JPH0515425U - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

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JPH0515425U
JPH0515425U JP6054891U JP6054891U JPH0515425U JP H0515425 U JPH0515425 U JP H0515425U JP 6054891 U JP6054891 U JP 6054891U JP 6054891 U JP6054891 U JP 6054891U JP H0515425 U JPH0515425 U JP H0515425U
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JP
Japan
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heater block
lead
wire bonding
slide member
bent portion
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Pending
Application number
JP6054891U
Other languages
English (en)
Inventor
良典 平沢
Original Assignee
関西日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 関西日本電気株式会社 filed Critical 関西日本電気株式会社
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Publication of JPH0515425U publication Critical patent/JPH0515425U/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤボンディング時のボンディング性のバ
ラツキをなくし、製品の信頼性を向上させると共に機構
の簡素化を達成できるワイヤボンディング装置を提供す
る。 【構成】 ヒータブロック(1)は、段違い部(2)付
近に溝(3)を有する。この溝(3)の内部には、溝
(3)内を水平方向にスライド移動自在のスライド部材
(7)を配置する。このスライド部材(7)には、真ん
中のリード(4a)に形成された屈曲部(5)を収納する
ための切欠き凹部(6)を形成する。この時、屈曲部
(5)は、スライド部材(7)の移動に伴って切欠き凹
部(6)の内部及び外部に位置することができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、ワイヤボンディング装置の改良に関し、詳しくは、ボンディング時 のリードフレームの加熱作業を円滑に行なって、ボンディング性を向上させるワ イヤボンディング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置、例えばパワートランジスタは、図3に示す構成からなる。同図に おいて、(9)はリードフレームで、略矩形状の放熱基板(10)と放熱基板(10 )の一端縁から延在する3本1組のリード(4a)(4b)(4b)とで1ユニットを 構成し、ダイバ(12)で複数のユニットを一体に結合している。真ん中のリード (4a)の基端部は屈曲形成して放熱基板(10)と段違い状に結合し、両側のリー ド(4b)(4b)の一端部は、放熱基板の一端部上方まで延在させて放熱基板(10 )と離隔して配置する。(8)は放熱基板(10)上にマウントされた半導体ペレ ット、(11)は、リード(4a)(4b)の一端部と半導体ペレット(8)間にボン ディングされたAu等からなる金属細線を示す。
【0003】 上記半導体装置において、リード(4a)(4b)と半導体ペレット(8)の金属 細線(11)による電気的接続は以下の手順で行なう。先ず、図4(a)に示すよ うに、半導体ペレット(8)をマウントしたリードフレーム(9)をヒータブロ ック(1)上に載置する。このヒータブロック(1)は、図3に示すように、段 違い部(2)に切欠き凹部(6)が形成された断面階段状のもので、真ん中のリ ード(4a)の屈曲部(5)は、この切欠き凹部(6)内に収納する。続いて、第 4図(b)に示すように、リードフレーム(9)をヒータブロック(1)で加熱 し、所定温度に達したところで金属細線(11)を超音波振動させて各リード(4a )(4b)と半導体ペレット(8)の電気的接続を行なう。次に、同図(c)に示 すように、リードフレーム(9)を上昇させた後、図面右方向にスライド移動さ せて、屈曲部(5)を切欠き凹部(6)の外部に位置させる。この後、リードフ レーム(9)を紙面垂直方向に所定ピッチ間欠移送して新たなリードフレームを 所定のボンディング位置に搬送する。搬送後、リードフレーム(9)を下降させ 、さらに図面左方向にスライド移動させて屈曲部(5)が切欠き凹部(6)の内 部に位置するようにし、以下同様の工程を繰り返す。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
