JPH05167308A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH05167308A JPH05167308A JP3350455A JP35045591A JPH05167308A JP H05167308 A JPH05167308 A JP H05167308A JP 3350455 A JP3350455 A JP 3350455A JP 35045591 A JP35045591 A JP 35045591A JP H05167308 A JPH05167308 A JP H05167308A
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- Japan
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- pattern
- dielectric
- capacitance
- patterns
- terminal
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡易な構成でもって複合コンデンサ回路を得
ることができ、部品点数が少なく小型化かつ安価な誘電
体フィルタを提供すること。 【構成】 誘電体ブロック11の一つの側面に容量パタ
ーン15が形成される。この容量パターンは、両端が開
放面13に連通した平面略コ字状の導体膜未塗布部分を
設けることにより構成される。そしてその導体膜未塗布
のコ字状部位16の内部空間に第1導体膜14aが形成
され、コ字状部位の外方に第2導体膜14bとが形成さ
れる。そして、その第1導体膜と、第2導体膜並びに隣
接する他の導体膜14との間で接地容量が構成される。
上記容量パターン付きの3個の誘電体共振器10を、各
容量パターン同士がともに同一方向を向くように併設す
る。そして、隣接する誘電体共振器に形成される容量パ
ターン同士をインダクタンスL1,L2で連結する。
ることができ、部品点数が少なく小型化かつ安価な誘電
体フィルタを提供すること。 【構成】 誘電体ブロック11の一つの側面に容量パタ
ーン15が形成される。この容量パターンは、両端が開
放面13に連通した平面略コ字状の導体膜未塗布部分を
設けることにより構成される。そしてその導体膜未塗布
のコ字状部位16の内部空間に第1導体膜14aが形成
され、コ字状部位の外方に第2導体膜14bとが形成さ
れる。そして、その第1導体膜と、第2導体膜並びに隣
接する他の導体膜14との間で接地容量が構成される。
上記容量パターン付きの3個の誘電体共振器10を、各
容量パターン同士がともに同一方向を向くように併設す
る。そして、隣接する誘電体共振器に形成される容量パ
ターン同士をインダクタンスL1,L2で連結する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体フィルタに関す
るもので、より具体的には誘電体で構成される共振器に
L,Cの回路を接続して構成されるディスクリート型の
帯域阻止フィルタの改良に関する。
るもので、より具体的には誘電体で構成される共振器に
L,Cの回路を接続して構成されるディスクリート型の
帯域阻止フィルタの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】誘電体フィルタは、自動車電話や携帯電
話その他各種の通信用回路の構成部品に利用されてい
る。そして、実装する装置の小型化にともない係る誘電
体フィルタの小型化が図れている。その誘電体フィルタ
の一例を示すと図8に示すようになっている。すなわ
ち、3個の筒状の誘電体共振器1を、取り付け板2上に
その開放端面1aが同一平面に位置するようにして並列
状態で配置する。そして、誘電体共振器1の開放端面1
a側の開口1b内に接続ロッド3の一端を挿入するとと
もに、その接続ロッド3の他端を外部に突出配置させ
る。その接続ロッド3の他端にチップコンデンサC1,
C2,C3を接続し、チップコンデンサC1,C2,C
3に直列に容量基板5上に形成された容量パターンCA
,CB ,CC を接続する。そして、その各容量パター
ンCA ,CB ,CC を基板2のアースに落としている。
また、上記各容量パターン間CA ,CB ,CC をインダ
クタンスL1,L2で接続している。これにより、図9
に示す等価回路図が構成され、図10に示すような周波
数特性がえられる。
話その他各種の通信用回路の構成部品に利用されてい
る。そして、実装する装置の小型化にともない係る誘電
体フィルタの小型化が図れている。その誘電体フィルタ
の一例を示すと図8に示すようになっている。すなわ
ち、3個の筒状の誘電体共振器1を、取り付け板2上に
その開放端面1aが同一平面に位置するようにして並列
状態で配置する。そして、誘電体共振器1の開放端面1
a側の開口1b内に接続ロッド3の一端を挿入するとと
もに、その接続ロッド3の他端を外部に突出配置させ
る。その接続ロッド3の他端にチップコンデンサC1,
C2,C3を接続し、チップコンデンサC1,C2,C
3に直列に容量基板5上に形成された容量パターンCA
