JPH05166862A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05166862A
JPH05166862A JP32846891A JP32846891A JPH05166862A JP H05166862 A JPH05166862 A JP H05166862A JP 32846891 A JP32846891 A JP 32846891A JP 32846891 A JP32846891 A JP 32846891A JP H05166862 A JPH05166862 A JP H05166862A
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JP
Japan
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resin
cavity
semiconductor device
gate
pellet
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Pending
Application number
JP32846891A
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English (en)
Inventor
Katsuharu Kitajima
勝春 北嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 出っ張り部のような外観不良を生じないよう
にした樹脂封止型半導体装置を提供する。 【構成】 樹脂封止型半導体装置は、ゲート(23)とキ
ャビティ(21)とを形成した金型間に型締され、ゲート
(23)からキャビティ(21)内に溶融樹脂を充填し、溶
融樹脂が凝固させて製造する。放熱板(11)上の、ゲー
ト(23)とキャビティ(21)との樹脂注入部(24)に対
応する部位(24a)に、半田(4)のような樹脂(3)
との濡れ性の劣る層を形成する。また、その部位(24
a)に凹部(14)を形成し、この凹部(14)内に、半田
(4)のような樹脂(3)との濡れ性の劣る材料を充填
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂注入部の外観を良
好にした樹脂封止型半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置の一例を、図4を
参照しながら説明する。樹脂封止型半導体装置は、中央
部に半導体のペレット(1)をマウントした放熱板(1
1)の一辺から3本のリード(12)を放熱板(11)から
離隔させて導出し、両側のリード(12)とペレット
(1)上の電極とをワイヤ(2)で接続し、真中のリー
ド(12)の先端を折曲して放熱板(11)と連結し、該放
熱板(11)を介してペレット(1)の裏面側の電極と接
続され、さらに、ペレット(1)、リード(12)の基端
部及びワイヤ(2)をエポキシ等の樹脂(3)にてモー
ルドしたものである。ペレット(1)は、銀ペースト又
は半田(4)のようなペレットマウント材によって放熱
板(11)上にマウントされる。
【0003】このような半導体装置の製造方法を図5乃
至図9を参照しながら説明する。半導体装置は、図5に
示すようなリードフレーム(10)から製造される。リー
ドフレーム(10)は、3本一組のリード(12)を多数
組、タイバー(13)によって連結し、真中のリード(1
2)が放熱板(11)と連結されていることから、多数組
のリード(12)と多数の放熱板(11)とを一体化したも
のである。このようなリードフレーム(10)の多数の放
熱板(11)上に、半田(4)によって多数個のペレット
(1)を一括してマウントし、ペレット(1)の電極と
リード(12)とをワイヤ(2)によって接続する。この
リードフレーム(10)を天地逆転し、図6に示すような
下金型(20)上にセッティングする。下金型(20)は、
放熱板(11)に樹脂(3)をモールドする位置に対応し
て、溶融樹脂を充填するキャビティ(21)が形成され、
また、溶融樹脂の流路となるランナ(22)と前記キャビ
ティ(21)とをゲート(23)によって連通したものであ
る。このような下金型(20)にリードフレーム(10)を
セッティングした後、図7に示すように、上金型(30)
によって型締する。溶融樹脂がランナ(22)からゲート
(23)を通過して、キャビティ(21)内に充填される
