JPH05150450A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

ポジ型レジスト組成物

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JPH05150450A
JPH05150450A JP31650191A JP31650191A JPH05150450A JP H05150450 A JPH05150450 A JP H05150450A JP 31650191 A JP31650191 A JP 31650191A JP 31650191 A JP31650191 A JP 31650191A JP H05150450 A JPH05150450 A JP H05150450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
resist composition
positive resist
alkyl
Prior art date
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Pending
Application number
JP31650191A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Takagaki
宏 高垣
Ko Tachikawa
香 舘川
Ayako Ida
綾子 井田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co Ltd filed Critical Sumitomo Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 γ値、プロファイル及び塗布性等の諸性能に
優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 【構成】 ピルビン酸アルキルエステル並びに(a)γ
−ブチロラクトン、(b)乳酸エチル及び(c)γ−ブ
チロラクトン/乳酸エチル混合溶媒の中のいずれか1種
を含む溶媒系と、キノンジアジド系化合物と、アルカリ
可溶性樹脂とを含有してなるポジ型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はキノンジアジド系化合
物、アルカリ可溶性樹脂及び特定の溶媒系を含むポジ型
レジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】キノンジアジド系化合物及びアルカリ可
溶性樹脂を含むポジ型レジストは集積回路の製作に利用
されている。近年、集積回路については高集積化に伴う
微細化が進み、サブミクロンのパターン形成が要求され
ている。そして、ポジ型レジスト組成物についてはより
優れた解像度、γ値、プロファイル、塗布性及び露光マ
ージン、焦点深度等のプロセス上の各種マージンが要求
されている。従来、レジスト用溶媒としてはセロソルブ
系溶媒が一般に用いられてきた。しかし、人体に対する
衛生上の問題から、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、シクロヘキサノン、乳酸エチル等の
溶媒が代替品として提示されている。しかしながら、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シ
クロヘキサノン等を用いるとレジストの耐熱性が低下す
る。一方、粘度が高い乳酸エチルを用いると、ストリエ
ーションが大きくなったり或いはウェハーの端まで塗布
できないといったような塗布性に関する問題がおこる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明はγ値、プロフ
ァイル、塗布性等の諸性能に優れたポジ型レジスト組成
物を提供する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、ピルビン酸ア
ルキルエステル並びに、(a)γ−ブチロラクトン、
(b)乳酸エチル及び(c)γ−ブチロラクトン/乳酸
エチル混合溶媒の中のいずれか一種を含む溶媒系と、キ
ノンジアジド系化合物と、アルカリ可溶性樹脂とを含有
してなるポジ型レジスト組成物である。キノンジアジド
系化合物としては特に限定されないが、例えば後述する
水酸基を有する化合物と、1,2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸、1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸又は1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸等のキノンジアジドスルホン酸類とのエス
テルが挙げられる。好ましくは、下記一般式(I)
【0005】
【化2】
【0006】(式中、Y1 ' びY2 ' は少なくとも一方が
水酸基であり、且つ、Z1 ' 、Z2 ' 、Z3 ' 、Z4 ' 、Z
5 ' 、Z6 ' 及びZ7 ' はこれらの中、少なくとも2つが
水酸基であるという条件付きで、Y1 ' 、Y2 '
1 ' 、Z2 ' 、Z3 ' 、Z4 ' 、Z5 ' 、Z6 ' 及びZ7 '
は各々水素原子、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基
を表わし、R1 ' 、R2 ' 、R3 ' 、R4 ' 、R5 ' 及びR6
' は各々独立して水素原子、炭素数1〜10のアルキル
基、炭素数2〜4のアルケニル基、炭素数5〜8のシク
ロアルキル基又はアリール基を表わす。)で示される化
合物又は下記一般式(II)
【0007】
【化3】
【0008】(式中、Y1 及びY2 は少なくとも一方が
水酸基であるという条件付きで、各々水素原子、水酸基
又は炭素数1〜4のアルキル基を表わし、Z1 、Z2
3 、Z4 、Z5 、Z6 及びZ7 はこれらの中、少なく
とも2つが水酸基であるという条件付きで、各々水素原
子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル
基、炭素数5〜8のシクロアルキル基又はアリール基を
表わし、R1 、R2 、R3 、R4 及びR5 は、R4 及び
5 のどちらか一方が炭素数1〜10のアルキル基、炭素
数2〜4のアルケニル基、シクロヘキシル基又はアリー
ル基であるという条件付きで、各々水素原子、炭素数1
〜10のアルキル基、炭素数2〜4のアルケニル基、シク
ロヘキシル基又はアリール基を表わす。)で示されるオ
キシフラバン類と、上記キノンジアジドスルホン酸類と
のエステルが挙げられる。
【0009】キノンジアジド系化合物は公知の方法、例
えばキノンジアジドスルホン酸類と、水酸基を有する化
合物とを、弱アルカリの存在下に縮合することにより製
造することができる。
【0010】水酸基を有する化合物としては、例えばハ
イドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、2,4−
ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,3−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,2’,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,2’,5−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,3’−トリヒドロキシベンゾフェノン、
2,3,4’−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,
3’,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,3’,
5−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,4’−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、2,4’,5−トリヒド
ロキシベンゾフェノン、2’,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン、3,3’,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン、3,4,4’−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン等のトリヒドロキシベンゾフェノン類、2,3,
3’,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,
2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
2,2’,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
