JPH05167225A - 電極形成用転写シ―トと電子部品の外部電極形成方法 - Google Patents
電極形成用転写シ―トと電子部品の外部電極形成方法Info
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- JPH05167225A JPH05167225A JP3352082A JP35208291A JPH05167225A JP H05167225 A JPH05167225 A JP H05167225A JP 3352082 A JP3352082 A JP 3352082A JP 35208291 A JP35208291 A JP 35208291A JP H05167225 A JPH05167225 A JP H05167225A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 種々の電子部品の端面に、低コストでかつ作
業性良好に、しかも従来のような銀ペ―ストやメツキ液
の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの問題を一切生じ
ることなく、外部電極を形成する方法を提供する。 【構成】 電極形成用転写シ―ト１を用い、このシ―ト
１の金属複合層１１上に電子部品２の端面２ａを接触さ
せ、加圧，加熱，超音波などの方法で上記端面２ａと金
属複合層１１とを接合一体化したのち、上記シ―ト１よ
り電子部品２を引き剥がすことにより、電子部品２の端
面２ａに金属複合層１１からなる外部電極４を転写形成
する。
業性良好に、しかも従来のような銀ペ―ストやメツキ液
の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの問題を一切生じ
ることなく、外部電極を形成する方法を提供する。 【構成】 電極形成用転写シ―ト１を用い、このシ―ト
１の金属複合層１１上に電子部品２の端面２ａを接触さ
せ、加圧，加熱，超音波などの方法で上記端面２ａと金
属複合層１１とを接合一体化したのち、上記シ―ト１よ
り電子部品２を引き剥がすことにより、電子部品２の端
面２ａに金属複合層１１からなる外部電極４を転写形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極形成用転写シ―ト
と、これを用いた電子部品の外部電極形成方法に関する
ものである。
と、これを用いた電子部品の外部電極形成方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信やカメラ一体型ＶＴＲ
などのように、電子機器の軽薄短小化の傾向が強く、こ
れに伴い電子部品の小型軽量化が進められており、特
に、積層セラミツクコンデンサや半固定ボリユ―ムなど
の電子部品に関して、広範囲の研究が続けられている。
などのように、電子機器の軽薄短小化の傾向が強く、こ
れに伴い電子部品の小型軽量化が進められており、特
に、積層セラミツクコンデンサや半固定ボリユ―ムなど
の電子部品に関して、広範囲の研究が続けられている。
【０００３】ところで、このような電子部品において、
機器接続用の外部電極の形成は、通常、各電子部品の端
面に、導電性ペ―ストである銀ペ―ストを浸漬塗布し、
これの乾燥，硬化後、さらにこの上にＮｉバリア層とＳ
ｎまたはハンダ（ＳｎとＰｂの合金）層をそれぞれメツ
キ形成する方式で、行われている。ここで、Ｎｉバリア
層は、高融点材料層として、ハンダ付け時の銀ペ―スト
硬化層の食われを防止するためのものであり、また最外
層のＳｎまたはハンダ層は、低融点材料層として、ハン
ダ付け時の濡れ性を良くするためのものである。
機器接続用の外部電極の形成は、通常、各電子部品の端
面に、導電性ペ―ストである銀ペ―ストを浸漬塗布し、
これの乾燥，硬化後、さらにこの上にＮｉバリア層とＳ
ｎまたはハンダ（ＳｎとＰｂの合金）層をそれぞれメツ
キ形成する方式で、行われている。ここで、Ｎｉバリア
層は、高融点材料層として、ハンダ付け時の銀ペ―スト
硬化層の食われを防止するためのものであり、また最外
層のＳｎまたはハンダ層は、低融点材料層として、ハン
ダ付け時の濡れ性を良くするためのものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記従来の
外部電極の形成方法では、工程が多い上に、Ｎｉバリア
層やＳｎまたはハンダ層の形成時に用いるメツキ液の管
理などが面倒で、作業性が悪く、コスト高となるという
問題があつた。
外部電極の形成方法では、工程が多い上に、Ｎｉバリア
層やＳｎまたはハンダ層の形成時に用いるメツキ液の管
理などが面倒で、作業性が悪く、コスト高となるという
問題があつた。