,CB ,CC を接続する。そして、その各容量パター
ンCA ,CB ,CC を基板2のアースに落としている。
また、上記各容量パターン間CA ,CB ,CC をインダ
クタンスL1,L2で接続している。これにより、図9
に示す等価回路図が構成され、図10に示すような周波
数特性がえられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の誘電体フィルタでは、3個のチップコンデンサ
C1 〜C3 ,容量基板5並びに2個のインダクタンスL
1,L2さらには、チップコンデンサC1 〜C3 との接
続をとるための接続ロッド3等の多数の部品を必要とす
る。さらに、上述したごとく誘電体フィルタの小型化が
要求されていることから、各構成部品を小型化しなけれ
ばならないが、係る小さな部品を形成することが困難で
あるばかりでなく、組み立て作業も煩雑となる。その結
果、コストアップとなるなどの問題を有する。
た従来の誘電体フィルタでは、3個のチップコンデンサ
C1 〜C3 ,容量基板5並びに2個のインダクタンスL
1,L2さらには、チップコンデンサC1 〜C3 との接
続をとるための接続ロッド3等の多数の部品を必要とす
る。さらに、上述したごとく誘電体フィルタの小型化が
要求されていることから、各構成部品を小型化しなけれ
ばならないが、係る小さな部品を形成することが困難で
あるばかりでなく、組み立て作業も煩雑となる。その結
果、コストアップとなるなどの問題を有する。
【0004】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、部品点数の削減を図
るとともに、非常に小型で構造を簡易とし、組み立て作
業も簡易な誘電体フィルタを提供することにある。
もので、その目的とするところは、部品点数の削減を図
るとともに、非常に小型で構造を簡易とし、組み立て作
業も簡易な誘電体フィルタを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係る誘電体フィルタでは、共振穴を有す
る誘電体ブロックと、その共振穴の内面並びに前記誘電
体ブロックの所定部位に形成したアースパターンを構成
する導体膜とを備えたを誘電体共振器を複数個併設する
とともに、その複数の誘電体共振器間をLC結合するこ
とにより構成される誘電体フィルタにおいて、前記各誘
電体共振器の側面のうち、隣接する他の誘電体共振器と
対向しない側面に容量パターンを形成するとともに、そ
の容量パターン間をインダクタンスで結合するようにし
た。
ため、本発明に係る誘電体フィルタでは、共振穴を有す
る誘電体ブロックと、その共振穴の内面並びに前記誘電
体ブロックの所定部位に形成したアースパターンを構成
する導体膜とを備えたを誘電体共振器を複数個併設する
とともに、その複数の誘電体共振器間をLC結合するこ
とにより構成される誘電体フィルタにおいて、前記各誘
電体共振器の側面のうち、隣接する他の誘電体共振器と
対向しない側面に容量パターンを形成するとともに、そ
の容量パターン間をインダクタンスで結合するようにし
た。
【0006】
【作用】誘電体共振器の所定位置に容量パターンが形成
されているため、係る誘電体共振器を複数個配置すると
ともに、その容量パターンをインダクタンスで結合する
だけで所望の誘電体フィルタが構成される。すなわち、
従来必須であった外付けの接地容量の部品等が不要とな
る。そして、容量パターンの形状・寸法を調整するだけ
で容量が変更され、所望のフィルタ特性となる。
されているため、係る誘電体共振器を複数個配置すると
ともに、その容量パターンをインダクタンスで結合する
だけで所望の誘電体フィルタが構成される。すなわち、
従来必須であった外付けの接地容量の部品等が不要とな
る。そして、容量パターンの形状・寸法を調整するだけ
で容量が変更され、所望のフィルタ特性となる。
【0007】
【実施例】以下、本発明に係る好適な実施例を添付図面
を参照にして詳述する。図1は、本発明に係る誘電体フ
ィルタを構成する共振器の一例を示す斜視図であり、図
2は図1の誘電体フィルタの等価回路図であり、図3は
係る誘電体共振器を用いて構成される本発明の第1実施
例を示している。同図に示すように、誘電体共振器10
は、まず、誘電体セラミックで構成される略直方体状の
誘電体ブロック11に軸方向に延びる共振穴12設ける
とともに、共振穴12が開口された一面(開放面13)
を除く他の5つの面並びに共振穴12の内面を導体膜1
4で被覆形成している。
を参照にして詳述する。図1は、本発明に係る誘電体フ
ィルタを構成する共振器の一例を示す斜視図であり、図
2は図1の誘電体フィルタの等価回路図であり、図3は
係る誘電体共振器を用いて構成される本発明の第1実施
例を示している。同図に示すように、誘電体共振器10
は、まず、誘電体セラミックで構成される略直方体状の
誘電体ブロック11に軸方向に延びる共振穴12設ける
とともに、共振穴12が開口された一面(開放面13)
を除く他の5つの面並びに共振穴12の内面を導体膜1
4で被覆形成している。
【0008】ここで本発明では、導体膜14を被覆する
