うに、例えば直流外部磁界を発生する永久磁石の組成を
選ぶことが好ましい。
さが大きくなると、静磁表面波の伝搬速度は大きくな
り、また直流外部磁界の大きさが大きくなると、やはり
静磁表面波の伝搬速度も大きくなる。したがって、強磁
性体単結晶薄膜の磁化の大きさと直流外部磁界の大きさ
が温度特性として反対の極性を持つようにすると、周囲
温度の変化に対して静磁表面波の伝搬速度が一定とな
り、この結果、フィルタの中心周波数も変動しないこと
になる。本発明では、強磁性体単結晶薄膜の磁化の大き
さは、温度の上昇に伴って小さくなること、即ち負極性
の温度特性を持つことを考慮して、直流外部磁界の大き
さが温度の上昇に伴って大きくなる、即ち正極性の温度
特性を持つように構成するものである。その際、単に反
対の極性を持つだけでなく、定量的に、フィルタの中心
周波数の変動に対してできるだけ相殺する作用を持つよ
うに、例えば直流外部磁界を発生する永久磁石の組成を
選ぶことが好ましい。
【００１２】前述のような望ましい正極性の温度特性を
持つ永久磁石の作成について以下に説明する。
持つ永久磁石の作成について以下に説明する。
【００１３】図１は、代表的な希土類磁石であるサマリ
ウム・コバルト（ＳｍＣｏ5 ）及びエルビウム・コバル
ト（ＥｒＣｏ6 ）の磁化温度特性を示す。図１に示すよ
うに、ＳｍＣｏ5 磁石の磁化は温度の上昇に伴い単調に
減少し、またＥｒＣｏ6 磁石の磁化は０〜５００Ｋの温
度範囲内で温度の上昇に伴い単調に増加する。したがっ
て、ＳｍＣｏ5 磁石のＳｍを適量Ｅｒに置換することに
よって、所望の温度特性のサマリウム・エルビウム・コ
バルト磁石を得ることができる。なお、Ｅｒに代えてＤ
ｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈを用いてＥｒと同様に使用温度の
範囲内で磁化を単調に増加するものも選ぶことができ
る。
ウム・コバルト（ＳｍＣｏ5 ）及びエルビウム・コバル
ト（ＥｒＣｏ6 ）の磁化温度特性を示す。図１に示すよ
うに、ＳｍＣｏ5 磁石の磁化は温度の上昇に伴い単調に
減少し、またＥｒＣｏ6 磁石の磁化は０〜５００Ｋの温
度範囲内で温度の上昇に伴い単調に増加する。したがっ
て、ＳｍＣｏ5 磁石のＳｍを適量Ｅｒに置換することに
よって、所望の温度特性のサマリウム・エルビウム・コ
バルト磁石を得ることができる。なお、Ｅｒに代えてＤ
ｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈを用いてＥｒと同様に使用温度の
範囲内で磁化を単調に増加するものも選ぶことができ
る。
【００１４】
【実施例】次に図面を参照して本発明の好ましい実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】本発明の１つの実施例を示す図２を参照す
ると、本発明の静磁表面波フィルタが示されている。こ
のフィルタは、従来のフィルタと比べて、フェライト磁
石６に代えて、前述のサマリウム・エルビウム・コバル
ト磁石７を用いる点を除いては同一であるので、同一の
構成部分の詳細な説明は省略する。
ると、本発明の静磁表面波フィルタが示されている。こ
のフィルタは、従来のフィルタと比べて、フェライト磁
石６に代えて、前述のサマリウム・エルビウム・コバル
ト磁石７を用いる点を除いては同一であるので、同一の
構成部分の詳細な説明は省略する。
【００１６】サマリウム・エルビウム・コバルト磁石の
サマリウムの４０モル％をエルビウムで置換すると、磁
石の磁化の大きさが−５０°Ｃ〜７０°Ｃの範囲内で温
度の上昇と共に大きくなる正極性の温度特性が実現でき
る。
サマリウムの４０モル％をエルビウムで置換すると、磁
石の磁化の大きさが−５０°Ｃ〜７０°Ｃの範囲内で温
度の上昇と共に大きくなる正極性の温度特性が実現でき
る。
【００１７】
【実験例】次に、このように構成したサマリウム・エル
ビウム・コバルト磁石を用いた実験例について説明す
る。この実験例では、Ｙ．Ｉ．Ｇ薄膜に、飽和磁化１７
５０ガウス、膜厚２０μｍの材料を用い、前述の磁石で
試料２に７８０エルステッドの磁界を印加した。通過帯
域は３．８ＧＨｚであり、その中心周波数の温度係数は
約１００ｐｐｍ／°Ｃであった。この値は従来の静磁表
面波フィルタの中心周波数の温度係数が１０００ｐｐｍ
／°Ｃ〜３０００ｐｐｍ／°Ｃと比べると、大幅に改善
されている。
ビウム・コバルト磁石を用いた実験例について説明す
る。この実験例では、Ｙ．Ｉ．Ｇ薄膜に、飽和磁化１７
５０ガウス、膜厚２０μｍの材料を用い、前述の磁石で
試料２に７８０エルステッドの磁界を印加した。通過帯
域は３．８ＧＨｚであり、その中心周波数の温度係数は
約１００ｐｐｍ／°Ｃであった。この値は従来の静磁表
面波フィルタの中心周波数の温度係数が１０００ｐｐｍ