【０００５】また、銀ペ―スト中に含まれるガラスフリ
ツトが、電子部品のセラミツク界面に拡散して異なつた
相を形成し、ハンダ付け時の加熱により熱膨張の差が生
じ、外部電極やセラミツクにサ―マルクラツクが発生し
たり、積層セラミツクコンデンサでは、銀ペ―スト中の
Ａｇが内部電極（Ｐｄ）側へ拡散移行して、外部電極中
のＡｇ成分の不足や、内部電極が膨張して外部電極側へ
つき出すことにより、絶縁劣化や導通不良などの問題を
生じることがあつた。
ツトが、電子部品のセラミツク界面に拡散して異なつた
相を形成し、ハンダ付け時の加熱により熱膨張の差が生
じ、外部電極やセラミツクにサ―マルクラツクが発生し
たり、積層セラミツクコンデンサでは、銀ペ―スト中の
Ａｇが内部電極（Ｐｄ）側へ拡散移行して、外部電極中
のＡｇ成分の不足や、内部電極が膨張して外部電極側へ
つき出すことにより、絶縁劣化や導通不良などの問題を
生じることがあつた。
【０００６】さらに、この銀ペ―ストの乾燥，硬化後、
Ｎｉバリア層やＳｎまたはハンダ層を形成する際に用い
るメツキ液が電子部品内に侵入し、たとえば、積層セラ
ミツクコンデンサでは内部電極とセラミツクとの間に、
半固定ボリユ―ムでは抵抗体とセラミツクとの間に、そ
れぞれ侵入し、水素ガスの発生や導電性イオンの残留
で、絶縁劣化や抵抗値の劣化などを引き起こし、生産歩
留りの低下や電子部品としての信頼性の低下を招いてい
た。
Ｎｉバリア層やＳｎまたはハンダ層を形成する際に用い
るメツキ液が電子部品内に侵入し、たとえば、積層セラ
ミツクコンデンサでは内部電極とセラミツクとの間に、
半固定ボリユ―ムでは抵抗体とセラミツクとの間に、そ
れぞれ侵入し、水素ガスの発生や導電性イオンの残留
で、絶縁劣化や抵抗値の劣化などを引き起こし、生産歩
留りの低下や電子部品としての信頼性の低下を招いてい
た。
【０００７】本発明は、上記従来の事情に鑑み、種々の
電子部品の端面に、低コストでかつ作業性良好に外部電
極を形成でき、しかも従来のような銀ペ―ストやメツキ
液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの諸種の問題を
本質的に回避できる上記外部電極の形成方法を提供する
ことを目的としている。
電子部品の端面に、低コストでかつ作業性良好に外部電
極を形成でき、しかも従来のような銀ペ―ストやメツキ
液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの諸種の問題を
本質的に回避できる上記外部電極の形成方法を提供する
ことを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、鋭意検討した結果、従来用いられ
てきた電極構成用の銀ペ―ストやメツキ液に代えて、特
定構成の電極形成用転写シ―トを使用することにより、
前記従来の問題をすべて克服できることを知り、本発明
を完成するに至つた。
的を達成するために、鋭意検討した結果、従来用いられ
てきた電極構成用の銀ペ―ストやメツキ液に代えて、特
定構成の電極形成用転写シ―トを使用することにより、
前記従来の問題をすべて克服できることを知り、本発明
を完成するに至つた。
【０００９】すなわち、本発明の第１は、剥離性基材上
に、Ｓｎなどの第１の低融点金属薄膜と、Ｎｉなどの高
融点金属薄膜と、Ｉｎなどの第２の低融点金属薄膜とか
らなる３層構造の金属複合層が、上記の順に積層形成さ
れてなる電極形成用転写シ―トに係るものである。
に、Ｓｎなどの第１の低融点金属薄膜と、Ｎｉなどの高
融点金属薄膜と、Ｉｎなどの第２の低融点金属薄膜とか
らなる３層構造の金属複合層が、上記の順に積層形成さ
れてなる電極形成用転写シ―トに係るものである。
【００１０】また、本発明の第２は、上記の電極形成用
転写シ―トの金属複合層上に、電子部品の端面を接触さ
せ、加圧，加熱，超音波などの方法で上記端面と金属複
合層とを接合一体化したのち、上記シ―トより電子部品
を引き剥がすことにより、電子部品の端面に金属複合層
からなる外部電極を転写形成することを特徴とする電子
部品の外部電極形成方法に係るものである。
転写シ―トの金属複合層上に、電子部品の端面を接触さ
せ、加圧，加熱，超音波などの方法で上記端面と金属複
合層とを接合一体化したのち、上記シ―トより電子部品
を引き剥がすことにより、電子部品の端面に金属複合層
からなる外部電極を転写形成することを特徴とする電子
部品の外部電極形成方法に係るものである。
【００１１】
【発明の構成・作用】以下、本発明を、図面を参考にし
て説明する。図１は、本発明に用いる電極形成用転写シ
―ト１の一例を示したもので、剥離性基材１０上に、第
１の低融点金属薄膜１１ａと、高融点金属薄膜１１ｂ
と、第２の低融点金属薄膜１１ｃとからなる３層構造の