上述のように、従来のワイヤボンディング装置では、屈曲部(5)のヒータブ ロック(1)への衝突・干渉を防止するため、リードフレーム(9)を上下方向 に移動させている。そして、上下方向に移動することにより、リードフレーム( 9)は、下降位置で加熱され、上昇動作中に冷却される。このように加熱・冷却 が繰り返された場合、一定の生産性を維持するためには、ヒータブロックによる 加熱温度を高くして加熱時間を短くする必要がある。しかし、短時間の加熱作業 では、リードフレームとヒータブロックとの間の接触状態の若干の差異で、加熱 後のリードフレームの温度に大きなバラツキが生じ、このことからボンディング 性にバラツキが生じてしまう。また、リード側と半導体ペレット側の厚さ及び材 質の差異から、加熱後にはリード側の方が半導体ペレット側より高温になり、こ のことからもボンディング性にバラツキが生じてしまう。
【0005】 さらに、上述のように、加熱温度を高めに設定することにより、より高温にな るリード側に酸化被膜が形成されやすくなり、この結果、ボンディング性にバラ ツキが生じてしまう。
【0006】 このように、従来のワイヤボンディング装置では、ボンディング性にバラツキ が生じるため、金属細線とリード及び半導体ペレットとの接続強度にもバラツキ が生じ、結果的に製品の信頼性が低下していた。
【0007】 また、リードフレームを上下左右の2方向に移動させなければならないため、 この移動機構が複雑になっていた。
【0008】 上記問題点に鑑み、本考案は、ワイヤボンディング時のボンディング性のバラ ツキをなくし、製品の信頼性を向上させると共に機構の簡素化を達成できるワイ ヤボンディング装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決するため、本考案は、放熱基板の一端部から段違い状に屈曲し て延びるリードを含むリード群を、切欠き凹部を設けたヒータブロック上に、上 記リードの屈曲部を上記切欠き凹部内に収納して載置し、上記放熱基板上にマウ ントした半導体ペレットと上記リード群とを上記ヒータブロックで加熱しながら 金属細線で電気的に接続するものであって、
【0010】 上記ヒータブロックの少なくとも切欠き凹部周辺部位を、上記リードの延びる 方向に移動自在に構成する。
【0011】
【作用】
上記構成において、ヒータブロックの少なくとも切欠き凹部周辺部位を、リー ドの延びる方向に移動自在に構成することにより、リードの屈曲部は、切欠き凹 部内の内部及び外部に位置することができ、このことから、屈曲部のヒータブロ ックへの衝突・干渉の防止が可能になる。また、放熱基板及びリード群はヒータ ブロックと常時接触するので各場所の加熱が十分に行なえる。従って、加熱後の 温度が放熱基板及びリード群で一定になり、このことから各ボンディング箇所で のボンディング性が安定する。この時、リードフレームは、リードの延びる方向 の一方向にのみ移動させるだけでよい。
【0012】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図1及び図2を参照しながら説明する。尚、本実施例 では、従来部材と同一部材には同一参照番号を付してその説明を省略する。
【0013】 図1は、半導体装置、例えばパワートランジスタを、本考案に係わるワイヤボ ンディング装置のヒータブロック(1)上に配置した状態を示す。上記ヒータブ ロック(1)は、段違い部(2)付近に溝(3)を凹設し、この溝(3)の内部 に、真ん中のリード(4a)の屈曲部(5)を収納する切欠き凹部(6)を設けた スライド部材(7)を配設して構成する。この時、スライド部材(7)は、溝( 3)内を水平方向にスライド移動自在であり、且つ、スライド部材(7)の移動 に伴って屈曲部(5)が切欠き凹部(6)内部及び外部に位置する。また、ヒー タブロック(1)とスライド部材(7)の上端面は同一平面上にある。
【0014】 以下、上記構成からなるヒータブロック(1)を使用してのワイヤボンディン グ工程を図2(a)(b)を参照しながら説明する。
【0015】 先ず、図2(a)に示すように、屈曲部(5)が切欠き凹部(6)の内部に位 置した状態でリード(4a)(4b)と半導体ペレット(8)のワイヤボンディング を行なう。続いて、同図(b)に示すように、スライド部材(7)を図面左方向 に移動させて屈曲部(5)を切欠き凹部(6)の外部に位置させる。この後、ボ ンディングの完了したリードフレーム(9)を紙面垂直方向に移送し、新たなリ ードフレーム(9a)を所定のボンディング位置に搬送する。この後、スライド部 材(7)を図面右方向に移動させて屈曲部(5)を切欠き凹部(6)の内部に位 置させ、以下同様の作業を繰り返す。尚、上記工程においては、ヒータブロック (1)及びスライド部材(7)は、常時リードフレーム(9)(9a)の加熱を行 なっている。