／°Ｃ〜３０００ｐｐｍ／°Ｃと比べると、大幅に改善
されている。
【００１８】本発明の他の実施例を示す図３を参照する
と、主要な構成は図２の実施例と同一であるが、１つの
永久磁石（サマリウム・エルビウム・コバルト磁石）７
に代えて、２つの永久磁石８及び９の組み合わせを用い
ている。永久磁石８としては、前述の希土類磁石のサマ
リウム・エルビウム・コバルト磁石を用い、永久磁石９
としては、通常のフェライト磁石を用いている。これは
一般に希土類磁石がフェライト磁石に比べ大変高価であ
るため、希土類磁石の使用量を減らしたものである。周
囲温度の上昇に伴い、直流外部磁界の大きさが大きくな
るように、サマリウム・エルビウム・コバルト磁石を使
用する一方、磁界の一部をフェライト磁石で補い、全体
のコストダウンを図っている。
と、主要な構成は図２の実施例と同一であるが、１つの
永久磁石（サマリウム・エルビウム・コバルト磁石）７
に代えて、２つの永久磁石８及び９の組み合わせを用い
ている。永久磁石８としては、前述の希土類磁石のサマ
リウム・エルビウム・コバルト磁石を用い、永久磁石９
としては、通常のフェライト磁石を用いている。これは
一般に希土類磁石がフェライト磁石に比べ大変高価であ
るため、希土類磁石の使用量を減らしたものである。周
囲温度の上昇に伴い、直流外部磁界の大きさが大きくな
るように、サマリウム・エルビウム・コバルト磁石を使
用する一方、磁界の一部をフェライト磁石で補い、全体
のコストダウンを図っている。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明した通り、本発明は、周
囲温度の変動に対して、静磁表面波フィルタの中心周波
数の変動を抑える直流外部磁界の温度特性を持つ温度補
償型静磁表面波フィルタを提供できる。
囲温度の変動に対して、静磁表面波フィルタの中心周波
数の変動を抑える直流外部磁界の温度特性を持つ温度補
償型静磁表面波フィルタを提供できる。
【図１】図１は、本発明で用いる永久磁石を作成するた
めの原理を説明するためのＳｍＣｏ5 磁石及びＥｒＣｏ
6 磁石の磁化の温度特性を示すグラフである。
めの原理を説明するためのＳｍＣｏ5 磁石及びＥｒＣｏ
6 磁石の磁化の温度特性を示すグラフである。
【図２】図２は、本発明の１つの実施例の静磁表面波フ
ィルタの平面図である。
ィルタの平面図である。
【図３】図３は、本発明の他の実施例の静磁表面波フィ
ルタの平面図である。
ルタの平面図である。
【図４】図４は、従来の静磁表面波フィルタの平面図で
ある。
ある。
１ 誘電体基板 ２ 試料 ３ 金属薄膜パターン ４ 入力側パラレルストリップトランスデューサ ５ 出力側パラレルストリップトランスデューサ ６ フェライト磁石 ７ サマリウム・エルビウム・コバルト磁石 ８ サマリウム・エルビウム・コバルト磁石 ９ フェライト磁石 １０ ヨーク
Claims (4)
- 【請求項１】 強磁性体単結晶薄膜を面上に形成した単
結晶基板と、該強磁性体単結晶薄膜に直流外部磁界を印
加する永久磁石とから成る静磁表面波フィルタであっ
て、永久磁石の磁界の大きさの温度特性を前記強磁性体
単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性に対して反対の極
性となるように構成することを特徴とする温度補償型静
磁表面波フィルタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の温度補償型静磁表面波フ
ィルタにおいて、前記強磁性体単結晶薄膜の磁化の大き
さ温度特性と前記永久磁石の磁界の大きさの温度特性が
使用温度範囲内で通過中心周波数の変動に対して互いに
相殺する作用をなすように前記永久磁石の磁化の大きさ
の温度特性を選ぶことを特徴とする温度補償型静磁表面
波フィルタ。 - 【請求項３】 請求項２記載の温度補償型静磁表面波フ
ィルタにおいて、前記永久磁石がＳｍ(1-x) Ａx Ｃｏ5
の組成を有する希土類磁石から成り、前記ＡはＥｒ、Ｄ
ｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｈから成る群から選ばれたものであ
り、前記強磁性体単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性
と前記永久磁石の磁界の大きさの温度特性が使用温度範
囲内で通過中心周波数の変動に対して互いに相殺する作
用をなすようにＸの値を選ぶことを特徴とする温度補償
型静磁表面波フィルタ。 - 【請求項４】 請求項２記載の温度補償型静磁表面波フ
ィルタにおいて、前記永久磁石が希土類磁石とフェライ
ト系磁石から成り、前記希土類磁石がＳｍ(1-x) Ａx Ｃ
ｏ5 の組成を有し、前記ＡはＥｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、