金属複合層１１が、上記の順に積層形成されている。
て説明する。図１は、本発明に用いる電極形成用転写シ
―ト１の一例を示したもので、剥離性基材１０上に、第
１の低融点金属薄膜１１ａと、高融点金属薄膜１１ｂ
と、第２の低融点金属薄膜１１ｃとからなる３層構造の
金属複合層１１が、上記の順に積層形成されている。
【００１２】剥離性基材１０は、水の接触角（θ）が７
０度以上、好ましくは１００度以上となるものが用いら
れ、ガラス板その他の厚手のものであつてもよいが、通
常は転写シ―トとしてロ―ル状に加工可能な厚さが数μ
ｍ〜１００μｍ程度の可撓性のプラスチツクフイルムが
好ましく用いられる。
０度以上、好ましくは１００度以上となるものが用いら
れ、ガラス板その他の厚手のものであつてもよいが、通
常は転写シ―トとしてロ―ル状に加工可能な厚さが数μ
ｍ〜１００μｍ程度の可撓性のプラスチツクフイルムが
好ましく用いられる。
【００１３】水の接触角が上記値となるプラスチツクフ
イルムとしては、たとえば、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフツ化ビニ
ル、ポリフツ化ビニリデン、テトラフルオロエチレンと
ヘキサフルオロプロピレンとの共重合物、クロロトリフ
ルオロエチレンとフツ化ビニリデンとの共重合物などか
らなるフツ素系樹脂フイルムが挙げられる。
イルムとしては、たとえば、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフツ化ビニ
ル、ポリフツ化ビニリデン、テトラフルオロエチレンと
ヘキサフルオロプロピレンとの共重合物、クロロトリフ
ルオロエチレンとフツ化ビニリデンとの共重合物などか
らなるフツ素系樹脂フイルムが挙げられる。
【００１４】また、他のプラスチツクフイルムとして、
ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエ
ステル、ポリアミド、ポリイミドなどからなる非剥離性
樹脂フイルムの表面に、適宜の剥離処理を施したものも
使用できる。この剥離処理は、たとえば、水酸基やビニ
ル基を有するジメチルポリシロキサンとメチルハイドロ
ジエンポリシロキサンとの組み合わせなどからなるシリ
コ―ン含有化合物のほか、ポリクロロトリフルオロエタ
ンなどのフツ素系樹脂、硫化モリブデンなどの剥離処理
剤を用いて、塗工法、スプレ―法、真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレ―テイング法、焼付法などの手
法で行うことができる。
ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエ
ステル、ポリアミド、ポリイミドなどからなる非剥離性
樹脂フイルムの表面に、適宜の剥離処理を施したものも
使用できる。この剥離処理は、たとえば、水酸基やビニ
ル基を有するジメチルポリシロキサンとメチルハイドロ
ジエンポリシロキサンとの組み合わせなどからなるシリ
コ―ン含有化合物のほか、ポリクロロトリフルオロエタ
ンなどのフツ素系樹脂、硫化モリブデンなどの剥離処理
剤を用いて、塗工法、スプレ―法、真空蒸着法、スパツ
タリング法、イオンプレ―テイング法、焼付法などの手
法で行うことができる。
【００１５】金属複合層１１のうち、第１の低融点金属
薄膜１１ａは、ハンダ付け時の濡れ性を良くするための
ものであつて、一般に、Ｓｎまたはハンダなどの融点が
５００℃以下の金属が好ましく用いられるが、その他Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの融点が１，１００℃程度までの金
属も使用できる。
薄膜１１ａは、ハンダ付け時の濡れ性を良くするための
ものであつて、一般に、Ｓｎまたはハンダなどの融点が
５００℃以下の金属が好ましく用いられるが、その他Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの融点が１，１００℃程度までの金
属も使用できる。
【００１６】また、高融点金属薄膜１１ｂは、ハンダ付
け時の第２の低融点金属薄膜１１ｃの溶融変形や食われ
を防止するためのものであつて、一般に、Ｎｉが好まし
く用いられるが、その他Ｃｒ、Ｆｅなどの１，４００℃
以上の高い融点を有する金属が用いられる。
け時の第２の低融点金属薄膜１１ｃの溶融変形や食われ
を防止するためのものであつて、一般に、Ｎｉが好まし
く用いられるが、その他Ｃｒ、Ｆｅなどの１，４００℃
以上の高い融点を有する金属が用いられる。
【００１７】さらに、第２の低融点金属薄膜１１ｃは、
電極形成に際しての電子部品との接合一体化性を良くす
る、つまり転写特性を良くするためのものであつて、一
