JPH05175293A - 半導体チップの解析方法 - Google Patents
半導体チップの解析方法Info
- Publication number
- JPH05175293A JPH05175293A JP34119091A JP34119091A JPH05175293A JP H05175293 A JPH05175293 A JP H05175293A JP 34119091 A JP34119091 A JP 34119091A JP 34119091 A JP34119091 A JP 34119091A JP H05175293 A JPH05175293 A JP H05175293A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- chip
- electrical characteristics
- variation
- ultraviolet
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体チップのリーク箇所を特定する。
【構成】半導体チップ１の表面上に紫外線ビームを照射
するようにしたため、リーク量の変化が検知される。
するようにしたため、リーク量の変化が検知される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの異常箇
所を特定する方法に関する。
所を特定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造した半導体チップの動作確認の段階
で不良が発見された場合に、その半導体チップ内のどの
箇所にどのような異常があったか分析する必要を生じる
場合があり、その場合に先ず半導体チップの異常箇所を
特定する必要がある。半導体チップのリークの発生箇所
の特定方法としては、従来、ジャンクションの状態をチ
ェックするレーザプローブ法、半導体チップに電源を印
加しジャンクションの発光を調べる発光観察法、電子ビ
ームを半導体チップに照射し端子の電圧を観察する電子
ビームスキャンチェック法などがある。
で不良が発見された場合に、その半導体チップ内のどの
箇所にどのような異常があったか分析する必要を生じる
場合があり、その場合に先ず半導体チップの異常箇所を
特定する必要がある。半導体チップのリークの発生箇所
の特定方法としては、従来、ジャンクションの状態をチ
ェックするレーザプローブ法、半導体チップに電源を印
加しジャンクションの発光を調べる発光観察法、電子ビ
ームを半導体チップに照射し端子の電圧を観察する電子
ビームスキャンチェック法などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体チッ
プのリークの特定方法であるレーザプロープ法は、レー
ザの波長が長いためエネルギーが小さくジャンクション
の状態等の限られた用途にしか使用できないという問題
がある。また発光観察法ではイオン性の電荷によるリー
クの検出は困難であり、電子ビームスキャンチェック法
は半導体チップのパッシベーション膜を除去しないと正
確な特性は出ないなどの欠点がある。さらに近年、半導
体チップが大型化する傾向があり、半導体チップの面積
が大きくなるとリークの発生箇所の特定が困難となる。
プのリークの特定方法であるレーザプロープ法は、レー
ザの波長が長いためエネルギーが小さくジャンクション
の状態等の限られた用途にしか使用できないという問題
がある。また発光観察法ではイオン性の電荷によるリー
クの検出は困難であり、電子ビームスキャンチェック法
は半導体チップのパッシベーション膜を除去しないと正
確な特性は出ないなどの欠点がある。さらに近年、半導
体チップが大型化する傾向があり、半導体チップの面積
が大きくなるとリークの発生箇所の特定が困難となる。
【０００４】本発明は、上記事情に鑑み、半導体チップ
のリークの発生箇所の特定を容易に行うことのできる解
析方法を提供することを目的とする。
のリークの発生箇所の特定を容易に行うことのできる解
析方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップの
解析方法は、半導体チップを紫外線ビームで走査しなが
ら該半導体チップの電気的特性をモニタし、モニタした
該半導体チップの電気的特性の変動から該半導体チップ
の異常箇所を特定することを特徴とする。
解析方法は、半導体チップを紫外線ビームで走査しなが
ら該半導体チップの電気的特性をモニタし、モニタした
該半導体チップの電気的特性の変動から該半導体チップ
の異常箇所を特定することを特徴とする。
【０００６】
【作用】半導体チップの表面に、例えば２５００オング
ストローム前後の紫外線領域の光を照射させると、紫外
線はエネルギーが大きいので例えば絶縁膜中のエレクト
ロンやイオンを中和し、これによりそれまで発生してい
たリーク量が減少する等の変化が生じ、この変化を検知
することにより、半導体チップのリーク箇所が特定され
る。
ストローム前後の紫外線領域の光を照射させると、紫外
線はエネルギーが大きいので例えば絶縁膜中のエレクト
ロンやイオンを中和し、これによりそれまで発生してい