側面のうち一側面に容量パターン15を形成している。
この容量パターン15は、その一側面に導体膜14を形
成するに際し、平面略コ字状の導体膜未塗布部分を設け
ることにより構成される。すなわち、具体的には、導体
膜未塗布のコ字状部位16の両端16a,16aを開放
面13に連通させるとともに、コ字状部位16の側縁を
誘電体ブロック11の一側面の両辺に一致させている。
これにより、この一側面には、コ字状部位16の内部空
間に位置された第1導体膜14aと、コ字状部位16の
外方に形成された第2導体膜14bとが形成されること
になる。そして、このコ字状部位16の幅を変えること
により容量が変化する。なお、他の側面に形成される導
体膜14並びに第2導体膜14bはアース面となる。
側面のうち一側面に容量パターン15を形成している。
この容量パターン15は、その一側面に導体膜14を形
成するに際し、平面略コ字状の導体膜未塗布部分を設け
ることにより構成される。すなわち、具体的には、導体
膜未塗布のコ字状部位16の両端16a,16aを開放
面13に連通させるとともに、コ字状部位16の側縁を
誘電体ブロック11の一側面の両辺に一致させている。
これにより、この一側面には、コ字状部位16の内部空
間に位置された第1導体膜14aと、コ字状部位16の
外方に形成された第2導体膜14bとが形成されること
になる。そして、このコ字状部位16の幅を変えること
により容量が変化する。なお、他の側面に形成される導
体膜14並びに第2導体膜14bはアース面となる。
【0009】より具体的には、コ字状部位16のうち開
放面13に連通する2本の直線部分16-1,16-2の幅
t1 ,t2 を変えると容量が大きく変化し、一方、その
2本の直線部分16-1,16-2を連結する底部側の直線
部分16-3の幅t3 を変えても容量の変化は小さい。よ
って、前者で粗調・後者で微調を行うことができる。な
お、上記幅t1 ,t2 は必ずしも同一幅にすることはな
い。そして、予め設計により所定形状にパターンを形成
した後、塗布された導電膜14,14a,14bの所定
位置を適宜削りとることにより、所望の容量を得ること
ができる。
放面13に連通する2本の直線部分16-1,16-2の幅
t1 ,t2 を変えると容量が大きく変化し、一方、その
2本の直線部分16-1,16-2を連結する底部側の直線
部分16-3の幅t3 を変えても容量の変化は小さい。よ
って、前者で粗調・後者で微調を行うことができる。な
お、上記幅t1 ,t2 は必ずしも同一幅にすることはな
い。そして、予め設計により所定形状にパターンを形成
した後、塗布された導電膜14,14a,14bの所定
位置を適宜削りとることにより、所望の容量を得ること
ができる。
【0010】上記構成の誘電体共振器10の等価回路を
図2に示す。開放面13に位置する共振穴12の周縁と
開放面13の外周縁との間で容量C1 が形成され、上述
したごとく容量パターン15で容量CA が形成される。
そして、この容量CA は、コ字状部位16を構成する3
本の直線部分でそれぞれ発生する容量CA1,CA2,CA3
が並列接続されることにより構成される。
図2に示す。開放面13に位置する共振穴12の周縁と
開放面13の外周縁との間で容量C1 が形成され、上述
したごとく容量パターン15で容量CA が形成される。
そして、この容量CA は、コ字状部位16を構成する3
本の直線部分でそれぞれ発生する容量CA1,CA2,CA3
が並列接続されることにより構成される。
【0011】なお、上記容量C1 は、開放面13側の共
振穴12の周縁を削りとることにより、共振周波数とと
もに変化させることができる。また、容量C1 のみを変
化させたい場合には、第1導体膜14aの開放面13に
連通する側縁を削りとることにより行える。さらに、共
振周波数のみを変化させたい場合には、容量パターン1
5を形成していない他の3つの側面に形成された導体膜
14の開放面13に連通する側縁を削りとることにより
行える。
振穴12の周縁を削りとることにより、共振周波数とと
もに変化させることができる。また、容量C1 のみを変
化させたい場合には、第1導体膜14aの開放面13に
連通する側縁を削りとることにより行える。さらに、共
振周波数のみを変化させたい場合には、容量パターン1
5を形成していない他の3つの側面に形成された導体膜
14の開放面13に連通する側縁を削りとることにより
行える。
【0012】そして、図3に示すように上記構成の誘電
体共振器10を複数個(本例では3個)用い、それらを
併設する。この時、各開放面13同士並びに、各誘電体
共振器10に設けた容量パターン15同士がともに同一
方向を向くように配置する。そして、隣接する誘電体共
振器10に形成される容量パターン15同士をインダク
タンスL1,L2で連結する。これにより、図9に示す
ような等価回路となり、誘電体共振器10に形成される
容量を適宜設定することにより、図10に示す特性から
なる帯域阻止フィルタが構成される。
体共振器10を複数個(本例では3個)用い、それらを
併設する。この時、各開放面13同士並びに、各誘電体