般に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎまたはこれらの合金など
の融点が５００℃以下のものが好ましく用いられる。
電極形成に際しての電子部品との接合一体化性を良くす
る、つまり転写特性を良くするためのものであつて、一
般に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎまたはこれらの合金など
の融点が５００℃以下のものが好ましく用いられる。
【００１８】これら薄膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの厚さ
は、それぞれ０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜
１０μｍの範囲で、これら薄膜からなる金属複合層１１
全体の厚さが０．３〜２００μｍ、好ましくは１〜３０
μｍの範囲にあるのがよい。これら薄膜がそれぞれ薄く
なりすぎると、連続被膜とならず、目的とする電極形成
が難しくなる。また、これら薄膜のそれぞれの厚さや、
金属複合層全体の厚さが厚くなりすぎると、引張強度が
強くなつて電子部品への寸法精度良好な転写が難しくな
つたり、転写後に電子部品の周辺部にはみ出して外観不
良などの不都合をきたしやすい。
は、それぞれ０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜
１０μｍの範囲で、これら薄膜からなる金属複合層１１
全体の厚さが０．３〜２００μｍ、好ましくは１〜３０
μｍの範囲にあるのがよい。これら薄膜がそれぞれ薄く
なりすぎると、連続被膜とならず、目的とする電極形成
が難しくなる。また、これら薄膜のそれぞれの厚さや、
金属複合層全体の厚さが厚くなりすぎると、引張強度が
強くなつて電子部品への寸法精度良好な転写が難しくな
つたり、転写後に電子部品の周辺部にはみ出して外観不
良などの不都合をきたしやすい。
【００１９】このような薄膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
は、一般に、真空蒸着法により形成されるが、スパツタ
リング法、イオンプレ―テイング法などの他のドライメ
ツキ法や、無電解および電解メツキ（ウエツトメツキ
法）などの方法で形成してもよく、薄膜形成の手段は特
に限定されない。
は、一般に、真空蒸着法により形成されるが、スパツタ
リング法、イオンプレ―テイング法などの他のドライメ
ツキ法や、無電解および電解メツキ（ウエツトメツキ
法）などの方法で形成してもよく、薄膜形成の手段は特
に限定されない。
【００２０】図２の（Ａ），（Ｂ）は、上記構成の電極
形成用転写シ―ト１を用いて、積層セラミツクコンデン
サや半固定ボリユ―ムなどの電子部品の端面に、本発明
の方法にしたがつて、外部電極を形成する方法を示した
ものである。
形成用転写シ―ト１を用いて、積層セラミツクコンデン
サや半固定ボリユ―ムなどの電子部品の端面に、本発明
の方法にしたがつて、外部電極を形成する方法を示した
ものである。
【００２１】（Ａ）に示すように、まず、電極形成用転
写シ―ト１の金属複合層１１上に、電子部品２の端面２
ａを接触させ、シ―ト１の反対側、つまり剥離性基材１
０側から加圧ピン３を強く押し当てることにより、上記
端面２ａと金属複合層１１とを接合一体化する。この接
合一体化は、少なくとも第２の低融点金属薄膜１１ｃの
加熱溶融によつて熱融着させてもよく、また同様の融着
を超音波などを作用させて行つてもよい。
写シ―ト１の金属複合層１１上に、電子部品２の端面２
ａを接触させ、シ―ト１の反対側、つまり剥離性基材１
０側から加圧ピン３を強く押し当てることにより、上記
端面２ａと金属複合層１１とを接合一体化する。この接
合一体化は、少なくとも第２の低融点金属薄膜１１ｃの
加熱溶融によつて熱融着させてもよく、また同様の融着
を超音波などを作用させて行つてもよい。
【００２２】このように接合一体化したのち、（Ｂ）に
示すように、上記シ―ト１より電子部品２を引き剥がし
操作すると、電子部品２の端面２ａに、第１の低融点金
属薄膜１１ａ，高融点金属薄膜１１ｂ，第２の低融点金
属薄膜１１ｃの３層構造の金属複合層１１からなる外部
電極４が転写形成される。
示すように、上記シ―ト１より電子部品２を引き剥がし
操作すると、電子部品２の端面２ａに、第１の低融点金
属薄膜１１ａ，高融点金属薄膜１１ｂ，第２の低融点金
属薄膜１１ｃの３層構造の金属複合層１１からなる外部
電極４が転写形成される。
【００２３】シ―ト１からの電子部品２の引き剥がし操
作は、特別な力を要することなく容易に行えるが、これ
は、シ―ト１における金属複合層１１の引張強度が剥離
性基材１０に対する９０度剥離強度よりも小さいためで
