JPH0514514Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0514514Y2 JPH0514514Y2 JP1987056045U JP5604587U JPH0514514Y2 JP H0514514 Y2 JPH0514514 Y2 JP H0514514Y2 JP 1987056045 U JP1987056045 U JP 1987056045U JP 5604587 U JP5604587 U JP 5604587U JP H0514514 Y2 JPH0514514 Y2 JP H0514514Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- aluminum nitride
- grid array
- pin grid
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 23
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は熱放散の良好なピングリツドアレイパ
ツケージに関するものである。
ツケージに関するものである。
（従来の技術）
近年、ICの集積度が増加するに伴ないICの発
熱量が増大するため、熱放散の良好なピングリツ
ドアレイパツケージでICを保持する必要性があ
つた。特に、ICの発熱量は論理ICほど大きいた
め、熱放散の良好な論理IC用のピングリツドア
レイパツケージが要求されている。
熱量が増大するため、熱放散の良好なピングリツ
ドアレイパツケージでICを保持する必要性があ
つた。特に、ICの発熱量は論理ICほど大きいた
め、熱放散の良好な論理IC用のピングリツドア
レイパツケージが要求されている。
従来、アルミナ等のセラミツク積層パツケージ
のICを塔載する底部としては、(1)アルミナ等の
セラミツクスと同等の熱膨脹係数を有すること、
(2)IC塔載部の平坦度が良好なことICと熱膨脹係
数が近似していること等の要求から、第２図に示
すように熱膨脹係数がアルミナ等のセラミツク材
料とほぼ同等で熱伝導性が良好なCu−Ｗ板１２
上に、熱膨脹係数は異なるが平坦度が良好なIC
と熱膨脹係数が近似していることからMo板１３
をろう付して底部を構成する例が知られていた。
のICを塔載する底部としては、(1)アルミナ等の
セラミツクスと同等の熱膨脹係数を有すること、
(2)IC塔載部の平坦度が良好なことICと熱膨脹係
数が近似していること等の要求から、第２図に示
すように熱膨脹係数がアルミナ等のセラミツク材
料とほぼ同等で熱伝導性が良好なCu−Ｗ板１２
上に、熱膨脹係数は異なるが平坦度が良好なIC
と熱膨脹係数が近似していることからMo板１３
をろう付して底部を構成する例が知られていた。
（考案が解決しようとする問題点）
しかしながら上述した構造のピングリツドアレ
イパツケージにおいては、Cu−Ｗ板を使用して
いるためICの絶縁ができない欠点があつた。す
なわち、Cu−Ｗ板が導電性を有するため、ICの
底板への接地面が底板の外側と導通してしまい、
パツケージの取扱いに注意を必要とする欠点があ
つた。
イパツケージにおいては、Cu−Ｗ板を使用して
いるためICの絶縁ができない欠点があつた。す
なわち、Cu−Ｗ板が導電性を有するため、ICの
底板への接地面が底板の外側と導通してしまい、
パツケージの取扱いに注意を必要とする欠点があ
つた。
また、Cu−Ｗ板の代わりにセラミツク積層部
と同材質のセラミツク板を使用した場合は、熱伝
導率が低く放熱特性が悪化したりICと熱膨脹が
異なる欠点があつた。
と同材質のセラミツク板を使用した場合は、熱伝
導率が低く放熱特性が悪化したりICと熱膨脹が
異なる欠点があつた。
本考案の目的は上述した不具合を解消して、
ICを外部と絶縁可能で放熱性が良好すなわち低
熱抵抗性のピングリツドアレイパツケージを提供
しようとするものである。
ICを外部と絶縁可能で放熱性が良好すなわち低
熱抵抗性のピングリツドアレイパツケージを提供
しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本考案の低熱抵抗ピングリツドアレイパツケー
ジは、マウント部分に窒化アルミニウム板をろう
付した厚さが0.1〜0.2mmの銅薄板を、セラミツク
積層パツケージの底部としてろう付したことを特
徴とするものである。
ジは、マウント部分に窒化アルミニウム板をろう
付した厚さが0.1〜0.2mmの銅薄板を、セラミツク
積層パツケージの底部としてろう付したことを特
徴とするものである。
（作用）
上述した構成において、ピングリツドアレイパ
ツケージの底部を窒化アルミニウム板と銅薄板と
を組み合わせて銅薄板をセラミツク積層体にろう
付することにより、ICを塔載する部分はICを形
成するシリコン基板と熱膨脹係数がほぼ等しく平
坦かつ放熱性が良好な窒化アルミニウム板からな
るため、塔載したICを外部と絶縁可能で放熱性
が良好となる。
ツケージの底部を窒化アルミニウム板と銅薄板と
を組み合わせて銅薄板をセラミツク積層体にろう
付することにより、ICを塔載する部分はICを形
成するシリコン基板と熱膨脹係数がほぼ等しく平
坦かつ放熱性が良好な窒化アルミニウム板からな