共振器10に設けた容量パターン15同士がともに同一
方向を向くように配置する。そして、隣接する誘電体共
振器10に形成される容量パターン15同士をインダク
タンスL1,L2で連結する。これにより、図9に示す
ような等価回路となり、誘電体共振器10に形成される
容量を適宜設定することにより、図10に示す特性から
なる帯域阻止フィルタが構成される。
【0013】図4は、本発明の第2実施例を示してい
る。本例では、上記した図1に示した誘電体共振器10
を用い、それを実装基板20上に配置している。すなわ
ち、まず3個の誘電体共振器10に形成された上記容量
パターンを、実装基板20の取り付け面に対向状態で載
置する。この載置に際し、実装基板20上に形成された
アースパターン21に誘電体共振器10に形成した上記
第2導体膜14bを面接触させている。このアースパタ
ーン21は、所定位置に形成されたスルーホール22を
介して実装基板20の裏面に形成されたアース面に接続
されている。また、実装基板20上の所定位置に形成さ
れた端子パターン23a,23b,23cの一端部にそ
れぞれ誘電体共振器10に形成した上記第1導体膜14
aを面接触させている。そして、隣接する端子パターン
23a,23b,23cの他端部同士をインダクタンス
L1,L2を介して接続している。また、両側に位置す
る端子パターン23a,23cは、それぞれ入出力スト
リップライン24に連繋されて、実装基板20の他の回
路に接続される。
る。本例では、上記した図1に示した誘電体共振器10
を用い、それを実装基板20上に配置している。すなわ
ち、まず3個の誘電体共振器10に形成された上記容量
パターンを、実装基板20の取り付け面に対向状態で載
置する。この載置に際し、実装基板20上に形成された
アースパターン21に誘電体共振器10に形成した上記
第2導体膜14bを面接触させている。このアースパタ
ーン21は、所定位置に形成されたスルーホール22を
介して実装基板20の裏面に形成されたアース面に接続
されている。また、実装基板20上の所定位置に形成さ
れた端子パターン23a,23b,23cの一端部にそ
れぞれ誘電体共振器10に形成した上記第1導体膜14
aを面接触させている。そして、隣接する端子パターン
23a,23b,23cの他端部同士をインダクタンス
L1,L2を介して接続している。また、両側に位置す
る端子パターン23a,23cは、それぞれ入出力スト
リップライン24に連繋されて、実装基板20の他の回
路に接続される。
【0014】なお、必要に応じて、図示省略するが上記
構成の誘電体フィルターの外周囲を底部開口した箱状の
金属製ケースで覆うことにより、他の回路への電波漏れ
を抑制するようにしても良い。
構成の誘電体フィルターの外周囲を底部開口した箱状の
金属製ケースで覆うことにより、他の回路への電波漏れ
を抑制するようにしても良い。
【0015】このように、本例では、実装基板20への
誘電体共振器の装着に際し、3個の誘電体共振器と2個
のインダクタンスL1,L2ですむため、部品点数の削
減に伴う設置面積の縮小化を図ることができる。また、
誘電体共振器10に形成した容量パターン(第1導体膜
14a)並びにアースパターン(第2導体膜14b)を
直接実装基板20上に形成されたパターンに接触、すな
わち、面実装による装置が行えるため、取り付け作業が
簡略化されるばかりでなく、アースが理想状態でとるこ
とができる。なお、その他の構成並びに作用(容量等の
調整方法)等は上記した第1実施例と同様であるためそ
の説明を省略する。
誘電体共振器の装着に際し、3個の誘電体共振器と2個
のインダクタンスL1,L2ですむため、部品点数の削
減に伴う設置面積の縮小化を図ることができる。また、
誘電体共振器10に形成した容量パターン(第1導体膜
14a)並びにアースパターン(第2導体膜14b)を
直接実装基板20上に形成されたパターンに接触、すな
わち、面実装による装置が行えるため、取り付け作業が
簡略化されるばかりでなく、アースが理想状態でとるこ
とができる。なお、その他の構成並びに作用(容量等の
調整方法)等は上記した第1実施例と同様であるためそ
の説明を省略する。
【0016】図5は本発明の第3実施例を示している。
本例では、上記した第2実施例のように各素子を実装基
板上に直接設置するのではなく、図1に示した誘電体共
振器10を3個用いて構成される誘電体フィルタをチッ
プ化している。すなわち、誘電体から構成されるベース
プレート30の表面に、アースパターン31並びに3個
の端子パターン32a,32b,32cを形成する。そ
して、上記した第2実施例と同様に3個の誘電体共振器
10を、ベースプレート30上に設置する。この時、各
誘電体共振器10に形成されたアースパターン並びに容
量パターンを、上記ベースプレート30に設けたアース
パターン31並びに端子パターン32a〜32cに面接
触させる。さらに、隣接する端子パターン32a〜32
c同士をインダクタンスL1,L2で接続することによ
りワンチップ型の誘電体フィルタ35が形成される。こ
のようにワンチップ型としたため、実際の回路基板上へ
の実装が容易となる。