ある。つまり、上記の引張強度は、１０〜２，０００ｇ
／μｍ×cm、好適には１７〜８００ｇ／μｍ×cmであ
り、一方９０度剥離強度は１０ｇ／cm2 以上、好適には
４００ｇ／cm2 以上である。また、１８０度剥離強度は
１ｇ／cm以上、好適には２ｇ／cm以上である。
作は、特別な力を要することなく容易に行えるが、これ
は、シ―ト１における金属複合層１１の引張強度が剥離
性基材１０に対する９０度剥離強度よりも小さいためで
ある。つまり、上記の引張強度は、１０〜２，０００ｇ
／μｍ×cm、好適には１７〜８００ｇ／μｍ×cmであ
り、一方９０度剥離強度は１０ｇ／cm2 以上、好適には
４００ｇ／cm2 以上である。また、１８０度剥離強度は
１ｇ／cm以上、好適には２ｇ／cm以上である。
【００２４】なお、上記の引張強度は、単位断面積あた
りの引張強度（kg／m2）から計算により求められる値で
ある。また、９０度剥離強度は、１cm角あたりの基材に
対する９０度方向の剥離力をシヨツパ―やテンシロンな
どを用いて測定される値である。さらに、１８０度剥離
強度は、１cm幅あたりの１８０度方向の剥離力をシヨツ
パ―やテンシロンなどを用いて測定される値である。
りの引張強度（kg／m2）から計算により求められる値で
ある。また、９０度剥離強度は、１cm角あたりの基材に
対する９０度方向の剥離力をシヨツパ―やテンシロンな
どを用いて測定される値である。さらに、１８０度剥離
強度は、１cm幅あたりの１８０度方向の剥離力をシヨツ
パ―やテンシロンなどを用いて測定される値である。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、電子
部品への外部電極の形成に際し、従来の銀ペ―ストやメ
ツキ液に代えて、特定の電極形成用転写シ―トを使用
し、その金属複合層を電子部品に転写形成するものであ
るため、積層セラミツクコンデンサや半固定ボリユ―ム
などの種々の電子部品に対し、低コストでかつ作業性良
好に外部電極を形成でき、特に電極形成用転写シ―トを
ロ―ル状に加工しておくことにより電極形成の連続化も
可能で大幅な省力化を期待できる。しかも、従来の如き
銀ペ―ストやメツキ液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良
などの諸種の問題を本質的に回避することができる。
部品への外部電極の形成に際し、従来の銀ペ―ストやメ
ツキ液に代えて、特定の電極形成用転写シ―トを使用
し、その金属複合層を電子部品に転写形成するものであ
るため、積層セラミツクコンデンサや半固定ボリユ―ム
などの種々の電子部品に対し、低コストでかつ作業性良
好に外部電極を形成でき、特に電極形成用転写シ―トを
ロ―ル状に加工しておくことにより電極形成の連続化も
可能で大幅な省力化を期待できる。しかも、従来の如き
銀ペ―ストやメツキ液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良
などの諸種の問題を本質的に回避することができる。
【００２６】また、電子部品、たとえば半固定ボリユ―
ムなどの小型化が進むと、電極間の間隔が小さくなり、
従来技術では電極形成のためのメツキ作業時に電極間で
橋かけ現象などが発生し、電気的短絡を引き起こすおそ
れがあつたが、本発明では、メツキ液などを用いずに電
極形成するため、このような心配が全くないうえ、用い
る電極形成用転写シ―トの材料構成に応じた所望厚さの
外部電極を容易に形成できることから、電子部品の小型
化に十分に対応できる。
ムなどの小型化が進むと、電極間の間隔が小さくなり、
従来技術では電極形成のためのメツキ作業時に電極間で
橋かけ現象などが発生し、電気的短絡を引き起こすおそ
れがあつたが、本発明では、メツキ液などを用いずに電
極形成するため、このような心配が全くないうえ、用い
る電極形成用転写シ―トの材料構成に応じた所望厚さの
外部電極を容易に形成できることから、電子部品の小型
化に十分に対応できる。
【００２７】
【実施例】つぎに、本発明を、電子部品として積層セラ
ミツクコンデンサおよび半固定ボリユ―ムに適用した実
施例につき、具体的に説明する。
ミツクコンデンサおよび半固定ボリユ―ムに適用した実
施例につき、具体的に説明する。
【００２８】実施例１ 厚さが５０μｍのポリテトラフルオロエチレンフイルム
（剥離性基材）の片面に、真空度１×１０-4Ｔｏｒｒの
条件でＳｎを真空蒸着して、厚さが１μｍのＳｎ薄膜
（第１の低融点金属薄膜）を形成し、この上に上記と同
一条件でＮｉを真空蒸着して、厚さが１μｍのＮｉ薄膜
（高融点金属薄膜）を形成し、さらにこの上に上記と同
一条件でＩｎを真空蒸着して、厚さが４μｍのＩｎ薄膜
（第２の低融点金属薄膜）を形成し、図１に示す３層構