るため、塔載したICを外部と絶縁可能で放熱性
が良好となる。
また、この窒化アルミニウム板はセラミツク積
層体より熱膨脹係数が小さいが、窒化アルミニウ
ム板のセラミツク積層体への装着を銅薄板により
行ない、セラミツク積層体のキヤビテイ部より小
さい窒化アルミニウム板を該キヤビテイ部に銅薄
板により装着しているため、ろう付時の高温にな
つた場合窒化アルミニウム板とセラミツク積層体
の膨脹差による熱ストレスは銅薄板の降伏により
有効に除去可能となる。
層体より熱膨脹係数が小さいが、窒化アルミニウ
ム板のセラミツク積層体への装着を銅薄板により
行ない、セラミツク積層体のキヤビテイ部より小
さい窒化アルミニウム板を該キヤビテイ部に銅薄
板により装着しているため、ろう付時の高温にな
つた場合窒化アルミニウム板とセラミツク積層体
の膨脹差による熱ストレスは銅薄板の降伏により
有効に除去可能となる。
なお、銅薄板の厚みは上述した高温時の降伏の
目的を達するため0.1〜0.2mmである必要がある。
また、窒化アルミニウム板がメタライズ処理後ニ
ツケルメツキし、銅薄板とろう付にて接合される
と好ましい。
目的を達するため0.1〜0.2mmである必要がある。
また、窒化アルミニウム板がメタライズ処理後ニ
ツケルメツキし、銅薄板とろう付にて接合される
と好ましい。
（実施例）
第１図ａ〜ｄはそれぞれ本考案のピングリツド
アレイパツケージの一実施例を示す縦断面図であ
る。第１図ａ〜ｄに示す各実施例において、アル
ミナ製のセラミツク積層部１のICマウント用キ
ヤビテイには段部２を設け、セラミツク積層部１
上の複数のリードピン３の各ピンと導通をとるた
めのターミナルを段部２上に設けている。このセ
ラミツク積層部１のICマウント部を形成するキ
ヤビテイの底部は、窒化アルミニウム板４を銀ろ
うによりろう付した銅薄板５をセラミツク積層部
１の段部２のリードピン３が植立した側と反対側
に銀ろうによりろう付することにより構成されて
いる。このとき、窒化アルミニウム板４の端部と
段部２の窒化アルミニウム板４と対向する端部と
の間には、窒化アルミニウムとアルミナとの熱膨
脹の差を吸収するための隙間を設ける必要があ
る。
アレイパツケージの一実施例を示す縦断面図であ
る。第１図ａ〜ｄに示す各実施例において、アル
ミナ製のセラミツク積層部１のICマウント用キ
ヤビテイには段部２を設け、セラミツク積層部１
上の複数のリードピン３の各ピンと導通をとるた
めのターミナルを段部２上に設けている。このセ
ラミツク積層部１のICマウント部を形成するキ
ヤビテイの底部は、窒化アルミニウム板４を銀ろ
うによりろう付した銅薄板５をセラミツク積層部
１の段部２のリードピン３が植立した側と反対側
に銀ろうによりろう付することにより構成されて
いる。このとき、窒化アルミニウム板４の端部と
段部２の窒化アルミニウム板４と対向する端部と
の間には、窒化アルミニウムとアルミナとの熱膨
脹の差を吸収するための隙間を設ける必要があ
る。
窒化アルミニウム板４および銅薄板５の厚みは
キヤビテイ底部の大きさ等の要因に応じて異なる
が、キヤビテイ底部が一辺７〜17mmの正方形であ
る場合窒化アルミニウム板４の厚さは0.2〜1.0mm
が好ましく、また銅薄板５の厚みは0.1〜0.2mmで
ある必要がある。また、窒化アルミニウム板４と
銅薄板５との間および銅薄板５とセラミツク積層
板１との間等のろう付面に、約2μm程度のニツケ
ルメツキ層を形成すると好ましく、さらに銅薄板
５のニツケルメツキ前にメタライズ処理を実施す
ると好適である。上述した構成のピングリツドア
レイパツケージにおいては、図示しないICをマ
ウント部の窒化アルミニウム板４上に塔載して
ICの各端子と段部２上のターミナルとをワイア
ボンデイング等の手法により接続して、さらに必
要に応じてキヤビテイ部分を密封して最終製品を
得ている。
キヤビテイ底部の大きさ等の要因に応じて異なる
が、キヤビテイ底部が一辺７〜17mmの正方形であ
る場合窒化アルミニウム板４の厚さは0.2〜1.0mm
が好ましく、また銅薄板５の厚みは0.1〜0.2mmで
ある必要がある。また、窒化アルミニウム板４と
銅薄板５との間および銅薄板５とセラミツク積層
板１との間等のろう付面に、約2μm程度のニツケ
ルメツキ層を形成すると好ましく、さらに銅薄板
５のニツケルメツキ前にメタライズ処理を実施す
ると好適である。上述した構成のピングリツドア
レイパツケージにおいては、図示しないICをマ
ウント部の窒化アルミニウム板４上に塔載して
ICの各端子と段部２上のターミナルとをワイア
ボンデイング等の手法により接続して、さらに必
要に応じてキヤビテイ部分を密封して最終製品を
得ている。
第１図ａに示す実施例では、窒化アルミニウム
板４および銅薄板５ともに平板からなる板をろう
付のみで結合してセラミツク積層部１に装着した
例を示している。また、第１図ｂに示す実施例で
は、窒化アルミニウム板４に凸部６を設けこの凸
部６を銅薄板５に設けた孔に嵌入させてろう付し
た後、セラミツク積層部１に装着した例を示して
いる。第１図ｃに示す実施例では、銅薄板５にく
ぼみ７を設けこのくぼみ７に窒化アルミニウム板
４を載置してろう付した後、セラミツク積層部１
に装着した例を示している。さらに、第１図ｄに
示す実施例では、ともに平板よりなる窒化アルミ
ニウム板４および銅薄板５とをろう付により結合
した結合体の銅薄板５の端部を、アルミナ等のセ
ラミツクスと熱膨脹のほぼ等しいコバールからな
る平板８を介してセラミツク積層部１に結合した
例を示している。上述した各実施例に示す構造に
よれば、例えばアルミナよりなるセラミツク積層
部１と窒化アルミニウム板４との熱膨脹差に起因
する窒化アルミニウム板４の膨脹を銅薄板５が降
伏することにより吸収できる。
板４および銅薄板５ともに平板からなる板をろう
付のみで結合してセラミツク積層部１に装着した
例を示している。また、第１図ｂに示す実施例で
は、窒化アルミニウム板４に凸部６を設けこの凸
部６を銅薄板５に設けた孔に嵌入させてろう付し
た後、セラミツク積層部１に装着した例を示して
いる。第１図ｃに示す実施例では、銅薄板５にく
ぼみ７を設けこのくぼみ７に窒化アルミニウム板
４を載置してろう付した後、セラミツク積層部１
に装着した例を示している。さらに、第１図ｄに
示す実施例では、ともに平板よりなる窒化アルミ
ニウム板４および銅薄板５とをろう付により結合
した結合体の銅薄板５の端部を、アルミナ等のセ
ラミツクスと熱膨脹のほぼ等しいコバールからな
る平板８を介してセラミツク積層部１に結合した
例を示している。上述した各実施例に示す構造に
よれば、例えばアルミナよりなるセラミツク積層
部１と窒化アルミニウム板４との熱膨脹差に起因
する窒化アルミニウム板４の膨脹を銅薄板５が降
伏することにより吸収できる。
（考案の効果）
以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本考案の低熱抵抗ピングリツドアレイパツケ
ージによれば、ピングリツドアレイパツケージの
底部を窒化アルミニウム板と銅薄板の組み合わせ
から構成することにより、ICの外部との絶縁が
可能で良好な放熱性すなわち低熱抵抗性を達成す
ることができる。
に、本考案の低熱抵抗ピングリツドアレイパツケ
ージによれば、ピングリツドアレイパツケージの
底部を窒化アルミニウム板と銅薄板の組み合わせ
から構成することにより、ICの外部との絶縁が
可能で良好な放熱性すなわち低熱抵抗性を達成す
ることができる。
第１図ａ〜ｄはそれぞれ本考案のピングリツド
アレイパツケージの一実施例を示す縦断面図、第
２図は従来のピングリツドアレイパツケージの一
実施例を示す縦断面図である。 １……セラミツク積層部、２……段部、３……
リードピン、４……窒化アルミニウム板、５……
銅薄板、６……凸部、７……くぼみ、８……平
板。
アレイパツケージの一実施例を示す縦断面図、第
２図は従来のピングリツドアレイパツケージの一
実施例を示す縦断面図である。 １……セラミツク積層部、２……段部、３……
リードピン、４……窒化アルミニウム板、５……
銅薄板、６……凸部、７……くぼみ、８……平
板。
Claims (1)
- マウント部分に窒化アルミニウム板をろう付し
た厚さが0.1〜0.2mmの銅薄板を、セラミツク積層
パツケージの底部としてろう付したことを特徴と
する低熱抵抗ピングリツドアレイパツケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987056045U JPH0514514Y2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987056045U JPH0514514Y2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164237U JPS63164237U (ja) | 1988-10-26 |
| JPH0514514Y2 true JPH0514514Y2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=30884508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987056045U Expired - Lifetime JPH0514514Y2 (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514514Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334962A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Hitachi Ltd | パツケ−ジ構造体 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP1987056045U patent/JPH0514514Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334962A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-15 | Hitachi Ltd | パツケ−ジ構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63164237U (ja) | 1988-10-26 |
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