【0016】 このように、切欠き凹部(6)を設けたスライド部材(7)を、ヒータブロッ ク(1)に形成した溝(3)内で水平方向にスライド移動させることにより、リ ードフレーム(9)は、ヒータブロック(1)及びスライド部材(7)に常時加 熱される。従って、放熱基板(10)及びリード(4a)(4b)が十分に加熱される ことから、ボンディング時の両部材(10)(4a)(4b)の温度が安定し、このこ とから両部材(10)(4a)(4b)におけるのボンディング性も安定する。また、 リード(4a)の屈曲部(5)も、切欠き凹部(6)の内部及び外部の何れにも位 置することができるので、リードフレーム(9)の搬送も円滑に行なえる。さら に、ヒータブロック(1)は左右の一方向のみに移動させればよいので移動機構 (図示省略)の簡素化も達成できる。
【0017】 尚、上述のように、ヒータブロック(1)の切欠き凹部(6)の周辺部位のみ をスライド移動自在に構成するだけでなく、ヒータブロック(1)の全体をスラ イド移動自在に構成しても同様の効果が得られる。また、ヒータブロック(1) を段違い部(2)で垂直方向に2分割し、リード(4a)(4b)の下方に位置する ヒータブロックのみをスライド移動させてもよい。
【0018】
【考案の効果】
本考案によれば、リード群及び放熱基板の何れも安定して加熱することができ るので、両部材のボンディング性を安定させることができる。従って、金属細線 と両部材の接続強度が安定し、結果的にパワートランジスタ等の半導体装置の信 頼性が向上する。また、ワイヤボンディング装置の機構の簡素化も達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係わるワイヤボンディング装置を示す
一部断面斜視図である。
【図2】本考案に係わるワイヤボンディング装置を使用
しての半導体装置の製造工程を示す断面図であり、
(a)はワイヤボンディング完了後を示し、(b)はス
ライド部材の左方向への移動後の状態を示す。
【図3】a図は従来のワイヤボンディング装置を示す一
部断面斜視図であり、b図はa図のA−A線での断面図
である。
【図4】従来のワイヤボンディング装置を使用しての半
導体装置の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1 ヒータブロック 4a・4b リード 5 屈曲部 6 切欠き凹部 7 スライド部材 8 半導体ペレット

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱基板の一端部から段違い状に屈曲し
    て延びるリードを含むリード群を、切欠き凹部を設けた
    ヒータブロック上に、上記リードの屈曲部を上記切欠き
    凹部内に収納して載置し、上記放熱基板上にマウントし
    た半導体ペレットと上記リード群とを上記ヒータブロッ
    クで加熱しながら金属細線で電気的に接続するものであ
    って、 上記ヒータブロックの少なくとも切欠き凹部周辺部位
    を、上記リードの延びる方向に移動自在に構成したこと
    を特徴とするワイヤボンディング装置。
JP6054891U 1991-07-31 1991-07-31 ワイヤボンデイング装置 Pending JPH0515425U (ja)

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JP6054891U JPH0515425U (ja) 1991-07-31 1991-07-31 ワイヤボンデイング装置

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JP6054891U JPH0515425U (ja) 1991-07-31 1991-07-31 ワイヤボンデイング装置

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JPH0515425U true JPH0515425U (ja) 1993-02-26

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ID=13145455

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JP6054891U Pending JPH0515425U (ja) 1991-07-31 1991-07-31 ワイヤボンデイング装置

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