造の金属複合層を有する電極形成用転写シ―トを得た。
（剥離性基材）の片面に、真空度１×１０-4Ｔｏｒｒの
条件でＳｎを真空蒸着して、厚さが１μｍのＳｎ薄膜
（第１の低融点金属薄膜）を形成し、この上に上記と同
一条件でＮｉを真空蒸着して、厚さが１μｍのＮｉ薄膜
（高融点金属薄膜）を形成し、さらにこの上に上記と同
一条件でＩｎを真空蒸着して、厚さが４μｍのＩｎ薄膜
（第２の低融点金属薄膜）を形成し、図１に示す３層構
造の金属複合層を有する電極形成用転写シ―トを得た。
【００２９】なお、この電極形成用転写シ―トは、金属
複合層の引張強度が４４７ｇ／μｍ×cm、剥離性基材に
対する９０度剥離強度が３，０００ｇ／cm2 、また１８
０度剥離強度が６ｇ／cmであつた。
複合層の引張強度が４４７ｇ／μｍ×cm、剥離性基材に
対する９０度剥離強度が３，０００ｇ／cm2 、また１８
０度剥離強度が６ｇ／cmであつた。
【００３０】つぎに、この電極形成用転写シ―トを用い
て、前記図２の方法に準じて、積層セラミツクコンデン
サの端面に外部電極を形成した。すなわち、まず、上記
コンデンサの端面を上記転写シ―トの金属複合層上に接
触させたのち、この転写シ―トの剥離性基材側から加圧
ピン（先端面積０．２５cm2 ）を押し当てて、上記端面
と金属複合層とを接合一体化した。
て、前記図２の方法に準じて、積層セラミツクコンデン
サの端面に外部電極を形成した。すなわち、まず、上記
コンデンサの端面を上記転写シ―トの金属複合層上に接
触させたのち、この転写シ―トの剥離性基材側から加圧
ピン（先端面積０．２５cm2 ）を押し当てて、上記端面
と金属複合層とを接合一体化した。
【００３１】しかるのち、上記コンデンサをシ―トより
引き剥がし操作すると、上記の金属複合層は剥離性基材
から剥離し、上記コンデンサの端面に転写された。この
ようにして、積層セラミツクコンデンサの端面に、第１
の低融点金属薄膜、高融点金属薄膜および第２の低融点
金属薄膜の３層構造の金属複合層からなる所望厚さの外
部電極を、従来の銀ペ―ストやメツキ液を用いる方法に
比べて簡便な操作でかつ低コストで、しかも銀ペ―スト
やメツキ液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの諸種
の問題を一切きたすことなく、良好に形成できた。
引き剥がし操作すると、上記の金属複合層は剥離性基材
から剥離し、上記コンデンサの端面に転写された。この
ようにして、積層セラミツクコンデンサの端面に、第１
の低融点金属薄膜、高融点金属薄膜および第２の低融点
金属薄膜の３層構造の金属複合層からなる所望厚さの外
部電極を、従来の銀ペ―ストやメツキ液を用いる方法に
比べて簡便な操作でかつ低コストで、しかも銀ペ―スト
やメツキ液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの諸種
の問題を一切きたすことなく、良好に形成できた。
【００３２】実施例２ 厚さが７５μｍのポリテトラフルオロエチレンフイルム
（剥離性基材）の片面に、真空度２×１０-4Ｔｏｒｒの
条件でＳｎを真空蒸着して、厚さが２μｍのＳｎ薄膜
（第１の低融点金属薄膜）を形成し、この上に上記と同
一条件でＣｒを真空蒸着して、厚さが０．５μｍのＣｒ
薄膜（高融点金属薄膜）を形成し、さらにこの上に上記
と同一条件でＰｂを真空蒸着して、厚さが１０μｍのＰ
ｂ薄膜（第２の低融点金属薄膜）を形成し、図１に示す
３層構造の金属複合層を有する電極形成用転写シ―トを
得た。
（剥離性基材）の片面に、真空度２×１０-4Ｔｏｒｒの
条件でＳｎを真空蒸着して、厚さが２μｍのＳｎ薄膜
（第１の低融点金属薄膜）を形成し、この上に上記と同
一条件でＣｒを真空蒸着して、厚さが０．５μｍのＣｒ
薄膜（高融点金属薄膜）を形成し、さらにこの上に上記
と同一条件でＰｂを真空蒸着して、厚さが１０μｍのＰ
ｂ薄膜（第２の低融点金属薄膜）を形成し、図１に示す
３層構造の金属複合層を有する電極形成用転写シ―トを
得た。
【００３３】なお、この電極形成用転写シ―トは、金属
複合層の引張強度が４２４ｇ／μｍ×cm、剥離性基材に
対する９０度剥離強度が３，０００ｇ／cm2 、また１８
０度剥離強度が７ｇ／cmであつた。
複合層の引張強度が４２４ｇ／μｍ×cm、剥離性基材に
対する９０度剥離強度が３，０００ｇ／cm2 、また１８
０度剥離強度が７ｇ／cmであつた。
【００３４】つぎに、この電極形成用転写シ―トを用い
て、前記図２の方法に準じて、半固定ボリユ―ムの端面
を上記転写シ―トの金属複合層上に接触させ、加熱手段
として３３０℃以上に加熱した加圧ピンを用いて、金属
複合層の少なくとも第２の低融点金属薄膜１１ｃを加熱
し、上記端面と金属複合層とを熱融着により接合一体化
した。
