JPH05144398A - ２次イオン質量分析装置 - Google Patents
２次イオン質量分析装置Info
- Publication number
- JPH05144398A JPH05144398A JP3326318A JP32631891A JPH05144398A JP H05144398 A JPH05144398 A JP H05144398A JP 3326318 A JP3326318 A JP 3326318A JP 32631891 A JP32631891 A JP 32631891A JP H05144398 A JPH05144398 A JP H05144398A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cesium
- ion source
- mass spectrometer
- ion
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 単一のイオン源で異なるイオン種のビームを
発生させ、ビームの切り換えを安全に行えるようにする
こと。 【構成】 マイクロ波イオン源１には、イオン化物質と
して、ボンベ７から酸素が、オーブン９からセシウム蒸
気が、バルブ８、１０によって切り換え導入される。セ
シウムから酸素への切り換え時、イオン源をクリーニン
グする。イオン源のヒータ３を加熱し、残留セシウムを
蒸発させる。蒸発セシウムを処理室に接続されている真
空ポンプ２１で吸引排出する。処理室中のセシウムを、
イオン化室２９でイオン化し、四重極質量分析計２６で
検出する。セシウムが残留していないことを確認してか
らイオン源に酸素を導入する。
発生させ、ビームの切り換えを安全に行えるようにする
こと。 【構成】 マイクロ波イオン源１には、イオン化物質と
して、ボンベ７から酸素が、オーブン９からセシウム蒸
気が、バルブ８、１０によって切り換え導入される。セ
シウムから酸素への切り換え時、イオン源をクリーニン
グする。イオン源のヒータ３を加熱し、残留セシウムを
蒸発させる。蒸発セシウムを処理室に接続されている真
空ポンプ２１で吸引排出する。処理室中のセシウムを、
イオン化室２９でイオン化し、四重極質量分析計２６で
検出する。セシウムが残留していないことを確認してか
らイオン源に酸素を導入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単一のイオン源及びイ
オン光学系で２種類のイオンビ−ムを発生させることが
できる２次イオン質量分析装置に関する。
オン光学系で２種類のイオンビ−ムを発生させることが
できる２次イオン質量分析装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】２次イオン質量分析装置は、数ｋＶない
し２０ｋＶで加速された１次イオンビ−ムを固体試料表
面に照射し、スパッタ現象により放出される２次イオン
の質量分析を行うものであるが、１次イオンが、酸素Ｏ
2の場合にはII、III族元素の２次イオン放出が高くな
り、セシウムＣｓではV、VI族元素の放出が高くなる。
そこで分析範囲を広くするには、２種類のイオン種（セ
シウム、酸素）が必要である。
し２０ｋＶで加速された１次イオンビ−ムを固体試料表
面に照射し、スパッタ現象により放出される２次イオン
の質量分析を行うものであるが、１次イオンが、酸素Ｏ
2の場合にはII、III族元素の２次イオン放出が高くな
り、セシウムＣｓではV、VI族元素の放出が高くなる。
そこで分析範囲を広くするには、２種類のイオン種（セ
シウム、酸素）が必要である。
【０００３】図４は、二つのイオン源により２種類のイ
オンビ−ムを発生させるようにした２次イオン質量分析
装置の概略構成図である。セシウムイオンビームは表面
電離型イオン源１０１によって、そして酸素イオンビ−
ムはデュオプラズマトロン型イオン源１０２で発生させ
ている。セシウムイオンによる分析時、セシウムイオン
ビ−ムは、コンデンサレンズ１０３から、１次イオンの
純化のための質量分離手段１０４におけるウインフィル
タ部を通り、コンデンサレンズ１０５、スキャナプレー
ト１０６、対物レンズ１０７を経てターゲット（試料）
