JPH05160573A - 多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents

多層回路基板及びその製造方法

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JPH05160573A
JPH05160573A JP32320191A JP32320191A JPH05160573A JP H05160573 A JPH05160573 A JP H05160573A JP 32320191 A JP32320191 A JP 32320191A JP 32320191 A JP32320191 A JP 32320191A JP H05160573 A JPH05160573 A JP H05160573A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 機械的その他の孔開け加工を不要にしてスル
ーホールを形成し、高精度かつ薄型精密な多層回路基板
を得る。 【構成】 導電性基板面又は導電回路面に金属酸化物光
半導体層を形成し、露光現像して局部的に金属導通部を
形成し、表面に金属層や金属回路を設け、金属導通部を
スルーホールとして機能させ、金属酸化物絶縁層を介在
させた両面回路基板を作成し、さらにその操作を反復す
ることにより多層回路基板を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は多層回路基板およびその
製造方法に係わり、さらに詳しくは光半導体層を多層構
造内に保有することを特徴とする多層回路基板およびそ
の簡便な製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電気回路を2層以上形成させた回路基板
の基本的な製造方法は、電気絶縁性基板の両面に金属等
の回路網をエッチングや印刷によって形成させ、絶縁性
基板に孔開け加工を行った後、孔部に金属の無電解メッ
キや導電性ペーストを詰め込むことによって、両面それ
ぞれ独立である回路間を電気的に導通させるスルーホー
ルを設けて両面回路基板を形成する方法が基本となって
いる。さらに3層化する場合には1回路面上に再び絶縁
層と第3の回路を形成させ、スルーホール加工して3層
基板を作成する。この操作を繰り返すことによって任意
の多層基板を得ることができる。
【0003】上記製造方法において、スルーホール加工
は一般に絶縁層が厚い場合(例えばガラスエポキシ基板
等)には機械的に搾孔(ドリル、打ち抜き等)し、薄い
場合には化学エッチング法等で絶縁層部を開孔させた
り、絶縁性感光性樹脂を利用して光学的に露光・現像し
て開孔部を形成させ、金属の無電解メッキその他で導電
性を与えてスルーホールとするのが普通である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】電子部品が微細化する
に従って、それを搭載する回路基板の回路網の微細化と
薄型化が要求されてきているが、その要求を満足させる
一つのポイントはスルーホールの形成方法にある。前記
の一般的スルーホール形成方法では回路網を微細化する
目的に対して限界がきている。
【0005】例えば、絶縁性基板の機械的搾孔では、ド
リルその他の加工治具の強度等を考慮すると、微細化に
当然限界があることや、搾孔位置の精度や孔側壁の状態
等も不満足となってくる。レーザ加工のような非機械的
加工でも本質的には同様である。
【0006】薄型基板に対して利用できるエッチング法
等では機械的加工よりも微細化が可能である等の利点が
あるが、何れの加工法においても開孔部を導通させる手
段として通常の金属無電解メッキ法が常用されている。
しかし導通化処理のための一連の処理が複雑であり、且
つ無電解メッキ液が不安定である等の製造管理面での問
題を抱えている。
【0007】これらの製造方法においては多層回路基板
の高精度・薄型精密化および製造コストの低下等に対す
る要求に答えることが困難となっているのが現状であ
る。
【0008】本発明は前記課題を解決し、高精度・薄型
精密な多層回路基板及びその製造方法を提供することを
目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の手段は次の通りである。