て、前記図２の方法に準じて、半固定ボリユ―ムの端面
を上記転写シ―トの金属複合層上に接触させ、加熱手段
として３３０℃以上に加熱した加圧ピンを用いて、金属
複合層の少なくとも第２の低融点金属薄膜１１ｃを加熱
し、上記端面と金属複合層とを熱融着により接合一体化
した。
【００３５】しかるのち、半固定ボリユ―ムをシ―トよ
り引き剥がし操作すると、上記の金属複合層は剥離性基
材から剥離し、半固定ボリユ―ムの端面に転写された。
このようにして、半固定ボリユ―ムの端面に、第１の低
融点金属薄膜、高融点金属薄膜および第２の低融点金属
薄膜の３層構造の金属複合層からなる所望厚さの外部電
極を、従来の銀ペ―ストやメツキ液を用いる方法に比べ
て簡便な操作でかつ低コストで、しかも銀ペ―ストやメ
ツキ液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの諸種の問
題を一切きたすことなく、良好に形成できた。
り引き剥がし操作すると、上記の金属複合層は剥離性基
材から剥離し、半固定ボリユ―ムの端面に転写された。
このようにして、半固定ボリユ―ムの端面に、第１の低
融点金属薄膜、高融点金属薄膜および第２の低融点金属
薄膜の３層構造の金属複合層からなる所望厚さの外部電
極を、従来の銀ペ―ストやメツキ液を用いる方法に比べ
て簡便な操作でかつ低コストで、しかも銀ペ―ストやメ
ツキ液の使用に伴う絶縁劣化，導通不良などの諸種の問
題を一切きたすことなく、良好に形成できた。
【図１】本発明の電極形成用転写シ―トの一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の外部電極形成方法の一例を示す工程図
で、（Ａ）は、電極形成用転写シ―トの金属複合層上に
電子部品の端面を接触させ、加圧により上記端面と金属
複合層とを接合一体化した状態を示す断面図、（Ｂ）
は、この接合一体化後、転写シ―トより電子部品を引き
剥がした状態を示す断面図である。
で、（Ａ）は、電極形成用転写シ―トの金属複合層上に
電子部品の端面を接触させ、加圧により上記端面と金属
複合層とを接合一体化した状態を示す断面図、（Ｂ）
は、この接合一体化後、転写シ―トより電子部品を引き
剥がした状態を示す断面図である。
１ 電極形成用転写シ―ト １０ 剥離性基材 １１ 金属複合層 １１ａ 第１の低融点金属薄膜 １１ｂ 高融点金属薄膜 １１ｃ 第２の低融点金属薄膜 ２ 電子部品 ２ａ 端面 ４ 外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 剥離性基材上に、第１の低融点金属薄
膜、高融点金属薄膜および第２の低融点金属薄膜からな
る３層構造の金属複合層が、上記の順に積層形成されて
なる電極形成用転写シ―ト。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電極形成用転写シ―ト
の金属複合層上に、電子部品の端面を接触させ、加圧，
加熱，超音波などの方法で上記端面と金属複合層とを接
合一体化したのち、上記シ―トより電子部品を引き剥が
すことにより、電子部品の端面に金属複合層からなる外
部電極を転写形成することを特徴とする電子部品の外部
電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352082A JPH05167225A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 電極形成用転写シ―トと電子部品の外部電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352082A JPH05167225A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 電極形成用転写シ―トと電子部品の外部電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05167225A true JPH05167225A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18421661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3352082A Pending JPH05167225A (ja) | 1991-12-12 | 1991-12-12 | 電極形成用転写シ―トと電子部品の外部電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05167225A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000078108A1 (en) * | 1999-06-16 | 2000-12-21 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Mounting material, mounting circuit using it and printed wiring board using it |