本例では、上記した第2実施例のように各素子を実装基
板上に直接設置するのではなく、図1に示した誘電体共
振器10を3個用いて構成される誘電体フィルタをチッ
プ化している。すなわち、誘電体から構成されるベース
プレート30の表面に、アースパターン31並びに3個
の端子パターン32a,32b,32cを形成する。そ
して、上記した第2実施例と同様に3個の誘電体共振器
10を、ベースプレート30上に設置する。この時、各
誘電体共振器10に形成されたアースパターン並びに容
量パターンを、上記ベースプレート30に設けたアース
パターン31並びに端子パターン32a〜32cに面接
触させる。さらに、隣接する端子パターン32a〜32
c同士をインダクタンスL1,L2で接続することによ
りワンチップ型の誘電体フィルタ35が形成される。こ
のようにワンチップ型としたため、実際の回路基板上へ
の実装が容易となる。
【0017】また本例では、係る誘電体フィルタ35と
実際の回路パターンとの接続をとるため、両側に位置す
る端子パターン32a,32cの先端部をL字状に折曲
し、その端部32a′,32c′をベースプレート30
の側壁30aに回り込み形成している。なお、この実際
の回路パターンとの接続をとるための構造としては、上
記した構成以外に例えば図6(A)に示すように、ベー
スプレート30の側壁30aを半円弧状に切除させ、そ
の湾曲面に30a′に上記端子パターン32cの端部3
2c′を形成しても良く、あるいは同図(B)に示すよ
うに、端子パターン33をL字状に折曲することなくそ
のまま真っすくに延長配置し、その端部33aをベース
プレート30の側壁30aにまで回り込み形成するよう
にしても良く、その他、種々の構成をとることができ
る。
実際の回路パターンとの接続をとるため、両側に位置す
る端子パターン32a,32cの先端部をL字状に折曲
し、その端部32a′,32c′をベースプレート30
の側壁30aに回り込み形成している。なお、この実際
の回路パターンとの接続をとるための構造としては、上
記した構成以外に例えば図6(A)に示すように、ベー
スプレート30の側壁30aを半円弧状に切除させ、そ
の湾曲面に30a′に上記端子パターン32cの端部3
2c′を形成しても良く、あるいは同図(B)に示すよ
うに、端子パターン33をL字状に折曲することなくそ
のまま真っすくに延長配置し、その端部33aをベース
プレート30の側壁30aにまで回り込み形成するよう
にしても良く、その他、種々の構成をとることができ
る。
【0018】なお、本例では、接地容量CA (CB ,C
C )が誘電体共振器10上に形成されてしまうため、図
8に示す従来例のように結合基板5を用いて接地容量を
得る必要がないので、上記ベースプレート30は、アル
ミナやフォルステライト等の誘電率の低い材質で構成し
てもよい。さらに、本例では、必要に応じて(電波漏れ
の防止等)上記構成の誘電体フィルタ35の上方周囲を
覆う金属ケース36を装着しても良い。なお、その他の
構成並びに作用(容量等の調整方法)等は上記した各実
施例と同様であるためその説明を省略する。
C )が誘電体共振器10上に形成されてしまうため、図
8に示す従来例のように結合基板5を用いて接地容量を
得る必要がないので、上記ベースプレート30は、アル
ミナやフォルステライト等の誘電率の低い材質で構成し
てもよい。さらに、本例では、必要に応じて(電波漏れ
の防止等)上記構成の誘電体フィルタ35の上方周囲を
覆う金属ケース36を装着しても良い。なお、その他の
構成並びに作用(容量等の調整方法)等は上記した各実
施例と同様であるためその説明を省略する。
【0019】図7は本発明の第4実施例を示している。
本実施例では、上記した各実施例と相違して、インダク
タンスを基板に形成したパターンで構成している。具体
的には以下の通りである。すなわち、まず3層構造の多
層プリント基板40の上面には、上記した第3実施例と
同様に第1アースパターン41と、端子パターン42を
形成し、一方、多層プリント基板40の裏面には全面に
第2アースパターン43を形成し、その第2アースパタ
ーン43と上記第1アースパターン41とをスルーホー
ル44を介して接続している。
本実施例では、上記した各実施例と相違して、インダク
タンスを基板に形成したパターンで構成している。具体
的には以下の通りである。すなわち、まず3層構造の多
層プリント基板40の上面には、上記した第3実施例と
同様に第1アースパターン41と、端子パターン42を
形成し、一方、多層プリント基板40の裏面には全面に
第2アースパターン43を形成し、その第2アースパタ
ーン43と上記第1アースパターン41とをスルーホー
ル44を介して接続している。
【0020】ここで本発明では、多層プリント基板40
の中間層に2個のインダクタンスパターン45,46を
形成している。そして、そのインダクタンスパターン4
5,46の各端部を、スルーホール47を介して上記端
子パターン42に接続している。
の中間層に2個のインダクタンスパターン45,46を
形成している。そして、そのインダクタンスパターン4
5,46の各端部を、スルーホール47を介して上記端