【0010】ある種の光半導体は露光部が電気抵抗を低
下させ、露光後も長時間その状態を維持し(露光効果あ
るいは光メモリ性)、非露光部は高い電気抵抗を保有し
抵抗体としての機能を十分果たすことが知られている。
しかし、低抵抗露光部の露光効果の持続性にも時間的・
熱的に元の高抵抗状態に復元する可逆性と低抵抗部の導
電性が金属その他の一般導電部材に比べてはるかに不良
である等の特徴がある。
【0011】しかし、後述する方法によって特定の光半
導体層露光部に永久的に低電気抵抗部が形成できること
を発見し、この方法を利用することによって容易かつ微
細回路に適応できるスルーホール形成が可能であること
が見出された。
【0012】光半導体のうちのN型光半導体である酸化
亜鉛、酸化チタン、硫化カドミウム等は露光後電気抵抗
低下現象が持続する露光効果(光メモリ効果)を持ち、
特に酸化亜鉛や酸化チタンはその持続性が長く安定的で
あることが知られている。さらに、これら金属酸化物光
半導体は露光部表面が還元性を示し(非露光部は酸化
性)、還元電位の低い金属塩溶液から金属を還元析出せ
しめたり、易還元性有機溶液(例えば染料のロイコ体溶
液)から有機物を還元析出させる機能を有する。さらに
これらの光半導体を陰極として易還元性物質を含む溶液
中で電気分解を行うと、より高い還元電位をもつ物質で
あっても容易に光半導体電極の露光部に還元析出する。
一般にはこの現象は光半導体露光部の表面現象として捉
えられ、電子写真法における電解現象法と言われる一つ
の画像形成方法として知られている。
【0013】さらにもし易還元物質が存在しない場合に
は金属酸化物光半導体が自己還元を起こし、表面に金属
を析出して黒化画像を形成する方法も提案されている。
【0014】本発明者等は特殊な現像条件下で十分な現
像を行うと一部の光半導体はさらに現像が進行し、その
金属酸化物の自己還元が光半導体の深部まで進行して最
後の層の反対面にまで達することを見いだした。即ち、
光半導体層の露光・現像処理によって高抵抗層である金
属酸化物層と永久的な低抵抗層である金属層とが形成で
きることを確認した。形成された金属層は酸化物層の露
光による電気抵抗の低下と異なり、金属自体の積層であ
るから著しく電気抵抗が低くなり、電気良導体の性質を
示す。
【0015】従って導電性基板面または導電回路面に金
属酸化物光半導体層を形成させ、露光現像して局部的に
金属導通部を形成させ、表面に金属層や金属回路を設け
るとスルーホールの役割を果たして酸化物絶縁層を介在
させた両面回路基板を作成することができる。さらにそ
の操作を反復すると多層回路基板が形成できる。
【0016】本発明によるスルーホール形成方法は露光
現像のみの簡便な操作により多層回路基板が形成できる
こと、露光現像のみで機械的やその他の孔開け加工が不
要のため光学レベルでの高解像性を与えることができる
こと、そのため極めて微細な回路を有する多層基板のス
ルーホールとして利用可能となり、初期の目的を容易に
達成できるものである。
【0017】次に本発明の方法を図に従って詳述する。
【0018】図1(a)に示すように電気絶縁性支持体
1上に形成された金属層を通常のリソグラフィーによっ
て回路エッチングするか導電性インキを印刷して第1層
の回路2を作成する。絶縁性支持体1はプラスチックフ
ィルム、絶縁処理紙、ガラスエポキシ等の複合基板その
他の一般の回路用基板等である。
【0019】次いで第1層回路2面上に光メモリ性金属
酸化物光半導体層3を形成する。使用し得る金属酸化物
は、例えば電子写真用酸化亜鉛微粉末で、絶縁性高分子
結合材中に適当な溶剤を用いて分散しペーストとして塗
布乾燥させたものである。高分子結合材としてはアルキ
ッド樹脂、スチレン−ブタジエン共重合樹脂、アクリル
系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂その他であり、
一般的にはスチレン−ブタジエン共重合樹脂やアクリル
系樹脂が使いやすい。塗布法はマイヤバー塗布、ローラ
ー塗布、スクリーン塗布等種々の方法があり目的に応じ
て適宜選択利用できる。膜厚は5ミクロン〜30ミクロ
ンで、好ましくは10〜20ミクロンである。なお、光
学増感も可能で、一般の染料増感剤(ローズベンガル、
ブロムフェノールブルー、パテントブルー等)が電子写
真法と同様な常法で使用でき、感光波長の制御も可能で