と、図8に示すように、ペレット(1)、リード(12)
の基端部及びワイヤ(2)が溶融樹脂にモールドされ
る。溶融樹脂が凝固した後、リードフレーム(10)を上
下金型(30)(20)間から取り出す。リードフレーム
(10)には、図9の仮想線に示すように、ランナ(22)
やゲート(23)内で凝固した樹脂(3)も固着している
ため、これらの部分の樹脂(3)を除去する。そして、
タイバー(13)を切断すると、図4に示すような樹脂封
止型半導体装置が完成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】銅製のリードフレーム
(10)は、従来、表面にニッケルメッキ処理して、酸化
を防止すると共に、半田付け性を上げるためにペレット
マウント領域等を部分的に銀メッキ処理していた。しか
し、近年、工数を低減してコストダウンを図るため、ニ
ッケルメッキ処理を省略し、リードフレーム(10)の表
面に形成されている酸化膜を、ペレットマウントやボン
ディング部分だけ水素トーチにより、還元除去してい
る。従って、ペレット(1)がマウントされていない放
熱板(11)には酸化膜が形成されたままとなっている。
一方、エポキシ樹脂は銅の酸化膜との馴染み性がよく、
樹脂(3)が放熱板(11)に密着する。樹脂(3)が放
熱板(11)と密着すると、湿気等がペレット(1)まで
浸入せず、都合がよい。
【0005】しかし、樹脂モールド後にランナ(22)や
ゲート(23)内で凝固した樹脂(3)を除去する際に、
樹脂(3)と放熱板(11)との密着性が良いと、ゲート
(23)とキャビティ(21)との境界部である樹脂注入部
(24)で硬化した樹脂(3)が除去されず、図9に示す
ように、樹脂(3)に出っ張り部(3a)が残こる。この
出っ張り部(3a)は外観不良となるため、サンドブラス
ト等により除去している。この出っ張り部(3a)の除去
作業は、面倒で、生産性低下の一因となっている。
【0006】そこで本発明は、外観不良が生じないよう
にした半導体装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第1の手段は、放熱板上にマウントされたペレット
を、放熱板の一部と共に金型のキャビティ内に収納し、
上記キャビティに連結するゲートから樹脂を注入してモ
ールドした半導体装置において、上記放熱板上の、ゲー
トとキャビティとの境界部である樹脂注入部に対応する
部位に、樹脂との濡れ性の劣る層を形成したものであ
る。
【0008】上記目的を達成するための第2の手段は、
放熱板上にマウントされたペレットを、放熱板の一部と
共に金型のキャビティ内に収納し、上記キャビティに連
結するゲートから樹脂を注入してモールドした半導体装
置において、ペレットマウント材を上記放熱板上の、ゲ
ートとキャビティとの境界部である樹脂注入部に対応す
る部位まで延在させたものである。
【0009】上記目的を達成するための第3の手段は、
放熱板上にマウントされたペレットを、放熱板の一部と
共に金型のキャビティ内に収納し、上記キャビティに連
結するゲートから樹脂を注入してモールドした半導体装
置において、上記放熱板上の、ゲートとキャビティとの
境界部である樹脂注入部に対応する部位の放熱板上に凹
部を形成し、前記凹部内に樹脂との濡れ性の劣る材料を
充填したものである。
【0010】
【作用】上記手段によれば、放熱板上の、ゲートとキャ
ビティとの境界部である樹脂注入部に対応する部位で、
樹脂が放熱板に密着しないため、ゲート及びランナ内で
凝固した樹脂を除去する際に、ゲート注入口まで樹脂が
除去されて樹脂に出っ張りが形成されない。
【0011】
【実施例】本発明の三実施例を図1乃至図3を参照しな
がら説明する。但し、従来と同一乃至相当部分は同一符
号を附して、その説明を省略する。
【0012】本発明に係る半導体装置は、図1に示すよ
うに、放熱板(11)上の、ゲート(23)とキャビティ
(21)との境界部である樹脂注入部(24)に対応する部
位(24a)に樹脂(3)との濡れ性の劣る層(5)を形
成したことを特徴とするものである。濡れ性の劣る層
(5)は、例えば、半田を塗着することによって形成す
る。この半田(4)は、例えば、ペレット(1)をマウ
ントするための半田(4)をペレットマウント工程直前
ポジションで予め塗着する。或いは、その半田(4)を
図2に示すように、ゲート(23)とキャビティ(21)と
の樹脂注入部(24)に対応する部位(24a)まで延在さ
せることによって形成することもできる。また、図3に
示すように、放熱板(11)上の同じ部位(24a)凹部(1
4)を形成し、この凹部(14)内に半田(4)のような
樹脂(3)との濡れ性の劣る材料をペレット供給ポジシ
ョン又はその前のポジションで充填しておいてもよい。
凹部(14)内に半田(4)を充填することにより、放熱
板(11)上に半田(4)が盛り上がることがなくなる。
【0013】このように、放熱板(11)上の、ゲート
(23)とキャビティ(21)との樹脂注入部(24)に対応
する部位(24a)に、樹脂(3)との濡れ性の劣る層
(5)を形成することによって、その部位(24a)をモ
ールドする樹脂(3)と放熱板(11)との密着性が低下
する。
【0014】従って、放熱板(11)にマウントされたペ
レット(1)や、ペレット(1)の電極とリード(12)
とを接続したワイヤ(2)や、リード(12)の基端部を
樹脂(3)によってモールドした際に、ランナ(22)や
ゲート(23)内で凝固して、放熱板(11)に付着した樹
脂(3)を除去すると、ゲート注入口まで樹脂(3)を
除去できて樹脂(3)に出っ張り部(3a)が形成されな
い。即ち、放熱板(11)上の、ゲート(23)とキャビテ
ィ(21)との樹脂注入部(24)に対応する部位(24a)
において樹脂(3)は、樹脂(3)との濡れ性の劣る層
(5)によって、放熱板(11)と密着していないため、
ランナ(22)やゲート(23)内で凝固した樹脂(3)は
放熱板(11)から確実に剥離し、樹脂(3)に出っ張り
部(3a)が形成されない。従って、出っ張り部(3a)を
除去する作業を解消することができる。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、放熱板上の、ゲートと
キャビティとの樹脂注入部に対応する部位に樹脂との濡
れ性の劣る層を形成したことにより、その部位の樹脂が
放熱板と密着せず、確実に剥離するため、樹脂に出っ張
り部が形成されない。従って、出っ張り部を除去する作
業が解消されるため、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の平面図。
【図2】本発明に係る変形例を示す平面図。
【図3】本発明に係る別の変形例を示す平面図。
【図4】従来の半導体装置の斜視図。
【図5】従来の半導体装置の製造途中の斜視図。
【図6】下金型の一部断面斜視図。
【図7】上下金型間に型締されたリードフレームを含む
断面図。
【図8】樹脂モールドが完了した際の上下金型の断面
図。
【図9】上下金型から取り出された半導体装置の断面
図。
【符号の説明】
3 樹脂 4 ペレットマウント材(半田) 5 濡れ性の劣る層 11 放熱板 14 凹部 21 キャビティ 23 ゲート 24 樹脂注入部 24a 部位

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上下一対の金型の一方の衝合面に半導体ペ
    レットをマウントした放熱板を収容するキャビティを、
    他の衝合面の半導体ペレットマウント部分と対向する位
    置にキャビティをそれぞれ形成し、半導体ペレット側キ
    ャビティと連通し樹脂をキャビティ内にガイドし注入す
    るゲートを放熱板の一部と対向する金型衝合面に形成し
    た樹脂モールド装置を用い、放熱板上の半導体ペレット
    を樹脂被覆した半導体装置において、 上記放熱板上の樹脂注入部に、樹脂との濡れ性の劣る層
    を形成したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】ペレットマウント材を上記放熱板上の樹脂
    注入部に対応する部位まで延在させたことを特徴とする
    請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】放熱板上の樹脂注入部に凹部を形成し、前
    記凹部内に樹脂との濡れ性の劣る材料を充填したことを
    特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】放熱板が酸化し易い部材よりなることを特
    徴とする請求項1記載の半導体装置。
JP32846891A 1991-12-12 1991-12-12 半導体装置 Pending JPH05166862A (ja)

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