子パターン42に接続している。
【0021】そして、かかる構成の多層プリント基板4
0の上面に3個の誘電体共振器10を上記第3実施例と
同様に所定の位置に装着する。この様に本例では、誘電
体共振器10を多層プリント基板40上に装着するだけ
で良く、実装作業がより簡易化し、しかもインダクタン
スが内装される結果、より小型化が図れる。
0の上面に3個の誘電体共振器10を上記第3実施例と
同様に所定の位置に装着する。この様に本例では、誘電
体共振器10を多層プリント基板40上に装着するだけ
で良く、実装作業がより簡易化し、しかもインダクタン
スが内装される結果、より小型化が図れる。
【0022】また、上記端子パターン42と実装する回
路パターンとの接続は、図示省略するが上記した第3実
施例と同様に端子パターンの端部を多層プリント基板4
0の側壁に延長成形しても良く、あるいは上記スルーホ
ール47を利用して行う(この場合には多層プリント基
板40の裏面側に位置するスルーホールの周囲を除いて
上記第2アースパターンを形成するのはいうまでもな
い)ようにしても良く種々の手段をとることができる。
なお、その他の構成並びに作用(容量等の調整方法)等
は上記した各実施例と同様であるためその説明を省略す
る。
路パターンとの接続は、図示省略するが上記した第3実
施例と同様に端子パターンの端部を多層プリント基板4
0の側壁に延長成形しても良く、あるいは上記スルーホ
ール47を利用して行う(この場合には多層プリント基
板40の裏面側に位置するスルーホールの周囲を除いて
上記第2アースパターンを形成するのはいうまでもな
い)ようにしても良く種々の手段をとることができる。
なお、その他の構成並びに作用(容量等の調整方法)等
は上記した各実施例と同様であるためその説明を省略す
る。
【0023】なお、上記した各実施例では、いずれも3
個の誘電体共振器10を用いて誘電体フィルタを構成し
た例について説明したが、本発明はこれに限ることなく
2個或いは4個以上から構成しても良い。また、上記し
た各実施例では隣接する誘電体共振器10の間に所定の
間隙が形成されていたが、隣接する誘電体共振器の対向
側面同士を接触させるようにしても良い。
個の誘電体共振器10を用いて誘電体フィルタを構成し
た例について説明したが、本発明はこれに限ることなく
2個或いは4個以上から構成しても良い。また、上記し
た各実施例では隣接する誘電体共振器10の間に所定の
間隙が形成されていたが、隣接する誘電体共振器の対向
側面同士を接触させるようにしても良い。
【0024】さらにまた、誘電体共振器10の一側面に
形成する容量パターンの形状は上記した略コ字状のもの
に限ることなく、例えばU字状や弧状その他種々のパタ
ーンとすることができ、要は、導体膜の未塗布部位の両
端が開放面に連通するとともに、その未塗布部位と開放
面で画成される部位に導体膜(第1導体膜14aに相
当)を形成していればよい。また、上記未塗布部位の側
縁は、上記した実施例のごとく誘電体ブロックの一側面
の辺に一致させることなく、所定の間隔を隔てて、すな
わち、未塗布部分と上記辺との間に導体膜(アースパタ
ーン)を位置させるようにしても良い。
形成する容量パターンの形状は上記した略コ字状のもの
に限ることなく、例えばU字状や弧状その他種々のパタ
ーンとすることができ、要は、導体膜の未塗布部位の両
端が開放面に連通するとともに、その未塗布部位と開放
面で画成される部位に導体膜(第1導体膜14aに相
当)を形成していればよい。また、上記未塗布部位の側
縁は、上記した実施例のごとく誘電体ブロックの一側面
の辺に一致させることなく、所定の間隔を隔てて、すな
わち、未塗布部分と上記辺との間に導体膜(アースパタ
ーン)を位置させるようにしても良い。
【0025】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る誘電体フィ
ルタでは、誘電体共振器の所定位置に容量パターンが形
成されているため、係る誘電体共振器を複数個配置する
とともに、その容量パターンをインダクタンスで結合す
るだけで所望の誘電体フィルタが構成することができ
る。その結果、従来必須であった外付けの接地容量用の
部品等が不要となり、小型化を図ることができる。しか
も構造が簡単で組み立て(実装)作業も簡易化され、コ
スト安となる。
ルタでは、誘電体共振器の所定位置に容量パターンが形
成されているため、係る誘電体共振器を複数個配置する
とともに、その容量パターンをインダクタンスで結合す
るだけで所望の誘電体フィルタが構成することができ
る。その結果、従来必須であった外付けの接地容量用の
部品等が不要となり、小型化を図ることができる。しか
も構造が簡単で組み立て(実装)作業も簡易化され、コ
スト安となる。
【図1】本発明に係る誘電体フィルタに用いられる誘電
体共振器の一例を示す斜視図である。
体共振器の一例を示す斜視図である。
【図2】図1に示す誘電体共振器の等価回路図である。
【図3】図1に示す誘電体フィルタを用いて構成される
本発明の誘電体フィルタの第1実施例を示す斜視図であ
る。
本発明の誘電体フィルタの第1実施例を示す斜視図であ
る。