| US8291585B2 (en) | 2007-08-22 | 2012-10-23 | Tdk Corporation | Method for manufacturing electronic component |
| JP2018110212A (ja) * | 2017-01-02 | 2018-07-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ部品 |
| JP2019041093A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ部品及びその製造方法 |
| US10347427B2 (en) | 2016-09-08 | 2019-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component including external electrodes having extended band portions on one surface of body of multilayer ceramic electronic component |
| JP2022009749A (ja) * | 2016-04-19 | 2022-01-14 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 |
-
1991
- 1991-12-12 JP JP3352082A patent/JPH05167225A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000078108A1 (en) * | 1999-06-16 | 2000-12-21 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Mounting material, mounting circuit using it and printed wiring board using it |
| US8291585B2 (en) | 2007-08-22 | 2012-10-23 | Tdk Corporation | Method for manufacturing electronic component |
| JP2022009749A (ja) * | 2016-04-19 | 2022-01-14 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 |
| US10347427B2 (en) | 2016-09-08 | 2019-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component including external electrodes having extended band portions on one surface of body of multilayer ceramic electronic component |
| US10804037B2 (en) | 2016-09-08 | 2020-10-13 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic electronic component |
| JP2018110212A (ja) * | 2017-01-02 | 2018-07-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ部品 |
| US11869722B2 (en) | 2017-01-02 | 2024-01-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Capacitor component having external electrodes with reduced thickness |
| JP2019041093A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | キャパシタ部品及びその製造方法 |
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