ある。
【0020】光半導体層の形成は暗所に保存し、予め作
成しておいたスルーホール用写真パターン4(フィルム
またはガラス乾板)を位置合わせして密着露光し、光半
導体層面にスルーホール潜像を形成させる。
【0021】露光後、炭酸ソーダアルカリ水溶液に若干
の界面活性剤を添加した液中に基板を入れて陰極とし、
対向電極として不溶性金属、例えば白金板を配置して5
〜15Vで数秒〜数十秒間の電気分解を行えば、酸化亜
鉛が還元されて黒色の亜鉛金属が現れる。亜鉛金属が黒
色であるのは微粒子状であること及び有機結合剤の影響
である。析出金属は図1(b)に示すように光半導体塗
布層を貫通し、亜鉛微粒子が積層してスルーホール5が
形成される。スルーホールは金属微粒子の積層なので、
電気良導部であり、非露光部は元のままに高抵抗部であ
る。
【0022】次いで、全面に金属膜例えばCu膜を真空
蒸着法や無電解メッキ法で必要な厚さに形成させ、フォ
トエッチング法で任意の回路6をエッチング形成させ
る。別法としては導電性インキを回路印刷してもよい。
この段階で回路2と6とはスルーホール5を通して導通
し、2層回路基板(図1(c))が得られたことにな
る。
【0023】第3層目の回路形成は2層目と同様で、2
層目回路面上に同じ光半導体層を塗布し、必要なスルー
ホールパターンを持つ写真パターンを用いて露光し、同
様に電解現像すれば図1(d)に示される第2のスルー
ホール8が得られ、さらにその面上に回路9を形成する
ことによって得られる。
【0024】形態上はこの段階で3層回路が完成する
が、回路外の酸化亜鉛層は露出しており、かつ外部光に
よって電気抵抗が低下する性質があるからこのままでは
回路基板としては不安定である。そのため、電気絶縁性
感光性樹脂に黒色顔料を分散させた後、バーコート等に
より塗布乾燥させ、3層目回路部以外の領域を露光し現
像乾燥して遮光膜10を形成することが望ましい。遮光
膜10は同様に電気絶縁性の黒色インキをスクリーン印
刷やその他の印刷法で形成させてもよい。
【0025】図2は遮光膜を予め作成しておき、その後
第2層回路を形成する方法を示したものである。
【0026】図2(a)では前述のように絶縁性基板1
上に作成された第1層回路2面に光半導体層3を形成さ
せ、次いでスルーホール部を除去した遮光性感光性樹脂
膜からなる電気絶縁性の遮光膜11を光学的に予め形成
し、それを用いて露光を行えば対応するスルーホール潜
像が得られる。前記同様に現像すれば金属亜鉛微粒子の
積層からなるスルーホール5が潜像部に形成される。さ
らに金属膜形成および回路エッチングまたは印刷等によ
り回路6を形成すれば、光半導体が完全に遮光された構
造の2層回路基板が完成する。
【0027】3層以上の多層回路基板もこの工程を繰り
返すことによって容易に得ることができる。
【0028】図2の遮光膜を先付けする方法では遮光膜
の電気絶縁性が有効に利用できるので、十分な絶縁膜で
あれば回路間の絶縁抵抗をより高くでき、半導体層のみ
の場合よりも信頼性の高い多層回路基板が得られる。
【0029】この場合には回路線間のより狭い微細回路
板も安定して得ることができる利点も生まれる。
【0030】さらに金属亜鉛微粒子からなるスルーホー
ルよりも高い導電性が必要な場合には、Cu,Ag,A
u等導電性良好な重金属が通常の置換メッキ法で亜鉛と
置換できるので、金属亜鉛の全部または一部をこれらの
重金属と置換してやればより低抵抗のスルーホールを得
ることができる。
【0031】本発明の技術を用いることにより従来の多
層回路基板製造技術では成しえなかった微細精密回路作
成と薄型化が可能となり、硬質のボード状回路板はもち
ろんのこと特に柔軟でフレキシブル回路板の多層化に有
効に利用できる。
【0032】
【作用】本発明は、導電性基板面または導電回路面に金
属酸化物光半導体層を形成させ、露光現像して局部的に
金属導通部を形成させ、表面に金属層や金属回路を設
け、金属導通部をスルーホールとして機能させ、金属酸
化物絶縁層を介在させた両面回路基板を作成することが
でき、さらにその操作を反復することにより、多層回路
基板が形成できるので、スルーホール形成方法は露光現
像のみであり、簡便な操作により多層回路基板が形成で
きること、露光現像のみで機械的やその他の孔開け加工
が不要のため光学レベルでの高解像性を与えることがで