１０８に照射される。ターゲット１０８から放出された
２次イオンは２次イオン質量分析計例えば四重極質量分
析計１０９によって質量分離される。酸素イオンによる
分析時には、イオン源１０２からのイオンビ−ムは、コ
ンデンサレンズ１１０から、質量分離手段１０４のセク
タ磁場型分離部を通る過程で偏向されてコンデンサレン
ズ１０５に導入される。
オンビ−ムを発生させるようにした２次イオン質量分析
装置の概略構成図である。セシウムイオンビームは表面
電離型イオン源１０１によって、そして酸素イオンビ−
ムはデュオプラズマトロン型イオン源１０２で発生させ
ている。セシウムイオンによる分析時、セシウムイオン
ビ−ムは、コンデンサレンズ１０３から、１次イオンの
純化のための質量分離手段１０４におけるウインフィル
タ部を通り、コンデンサレンズ１０５、スキャナプレー
ト１０６、対物レンズ１０７を経てターゲット（試料）
１０８に照射される。ターゲット１０８から放出された
２次イオンは２次イオン質量分析計例えば四重極質量分
析計１０９によって質量分離される。酸素イオンによる
分析時には、イオン源１０２からのイオンビ−ムは、コ
ンデンサレンズ１１０から、質量分離手段１０４のセク
タ磁場型分離部を通る過程で偏向されてコンデンサレン
ズ１０５に導入される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の２次イオン質量
分析装置は、２種類のイオン源を選択動作させることに
より、分析機能を向上させることができるが、二つのイ
オン源の存在、各イオン源からのビームを単一の試料照
射路に導入するための手段を必要とすることから、どう
しても装置が大きくなり、複雑化し、高価格なものとな
る。また、二つのイオン源を用いることに伴い、別々の
電源制御系を必要とし、その操作には熟練を要する。
分析装置は、２種類のイオン源を選択動作させることに
より、分析機能を向上させることができるが、二つのイ
オン源の存在、各イオン源からのビームを単一の試料照
射路に導入するための手段を必要とすることから、どう
しても装置が大きくなり、複雑化し、高価格なものとな
る。また、二つのイオン源を用いることに伴い、別々の
電源制御系を必要とし、その操作には熟練を要する。
【０００５】本発明は、２種類のイオン種、セシウムと
酸素を発生できるイオン源を採用した２次イオン質量分
析装置を提供することを目的とするものであり、また、
イオン種の切り換えが安全に行える２次イオン質量分析
装置における残留セシウムのクリーニング方法を提供す
ることを目的とするものである。
酸素を発生できるイオン源を採用した２次イオン質量分
析装置を提供することを目的とするものであり、また、
イオン種の切り換えが安全に行える２次イオン質量分析
装置における残留セシウムのクリーニング方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の２次イオン質量
分析装置は、イオン源としてマイクロ波放電型イオン源
を、そしてイオン源に２種類のイオン化物質を切り換え
て供給する手段を備えたことを主たる特徴とするもので
ある。これにより、イオン化物質を変えることにより、
単一のイオン源で酸素イオンとセシウムイオンのビーム
を発生させることができると共に、操作も簡単になる。
分析装置は、イオン源としてマイクロ波放電型イオン源
を、そしてイオン源に２種類のイオン化物質を切り換え
て供給する手段を備えたことを主たる特徴とするもので
ある。これにより、イオン化物質を変えることにより、
単一のイオン源で酸素イオンとセシウムイオンのビーム
を発生させることができると共に、操作も簡単になる。
【０００７】そして本発明の２次イオン質量分析装置
は、上述のマイクロ波放電型イオン源及びイオン化物質
の切り換え供給手段に加えて、イオン光学系に、径の異
なる複数のオリフィスが形成されたオリフィス板を設置
すると共に、四重極質量分析計の入口部に、フィラメン
トを有するイオン化室とを設けたことを特徴とするもの
である。これに伴い、イオンビーム路に配置されたオリ
フィス板のオリフィス径を変えることができるから、通
常の分析時に差動排気を可能にすると共に、クリーニン
グ時に蒸発セシウム及び残留セシウムによるイオンビ−
ムを容易に分析室に導入させることができ、残留セシウ
ムの除去及びセシウム残留度の測定を容易にする。ま
た、四重極質量分析計の入口部に設けたイオン化室によ
って、蒸発セシウムをイオン化し、四重極質量分析計で
その存在を検出することができるから、セシウム残留度
を高感度で測定できる。
は、上述のマイクロ波放電型イオン源及びイオン化物質
の切り換え供給手段に加えて、イオン光学系に、径の異
なる複数のオリフィスが形成されたオリフィス板を設置
すると共に、四重極質量分析計の入口部に、フィラメン
トを有するイオン化室とを設けたことを特徴とするもの
である。これに伴い、イオンビーム路に配置されたオリ
フィス板のオリフィス径を変えることができるから、通
常の分析時に差動排気を可能にすると共に、クリーニン
グ時に蒸発セシウム及び残留セシウムによるイオンビ−
ムを容易に分析室に導入させることができ、残留セシウ
ムの除去及びセシウム残留度の測定を容易にする。ま
た、四重極質量分析計の入口部に設けたイオン化室によ
って、蒸発セシウムをイオン化し、四重極質量分析計で
その存在を検出することができるから、セシウム残留度
を高感度で測定できる。
【０００８】また、本発明は、イオン化物質として酸素
とセシウム蒸気が切り換え導入されるマイクロ波放電型
イオン源を有する２次イオン質量分析装置の残留セシウ
ムクリーニング方法に関し、前記イオン源のヒータを加
熱して残留セシウムを蒸発させ、蒸発したセシウムを分
析室に接続されたポンプで排出すると共に、蒸発セシウ
ムを、四重極質量分析計の入口部に設けられたイオン化
室でイオン化して四重極質量分析計で検出するようにし
たものである。
とセシウム蒸気が切り換え導入されるマイクロ波放電型
イオン源を有する２次イオン質量分析装置の残留セシウ
ムクリーニング方法に関し、前記イオン源のヒータを加
熱して残留セシウムを蒸発させ、蒸発したセシウムを分
析室に接続されたポンプで排出すると共に、蒸発セシウ
ムを、四重極質量分析計の入口部に設けられたイオン化
室でイオン化して四重極質量分析計で検出するようにし
たものである。
【０００９】このように構成したことにより、イオン源
のクリーニングに際し、イオン源を加熱してセシウムを
蒸発させて排気すると共に、セシウムの残留度は四重極
質量分析計を用いて高感度で測定できるから、セシウム
が残留していないことを確認し、その後、イオン源に酸
素を導入することにより、安全に、セシウムから酸素の
イオンビームによる運転状態へ切り換ええることができ
る。
のクリーニングに際し、イオン源を加熱してセシウムを
蒸発させて排気すると共に、セシウムの残留度は四重極
質量分析計を用いて高感度で測定できるから、セシウム
が残留していないことを確認し、その後、イオン源に酸
素を導入することにより、安全に、セシウムから酸素の
イオンビームによる運転状態へ切り換ええることができ
る。
【００１０】さらに、本発明は、イオン化物質として酸
素とセシウム蒸気が切り換え導入されるマイクロ波放電
型イオン源を有する２次イオン質量分析装置の残留セシ
ウムクリーニング方法に関し、前記イオン源のヒータを
加熱して残留セシウムを蒸発させて分析室に接続された
ポンプで排出すると共に、前記イオン源にマイクロ波電
力を供給して、残留セシウムを放電させてセシウムイオ
ンを引出し、ターゲットに到達したセシウムイオン電流
を電流計で検出するものである。したがって、クリーニ
ング時におけるセシウム残留度が、セシウムイオン電流
から簡単に測定できることになる。
素とセシウム蒸気が切り換え導入されるマイクロ波放電
型イオン源を有する２次イオン質量分析装置の残留セシ
ウムクリーニング方法に関し、前記イオン源のヒータを
加熱して残留セシウムを蒸発させて分析室に接続された
ポンプで排出すると共に、前記イオン源にマイクロ波電
力を供給して、残留セシウムを放電させてセシウムイオ
ンを引出し、ターゲットに到達したセシウムイオン電流
を電流計で検出するものである。したがって、クリーニ
ング時におけるセシウム残留度が、セシウムイオン電流
から簡単に測定できることになる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の一実施例の構成図である。
イオン源１は、マイクロ波放電型イオン源、ＥＣＲ（電
子サイクロトロン共鳴）型マイクロ波イオン源であり、
酸素ビームとセシウムビームがイオン化物質を変えるだ
けで発生可能であることは既に実証されており、磁界源
として永久磁石を用いることによりコンパクトに、例え
ば、直径、高さ共１０センチ程度に製作することができ
る。イオン源１は、引出し電極系２、ヒータ３を有し、
イオン化物質を放電させるマイクロ波電力はマイクロ波
電源４から給電し、引出し電極系２及びヒータ３はそれ
ぞれ引出し加速電源５、加熱用電源６に接続されてお
り、セシウムを用いるとき、ヒータ３によってイオン源
１の内部を４５０度程度に加熱し、セシウムが壁面に蒸
着するのを防止する。イオン源１が酸素イオンとセシウ
ムイオンを発生することができるように、イオン源に
は、イオン化物質として、酸素ボンベ７からバルブ８を
介して酸素を供給し、あるいは、オーブン９で発生させ
たセシウム蒸気をゲートバルブ１０を経て供給する。オ
ーブン９の加熱電源１１はオーブンの温度に応答する温
度調節器１２によって制御される。
イオン源１は、マイクロ波放電型イオン源、ＥＣＲ（電
子サイクロトロン共鳴）型マイクロ波イオン源であり、
酸素ビームとセシウムビームがイオン化物質を変えるだ
けで発生可能であることは既に実証されており、磁界源
として永久磁石を用いることによりコンパクトに、例え
ば、直径、高さ共１０センチ程度に製作することができ
る。イオン源１は、引出し電極系２、ヒータ３を有し、
イオン化物質を放電させるマイクロ波電力はマイクロ波
電源４から給電し、引出し電極系２及びヒータ３はそれ
ぞれ引出し加速電源５、加熱用電源６に接続されてお
り、セシウムを用いるとき、ヒータ３によってイオン源
１の内部を４５０度程度に加熱し、セシウムが壁面に蒸
着するのを防止する。イオン源１が酸素イオンとセシウ
ムイオンを発生することができるように、イオン源に
は、イオン化物質として、酸素ボンベ７からバルブ８を
介して酸素を供給し、あるいは、オーブン９で発生させ
たセシウム蒸気をゲートバルブ１０を経て供給する。オ
ーブン９の加熱電源１１はオーブンの温度に応答する温
度調節器１２によって制御される。
【００１２】引出し電極系２によって引出されたイオン
ビ−ムは、ビームダクト１３内に設けられているコンデ
ンサレンズ１４、ウインフィルタ１５、オリフィス板１
６のオリフィス（孔）を通過する。オリフィス板１６に
は、図２に示すように径の異なる複数の孔１６1、１
６2、１６3が設けられており、通常の分析時には、小さ
な径の孔１６1がイオンビーム路に配置されるように、
操作機構１７によってオリフィス板１６の位置を操作
し、ゲ−トバルブ１８を介してビームダクト１３に接続
された真空ポンプ１９と、分析室２０に接続されている
真空ポンプ２１によって差動排気が行えるようにし、イ
オン源１、ビームダクト１３、分析室２０を所要の真空
度に保つ。オリフィスを通過したイオンビームは、中性
粒子を除去するためにビームを僅かに偏向させるデフレ
クタ２２、ビームを走査偏向するスキャンプレート２
３、対物レンズ２４を経てターゲット２５に照射され
る。ターゲット２５から放出された２次イオンは四重極
質量分析計２６で質量分離され、分析計の出力は増幅器
２７を経てカウンタ２８で計数される。
ビ−ムは、ビームダクト１３内に設けられているコンデ
ンサレンズ１４、ウインフィルタ１５、オリフィス板１
６のオリフィス（孔）を通過する。オリフィス板１６に
は、図２に示すように径の異なる複数の孔１６1、１
６2、１６3が設けられており、通常の分析時には、小さ
な径の孔１６1がイオンビーム路に配置されるように、
操作機構１７によってオリフィス板１６の位置を操作
し、ゲ−トバルブ１８を介してビームダクト１３に接続
された真空ポンプ１９と、分析室２０に接続されている
真空ポンプ２１によって差動排気が行えるようにし、イ
オン源１、ビームダクト１３、分析室２０を所要の真空
度に保つ。オリフィスを通過したイオンビームは、中性
粒子を除去するためにビームを僅かに偏向させるデフレ
クタ２２、ビームを走査偏向するスキャンプレート２
３、対物レンズ２４を経てターゲット２５に照射され
る。ターゲット２５から放出された２次イオンは四重極
質量分析計２６で質量分離され、分析計の出力は増幅器
２７を経てカウンタ２８で計数される。
【００１３】イオン源１は、イオン化物質として、酸素
の導入、あるいはオーブン９からのセシウム蒸気の導入
によって、酸素、セシウムのプラズマ生成が可能である
が、セシウムから酸素への切り換えに際しては、セシウ
ムは反応性が高く、発火する恐れがあるから、イオン源
内部のクリーニングを行い、セシウムが残留、付着して
いないことを確認した後でなければ、イオン源１に酸素
を導入することはできない。
の導入、あるいはオーブン９からのセシウム蒸気の導入
によって、酸素、セシウムのプラズマ生成が可能である
が、セシウムから酸素への切り換えに際しては、セシウ
ムは反応性が高く、発火する恐れがあるから、イオン源
内部のクリーニングを行い、セシウムが残留、付着して
いないことを確認した後でなければ、イオン源１に酸素
を導入することはできない。
【００１４】残留セシウムのクリーニング時、イオン源
１をヒータ３で加熱し、イオン源内のセシウムを蒸発さ
せ、セシウムが残留していないことを四重極質量分析計
２６で確認する。このとき、ゲ−トバルブ１８を閉じ、
オリフィス板１６は、通常の分析時より大きい径の孔１
３2あるいは１３3がイオンビーム路に位置するように操
作機構１７で操作し、排気コンダクタンスを大きくし
て、蒸発セシウムを真空ポンプ２１で吸引排気する。こ
れに伴い分析室２０に吸引された蒸発セシウムの一部は
四重極質量分析計２６に入り込む。蒸発セシウムは中性
原子であるから、四重極質量分析計２６の入口部にイオ
ン化室２９を設置し、このイオン化室に熱電子放出用フ
ィラメント３０を設け、フィラメントを電源３１によっ
て加熱することにより、四重極質量分析計２６に入る蒸
発セシウムをイオン化室３０でイオン化し、これを四重
極質量分析計で質量分離し、セシウム量をカウンタ２８
で計数する。図３（ａ）はクリーニング時の時間ｔに対
するセシウム検出量の変化を示し、検出量が或るレベル
以下、酸素をイオン源１に導入しても安全なレベル以下
になればクリーニング完了と判断する。イオン化物質の
セシウムから酸素への切り換えに際し、セシウム蒸気が
オーブン９に残っている場合、イオン源１とオーブン９
との間のゲ−トバルブ１０が閉じることによって、酸素
イオンによる運転中、オーブン内にセシウムを保存でき
る。
１をヒータ３で加熱し、イオン源内のセシウムを蒸発さ
せ、セシウムが残留していないことを四重極質量分析計
２６で確認する。このとき、ゲ−トバルブ１８を閉じ、
オリフィス板１６は、通常の分析時より大きい径の孔１
３2あるいは１３3がイオンビーム路に位置するように操
作機構１７で操作し、排気コンダクタンスを大きくし
て、蒸発セシウムを真空ポンプ２１で吸引排気する。こ
れに伴い分析室２０に吸引された蒸発セシウムの一部は
四重極質量分析計２６に入り込む。蒸発セシウムは中性
原子であるから、四重極質量分析計２６の入口部にイオ
ン化室２９を設置し、このイオン化室に熱電子放出用フ
ィラメント３０を設け、フィラメントを電源３１によっ
て加熱することにより、四重極質量分析計２６に入る蒸
発セシウムをイオン化室３０でイオン化し、これを四重
極質量分析計で質量分離し、セシウム量をカウンタ２８
で計数する。図３（ａ）はクリーニング時の時間ｔに対
するセシウム検出量の変化を示し、検出量が或るレベル
以下、酸素をイオン源１に導入しても安全なレベル以下
になればクリーニング完了と判断する。イオン化物質の
セシウムから酸素への切り換えに際し、セシウム蒸気が
オーブン９に残っている場合、イオン源１とオーブン９
との間のゲ−トバルブ１０が閉じることによって、酸素
イオンによる運転中、オーブン内にセシウムを保存でき
る。
【００１５】イオン源１のクリーニングは次のようにし
ても実施できる。上述と同様に、ヒータ３を加熱し、残
留セシウムを蒸発させ、排気する。そして、同時に、イ
オン源１にマイクロ波電力を供給し、セシウムをイオン
化し、イオン源から引出す。ターゲット２５に到達した
セシウムイオン電流Ｉを高感度の電流計３２で測定す
る。この電流が図３（ｂ）に示すように、或るレベル以
下に低下したときクリーニング完了と判断する。
ても実施できる。上述と同様に、ヒータ３を加熱し、残
留セシウムを蒸発させ、排気する。そして、同時に、イ
オン源１にマイクロ波電力を供給し、セシウムをイオン
化し、イオン源から引出す。ターゲット２５に到達した
セシウムイオン電流Ｉを高感度の電流計３２で測定す
る。この電流が図３（ｂ）に示すように、或るレベル以
下に低下したときクリーニング完了と判断する。
【００１６】上述のクリーニング操作に係る、マイクロ
波電源４、引出し加速電源５、加熱用電源６、３１、ゲ
−トバルブ１０、１８、オリフィス板操作機構１７の運
転制御は、マイクロプロセッサを用いたコントローラ３
３で自動的に行うことができる。また、イオン源１のヒ
ータ３による加熱を四重極質量分析計２６の出力、電流
計３２の出力に応じてコントローラ３３で制御する、例
えば、セシウム検出量、セシウムイオン電流の低下に伴
いイオン源１の温度を上昇させることにより、セシウム
・クリーニング機能を高めることができる。
波電源４、引出し加速電源５、加熱用電源６、３１、ゲ
−トバルブ１０、１８、オリフィス板操作機構１７の運
転制御は、マイクロプロセッサを用いたコントローラ３
３で自動的に行うことができる。また、イオン源１のヒ
ータ３による加熱を四重極質量分析計２６の出力、電流
計３２の出力に応じてコントローラ３３で制御する、例
えば、セシウム検出量、セシウムイオン電流の低下に伴
いイオン源１の温度を上昇させることにより、セシウム
・クリーニング機能を高めることができる。
【００１７】
【発明の効果】単一のイオン源で酸素イオンとセシウム
イオンのビームを発生させることができると共に、１次
イオン光学系も簡素化されるから、２次イオン質量分析
装置をコンパクトに構成することができる。さらに、イ
オン化物質を変えるだけでそれぞれのイオンビームの発
生が行えるから、操作が簡単になる。
イオンのビームを発生させることができると共に、１次
イオン光学系も簡素化されるから、２次イオン質量分析
装置をコンパクトに構成することができる。さらに、イ
オン化物質を変えるだけでそれぞれのイオンビームの発
生が行えるから、操作が簡単になる。
【００１８】イオンビーム路に配置されたオリフィス板
のオリフィス径を変えることができるから、通常の分析
時に差動排気を可能にすると共に、クリーニング時に蒸
発セシウム及び残留セシウムによるイオンビ−ムを容易
に分析室に導入させることができ、残留セシウムのクリ
ーニング及びセシウム残留度の測定が容易になる。ま
た、四重極質量分析計の入口部にイオン化室を設け、蒸
発セシウムをイオン化し、四重極質量分析計でその存在
を検出することができるから、セシウム残留度を高感度
で測定できる。
のオリフィス径を変えることができるから、通常の分析
時に差動排気を可能にすると共に、クリーニング時に蒸
発セシウム及び残留セシウムによるイオンビ−ムを容易
に分析室に導入させることができ、残留セシウムのクリ
ーニング及びセシウム残留度の測定が容易になる。ま
た、四重極質量分析計の入口部にイオン化室を設け、蒸
発セシウムをイオン化し、四重極質量分析計でその存在
を検出することができるから、セシウム残留度を高感度
で測定できる。
【００１９】イオン源のクリーニングに際し、単に、イ
オン源を加熱してセシウムを蒸発させて排気するだけで
はなく、セシウムの残留度が四重極質量分析計を用いて
高感度で測定することが可能になり、セシウムが残留し
ていないことの確認後に、酸素ビームを発生させること
ができるから、セシウムから酸素への切り換えに、安全
性を保証することができる。そして、イオン源の内部に
残留しているセシウムの量に応じてイオン源の加熱時
間、つまりクリーニング時間が変化するから、セシウム
のクリーニングを充分に行うことができる。
オン源を加熱してセシウムを蒸発させて排気するだけで
はなく、セシウムの残留度が四重極質量分析計を用いて
高感度で測定することが可能になり、セシウムが残留し
ていないことの確認後に、酸素ビームを発生させること
ができるから、セシウムから酸素への切り換えに、安全
性を保証することができる。そして、イオン源の内部に
残留しているセシウムの量に応じてイオン源の加熱時
間、つまりクリーニング時間が変化するから、セシウム
のクリーニングを充分に行うことができる。
【００２０】また、クリーニング時、マイクロ波放電型
イオン源から残留セシウムによるイオンビームを発生さ
せ、このビーム電流を測定することにより、セシウム残
留度が簡便に測定できる。
イオン源から残留セシウムによるイオンビームを発生さ
せ、このビーム電流を測定することにより、セシウム残
留度が簡便に測定できる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】オリフィス板の構成図である。
【図３】クリーニング時における検出セシウムイオン及
びイオン電流の変化図である。
びイオン電流の変化図である。
【図４】従来の２イオン源方式の概略構成図である。
1 マイクロ波放電型イオン源 3 ヒータ 4 マイクロ波電源 5 加熱用電源 7 酸素ボンベ 8 バルブ 9 セシウム蒸気発生用オーブン 10 ゲ−トバルブ 16 オリフィス板 18 ゲ−トバルブ 19 真空ポンプ 21 真空ポンプ 25 ターゲット 26 四重極質量分析計 28 カウンタ 29 イオン化室 30 ヒータ 31 電源 32 電流計 33 コントローラ
Claims (4)
- 【請求項１】 マイクロ波放電型イオン源と、このイオ
ン源に異なるイオン化物質を切り換え供給する手段とを
備えてなることを特徴とする２次イオン質量分析装置。 - 【請求項２】 マイクロ波放電型イオン源と、このイオ
ン源に異なるイオン化物質を切り換え供給する手段と、
イオン光学系に設けられ、径の異なる複数のオリフィス
が形成されているオリフィス板と、四重極質量分析計の
入口部に設けられ、フィラメントを有するイオン化室と
を備えてなることを特徴とする２次イオン質量分析装
置。 - 【請求項３】 イオン化物質として酸素とセシウム蒸気
が切り換え導入されるマイクロ波放電型イオン源を有す
る２次イオン質量分析装置において、前記イオン源のヒ
ータを加熱して残留セシウムを蒸発させて分析室に接続
されたポンプで排出すると共に、蒸発セシウムを、四重
極質量分析計の入口部に設けられたイオン化室でイオン
化して四重極質量分析計で検出することを特徴とする２
次イオン質量分析装置における残留セシウムのクリーニ
ング方法。 - 【請求項４】 イオン化物質として酸素とセシウム蒸気
が切り換え導入されるマイクロ波放電型イオン源を有す
る２次イオン質量分析装置において、前記イオン源のヒ
ータを加熱して残留セシウムを蒸発させて分析室に接続
されたポンプで排出すると共に、前記イオン源にマイク
ロ波電力を供給して、残留セシウムを放電させてセシウ
ムイオンを引出し、ターゲットに到達したセシウムイオ
ン電流を電流計で検出することを特徴とする２次イオン
質量分析装置における残留セシウムのクリーニング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326318A JPH05144398A (ja) | 1991-11-16 | 1991-11-16 | ２次イオン質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326318A JPH05144398A (ja) | 1991-11-16 | 1991-11-16 | ２次イオン質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144398A true JPH05144398A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18186429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3326318A Pending JPH05144398A (ja) | 1991-11-16 | 1991-11-16 | ２次イオン質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144398A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100862163B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-10-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이차이온 질량분석 장치 및 방법 |
| JP2010025912A (ja) * | 2008-06-11 | 2010-02-04 | Kratos Analytical Ltd | 電子分光法 |
| WO2016019164A1 (en) | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Agilent Technologies, Inc. | Plasma cleaning for mass spectrometers |
-
1991
- 1991-11-16 JP JP3326318A patent/JPH05144398A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100862163B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-10-09 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이차이온 질량분석 장치 및 방법 |
| JP2010025912A (ja) * | 2008-06-11 | 2010-02-04 | Kratos Analytical Ltd | 電子分光法 |
| WO2016019164A1 (en) | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Agilent Technologies, Inc. | Plasma cleaning for mass spectrometers |
| EP3195347A4 (en) * | 2014-08-01 | 2018-10-24 | Agilent Technologies, Inc. | Plasma cleaning for mass spectrometers |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6717990B2 (ja) | イオン化装置およびそれを有する質量分析計 | |
| JP3904322B2 (ja) | 分析装置 | |
| WO2007102224A1 (ja) | 質量分析装置 | |
| CN107462622A (zh) | 用于静态气体质谱分析的设备和方法 | |
| TW202105457A (zh) | 離子化裝置及質譜儀 | |
| CN106575598A (zh) | 质谱仪的等离子体清洁 | |
| WO2007102204A1 (ja) | 質量分析装置 | |
| JPH05144398A (ja) | ２次イオン質量分析装置 | |
| JP4692627B2 (ja) | 質量分析装置 | |
| JP3676227B2 (ja) | 化学物質の検出装置および化学物質の濃度測定方法 | |
| JP2005181098A (ja) | 危険物検知装置用試料導入方式 | |
| JP2006267129A (ja) | 分析装置 | |
| JPS6235255A (ja) | 液体クロマトグラフ質量分析装置 | |
| JPH0351052B2 (ja) | ||
| JPH0676775A (ja) | イオン打込み方法 | |
| RU2183985C2 (ru) | Способ промышленного электромагнитного разделения изотопов химических элементов | |
| JP3652922B2 (ja) | 化学物質の検出装置 | |
| JPH0342616Y2 (ja) | ||
| JP2000077026A (ja) | 極高真空に於ける質量分析方法と装置 | |
| JPH08293281A (ja) | 質量分析装置 | |
| JP2610035B2 (ja) | 表面分析装置 | |
| JPH0589822A (ja) | 質量分析装置用イオン源 | |
| JPH07326313A (ja) | 蒸発炉付イオン源を用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPS60121662A (ja) | 質量分析装置 | |
| JPH05242856A (ja) | 誘導プラズマ質量分析装置 |