【図4】本発明に係る誘電体フィルタの第2実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図5】本発明に係る誘電体フィルタの第3実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図6】その変形例を示す部分拡大図である。
【図7】本発明に係る誘電体フィルタの第4実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図8】従来の誘電体フィルタの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図9】図8に示す誘電体フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図10】図8に示す誘電体フィルタの周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
10 誘電体共振器 11 誘電体ブロック 14 導体膜(アースパターン) 14a 第1導体膜(容量パターン) 14b 第2導体膜(アースパターン) 15 容量パターン 16 コ字状部位(容量パターン) 20 実装基板 21 アースパターン 23a〜23c 端子パターン 30 ベースプレート 31 アースパターン 32a〜32c 端子プレート 40 多層プリント基板 41 アースプレート 42 端子プレート 45,46 インダクタンスパターン L1,L2 インダクタンス
Claims (4)
- 【請求項1】 共振穴を有する誘電体ブロックと、その
共振穴の内面並びに前記誘電体ブロックの所定部位に形
成したアースパターンを構成する導体膜とを備えた誘電
体共振器を複数個併設するとともに、その複数の誘電体
共振器間をLC結合することにより構成される誘電体フ
ィルタにおいて、 前記各誘電体共振器の側面のうち、隣接する他の誘電体
共振器と対向しない側面に容量パターンを形成するとと
もに、その容量パターン間をインダクタンスで結合する
ようにしたことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項2】 所定の回路パターンが形成された実装基
板上の所定位置に、アースパターン並びに端子パターン
を形成し、 請求項1に示す容量パターン付きの誘電体共振器に設け
られた前記導体膜並びに前記容量パターンを、それぞれ
前記実装基板に設けたアースパターン並びに端子パター
ンに面接触させるようにして、複数の前記誘電体共振器
を前記実装基板上に併設させ、 かつ、その端子パターン間をインダクタンスで接続した
ことを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項3】 面実装用のベースプレート上の所定位置
に、アースパターン並びに端子パターンを形成し、請求
項1に示す容量パターン付きの誘電体共振器に設けられ
た前記導体膜並びに前記容量パターンを、それぞれ前記
ベースプレートに設けたアースパターン並びに端子パタ
ーンに面接触させるようにして、複数の前記誘電体共振
器を前記ベースプレート上に併設させ、かつ、その端子
パターン間をインダクタンスで接続したことを特徴とす
る誘電体フィルタ。 - 【請求項4】 多層プリント基板の表面層の所定位置
に、アースパターン並びに端子パターンを形成するとと
もに、その多層プリント基板の中間層にインダクタンス
パターンを形成し、請求項1に示す容量パターン付きの
誘電体共振器に設けられた前記導体膜並びに前記容量パ
ターンを、それぞれ前記多層プリント基板に設けたアー
スパターン並びに端子パターンに面接触させるようにし
て、複数の前記誘電体共振器を前記多層プリント基板上
に併設させ、かつ、その端子パターン間を前記多層プリ
ント基板に形成したインダクタンスで接続したことを特
徴とする誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3350455A JP2811382B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3350455A JP2811382B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 誘電体フィルタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05167308A true JPH05167308A (ja) | 1993-07-02 |
JP2811382B2 JP2811382B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=18410613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3350455A Expired - Fee Related JP2811382B2 (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2811382B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06276005A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルタ装置 |