Ｇｈから成る群から選ばれたものであり、前記強磁性体
単結晶薄膜の磁化の大きさの温度特性と前記永久磁石の
磁界の大きさの温度特性が使用温度範囲内で通過中心周
波数の変動に対して互いに相殺する作用をなすようにＸ
の値を選ぶことを特徴とする温度補償型静磁表面波フィ
ルタ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084723A JPH05175709A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 温度補償型静磁表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084723A JPH05175709A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 温度補償型静磁表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175709A true JPH05175709A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=13838607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084723A Pending JPH05175709A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 温度補償型静磁表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175709A (ja) |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP3084723A patent/JPH05175709A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2594382C1 (ru) | Регулируемая свч линия задержки на поверхностных магнитостатических волнах | |
| US4701729A (en) | Magnetic apparatus including thin film YIG resonator | |
| JPH05175709A (ja) | 温度補償型静磁表面波フィルタ | |
| JPH05175710A (ja) | 温度補償型静磁表面波フィルタ | |
| JP2779057B2 (ja) | 静磁波素子用チップおよび静磁波素子 | |
| KR950005157B1 (ko) | Yig 박막 마이크로파 장치 | |
| JPH0738528B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| EP0658978A1 (en) | Magnetostatic wave device | |
| JP2000001317A (ja) | 非可逆回路素子の相互変調積を制御する方法 | |
| JPH01191502A (ja) | 磁気装置 | |
| RU70053U1 (ru) | Свч элемент на эпитаксиальной структуре | |
| JP2723374B2 (ja) | 静磁波素子 | |
| JPH0758843B2 (ja) | 静磁波装置 | |
| JP3272967B2 (ja) | 静磁波デバイスおよびこれを用いた電圧制御発振器 | |
| JPH0738527B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| Stern et al. | Temperature stabilization of unsaturated microwave ferrite devices | |
| JP2672434B2 (ja) | 磁気装置 | |
| US4399415A (en) | Resonant isolator for maser amplifier | |
| JPH07105648B2 (ja) | Ｙｉｇ薄膜マイクロ波装置 | |
| JP2723375B2 (ja) | 磁気装置 | |
| JPH05315817A (ja) | 磁気装置 | |
| JPH05129806A (ja) | Ｍｉｃサーキユレータ | |
| JPH07202517A (ja) | 可変バンドパスフィルター | |
| JPS588762B2 (ja) | サ−キユレ−タおよびアイソレ−タ | |
| JPH04346089A (ja) | 複合永久磁石および磁気装置 |