きること、そのため極めて微細な回路を有する多層基板
のスルーホールとして利用可能となる。
【0033】また、本発明によれば、薄型高密度微細配
線が可能となるので、小型精密なカメラその他の電子光
学機器類や小型ラジオ、テレビ、ハンディーパソコン、
センサーデバイス類、各種精密電子機器類等における微
細回路基板に有効に適用できる。
【0034】また、液晶表示体用の多色カラーフィルタ
ーの電着製造法における電着基板の作成にも好適に利用
できる等の多くの利用法が存在する。
【0035】
【実施例】〔実施例1〕微細多層回路基板の製造テスト
として3層構成回路における配線線幅の可能性とスルー
ホールの導通効果を見た。テスト基板の構成パターンは
次の通りである。
【0036】 第1パターン配線線幅:70μm、線間隔:70μm、スル
ーホール径:50μm 第2パターン配線線幅:50μm、線間隔:50μm、スル
ーホール径:40μm 第3パターン配線線幅:30μm、線間隔:30μm、スル
ーホール径:20μm 各配線の線数:それぞれ15本、各配線の線長:約10
0mm 3種の配線ブロックを約100mm角の面内に配置(位
置合わせマークを含む)してある。
【0037】厚さ0.1mmのポリエステルフィルム面
に10μmの銅箔を接着したフレキシブル基板を用い、
銅箔全面にネガ型感光性樹脂(OMR:東京応化工業
(株)商品名)を1μmの厚さにスピンナーで塗布して
乾燥し、上記3種の配線パターン(スルーホールパター
ンを除いたもの)の写真原版を密着して露光し、指定処
方にしたがって現像・乾燥・熱処理を行った。次いで塩
化第3鉄水溶液でエッチングし水洗乾燥して第1層回路
を作成した。
【0038】次に、第1層回路面上に酸化亜鉛からなる
光半導体層を10μmの厚さに均一に塗布し乾燥・硬化
させて暗所に保存した。光半導体組成は次の通りで超音
波分散法でペースト化させた。
【0039】 (光半導体塗布液組成) 電子写真用酸化亜鉛微粉末 80g エポキシ樹脂(1液型) 20g 増感剤(ローズベンガル) 微量 溶剤 100ml この光半導体層面に上記スルーホールが光透過部で他の
部分が遮光部である写真パターンを密着し、100Wの
タングステン電球を用いて10秒間露光した。次いで下
記電解液中での電解現像を行った。
【0040】 (電解液) 炭酸ナトリウム 150g ドデシル硫酸ナトリウム 16g 水 10,000ml (電解条件) 対極 白金板 電極間距離 3cm 電解電圧 5V 電解温度 20℃ 電解時間 約10秒 以上の電解現像により露光部に酸化亜鉛が還元されてで
きた亜鉛金属層が形成され、第1、第2層間のスルーホ
ールが得られた。
【0041】次いで全面に約1μmの厚さにCuを蒸着
し、再び感光性樹脂OMRを塗布乾燥し、回路パターン
写真原版を密着露光し、現像・乾燥後エッチング処理し
た後残留感光性樹脂を指定溶剤で剥膜除去し第2層回路
を形成させた。
【0042】次に前記酸化亜鉛ペーストを10μmの厚
さに塗布乾燥し、スルーホールパターンを第1層回路と
位置合わせして(位置合わせマーク使用)同様に密着現
像して第2、第3層間のスルーホールを形成させた。
【0043】第3層回路は第2層回路作成と同じ方法で
形成させ、3層の多層回路基板を作成した。
【0044】第1層回路と第3層回路間の通電性を測定
したところ、十分実用に供せられる結果を得た。しかし
暗所では問題がなかったが室内光下では回路の線間隔が
小さい部分で電流のリークが認められた。これは室内光
下での酸化亜鉛層の光導電化によるものと考えられるの
で、露出している酸化亜鉛層部に遮光膜を塗布して遮光
し、回路間の電流リークのない多層回路板とした。遮光
膜形成には黒色または赤色に着色したOMRを2μmの
厚さに全面塗布した後、回路パターンの白黒を逆にした
写真原版を第3層回路部にOMRが付着しないように正
確に位置合わせして密着露光し、現像乾燥する方法を用
いた。また反対面の支持体ポリエステルフィルム面には
黒色塗装をして背面からの光の進入を防御した。
【0045】以上の結果信頼性ある多層回路基板を作成
することができた。
【0046】〔実施例2〕実施例1において、遮光性ポ
リエステルフィルム(黒色または赤色)を用いて同様に
3層回路板を作成した。
【0047】ただし、回路上に酸化亜鉛層を形成させた
後、直ちに遮光性感光性樹脂(前記OMR)を約2μm
