JPH0513807A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
- Publication number
- JPH0513807A JPH0513807A JP16125391A JP16125391A JPH0513807A JP H0513807 A JPH0513807 A JP H0513807A JP 16125391 A JP16125391 A JP 16125391A JP 16125391 A JP16125391 A JP 16125391A JP H0513807 A JPH0513807 A JP H0513807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- optical coupling
- coupling element
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】
【目的】光結合素子の発光ダイオード駆動電流調整の為
に、光結合素子内部に抵抗素子を組み込む事により外部
抵抗の接続を不用とする。又、入力端子の選択により、
発光ダイオードのみ、あるいは発光ダイオードと抵抗素
子の直列接続の構成が選択でき、フレキシビリティの高
い駆動の実現を目的している。 【構成】光結合素子内部において、発光ダイオードに抵
抗素子２を接続し、（＋）側入力端子ＩＮ（＋）と
（−）側入力端子ＩＮ（−）Ａ間では、発光ダイオード
のみで構成で、（＋）側入力端子ＩＮ（＋）と（−）側
入力端子ＩＮ（−）Ｂ間では発光ダイオードと抵抗素子
の直列接続による構成となる。 【効果】光結合素子外部に、入力電流調整用の外部抵抗
の接続を不用とし、実装面積の縮少化が図れ、入力端子
の組み合わせにより従来の光結素子としても用いる事が
できる。
に、光結合素子内部に抵抗素子を組み込む事により外部
抵抗の接続を不用とする。又、入力端子の選択により、
発光ダイオードのみ、あるいは発光ダイオードと抵抗素
子の直列接続の構成が選択でき、フレキシビリティの高
い駆動の実現を目的している。 【構成】光結合素子内部において、発光ダイオードに抵
抗素子２を接続し、（＋）側入力端子ＩＮ（＋）と
（−）側入力端子ＩＮ（−）Ａ間では、発光ダイオード
のみで構成で、（＋）側入力端子ＩＮ（＋）と（−）側
入力端子ＩＮ（−）Ｂ間では発光ダイオードと抵抗素子
の直列接続による構成となる。 【効果】光結合素子外部に、入力電流調整用の外部抵抗
の接続を不用とし、実装面積の縮少化が図れ、入力端子
の組み合わせにより従来の光結素子としても用いる事が
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明な光結合素子に関し、特に
光結合を有する電子部品に関する。
光結合を有する電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光結合素子は、図３に示すよう
に、入力側の発光ダイオード１と光起電力素子（アレイ
も含む）３のみ、あるいは、図４に示すように、トラン
ジスタもしくはＭＯＳＦＥＴ等を光起電力素子に接続
し、同一パッケージ内に収納したものであった。
に、入力側の発光ダイオード１と光起電力素子（アレイ
も含む）３のみ、あるいは、図４に示すように、トラン
ジスタもしくはＭＯＳＦＥＴ等を光起電力素子に接続
し、同一パッケージ内に収納したものであった。
【０００３】光結合素子の応用例である、図４に示す半
導体リレー１６は、発光ダイオード１と、光起電力ダイ
オードアレイ３とＮチャンネルエンハンスメント型ＭＯ
ＳＦＥＴ１５とを有している。この半導体リレー１６を
図５に示すような、電源がＶC C （ボルト）のＴＴＬ２
１，２２間のインターフェース回路内で用いる場合、半
導体リレー１６の発光ダイオード１を流れる駆動電流Ｉ
D は、ＴＴＬ２１の最大許容シンク電流ＩS M A X 以下
で駆動しなければならない。このことを式（１）で示
す。
導体リレー１６は、発光ダイオード１と、光起電力ダイ
オードアレイ３とＮチャンネルエンハンスメント型ＭＯ
ＳＦＥＴ１５とを有している。この半導体リレー１６を
図５に示すような、電源がＶC C （ボルト）のＴＴＬ２
１，２２間のインターフェース回路内で用いる場合、半
導体リレー１６の発光ダイオード１を流れる駆動電流Ｉ
D は、ＴＴＬ２１の最大許容シンク電流ＩS M A X 以下
で駆動しなければならない。このことを式（１）で示
す。
【０００４】ＩD ≦ＩS M A X ．．．．（１） そのため、通常は発光ダイオード１を流れる駆動電流Ｉ
D を調整する為、外部抵抗ＲI N を接続しなければなら
なかった。
D を調整する為、外部抵抗ＲI N を接続しなければなら
なかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の光結合素子
ては、発光ダイオーダの電気的特性の関係上、実際に回
路内で使用する場合に、光結合素子に外部抵抗を接続す
る為、実装面積が増すという問題があった。また単に内
部に抵抗を内蔵させたのみでは、駆動電流の調整が必要
な際に、駆動電流の電流値がコントロールできず、かえ
って不便になるという問題が生じた。
ては、発光ダイオーダの電気的特性の関係上、実際に回
路内で使用する場合に、光結合素子に外部抵抗を接続す
る為、実装面積が増すという問題があった。また単に内
部に抵抗を内蔵させたのみでは、駆動電流の調整が必要
な際に、駆動電流の電流値がコントロールできず、かえ
って不便になるという問題が生じた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の光結合素子は、
光結合素子における発光ダイオードの駆動電流調整用の
抵抗素子を内蔵しており、かつ、抵抗素子を用いずに発
光ダイオードに駆動電流を流すことも可能であるように
入力端子を３つ設けてある。
光結合素子における発光ダイオードの駆動電流調整用の
抵抗素子を内蔵しており、かつ、抵抗素子を用いずに発
光ダイオードに駆動電流を流すことも可能であるように
入力端子を３つ設けてある。
【０００７】
【作用】発光ダイオードの駆動電流調整用の外部抵抗の
接続が不用となり、場合により駆動電流の調整が必要な
場合には、使用する入力端子を適宜選択することで内部
抵抗を用いずに、外部抵抗を用いる事ができ、フレキシ
ビリィティの高い駆動が可能となる。
接続が不用となり、場合により駆動電流の調整が必要な
場合には、使用する入力端子を適宜選択することで内部
抵抗を用いずに、外部抵抗を用いる事ができ、フレキシ
ビリィティの高い駆動が可能となる。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例についてず面を参照して
説明する。図１は本発明の一実施例を光結合素子の回路
図である。図１に示すように、本実施例は、（＋）側入
力端子ＩＮ（＋）に発光ダイオード１のアノード電極側
が接続されており、発光ダイオード１のカソード電極側
に（−）側入力端子ＩＮ（−）Ａと抵抗素子２の一方の
端子が接続されており、抵抗素子２のもう一方の端子
が、（−）側入力端子ＩＮ（−）Ｂに接続されている。
また、光起電力ダイオードアレイ３のアノード電極４は
（＋）側負荷端子ＯＵＴ（＋）に、カソード電極５は
（−）側負荷ＯＵＴ（−）に接続されている。これら、
発光ダイオード１，抵抗素子２，光起電力ダイオードア
レイ３は同一パッケージに収納されている。
説明する。図１は本発明の一実施例を光結合素子の回路
図である。図１に示すように、本実施例は、（＋）側入
力端子ＩＮ（＋）に発光ダイオード１のアノード電極側
が接続されており、発光ダイオード１のカソード電極側
に（−）側入力端子ＩＮ（−）Ａと抵抗素子２の一方の
端子が接続されており、抵抗素子２のもう一方の端子
が、（−）側入力端子ＩＮ（−）Ｂに接続されている。
また、光起電力ダイオードアレイ３のアノード電極４は
（＋）側負荷端子ＯＵＴ（＋）に、カソード電極５は
（−）側負荷ＯＵＴ（−）に接続されている。これら、
発光ダイオード１，抵抗素子２，光起電力ダイオードア
レイ３は同一パッケージに収納されている。
【０００９】図２は、図１に示す光結合素子の内部接続
図である。図２に示すように、かかる光結合素子を収容
するＤｉｐパッケージは、リードフレームのアイランド
部７に、裏面がカソード電極の発光ダイオード１がマウ
ントされている。発光ダイオード１のアノード電極は、
ボンディングワイヤ１２で入力端子ＩＮ（＋）のリード
フレームアイランド６に配線されている。また、発光ダ
イオード１をマウントしているリードフレームのアイラ
ンド部７からリードフレームのアイランド部８にマウン
トされている抵抗素子２にボンディングワイヤ１３で配
線されている。
図である。図２に示すように、かかる光結合素子を収容
するＤｉｐパッケージは、リードフレームのアイランド
部７に、裏面がカソード電極の発光ダイオード１がマウ
ントされている。発光ダイオード１のアノード電極は、
ボンディングワイヤ１２で入力端子ＩＮ（＋）のリード
フレームアイランド６に配線されている。また、発光ダ
イオード１をマウントしているリードフレームのアイラ
ンド部７からリードフレームのアイランド部８にマウン
トされている抵抗素子２にボンディングワイヤ１３で配
線されている。
【００１０】発光ダイオード１から光を受ける光起電力
ダイオードアレイ３が形成された受光素子ペレット１１
は、裏面が受光素子ペレット１１上の光起電力ダイオー
ドアレイ３のカソード電極５で、リードフレームのアイ
ランド部９にマウントされており、受光素子ペレット１
１上の光起電力ダイオードアレイ３のアノード電極４は
ボンティングワイヤ１４でリードフレームのアイランド
部１０に配線されている。
ダイオードアレイ３が形成された受光素子ペレット１１
は、裏面が受光素子ペレット１１上の光起電力ダイオー
ドアレイ３のカソード電極５で、リードフレームのアイ
ランド部９にマウントされており、受光素子ペレット１
１上の光起電力ダイオードアレイ３のアノード電極４は
ボンティングワイヤ１４でリードフレームのアイランド
部１０に配線されている。
【００１１】このような配線により、光結合素子を入力
側端子のＩＮ（＋）−ＩＮ（−）Ｂ間で用いれば、光結
合素子に外部抵抗を付加させる事なく、抵抗素子２の抵