2,2’,3,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,2’,5,5’−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3’,4’,5−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,3’,5,5’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン等のテトラヒドロキシベンゾフェノン類、2,
2’,3,4,4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,2’,3,4,5’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,2’,3,3’,4−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,3,3’,4,5’−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン等のペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン類、2,3,3’,4,4’,5’−ヘキサヒドロ
キシベンゾフェノン、2,2’,3,3’,4,5’−
ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン類、没食子酸アルキルエステル、一般式
(I)で示される化合物、一般式(II)で示されるオ
キシフラバン類、並びに特開平2−269351号に記
載の下記一般式(III)
【0011】
【化4】
【0012】(式中、Y1 、Y2 、Y3 、Y4 は各々水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基又は水酸基を表わ
し、且つ少なくとも1つは水酸基である。Z1 、Z2
3 、Z 4 、Z5 、Z6 は各々水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アリール基又は水酸基を表わし、且つ
少なくとも1つは水酸基である。Xは−C(R1
(R2)−を表わし、R1及びR2は各々水素原子、アル
キル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ
基又はアリール基を表わす。但し、R1及びR2の一方又
は双方が水素原子である場合は、Xに対してオルソ位の
水酸基に対してさらにオルソ位がアルキル基又はアリー
ル基である。)で示される化合物が例示される。
【0013】アルカリ可溶性樹脂としては、例えばポリ
ビニルフェノール、ノボラック樹脂等が挙げられる。ノ
ボラック樹脂としては、例えばフェノール、o−クレゾ
ール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,5−キシ
レノール、3,5−キシレノール、3,4−キシレノー
ル、2,3,5−トリメチルフェノール、4−t−ブチ
ルフェノール、2−t−ブチルフェノール、3−t−ブ
チルフェノール、3−エチルフェノール、2−エチルフ
ェノール、4−エチルフェノール、3−メチル−6−t
−ブチルフェノール、4−メチル−2−t−ブチルフェ
ノール、2−ナフトール、1,3−ジヒドロキシナフタ
レン、1,7−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒ
ドロキシナフタレン等のフェノール類を単独又は2種以
上組合せて、例えばホルムアルデヒド、アセトアルデヒ
ド等の脂肪族アルデヒド類又はベンズアルデヒド、o
−、m−もしくはp−ヒドロキシベンズアルデヒド、o
−もしくはp−メチルベンズアルデヒド等の芳香族アル
デヒド類と、常法により縮合させた樹脂が挙げられる。
通常、アルカリ可溶性樹脂は上記縮合後、分別等の操作
が加えられる。アルカリ可溶性樹脂はそのGPCパター
ン(検出器UV254 nm使用)におけるポリスチレン換
算分子量で900 以下の範囲の面積比が全パターン面積に
対して25%以下であるものが好ましい。より好ましくは
上記条件を満たし、且つ6000以下の範囲の面積比が全パ
ターン面積に対して40%以上65%以下の樹脂である。特
に好ましくは6000以下の範囲の面積比が全パターン面積
に対して50%以上65%以下の樹脂である。
【0014】キノンジアジド系化合物とアルカリ可溶性
樹脂との重量比は好ましくは1:1乃至1:7の範囲で
ある。
【0015】ピルビン酸アルキルエステルとして好まし
くは、炭素数1乃至5のアルキルエステルが挙げられ
る。(a)γ−ブチロラクトン、(b)乳酸エチル及び
(c)γ−ブチロラクトン/乳酸エチル混合溶媒の中の
いずれか一種と、ピルビン酸アルキルエステルとの重量
比は好ましくは70:30乃至1:99であり、特に好
ましくは50:50乃至5:95である。ピルビン酸ア
ルキルエステルの比率が小さいと塗布性に問題が生じ、
逆にピルビン酸アルキルエステルの比率が大きいとγ値
及びプロファイルの向上効果が小さくなる。本発明の溶
媒系の中、ピルビン酸アルキルエステルとγ−ブチロラ
クトンとの組合せ、及びピルビン酸アルキルエステルと
γ−ブチロラクトン/乳酸エチル混合溶媒との組合せが
好ましい。
【0016】本発明の溶媒系の使用量は、ウェハー上に
均質で、ピンホール及び塗りむらのない塗布膜ができる
塗布が可能であればよく、特に制限はない。しかし、レ
ジスト組成物中、通常キノンジアジド系化合物とアルカ
リ可溶性樹脂との合計が3〜50重量%の範囲となる濃
度が好ましい。
【0017】本発明のレジスト組成物は、本発明の効果
を損なわない限りにおいて、例えば酢酸n−ブチル、ト
ルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン、メチルエ
チルケトン、アセトン、3−メトキシブタノール、酢酸
3−メトキシブチル、3−オクタノン、シクロヘキサノ
ン、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト等の他の溶媒を含有していてもよい。又、本発明のレ
ジスト組成物には、例えば増感剤、他の添加樹脂、界面
活性剤、安定剤或いは形成像を一層可視的にするための
染料、その他通常、当該技術分野で慣用されている各種
の添加剤を添加することができる。
【0018】
【発明の効果】本発明のポジ型レジスト組成物はγ値、
プロファイル、塗布性等の諸性能に優れている。
【0019】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
【0020】実施例及び比較例 ノボラック樹脂とキノンジアジド系化合物を下表に示す
組成で、溶媒47.5重量部に溶解した。調合したこの
溶液を0.2μmのテフロン製フィルターでろ過してレ
ジスト液を調製した。これを常法により洗浄したシリコ
ンウェハーに回転塗布機を用いて1.1μm厚に塗布し
た。次いでこのシリコンウェハーを90℃のホットプレ
ートで60秒間ベークした。次にこのウェハーに365 nm
(i線)の露光波長を有する縮小投影露光機(ニコン社
製NSR−1755i7A NA=0.50)を用いて露光量
を段階的に変化させて露光した。このウェハーを110 ℃
のホットプレートで60秒間露光後ベーク(PEB)を行
い、これを住友化学工業(株)製現像液SOPDで1分
間現像することによりポジ型パターンを得た。
【0021】解像度は0.5μmラインアンドスペース
パターンが1:1になる露光量で、膜減りなく分離する
ラインアンドスペースパターンの寸法をSEM(走査型
電子顕微鏡)で評価した。プロファイルはこの露光量
で、0.5μmラインアンドスペースパターンの断面形
状をSEMで観察した。γ値及び感度(Eth)は各
々、露光量の対数に対する規格化膜厚(=残膜厚/初期
膜厚)をプロットし、その傾きθを求め、tan θをγ値
とし、規格化膜厚が0となる露光量を感度(Eth)と
した。塗布性については、膜厚が2μmのときの膜の不
均一さを評価した。○は良好、×は不良を示す。パター
ンの変形についてはSEMで観察した。
【0022】
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】1) ノボラック樹脂 m−クレゾール/p−クレゾール=5/5の仕込みモル
比でホルマリンと反応させることにより得られた重量平
均分子量4400(ポリスチレン換算)のノボラック樹脂を
分別して得た、重量平均分子量8000(ポリスチレン換
算)のノボラック樹脂(但し、ポリスチレン換算分子量
900 以下のGPC面積百分率値は15%)。 2) 添加剤 下式で示される化合物。
【0025】
【化5】
【0026】3) キノンジアジド系化合物 ナフトキノン−(1,2)−ジアジド−(2)−5−ス
ルホン酸クロリドと下式化合物との縮合反応生成物。
(反応モル比1:2.8 )
【0027】
【化6】