の厚さに塗布して乾燥し、前記スルーホールパターンを
位置合わせして密着露光し現像・乾燥・熱処理してスル
ーホール部のみ酸化亜鉛を裸出させた。
【0048】次いで、形成されている感光性樹脂膜をマ
スクとして酸化亜鉛層に露光を与え、電解現像して金属
亜鉛積層部を形成させ、スルーホール部とした。
【0049】次に感光性樹脂膜を残したままその表面に
10μmの厚さにCu膜を形成させ、前記した方法で回
路エッチングを行って水洗乾燥した。即ち、回路はスル
ーホール部および感光性樹脂膜面に形成された構造であ
る。10μmのCu膜は通常の無電解法と電解法を併用
して形成させた。
【0050】 無電解Cuメッキ処方例 (センシタイザー) 塩化第1錫(SnCl2 ・2H2 O) 10〜40g/1 塩酸(HCl,35%) 10〜40m1/1 水 全量で1(1)とする 液温 25〜35℃ (アクチベータ) 塩化パラジウム(PdCl) 0.1〜0.3g/1 塩酸(HCl,35%) 1〜3 m1/1 水 全量で1(1)とする 液温 30〜40℃ (無電解Cuメッキ浴) 硫酸銅(CuSO4 ・5H2 O) 5g/1 ロッセル塩(KNaC4 4 6 ) 25g/1 ホルマリン(HCHO) 10g/1 苛性ソーダ(NaOH) 7g/1 水 全量で1(1)とする 液温 18〜22℃ (電解Cuメッキ浴) 硫酸銅(CuSO4 ・5H2 O) 240〜250g/1 硫酸(H2 SO4 ,比重1.83) 24〜75g/1 液温 20〜50℃ 電流密度 5〜40A/dm2 上記によってCu膜を形成した後、前例同様に感光性樹
脂を用いて回路パターンの露光・現像およびエッチング
を行い、残留レジストを除去して第2層回路を形成させ
た。
【0051】第3層目も全く同様に酸化亜鉛層を形成さ
せた後、遮光性レジストによるスルーホール形成処理と
Cu膜形成およびエッチング処理を行って3層の多層回
路基板を完成させた。
【0052】この基板では各層毎に遮光膜を形成してあ
り、回路のない空間部からの光も遮蔽してあるので、酸
化亜鉛層への光の影響もなく、また絶縁性遮光膜が積層
されているので、層間および回路間の電気絶縁性が高く
実施例1の製品に比べて高い信頼性を示した。
【0053】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、スルーホ
ール形成方法は露光現像のみであるので、簡便な操作に
より多層回路基板が形成でき、また露光現像のみで機械
的やその他の孔開け加工が不要のため光学レベルでの高
解像性を与えることができるので極めて微細な回路を有
する多層基板のスルーホールとして利用可能となり、高
精度かつ薄型精密な多層回路基板を得ることが可能とな
る。
【0054】また、本発明によれば、薄型高密度微細配
線が可能となるので、小型精密なカメラその他の電子光
学機器類や小型ラジオ、テレビ、ハンディーパソコン、
センサーデバイス類、各種精密電子機器類等における微
細回路基板に有効に適用でき、また、液晶表示体用の多
色カラーフィルターの電着製造法における電着基板の作
成にも好適に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の多層回路基板作成方法の一実施例を
示す図である。
【図2】 本発明の多層回路基板作成方法の他の実施例
を示す図である。
【符号の説明】
1…絶縁性支持体、2…第1層回路、3,7…光メモリ
性金属酸化物光半導体層、4…スルーホール用写真パタ
ーン、5,8…スルーホール、6…第2層回路、9…第
3層回路、10…遮光膜。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スルーホールにより立体的に回路が形成
    された多層回路基板において、絶縁性支持体面に形成さ
    れた回路パターン上に、選択的還元による金属導通路か
    らなるスルーホールが形成された金属酸化物光半導体
    層、回路パターンが順次形成された構造を1構成単位と
    し、該構成単位が少なくとも1層以上順次積層されてい
    ることを特徴とする多層回路基板。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板において、さらに多
    層回路基板の外部表面に遮光層を設けたことを特徴とす
    る多層回路基板。