US5506554A (en) * | 1993-07-02 | 1996-04-09 | Lk-Products Oy | Dielectric filter with inductive coupling electrodes formed on an adjacent insulating layer |
WO1996024171A1 (fr) * | 1995-02-03 | 1996-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonateur dielectrique, filtre dielectrique utilisant le resonateur et procede de fabrication du filtre dielectrique |
US5652555A (en) * | 1994-06-03 | 1997-07-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectrical filters having resonators at a trap frequency where the even/odd mode impedances are both zero |
US5783978A (en) * | 1995-06-21 | 1998-07-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Band rejection filter having a plurality of dielectric resonator with cutout portions having electrodes therein |
US8294532B2 (en) | 2008-12-09 | 2012-10-23 | Cts Corporation | Duplex filter comprised of dielectric cores having at least one wall extending above a top surface thereof for isolating through hole resonators |
US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
US9030276B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with a dielectric core and with a second filter disposed in a side surface of the dielectric core |
US9030275B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-05-12 | Cts Corporation | RF monoblock filter with recessed top pattern and cavity providing improved attenuation |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60114004A (ja) * | 1983-11-25 | 1985-06-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタの実装構造 |
JPS63268297A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波回路 |
JPH0216802A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | バンドエリミネーションフィルタ |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP3350455A patent/JP2811382B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US9030272B2 (en) | 2010-01-07 | 2015-05-12 | Cts Corporation | Duplex filter with recessed top pattern and cavity |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2811382B2 (ja) | 1998-10-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970506 |
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