JPH05144696A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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Publication number
JPH05144696A
JPH05144696A JP3304497A JP30449791A JPH05144696A JP H05144696 A JPH05144696 A JP H05144696A JP 3304497 A JP3304497 A JP 3304497A JP 30449791 A JP30449791 A JP 30449791A JP H05144696 A JPH05144696 A JP H05144696A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
foreign matters
structure body
exposure apparatus
foreign matter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3304497A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshishige Kurosaki
利栄 黒▲崎▼
Masami Katsuyama
正己 勝山
Takayasu Furukawa
貴康 古川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3304497A priority Critical patent/JPH05144696A/ja
Publication of JPH05144696A publication Critical patent/JPH05144696A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、半導体素子製造のリソグラフィ工程
で用いられる露光装置の構造体に係わり、特に被露光物
体である基板の上に異物を付着させない手段を得ること
を目的とする。 【構成】構造体4のリブをウェーハ6側と反対の側に配
置して構成する。 【効果】本発明によれば、構造体から異物の落下がなく
ウェーハに異物による欠陥を発生さないので歩留まりを
高くすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造のリソ
グラフィ工程で用いられる露光装置の骨格構造に係る。
【0002】
【従来の技術】半導体素子製造に用いられる露光装置
は、図1に示す通り通常レティクル2と呼ばれる原画を
投影レンズ1により感光剤であるホトレジストが塗られ
たウェーハ6に投影露光するものである。該投影レンズ
や原画であるレティクルを保持する保持台3は、通常鋳
物で製作されている構造体4に支持されている。当該鋳
物の骨格構造体は、図2に示すように通常強度を増すた
めに裏面にリブ2を構成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
よれば、該構造体の裏面にはリブが多く設けてあるので
表面積は、リブのない場合に比べ非常に広くなる。この
ため、リブ表面から付着した微小な異物がウェーハの上
に落下し、ウェーハの表面に付着する。このため、ウェ
ーハに露光される所望の微細パターンに欠陥が生じるこ
とになる。
【0004】この改善のため、当該リブの部分全面にカ
バーを設け、落下する異物がウェーハ上に落ちない様に
していた。しかし、全面を完全に覆うのは難かしい。
【0005】本発明は、構造体からの異物の落下を無く
し、ウェーハ上に異物を付着させないようにすることを
目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、構造体のリブを被露光物体であるウェーハ側と反対
側に設けた。該構造体のウェーハ側は、フラットな面で
構成することとした。
【0007】
【作用】本発明になる構造体によればリブをウェーハの
反対側に配置し、ウェーハ側は、フラットな面になるの
で、異物の付着は非常に少なくなる。その結果、ウェー
ハ上に落下する異物は、リブがウェーハ側にある場合に
比べ大幅に少なくなる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を用いて説
明する。図3は、本発明の実施例を示す図である。本実
施例は、半導体素子製造プロセスにおいて使われる縮小
投影露光装置に適用したものである。図1に示すごとく
縮小投影露光装置は、LSIなどの半導体デバイスの微細
パターンを縮小レンズによりウェーハ上に光学的に露光
転写する装置である。縮小投影露光装置は、縮小レンズ
1と原画であるレティクル2を保持する保持台3を支持
する構造体4を用いている。当該構造体4において、強
度を増す為のリブ5は、ウェーハ6の反対側に配置して
ある。従って、該ウェーハ側は、フラットな面で構成し
てある。以上のような構成によって、フラットな面に
は、異物の付着は少ない。その結果、ウェーハ上への異
物が落ちることが無くなる。
【0009】
【発明の効果】本発明になる構造体を用いることによっ
て、ウェーハ上の異物を少なくすることができるので、
半導体デバイスの良品を取得する比率である歩留まりを
飛躍的に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】縮小投影露光装置の概念図を示す図である。
【図2】本発明の実施例である縮小投影露光装置の構造
体の図である。
【図3】従来の構造体を示す図である。
【符号の説明】
1…縮小レンズ、2…レティクル、3…レティクル保持
台、4…構造体、5…リブ、6…ウェーハ、7…ステー
ジ、8…ベース、9…照明系。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】原画を投影光学系によって基板上に露光転
    写する投影露光装置において、投影光学系および原画を
    支持固定する骨格構造の補強リブを該基板と反対側に配
    置したことを特徴とする投影露光装置。
JP3304497A 1991-11-20 1991-11-20 投影露光装置 Pending JPH05144696A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105372939A (zh) * 2014-08-20 2016-03-02 上海微电子装备有限公司 主基板及其制造方法和光刻机

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105372939A (zh) * 2014-08-20 2016-03-02 上海微电子装备有限公司 主基板及其制造方法和光刻机

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