  3. 【請求項3】 スルーホールにより立体的に回路が形成
    された多層回路基板において、絶縁性支持体面に形成さ
    れた回路パターン上に、選択的還元による金属導通路か
    らなるスルーホールが形成された金属酸化物光半導体
    層、スルーホール部が除去された電気絶縁性樹脂層、回
    路パターンが順次形成された構造を1構成単位とし、該
    構成単位が少なくとも1層以上順次積層されていること
    を特徴とする多層回路基板。
  4. 【請求項4】 請求項3記載の基板において、電気絶縁
    性樹脂層は光半導体の感光波長に対して遮光性であるよ
    うに着色されていることを特徴とする多層回路基板。
  5. 【請求項5】 金属酸化物光半導体層は、電気絶縁性樹
    脂を結合材とした酸化亜鉛層であることを特徴とする請
    求項1または3記載の多層回路基板。
  6. 【請求項6】 スルーホールにより立体的に回路が形成
    された多層回路基板の製造方法において、回路パターン
    が形成された支持体面上に電気絶縁性樹脂を結合材とし
    た金属酸化物光半導体層を形成する工程、フォトリソグ
    ラフィー法によりスルーホール形成部の金属酸化物光半
    導体層に露光を与える工程、アルカリ性溶液中において
    回路パターン形成支持体を陰極とし、対向電極を配置し
    て通電することによって金属酸化物光半導体層の露光部
    の金属酸化物を選択的に還元して導電部となしスルーホ
    ールを形成する工程、全面に金属層を形成する工程、お
    よび金属層をエッチング処理して回路パターンを形成す
    る工程を1製造工程単位とし、該製造工程単位を反復す
    ることによって任意の多層回路基板を製造することを特
    徴とする多層回路基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の方法において、さらに、
    外部表面に遮光層を設ける工程を含むことを特徴とする
    多層回路基板の製造方法。
  8. 【請求項8】 スルーホールにより立体的に回路が形成
    された多層回路基板の製造方法において、回路パターン
    が形成された支持体面上に電気絶縁性樹脂を結合材とし
    た金属酸化物光半導体層を形成する工程、絶縁性感光性
    樹脂を塗布乾燥させる工程、フォトリソグラフィー法に
    よりスルーホール形成部の絶縁性感光性樹脂を現像除去
    する工程、スルーホール形成部の金属酸化物光半導体層
    に露光を与える工程、アルカリ性溶液中において回路パ
    ターン形成支持体を陰極とし、対向電極を配置して通電
    することによって金属酸化物光半導体層の露光部の金属
    酸化物を選択的に還元して導電部となしスルーホールを
    形成する工程、全面に金属層を形成する工程、および金
    属層をエッチング処理して回路パターンを形成する工程
    を1製造工程単位とし、該製造工程単位を反復すること
    によって任意の多層回路基板を製造することを特徴とす
    る多層回路基板の製造方法。
  9. 【請求項9】 請求項8記載の方法において、絶縁性感
    光性樹脂に代えて絶縁性インキを用いてスルーホール形
    成部以外に絶縁性塗膜を形成し、スルーホール形成部に
    露光することを特徴とする多層回路基板の製造方法。
  10. 【請求項10】 請求項8または9記載の絶縁性感光性
    樹脂が光半導体の感光波長に対して遮光性であるように
    着色されていることを特徴とする多層回路基板の製造方
    法。
  11. 【請求項11】 請求項6または8記載の方法におい
    て、金属酸化物光半導体層は、電気絶縁性樹脂を結合材
    とした酸化亜鉛層であることを特徴とする多層回路基板
    の製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項6または8記載の方法におい
    て、選択的還元により形成された導電部の金属の一部ま
    たは全部を化学的に重金属置換し、重金属スルーホール
    とする工程を含むことを特徴とする多層回路基板の製造
    方法。
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