たリーク量が減少する等の変化が生じ、この変化を検知
することにより、半導体チップのリーク箇所が特定され
る。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の半導体チップの解析方法の
一例を示した模式図である。ステージ６の上に載置され
た半導体チップ１と電源装置９とリーク測定器１１は電
気的に接続され、紫外線発生器３と可視光ランプ５は光
線切換器４に接続され、光線切換器４にレンズ２が備え
られ、さらに、本実施例には顕微鏡７も備えられてい
る。
一例を示した模式図である。ステージ６の上に載置され
た半導体チップ１と電源装置９とリーク測定器１１は電
気的に接続され、紫外線発生器３と可視光ランプ５は光
線切換器４に接続され、光線切換器４にレンズ２が備え
られ、さらに、本実施例には顕微鏡７も備えられてい
る。
【０００８】ここに半導体チップ１に電源が印加され、
紫外線発生器３により紫外線が発せられ該紫外線をレン
ズ２で絞ってビーム状とし、この紫外線ビームで半導体
チップ１を照射し、ステージ６を移動させて半導体チッ
プ１の表面上の、紫外線ビームが照射される位置を変
え、その紫外線ビームがリーク箇所に達するとリーク測
定器１１にモニタされているリーク量の変動が検知され
る。リーク量の変動が検知されると、光線切換器４で紫
外線発生器３が可視光ランプ５に切り換えられ、顕微鏡
７を覗くことにより半導体チップ１の上のリーク箇所が
観察される。
紫外線発生器３により紫外線が発せられ該紫外線をレン
ズ２で絞ってビーム状とし、この紫外線ビームで半導体
チップ１を照射し、ステージ６を移動させて半導体チッ
プ１の表面上の、紫外線ビームが照射される位置を変
え、その紫外線ビームがリーク箇所に達するとリーク測
定器１１にモニタされているリーク量の変動が検知され
る。リーク量の変動が検知されると、光線切換器４で紫
外線発生器３が可視光ランプ５に切り換えられ、顕微鏡
７を覗くことにより半導体チップ１の上のリーク箇所が
観察される。
【０００９】また、紫外線ビームは半導体チップ１の中
まで進入するので、パッシベーション膜や絶縁膜の下で
生ずるリークに付いても検知される。一例として、半導
体バイポーラ集積回路でのリーク量が３０μＡであった
ものが、紫外線ビームの照射で０μＡに変動しこれによ
りリーク箇所が特定された。
まで進入するので、パッシベーション膜や絶縁膜の下で
生ずるリークに付いても検知される。一例として、半導
体バイポーラ集積回路でのリーク量が３０μＡであった
ものが、紫外線ビームの照射で０μＡに変動しこれによ
りリーク箇所が特定された。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体チ
ップの解析方法は、紫外線ビームを半導体チップに照射
するようにしたため、リーク量の変動が検知され、リー
ク箇所が容易に特定される。
ップの解析方法は、紫外線ビームを半導体チップに照射
するようにしたため、リーク量の変動が検知され、リー
ク箇所が容易に特定される。
【図１】本発明の半導体チップの解析方法の一実施例の
図である。
図である。
１ 半導体チップ ２ レンズ ３ 紫外線発生器 ４ 光線切換器 ５ 可視光ランプ ６ ステージ ７ 顕微鏡 ９ 電源装置 １１ リーク測定器
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップを紫外線ビームで走査しな
がら該半導体チップの電気的特性をモニタし、モニタし
た該半導体チップの電気的特性の変動から該半導体チッ
プの異常箇所を特定することを特徴とする半導体チップ
の解析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34119091A JPH05175293A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体チップの解析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34119091A JPH05175293A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体チップの解析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175293A true JPH05175293A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18344064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34119091A Withdrawn JPH05175293A (ja) | 1991-12-24 | 1991-12-24 | 半導体チップの解析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175293A (ja) |
-
1991
- 1991-12-24 JP JP34119091A patent/JPH05175293A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |