JPH05160635A - アクティブフェイズドアレイアンテナ - Google Patents
アクティブフェイズドアレイアンテナInfo
- Publication number
- JPH05160635A JPH05160635A JP31925591A JP31925591A JPH05160635A JP H05160635 A JPH05160635 A JP H05160635A JP 31925591 A JP31925591 A JP 31925591A JP 31925591 A JP31925591 A JP 31925591A JP H05160635 A JPH05160635 A JP H05160635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- phased array
- active phased
- antenna unit
- array antenna
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0284—Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Abstract
(57)【要約】
【目的】回路の小形化による低損失化、回路全体のより
一層の小形化及びアンテナ特性改善を図ることができる
アクティブフェイズドアレイアンテナを得る。 【構成】アンテナユニットは、低温焼成セラミック多層
基板１０の一方の面に形成したアンテナ素子となるアン
テナパターン１２を有する。アンテナ素子の給電点１４
からはビアホール１６の導体、内部導体１８、ボンディ
ングワイヤ２０等を介して高周波増幅ＩＣチップ２０、
チップコンデンサ２４等で構成されるＨＩＣ部２６へ電
気的に接続する。アンテナ素子とＨＩＣ部との間にシー
ルド用の内部導体２８を設ける。アンテナ素子及び内部
導体等の導電体は銅又は銀系材料を用いる。図示しない
マザーボードへの機械的及び電気的接続用のピン３０を
複数個セラミック多層基板にロウ付けする。このユニッ
トを複数個マザーボードへ取り付ける。
一層の小形化及びアンテナ特性改善を図ることができる
アクティブフェイズドアレイアンテナを得る。 【構成】アンテナユニットは、低温焼成セラミック多層
基板１０の一方の面に形成したアンテナ素子となるアン
テナパターン１２を有する。アンテナ素子の給電点１４
からはビアホール１６の導体、内部導体１８、ボンディ
ングワイヤ２０等を介して高周波増幅ＩＣチップ２０、
チップコンデンサ２４等で構成されるＨＩＣ部２６へ電
気的に接続する。アンテナ素子とＨＩＣ部との間にシー
ルド用の内部導体２８を設ける。アンテナ素子及び内部
導体等の導電体は銅又は銀系材料を用いる。図示しない
マザーボードへの機械的及び電気的接続用のピン３０を
複数個セラミック多層基板にロウ付けする。このユニッ
トを複数個マザーボードへ取り付ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、衛星を利用して自動
車、船舶、航空機等の移動体を対象とする移動体衛星通
信に好適に使用することができるアクティブフェイズド
アレイアンテナに関し、特にセラミック多層基板を用い
たアクティブフェイズドアレイアンテナに関する。
車、船舶、航空機等の移動体を対象とする移動体衛星通
信に好適に使用することができるアクティブフェイズド
アレイアンテナに関し、特にセラミック多層基板を用い
たアクティブフェイズドアレイアンテナに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、フェイズドアレイアンテナは、
複数のアンテナ素子を基板上に配列して構成され、各ア
ンテナ素子の位相や振幅を制御してビーム自体の形を変
えるビーム形成が可能である。このため、不要な干渉波
に対する感度を小さくしたり、無くしたりすることがで
きる。また、電子的に各アンテナ素子の位相を変化させ
ることで、アンテナのビームを高速で空間走査できると
いう特徴を有している。このような特徴を有するフェイ
ズドアレイアンテナは、これまで主としてレーダの分野
で使用されてきたが、近年移動体衛星通信の分野にも導
入が検討されてきている。最近では、マイクロ波集積回
路（以下、マイクロ波ＩＣと称する）技術の進展により
増幅器、移相器等のマイクロ波回路素子の小型・軽量化
が可能になってきたことから、アンテナ素子とこれらの
マイクロ波回路素子を一体化したアクティブフェイズド
アレイアンテナ、すなわち、個々のアンテナ素子が増
幅，移相，周波数変換等の機能を有するものが実現され
ている。
複数のアンテナ素子を基板上に配列して構成され、各ア
ンテナ素子の位相や振幅を制御してビーム自体の形を変
えるビーム形成が可能である。このため、不要な干渉波
に対する感度を小さくしたり、無くしたりすることがで
きる。また、電子的に各アンテナ素子の位相を変化させ
ることで、アンテナのビームを高速で空間走査できると
いう特徴を有している。このような特徴を有するフェイ
ズドアレイアンテナは、これまで主としてレーダの分野
で使用されてきたが、近年移動体衛星通信の分野にも導
入が検討されてきている。最近では、マイクロ波集積回
路（以下、マイクロ波ＩＣと称する）技術の進展により
増幅器、移相器等のマイクロ波回路素子の小型・軽量化
が可能になってきたことから、アンテナ素子とこれらの
マイクロ波回路素子を一体化したアクティブフェイズド
アレイアンテナ、すなわち、個々のアンテナ素子が増
幅，移相，周波数変換等の機能を有するものが実現され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実現さ
れているアクティブフェイズドアレイアンテナは、一体
化したとはいえ、アンテナ素子の裏側に受信低雑音増幅
器や送信電力増幅器のユニットを配置し、アンテナ素子
とユニット間はコネクタ等で接続される構造であり、配
線や組み立て上の問題、小形化の等の点で問題があっ
た。また、一体化するためにアンテナ素子を配置する基
板として、マイクロ波領域で一般的に用いられるテフロ
ン（登録商標）基板を使用する場合、テフロン基板は柔
軟なため機械的強度を有する支持構造が必要となる難点
があり、機械的強度の十分な通常の高温焼成セラミック
基板を用いる場合には導体金属として高融点のモリブデ
ンまたはタングステンといった材料を使用せざるを得な
いため抵抗値が高くなり高周波用途に適さないと言う難
点があった。従って、高周波回路用と同時にアンテナ用
基板にも好適に使用できる基板が望まれていた。
れているアクティブフェイズドアレイアンテナは、一体
化したとはいえ、アンテナ素子の裏側に受信低雑音増幅
器や送信電力増幅器のユニットを配置し、アンテナ素子
とユニット間はコネクタ等で接続される構造であり、配
線や組み立て上の問題、小形化の等の点で問題があっ
た。また、一体化するためにアンテナ素子を配置する基
板として、マイクロ波領域で一般的に用いられるテフロ
ン（登録商標）基板を使用する場合、テフロン基板は柔
軟なため機械的強度を有する支持構造が必要となる難点
があり、機械的強度の十分な通常の高温焼成セラミック
基板を用いる場合には導体金属として高融点のモリブデ
ンまたはタングステンといった材料を使用せざるを得な
いため抵抗値が高くなり高周波用途に適さないと言う難
点があった。従って、高周波回路用と同時にアンテナ用
基板にも好適に使用できる基板が望まれていた。
【０００４】そこで、本発明の目的は、回路の小形化に
よる低損失化、回路全体のより一層の小形化、アンテナ
特性の改善などを図ることができるセラミック多層基板
を用いたアクティブフェイズドアレイアンテナを提供す
るにある。
よる低損失化、回路全体のより一層の小形化、アンテナ
特性の改善などを図ることができるセラミック多層基板
を用いたアクティブフェイズドアレイアンテナを提供す
るにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るアクティブ
フェイズドアレイアンテナは、セラミック多層基板の一
方の表面に形成されたアンテナパターンの導体層と、前
記セラミック多層基板の他方の表面に形成した前記導体
層への給電点に接続される増幅器と、該増幅器と外部と
の電気的接続を得るための端子とからなるアンテナユニ
ットを備えることを特徴とする。
フェイズドアレイアンテナは、セラミック多層基板の一
方の表面に形成されたアンテナパターンの導体層と、前
記セラミック多層基板の他方の表面に形成した前記導体
層への給電点に接続される増幅器と、該増幅器と外部と
の電気的接続を得るための端子とからなるアンテナユニ
ットを備えることを特徴とする。
【０００６】前記セラミック多層基板は、ガラス・セラ
ミックからなる低温焼成セラミック多層基板を用いれば
好適である。
ミックからなる低温焼成セラミック多層基板を用いれば
好適である。
【０００７】また、前記導体層には銅または銀系材料を
用いることができる。
用いることができる。
【０００８】さらに、前記アンテナユニットは送信用の
アンテナユニットと受信用のアンテナユニットにそれぞ
れ構成されると共に、前記送信用のアンテナユニットと
受信用のアンテナユニットとを混在して配置することが
できる。
アンテナユニットと受信用のアンテナユニットにそれぞ
れ構成されると共に、前記送信用のアンテナユニットと
受信用のアンテナユニットとを混在して配置することが
できる。
【０００９】前記混在して配置された送信用の前記アン
テナユニットと受信用の前記アンテナユニットとは、隣
接して交互に碁盤目状に配置されれば好適である。
テナユニットと受信用の前記アンテナユニットとは、隣
接して交互に碁盤目状に配置されれば好適である。
【００１０】
【作用】本発明に係るアクティブフェイズドアレイアン
テナによれば、テフロン基板よりも誘電率の高い低温焼
成セラミック多層基板上にアンテナパターンを形成する
ため、波長短縮によって回路サイズを小さくすることが
できる。また、低温焼成セラミック多層基板は機械的強
度が高いため特別な支持構造を必要としないと共に、導
電体に銅、銀系の導電率の高い金属材料を使用すること
ができるため、高周波回路の基板としても有効である。
従って、回路の小形化による低損失化、回路全体のより
一層の小形化、アンテナ特性の改善などを図ることがで
きる
テナによれば、テフロン基板よりも誘電率の高い低温焼
成セラミック多層基板上にアンテナパターンを形成する
ため、波長短縮によって回路サイズを小さくすることが
できる。また、低温焼成セラミック多層基板は機械的強
度が高いため特別な支持構造を必要としないと共に、導
電体に銅、銀系の導電率の高い金属材料を使用すること
ができるため、高周波回路の基板としても有効である。
従って、回路の小形化による低損失化、回路全体のより
一層の小形化、アンテナ特性の改善などを図ることがで
きる
【００１１】
【実施例】次に本発明に係るアクティブフェイズドアレ
イアンテナの実施例につき、添付図面を参照しながら以
下詳細に説明する。
イアンテナの実施例につき、添付図面を参照しながら以
下詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例を示すアクティ
ブフェイズドアレイアンテナのアンテナユニットの要部
断面外観斜視図である。図１において、参照符号１０は
アルミナ粉末およびガラス粉末等からなるセラミック材
料を後述する製造工程により低温焼成して作製したセラ
ミック多層基板を示し、このセラミック多層基板１０の
一方の面には低抵抗率の銅或いは銀パラジウムといった
銀系の導電体金属で構成したアンテナ素子となるアンテ
ナパターン１２を形成する。アンテナパターン１２の給
電点１４からはビアホール１６の導体、内部導体１８、
ボンディングワイヤ２０等を介してセラミック多層基板
１０の他方の面上に設けた高周波増幅ＩＣチップ２２，
チップコンデンサ２４等で構成されるハイブリッドＩＣ
部（以下、ＨＩＣ部と称する）２６へ電気的に接続され
る。
ブフェイズドアレイアンテナのアンテナユニットの要部
断面外観斜視図である。図１において、参照符号１０は
アルミナ粉末およびガラス粉末等からなるセラミック材
料を後述する製造工程により低温焼成して作製したセラ
ミック多層基板を示し、このセラミック多層基板１０の
一方の面には低抵抗率の銅或いは銀パラジウムといった
銀系の導電体金属で構成したアンテナ素子となるアンテ
ナパターン１２を形成する。アンテナパターン１２の給
電点１４からはビアホール１６の導体、内部導体１８、
ボンディングワイヤ２０等を介してセラミック多層基板
１０の他方の面上に設けた高周波増幅ＩＣチップ２２，
チップコンデンサ２４等で構成されるハイブリッドＩＣ
部（以下、ＨＩＣ部と称する）２６へ電気的に接続され
る。
【００１３】また、アンテナパターン１２とＨＩＣ部２
６との間にシールド用の広い面積の内部導体２８を設
け、この内部導体２８は接地レベルに接続するよう構成
している。図示しないマザーボードへの機械的および電
気的接続のためのピン３０が、セラミック多層基板１０
の他方の面側周辺に複数個設けられる。本実施例の場
合、セラミック多層基板１０はＨＩＣ部２６を収納する
パッケージ形状となるように構成され、図示しないキャ
ップでセラミック多層基板１０のＨＩＣ部２６側を覆
う。なお、アンテナパターン１２上の表面は、耐湿およ
び耐候性のコーティング処理を施すことも可能である。
６との間にシールド用の広い面積の内部導体２８を設
け、この内部導体２８は接地レベルに接続するよう構成
している。図示しないマザーボードへの機械的および電
気的接続のためのピン３０が、セラミック多層基板１０
の他方の面側周辺に複数個設けられる。本実施例の場
合、セラミック多層基板１０はＨＩＣ部２６を収納する
パッケージ形状となるように構成され、図示しないキャ
ップでセラミック多層基板１０のＨＩＣ部２６側を覆
う。なお、アンテナパターン１２上の表面は、耐湿およ
び耐候性のコーティング処理を施すことも可能である。
【００１４】結局、このように構成されるアンテナユニ
ット３２は、表面にアンテナ素子を持つマイクロ波ＩＣ
となり、アクティブフェイズドアレイアンテナを構成す
るには、図２および図３に示すように複数個のアンテナ
ユニット３２をマザーボード３４上にＬＳＩを並べるよ
うに搭載する。図２は、アンテナユニット３２を送信用
アンテナユニット３２−ＴＸと受信用アンテナユニット
３２−ＲＸに構成し、交互に碁盤目状に配置したアクテ
ィブフェイズドアレイアンテナを示す平面図であり、図
３は図２に示したアクティブフェイズドアレイアンテナ
の側面図である。なお、マザーボード３４は高周波特性
を問題としないプリント基板等を用い、マザーボード３
４上には各アンテナユニットを接続するプリント配線お
よび図示しない外部の制御回路との接続用配線等が施さ
れる。
ット３２は、表面にアンテナ素子を持つマイクロ波ＩＣ
となり、アクティブフェイズドアレイアンテナを構成す
るには、図２および図３に示すように複数個のアンテナ
ユニット３２をマザーボード３４上にＬＳＩを並べるよ
うに搭載する。図２は、アンテナユニット３２を送信用
アンテナユニット３２−ＴＸと受信用アンテナユニット
３２−ＲＸに構成し、交互に碁盤目状に配置したアクテ
ィブフェイズドアレイアンテナを示す平面図であり、図
３は図２に示したアクティブフェイズドアレイアンテナ
の側面図である。なお、マザーボード３４は高周波特性
を問題としないプリント基板等を用い、マザーボード３
４上には各アンテナユニットを接続するプリント配線お
よび図示しない外部の制御回路との接続用配線等が施さ
れる。
【００１５】このように配置構成されたアクティブフェ
イズドアレイアンテナは、各アンテナユニット３２への
給電位相を外部の図示しない制御回路により電子的に制
御して、放射ビーム方向を高速で変えたりする所望のビ
ーム形成動作を行う。従って、従来の位相処理をしてか
ら増幅するフェイズドアレイアンテナに比べ、アクティ
ブフェイズドアレイアンテナは個々のアンテナユニット
３２に増幅回路が設けられ、増幅してから位相処理を行
うのでこの間の損失が低減され、小形化が可能となる。
イズドアレイアンテナは、各アンテナユニット３２への
給電位相を外部の図示しない制御回路により電子的に制
御して、放射ビーム方向を高速で変えたりする所望のビ
ーム形成動作を行う。従って、従来の位相処理をしてか
ら増幅するフェイズドアレイアンテナに比べ、アクティ
ブフェイズドアレイアンテナは個々のアンテナユニット
３２に増幅回路が設けられ、増幅してから位相処理を行
うのでこの間の損失が低減され、小形化が可能となる。
【００１６】ここで一例として、周波数帯が１．５ＧＨ
ｚ用の場合、各アンテナユニット３２のセラミック多層
基板１０の大きさは９ｃｍ角程度の面積である。このセ
ラミック多層基板１０上に直径４ｃｍの円形のアンテナ
パターンを形成した結果、アンテナ素子の特性として左
施円偏波（正施）での利得が０°の所で５ｄＢｉ程度、
アンテナのビーム幅は３ｄＢ幅で１００°程度が得ら
れ、フェイズドアレイ化する場合の単体アンテナ特性と
して良好なものが得られている。
ｚ用の場合、各アンテナユニット３２のセラミック多層
基板１０の大きさは９ｃｍ角程度の面積である。このセ
ラミック多層基板１０上に直径４ｃｍの円形のアンテナ
パターンを形成した結果、アンテナ素子の特性として左
施円偏波（正施）での利得が０°の所で５ｄＢｉ程度、
アンテナのビーム幅は３ｄＢ幅で１００°程度が得ら
れ、フェイズドアレイ化する場合の単体アンテナ特性と
して良好なものが得られている。
【００１７】図４は、本発明に係るアクティブフェイズ
ドアレイアンテナで使用するアンテナユニット３２のセ
ラミック多層基板製造工程の流れを概略的に示す工程線
図である。図４を用いて、アンテナユニット３２のセラ
ミック多層基板１０の製造工程を以下に説明する。
ドアレイアンテナで使用するアンテナユニット３２のセ
ラミック多層基板製造工程の流れを概略的に示す工程線
図である。図４を用いて、アンテナユニット３２のセラ
ミック多層基板１０の製造工程を以下に説明する。
【００１８】先ず、印刷工程では、ＰＶＡ（ポリビニル
アルコール）等の有機物をバインダにしてアルミナ粉末
およびガラス粉末等を混合したスラリー状のセラミック
材料を、所望厚さのシート状に成形して乾燥させた複数
枚のグリーンシート上の所望の個所にそれぞれ異なるビ
アホールを形成し、ビアペーストを充填後、それぞれの
グリーンシート上にアンテナパターンや所望の配線パタ
ーンを銅あるいは銀系の低融点金属の導体ペーストを用
いて印刷し、乾燥する。
アルコール）等の有機物をバインダにしてアルミナ粉末
およびガラス粉末等を混合したスラリー状のセラミック
材料を、所望厚さのシート状に成形して乾燥させた複数
枚のグリーンシート上の所望の個所にそれぞれ異なるビ
アホールを形成し、ビアペーストを充填後、それぞれの
グリーンシート上にアンテナパターンや所望の配線パタ
ーンを銅あるいは銀系の低融点金属の導体ペーストを用
いて印刷し、乾燥する。
【００１９】次にプレス工程では、前記印刷工程を終了
した導体パターンの異なる複数枚のグリーンシート同士
を所望枚数積層し、適度な圧力と温度のもとで圧着す
る。この時、一方の表面にはアンテナパターン１２が図
１で示すように露出しており、内部導体１８およびビア
ホール１６がセラミック多層基板１０内部の所要の個所
で適当に接続されると共にシールド用の導体層２８も形
成され、他方の表面にはＩＣやその他の回路素子を接続
する配線等の外部導体パターンが形成される。
した導体パターンの異なる複数枚のグリーンシート同士
を所望枚数積層し、適度な圧力と温度のもとで圧着す
る。この時、一方の表面にはアンテナパターン１２が図
１で示すように露出しており、内部導体１８およびビア
ホール１６がセラミック多層基板１０内部の所要の個所
で適当に接続されると共にシールド用の導体層２８も形
成され、他方の表面にはＩＣやその他の回路素子を接続
する配線等の外部導体パターンが形成される。
【００２０】切断工程では、プレス工程で積層されたグ
リーンシートを所望の外形寸法に切断する。
リーンシートを所望の外形寸法に切断する。
【００２１】バーンアウト工程はグリーンシートを形成
する際に使用されたバインダの有機物を分解蒸発させる
工程であり、約３００〜４００℃程度の温度で加熱す
る。
する際に使用されたバインダの有機物を分解蒸発させる
工程であり、約３００〜４００℃程度の温度で加熱す
る。
【００２２】更に、焼成工程では、約９００〜１０００
℃程度の低温で焼成する。この焼成工程によりグリーン
シートは、アンテナ回路基板としての機械的強度を十分
有する誘電率５〜８の固体セラミック基板となる。
℃程度の低温で焼成する。この焼成工程によりグリーン
シートは、アンテナ回路基板としての機械的強度を十分
有する誘電率５〜８の固体セラミック基板となる。
【００２３】最後に、アンテナユニット３２をマザーボ
ード３４に取り付けると共に電気的接続端子としても働
くピン３０を、図１で示したような位置に適当なロウ剤
を使用してセラミック多層基板１０上にロウ付けする。
ード３４に取り付けると共に電気的接続端子としても働
くピン３０を、図１で示したような位置に適当なロウ剤
を使用してセラミック多層基板１０上にロウ付けする。
【００２４】この後は、アクティブフェーズドアレイア
ンテナの動作に必要な受信低雑音増幅器や送信電力増幅
器等の回路素子を取り付けキャップをしてアンテナユニ
ット３２が完成する。
ンテナの動作に必要な受信低雑音増幅器や送信電力増幅
器等の回路素子を取り付けキャップをしてアンテナユニ
ット３２が完成する。
【００２５】
【発明の効果】前述した実施例から明らかなように、本
発明によれば、アクティブアンテナアレイを構成するア
ンテナユニットの基板として低温焼成セラミック多層基
板を使用することにより、従来のマイクロ波ＩＣ用のテ
フロン基板を使用する場合に比べて、誘電率が高いため
波長短縮によって回路サイズが小さくできると共に、機
械的強度も強いため支持構造が不要となる。すなわちア
ンテナ素子の寸法が小形化され、アンテナパターンが広
角になる。
発明によれば、アクティブアンテナアレイを構成するア
ンテナユニットの基板として低温焼成セラミック多層基
板を使用することにより、従来のマイクロ波ＩＣ用のテ
フロン基板を使用する場合に比べて、誘電率が高いため
波長短縮によって回路サイズが小さくできると共に、機
械的強度も強いため支持構造が不要となる。すなわちア
ンテナ素子の寸法が小形化され、アンテナパターンが広
角になる。
【００２６】また、アンテナおよび配線が一体成形され
るので生産性が高いという利点がある。
るので生産性が高いという利点がある。
【００２７】さらに、低温焼成セラミック基板により銅
および銀系の低抵抗率の導電体が使用できるため、高周
波特性が良くなる。従って、回路の小形化による低損失
化、回路全体の小形化およびアンテナ特性の改善に効果
を奏する。
および銀系の低抵抗率の導電体が使用できるため、高周
波特性が良くなる。従って、回路の小形化による低損失
化、回路全体の小形化およびアンテナ特性の改善に効果
を奏する。
【００２８】低温焼成セラミック多層基板上にアンテナ
素子と増幅回路を内蔵したことにより、１個のアンテナ
としてユニット化および小形化し、マザーボードに差し
込み取り替え可能な形態にすることができる。
素子と増幅回路を内蔵したことにより、１個のアンテナ
としてユニット化および小形化し、マザーボードに差し
込み取り替え可能な形態にすることができる。
【００２９】以上、本発明の好適な実施例について説明
したが、本発明は前記実施例に限定されることなく、本
発明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更
をなし得ることは勿論である。
したが、本発明は前記実施例に限定されることなく、本
発明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更
をなし得ることは勿論である。
【図１】本発明に係るアクティブフェイズドアレイアン
テナを構成するアンテナユニットの一実施例を示す要部
断面外観斜視図である。
テナを構成するアンテナユニットの一実施例を示す要部
断面外観斜視図である。
【図２】アンテナユニットを送信用アンテナユニットと
受信用アンテナユニットに構成し、交互に碁盤目状に配
置した本発明に係るアクティブフェイズドアレイアンテ
ナを示す平面図である。
受信用アンテナユニットに構成し、交互に碁盤目状に配
置した本発明に係るアクティブフェイズドアレイアンテ
ナを示す平面図である。
【図３】図２に示したアクティブフェイズドアレイアン
テナの側面図である。
テナの側面図である。
【図４】本発明に係るアクティブフェイズドアレイアン
テナで使用するアンテナユニットのセラミック多層基板
製造工程の流れを概略的に示す工程線図である。
テナで使用するアンテナユニットのセラミック多層基板
製造工程の流れを概略的に示す工程線図である。
１０ セラミック多層基板 １２ アンテナパターン １４ 給電点 １６ ビアホール １８ 内部導体 ２０ ボンディングワイヤ ２２ 高周波増幅ＩＣチップ ２４ チップコンデンサ ２６ ハイブリッドＩＣ部 ２８ 内部導体 ３０ ピン ３２ アンテナユニット ３４ マザーボード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｑ 21/22 6959−5Ｊ
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミック多層基板の一方の表面に形成
されたアンテナパターンの導体層と、前記セラミック多
層基板の他方の表面に形成した前記導体層への給電点に
接続される増幅器と、該増幅器と外部との電気的接続を
得るための端子とからなるアンテナユニットを備えるこ
とを特徴とするアクティブフェイズドアレイアンテナ。 - 【請求項２】 前記セラミック多層基板は、ガラス・セ
ラミックからなる低温焼成セラミック多層基板である請
求項１記載のアクティブフェイズドアレイアンテナ。 - 【請求項３】 前記導体層は、銅または銀系材料である
請求項１記載のアクティブフェイズドアレイアンテナ。 - 【請求項４】 前記アンテナユニットが送信用のアンテ
ナユニットと受信用のアンテナユニットにそれぞれ構成
されると共に、前記送信用のアンテナユニットと受信用
のアンテナユニットとが混在して配置されてなることを
特徴とする請求項１記載のアクティブフェイズドアレイ
アンテナ。 - 【請求項５】 前記混在して配置された送信用の前記ア
ンテナユニットと受信用の前記アンテナユニットとは、
隣接して交互に碁盤目状に配置されてなる請求項４記載
のアクティブフェイズドアレイアンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31925591A JP3288736B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | アクティブフェイズドアレイアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31925591A JP3288736B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | アクティブフェイズドアレイアンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160635A true JPH05160635A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3288736B2 JP3288736B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=18108155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31925591A Expired - Fee Related JP3288736B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | アクティブフェイズドアレイアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3288736B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012744A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Tdk Corporation | Composants electroniques passifs, elements de circuit integre et plaquette |
| JP2004506912A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | レイセオン・カンパニー | 高集積単一基板ｍｍｗマルチビーム・センサ |
| JP2004282752A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Lg Electron Inc | 能動型スマートアンテナシステム及びその製造方法 |
| JP2005117139A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール、及びこれを用いたアレーアンテナ装置 |
| JP2006253953A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 通信用高周波モジュールおよびその製造方法 |
| US7636024B2 (en) | 2003-04-24 | 2009-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wireless communication apparatus and information processing terminal apparatus with a wireless application |
| JP2010098274A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Sibeam Inc | 表面実装可能な集積回路のパッケージ化機構 |
| JP2012520652A (ja) * | 2010-05-12 | 2012-09-06 | メディアテック インコーポレーテッド | 信号ライン遷移素子を備えた回路装置 |
| JP2012521716A (ja) * | 2009-03-24 | 2012-09-13 | レイセオン カンパニー | パネル配列 |
| WO2020054001A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 空中線 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP31925591A patent/JP3288736B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998012744A1 (fr) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Tdk Corporation | Composants electroniques passifs, elements de circuit integre et plaquette |
| JP2004506912A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | レイセオン・カンパニー | 高集積単一基板ｍｍｗマルチビーム・センサ |
| JP2004282752A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Lg Electron Inc | 能動型スマートアンテナシステム及びその製造方法 |
| US7365683B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-04-29 | Lg Electronics Inc. | Active smart antenna system and fabrication method thereof |
| US7636024B2 (en) | 2003-04-24 | 2009-12-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wireless communication apparatus and information processing terminal apparatus with a wireless application |
| JP2005117139A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波モジュール、及びこれを用いたアレーアンテナ装置 |
| JP2006253953A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 通信用高周波モジュールおよびその製造方法 |
| JP2010098274A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Sibeam Inc | 表面実装可能な集積回路のパッケージ化機構 |
| JP2012521716A (ja) * | 2009-03-24 | 2012-09-13 | レイセオン カンパニー | パネル配列 |
| JP2012520652A (ja) * | 2010-05-12 | 2012-09-06 | メディアテック インコーポレーテッド | 信号ライン遷移素子を備えた回路装置 |
| WO2020054001A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 空中線 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3288736B2 (ja) | 2002-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1515389B1 (en) | Multilayer high frequency device with planar antenna thereon and manufacturing method thereof | |
| US7026999B2 (en) | Pattern antenna | |
| US6995710B2 (en) | Dielectric antenna for high frequency wireless communication apparatus | |
| US20110241969A1 (en) | Grid array antennas and an integration structure | |
| US20080272977A1 (en) | Apparatus and Methods for Constructing Antennas Using Vias as Radiating Elements Formed in a Substrate | |
| US5912647A (en) | Antenna unit | |
| JP7417448B2 (ja) | アンテナ基板およびアンテナモジュール | |
| US20200106194A1 (en) | Planar array antenna and wireless communication module | |
| CN113330644B (zh) | 天线模块、搭载有该天线模块的通信装置以及天线模块的制造方法 | |
| US20060290575A1 (en) | Antenna integrated into a housing | |
| CN111834733A (zh) | 片式天线 | |
| JP3288736B2 (ja) | アクティブフェイズドアレイアンテナ | |
| WO2021059738A1 (ja) | アンテナモジュールおよびその製造方法、ならびに、集合基板 | |
| JP2005012554A (ja) | アンテナ基板およびアンテナ装置 | |
| JP3253255B2 (ja) | 携帯無線機用アンテナおよびそれを用いた携帯無線機 | |
| JPH0690108A (ja) | 小型アンテナ及びその製造方法 | |
| JP6867274B2 (ja) | アレイアンテナ基板および通信モジュール | |
| JPH07297626A (ja) | アンテナ装置 | |
| JP2019208127A (ja) | アレイアンテナ基板および通信モジュール | |
| KR100372869B1 (ko) | 판형 헬리컬 안테나 | |
| EP3627618A1 (en) | Planar array antenna and wireless communication module | |
| EP0684661B1 (en) | Antenna unit | |
| US20190103666A1 (en) | Mountable Antenna Fabrication and Integration Methods | |
| CN114069233A (zh) | 一种相控阵天线 | |
| CN109792104A (zh) | 多层陶瓷基结构的突起上的天线 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090315 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100315 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |