JPH05150001A - 半導体デバイスの搬送装置 - Google Patents
半導体デバイスの搬送装置Info
- Publication number
- JPH05150001A JPH05150001A JP11649391A JP11649391A JPH05150001A JP H05150001 A JPH05150001 A JP H05150001A JP 11649391 A JP11649391 A JP 11649391A JP 11649391 A JP11649391 A JP 11649391A JP H05150001 A JPH05150001 A JP H05150001A
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- Japan
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- semiconductor device
- temperature
- holding
- holding part
- rubber heater
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に較べて搬送中における被測定半導体デ
バイスの温度変化を抑制することができ、正確に温度設
定した状態で検査を実施することのできる半導体デバイ
スの搬送装置を提供する。 【構成】 保持部１には、円板状に構成された保持部本
体１０が設けられており、この保持部本体１０には、周
囲に形成されたねじ１１によって吸着部１２が着脱自在
に保持されている。吸着部１２の下面には半導体デバイ
ス２を吸着保持する円形の吸着面１３が形成されてい
る。保持部本体１０の下面には円形の凹陥部１５が形成
されており、ここに円板状に形成されたラバーヒータ１
６が配置されている。ラバーヒータ１６には、温度セン
サ１７が設けられている。
バイスの温度変化を抑制することができ、正確に温度設
定した状態で検査を実施することのできる半導体デバイ
スの搬送装置を提供する。 【構成】 保持部１には、円板状に構成された保持部本
体１０が設けられており、この保持部本体１０には、周
囲に形成されたねじ１１によって吸着部１２が着脱自在
に保持されている。吸着部１２の下面には半導体デバイ
ス２を吸着保持する円形の吸着面１３が形成されてい
る。保持部本体１０の下面には円形の凹陥部１５が形成
されており、ここに円板状に形成されたラバーヒータ１
６が配置されている。ラバーヒータ１６には、温度セン
サ１７が設けられている。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの搬送
装置に関する。
装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程で
は、パッケージ済の完成品の半導体デバイスの電気的特
性の検査が行われているが、一般に、半導体デバイスの
パッケージは多種多用にわたるため、このような検査に
は、夫々のパッケージの種類に合せた専用検査装置（Ｉ
Ｃハンドラ）が用いられていた。ところが、近年半導体
デバイスは、多品種少量生産化される傾向にある。この
ため、半導体デバイスとの電気的コンタクトを得るため
の電気的接続部（コンタクタ）のユニット等を交換する
ことで、1 台で多くの形状の半導体デバイスの測定が可
能ないわゆるユニバーサルハンドラが開発されている。
は、パッケージ済の完成品の半導体デバイスの電気的特
性の検査が行われているが、一般に、半導体デバイスの
パッケージは多種多用にわたるため、このような検査に
は、夫々のパッケージの種類に合せた専用検査装置（Ｉ
Ｃハンドラ）が用いられていた。ところが、近年半導体
デバイスは、多品種少量生産化される傾向にある。この
ため、半導体デバイスとの電気的コンタクトを得るため
の電気的接続部（コンタクタ）のユニット等を交換する
ことで、1 台で多くの形状の半導体デバイスの測定が可
能ないわゆるユニバーサルハンドラが開発されている。
【０００４】このようなユニバーサルハンドラでは、例
えばトレー中等に配置され、待機位置に設けられた半導
体デバイスを、搬送装置により測定部に搬送し、この測
定部で半導体デバイスのリードにコンタクタを接触させ
て電気的な導通を得、テスタ等によって電気的特性を測
定するよう構成されている。
えばトレー中等に配置され、待機位置に設けられた半導
体デバイスを、搬送装置により測定部に搬送し、この測
定部で半導体デバイスのリードにコンタクタを接触させ
て電気的な導通を得、テスタ等によって電気的特性を測
定するよう構成されている。
【０００５】また、所定温度に設定（例えば50〜150 ℃
に加熱）して電気的特性の検査を行ういわゆる環境テス
トを行うユニバーサルハンドラでは、例えば待機位置に
設けたヒータ等により半導体デバイスを予め所定温度に
加熱しておき、この半導体デバイスを搬送装置によって
所定温度に設定した測定部に搬送し、電気的特性の検査
を行うよう構成されている。
に加熱）して電気的特性の検査を行ういわゆる環境テス
トを行うユニバーサルハンドラでは、例えば待機位置に
設けたヒータ等により半導体デバイスを予め所定温度に
加熱しておき、この半導体デバイスを搬送装置によって
所定温度に設定した測定部に搬送し、電気的特性の検査
を行うよう構成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の検査工程では、例えば待機位置で所定温度に加
熱した半導体デバイスを搬送装置により測定部に搬送す
る際に、常温空気との接触等によって半導体デバイスが
冷却され、正確に所定温度で検査を実施することができ
ないという問題があった。
た従来の検査工程では、例えば待機位置で所定温度に加
熱した半導体デバイスを搬送装置により測定部に搬送す
る際に、常温空気との接触等によって半導体デバイスが
冷却され、正確に所定温度で検査を実施することができ
ないという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて搬送中における被測定半導
体デバイスの温度変化を抑制することができ、正確に温
度設定した状態で検査を実施することのできる半導体デ
バイスの搬送装置を提供しようとするものである。
されたもので、従来に較べて搬送中における被測定半導
体デバイスの温度変化を抑制することができ、正確に温
度設定した状態で検査を実施することのできる半導体デ
バイスの搬送装置を提供しようとするものである。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の半導
体デバイスの搬送装置は、保持部に半導体デバイスを保
持し、所定温度に設定された測定部に搬送する半導体デ
バイスの搬送装置において、前記保持部に、前記半導体
デバイスの温度を調節するための温度調節機構を設ける
とともに、該保持部の前記半導体デバイスとの接触部
を、前記半導体デバイスの種類に応じて交換可能に構成
したことを特徴とする。
体デバイスの搬送装置は、保持部に半導体デバイスを保
持し、所定温度に設定された測定部に搬送する半導体デ
バイスの搬送装置において、前記保持部に、前記半導体
デバイスの温度を調節するための温度調節機構を設ける
とともに、該保持部の前記半導体デバイスとの接触部
を、前記半導体デバイスの種類に応じて交換可能に構成
したことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成の本発明の半導体デバイスの搬送装置
では、半導体デバイスの保持部に、例えばヒータおよび
温度センサ等からなる温度調節機構が設けられており、
保持部に保持された半導体デバイスの温度を調節するこ
とができるよう構成されている。
では、半導体デバイスの保持部に、例えばヒータおよび
温度センサ等からなる温度調節機構が設けられており、
保持部に保持された半導体デバイスの温度を調節するこ
とができるよう構成されている。
【００１１】また、ヒータ等の熱は、この保持部の半導
体デバイスとの接触部を介して半導体デバイスに伝わる
ため、この接触面積が半導体デバイスの大きさに較べて
小さいと、十分に温度調節することができないが、本発
明の半導体デバイスの搬送装置では、この接触部を、半
導体デバイスの種類に応じて交換することができるよう
構成されている。
体デバイスとの接触部を介して半導体デバイスに伝わる
ため、この接触面積が半導体デバイスの大きさに較べて
小さいと、十分に温度調節することができないが、本発
明の半導体デバイスの搬送装置では、この接触部を、半
導体デバイスの種類に応じて交換することができるよう
構成されている。
【００１２】したがって、例えば大きな半導体デバイス
の検査を実施する時は、接触面積の大きな接触部を用い
る等、接触部を半導体デバイスの種類に応じて交換する
ことによって、より正確な温度調節を行うことができ
る。このため、搬送中における半導体デバイスの温度変
化を抑制することができ、正確に温度設定した状態で検
査を実施することができる。
の検査を実施する時は、接触面積の大きな接触部を用い
る等、接触部を半導体デバイスの種類に応じて交換する
ことによって、より正確な温度調節を行うことができ
る。このため、搬送中における半導体デバイスの温度変