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ピルビン酸アルキルエステル並びに、
    (a)γ−ブチロラクトン、(b)乳酸エチル及び
    (c)γ−ブチロラクトン/乳酸エチル混合溶媒の中の
    いずれか一種を含む溶媒系と、キノンジアジド系化合物
    と、アルカリ可溶性樹脂とを含有してなるポジ型レジス
    ト組成物。
  2. 【請求項2】ピルビン酸アルキルエステルと、(a)乃
    至(c)の溶媒の中のいずれか一種との重量比が30:70
    乃至99:1の範囲である請求項1に記載のポジ型レジス
    ト組成物。
  3. 【請求項3】キノンジアジド系化合物が下記一般式(I
    I) 【化1】 (式中、Y1 及びY2 は少なくとも一方が水酸基である
    という条件付きで、各々水素原子、水酸基又は炭素数1
    〜4のアルキル基を表わし、Z1 、Z2 、Z3 、Z4
    5 、Z6 及びZ7 はこれらの中、少なくとも2つが水
    酸基であるという条件付きで、各々水素原子、ハロゲン
    原子、水酸基、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数5〜
    8のシクロアルキル基又はアリール基を表わし、R1
    2 、R3 、R4 及びR5 は、R4 及びR5 のどちらか
    一方が炭素数1〜10のアルキル基、炭素数2〜4のアル
    ケニル基、シクロヘキシル基又はアリール基であるとい
    う条件付きで、各々水素原子、炭素数1〜10のアルキル
    基、炭素数2〜4のアルケニル基、シクロヘキシル基又
    はアリール基を表わす。)で示されるオキシフラバン類
    のキノンジアジドスルホン酸エステルである請求項1又
    は2に記載のポジ型レジスト組成物。
JP31650191A 1991-11-29 1991-11-29 ポジ型レジスト組成物 Pending JPH05150450A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849457A (en) * 1995-05-09 1998-12-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Positive-working quinonediazide sulfonic acid ester resist composition utilizing solvent system including 2-heptanone, ethyl lactate, and γ-

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849457A (en) * 1995-05-09 1998-12-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Positive-working quinonediazide sulfonic acid ester resist composition utilizing solvent system including 2-heptanone, ethyl lactate, and γ-

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