化を抑制することができ、正確に温度設定した状態で検
査を実施することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の半導体デバイスの搬送装置の
一実施例を図面を参照して説明する。
一実施例を図面を参照して説明する。
【００１４】図１および図２に示すように、保持部１
は、ほぼ円板状に形成されており、その下面に真空チャ
ックによって半導体デバイス２を吸着保持するよう構成
されている。この保持部１には、断熱性の高い材料例え
ばジルコニア等のセラミックスから円板状に構成された
保持部本体１０が設けられており、この保持部本体１０
には、周囲に形成されたねじ１１によって吸着部１２が
着脱自在に保持されている。
は、ほぼ円板状に形成されており、その下面に真空チャ
ックによって半導体デバイス２を吸着保持するよう構成
されている。この保持部１には、断熱性の高い材料例え
ばジルコニア等のセラミックスから円板状に構成された
保持部本体１０が設けられており、この保持部本体１０
には、周囲に形成されたねじ１１によって吸着部１２が
着脱自在に保持されている。
【００１５】この吸着部１２は、熱伝導性の良好な材質
例えばアルミニウム等から円筒容器状に形成されてお
り、その下面に半導体デバイス２を吸着保持する所定形
状例えば円形の吸着面１３が形成されている。また、こ
の吸着面１３のほぼ中央には、真空チャック用透孔１４
が形成されている。
例えばアルミニウム等から円筒容器状に形成されてお
り、その下面に半導体デバイス２を吸着保持する所定形
状例えば円形の吸着面１３が形成されている。また、こ
の吸着面１３のほぼ中央には、真空チャック用透孔１４
が形成されている。
【００１６】さらに、保持部本体１０の下面には円形の
凹陥部１５が形成されており、ここに加熱手段として円
板状に形成されたラバーヒータ１６が配置されている。
このラバーヒータ１６には、温度センサ１７が一体的に
設けられており、温度センサ１７およびラバーヒータ１
６は、ケーブル１８を介して図示しない温度制御機構に
接続されている。そして、温度制御機構は、温度センサ
１７の温度検知信号を参照してラバーヒータ１６に供給
する電力を調節し、保持部１の温度を予め設定された所
定温度例えば50〜150 ℃に設定するよう構成されてい
る。
凹陥部１５が形成されており、ここに加熱手段として円
板状に形成されたラバーヒータ１６が配置されている。
このラバーヒータ１６には、温度センサ１７が一体的に
設けられており、温度センサ１７およびラバーヒータ１
６は、ケーブル１８を介して図示しない温度制御機構に
接続されている。そして、温度制御機構は、温度センサ
１７の温度検知信号を参照してラバーヒータ１６に供給
する電力を調節し、保持部１の温度を予め設定された所
定温度例えば50〜150 ℃に設定するよう構成されてい
る。
【００１７】なお、上記保持部本体１０およびラバーヒ
ータ１６には、それぞれ真空チャック用透孔１９、２０
が形成されており、保持部本体１０には温度センサ１７
が配置されるとともにケーブル１８を導出するための矩
形状透孔２１が形成されている。
ータ１６には、それぞれ真空チャック用透孔１９、２０
が形成されており、保持部本体１０には温度センサ１７
が配置されるとともにケーブル１８を導出するための矩
形状透孔２１が形成されている。
【００１８】上記構成の保持部１は、図３に示すように
駆動機構（図示せず）に接続された搬送アーム３の先端
部に上下動機構４を介して固定されている。本実施例で
は、保持部１は、1 つの搬送アーム３に4 つ（同図には
2つのみ示す）設けられており、4 つの半導体デバイス
２を同時に吸着保持して搬送することができるよう構成
されている。また、これらの保持部１の周囲には、保持
部１およびこの保持部１に吸着保持された半導体デバイ
ス２の周囲を囲む如く、例えば透明な耐熱性樹脂等から
なるカバー５が設けられている。
駆動機構（図示せず）に接続された搬送アーム３の先端
部に上下動機構４を介して固定されている。本実施例で
は、保持部１は、1 つの搬送アーム３に4 つ（同図には
2つのみ示す）設けられており、4 つの半導体デバイス
２を同時に吸着保持して搬送することができるよう構成
されている。また、これらの保持部１の周囲には、保持
部１およびこの保持部１に吸着保持された半導体デバイ
ス２の周囲を囲む如く、例えば透明な耐熱性樹脂等から
なるカバー５が設けられている。
【００１９】上記構成の本実施例の半導体デバイスの搬
送装置は、例えば環境試験を実施するユニバーサルハン
ドラなどに配置される。そして、待機位置で所定温度に
加熱された半導体デバイス２を、ラバーヒータ１６に通
電することにより所定温度に設定した保持部１で吸着保
持し、所定温度に設定された測定部に搬送する。そし
て、この測定部で半導体デバイス２のリードにコンタク
タを接触させて電気的な導通を得、テスタ等によって電
気的特性を測定する。
送装置は、例えば環境試験を実施するユニバーサルハン
ドラなどに配置される。そして、待機位置で所定温度に
加熱された半導体デバイス２を、ラバーヒータ１６に通
電することにより所定温度に設定した保持部１で吸着保
持し、所定温度に設定された測定部に搬送する。そし
て、この測定部で半導体デバイス２のリードにコンタク
タを接触させて電気的な導通を得、テスタ等によって電
気的特性を測定する。
【００２０】なお、半導体デバイス２の吸着保持時およ
び測定部等への載置時は、上下動機構４によって保持部
１がカバー５の下端部よりやや下方に位置するまで下降
し、搬送時は、図３に示したように保持部１（および半
導体デバイス２）がカバー５の内側に位置するよう保持
部１が上昇する。
び測定部等への載置時は、上下動機構４によって保持部
１がカバー５の下端部よりやや下方に位置するまで下降
し、搬送時は、図３に示したように保持部１（および半
導体デバイス２）がカバー５の内側に位置するよう保持
部１が上昇する。
【００２１】また、図４に示すように、小さな半導体デ
バイス２ａの測定を行う場合は、吸着部１２を、吸着面
１３ａがより小さく構成された吸着部１２ａに交換し、
搬送を実施する。
バイス２ａの測定を行う場合は、吸着部１２を、吸着面
１３ａがより小さく構成された吸着部１２ａに交換し、
搬送を実施する。
【００２２】以上説明したように、本実施例の半導体デ
バイスの搬送装置では、半導体デバイス２を保持する保
持部１にラバーヒータ１６および温度センサ１７が設け
られており、かつ、搬送する半導体デバイス２の大きさ
に応じて、吸着部１２を交換することにより、半導体デ
バイス２と吸着部１２との接触面積を大きくすることが
できるので、搬送中に半導体デバイス２が冷却されるこ
とを抑制して、正確に温度設定した状態で検査を実施す
ることができる。さらに、本実施例では、カバー５が設
けられているので、搬送にともなって、半導体デバイス
２に空気の流れが当たることを防止することができ、半
導体ウエハ２が冷却されることを防止することができ、
正確に温度設定した状態で検査を実施することができ
る。
バイスの搬送装置では、半導体デバイス２を保持する保
持部１にラバーヒータ１６および温度センサ１７が設け
られており、かつ、搬送する半導体デバイス２の大きさ
に応じて、吸着部１２を交換することにより、半導体デ
バイス２と吸着部１２との接触面積を大きくすることが
できるので、搬送中に半導体デバイス２が冷却されるこ
とを抑制して、正確に温度設定した状態で検査を実施す
ることができる。さらに、本実施例では、カバー５が設
けられているので、搬送にともなって、半導体デバイス
２に空気の流れが当たることを防止することができ、半
導体ウエハ２が冷却されることを防止することができ、
正確に温度設定した状態で検査を実施することができ
る。
【００２３】なお、上記実施例では、吸着部１２の吸着
面１３を円形としたが、この吸着面１３を例えば半導体
デバイス２と同様な矩形状とすれば、さらに接触面積を
増大させて、正確な温度制御を実施することができる。
但し、この場合、吸着部１２に方向性が生じるため、半
導体デバイス２との位置合わせを行う必要がある。
面１３を円形としたが、この吸着面１３を例えば半導体
デバイス２と同様な矩形状とすれば、さらに接触面積を
増大させて、正確な温度制御を実施することができる。
但し、この場合、吸着部１２に方向性が生じるため、半
導体デバイス２との位置合わせを行う必要がある。
【００２４】また、吸着部１２と保持部本体１０との接
続機構としては、ねじ１１でなくともあらゆる係止機構
を用いることができる。さらに、半導体デバイス２の種
類に応じて吸着部１２を自動的に交換するよう構成する
こともできる。
続機構としては、ねじ１１でなくともあらゆる係止機構
を用いることができる。さらに、半導体デバイス２の種
類に応じて吸着部１２を自動的に交換するよう構成する
こともできる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体デ
バイスの搬送装置によれば、従来に較べて搬送中におけ
る被測定半導体デバイスの温度変化を抑制することがで
き、正確に温度設定した状態で検査を実施することがで
きる。
バイスの搬送装置によれば、従来に較べて搬送中におけ
る被測定半導体デバイスの温度変化を抑制することがで
き、正確に温度設定した状態で検査を実施することがで
きる。
【図１】本発明の一実施例の保持部の構成を示す図であ
る。
る。
【図２】図１の平面構成を示す図である。
【図３】図１の保持部を配置した搬送アームの構成を示
す図である。
す図である。
【図４】図１の保持部の吸着部を交換した状態を示す図
である。
である。
１ 保持部 ２ 半導体デバイス １０ 保持部本体 １１ ねじ １２ 吸着部 １３ 吸着面 １４ 真空チャック用透孔 １５ 凹陥部 １６ ラバーヒータ １７ 温度センサ １８ ケーブル １９，２０ 真空チャック用透孔 ２１ 矩形状透孔
Claims (1)
- 【請求項１】 保持部に半導体デバイスを保持し、所定
温度に設定された測定部に搬送する半導体デバイスの搬
送装置において、 前記保持部に、前記半導体デバイスの温度を調節するた
めの温度調節機構を設けるとともに、該保持部の前記半
導体デバイスとの接触部を、前記半導体デバイスの種類
に応じて交換可能に構成したことを特徴とする半導体デ
バイスの搬送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11649391A JPH05150001A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 半導体デバイスの搬送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11649391A JPH05150001A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 半導体デバイスの搬送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05150001A true JPH05150001A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=14688499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11649391A Pending JPH05150001A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 半導体デバイスの搬送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05150001A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072157A (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-06 | Euv Llc | Thermophoretic vacuum wand |
| JP2007057444A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nidec-Read Corp | 基板検査装置、及び基板検査装置の温度維持機構 |
| JP2009246184A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Neturen Takuto Co Ltd | バキュームハンド |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP11649391A patent/JPH05150001A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072157A (en) * | 1998-12-11 | 2000-06-06 | Euv Llc | Thermophoretic vacuum wand |
| US6232578B1 (en) | 1998-12-11 | 2001-05-15 | Buv Llc | Thermophoretic vacuum wand |
| JP2007057444A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nidec-Read Corp | 基板検査装置、及び基板検査装置の温度維持機構 |
| JP2009246184A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Neturen Takuto Co Ltd | バキュームハンド |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010109 |