抗値を選択する事により、任意の回路内において光結合
素子単体で用いることが可能となる。又、光結合素子を
入力側端子ＩＮ（＋）−ＩＮ（−）Ａ間で用いれば従来
の光結合素子として用いる事が可能である。
側端子のＩＮ（＋）−ＩＮ（−）Ｂ間で用いれば、光結
合素子に外部抵抗を付加させる事なく、抵抗素子２の抵
抗値を選択する事により、任意の回路内において光結合
素子単体で用いることが可能となる。又、光結合素子を
入力側端子ＩＮ（＋）−ＩＮ（−）Ａ間で用いれば従来
の光結合素子として用いる事が可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光結合素子
は、素子内部で発光ダイオードと抵抗素子を接続するこ
とにより、光結合素子に外部で抵抗を接続する事が不要
となり、実装面積の縮少できる効果がある。又、入力側
端子の組み合わせにより、抵抗内蔵の光結合素子と従来
の光結合素子と切り換えができるという効果もある。
は、素子内部で発光ダイオードと抵抗素子を接続するこ
とにより、光結合素子に外部で抵抗を接続する事が不要
となり、実装面積の縮少できる効果がある。又、入力側
端子の組み合わせにより、抵抗内蔵の光結合素子と従来
の光結合素子と切り換えができるという効果もある。
【図１】本発明のー実施例である光結合素子の回路図
【図２】図１に示した光結合素子の内部接続図
【図３】従来のー例を示す、光結合素子の回路図
【図４】従来のー例を示す半導体リレーの回路図
【図５】図４に示した半導体リレーを用いたＴＴＬ間の
インターフェース回路図
インターフェース回路図
１ 発光ダイオード ２ 抵抗素子 ３ 光起電力カダイオードアレイ ４ アノード電極 ５ カソード電極 ６ アイランド部 ７ アイランド部 ８ アイランド部 ９ アイランド部 １０ アイランド部 １１ 受光素子ペレット １２ ボンディングワイヤ １３ ボンディングワイヤ １４ ボンディングワイヤ １５ Ｎチャンネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ １６ 半導体リレー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 入力電流により発光する発光ダイオード
と、前記発光ダイオードの発光により光起電力を発生す
る光起電力素子を、同一パッケージ内に収納した光結合
素子において、前記発光ダイオードに抵抗素子を直列接
続し、前記発光ダイオードと前記光起電力素子及び前記
抵抗素子を同一チップ内に収納し、かつ、発光ダイオー
ドのアノード電極、発光ダイオードのカソード電極、抵
抗素子端に各々接続した３つの入力端子を備えた事を特
徴とする光結合素子
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16125391A JPH0513807A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16125391A JPH0513807A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513807A true JPH0513807A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15731578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16125391A Pending JPH0513807A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9425350B2 (en) | 2013-09-11 | 2016-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler and light emitting element |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16125391A patent/JPH0513807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9425350B2 (en) | 2013-09-11 | 2016-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photocoupler and light emitting element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7230324B2 (en) | Strobe light control circuit and IGBT device | |
| DE69431128D1 (de) | Leistungstransistormodul | |
| JPH08214541A (ja) | チョッパ型レギュレータ回路およびチョッパ型レギュレータｉｃ | |
| US6563203B2 (en) | Motor driving device | |
| US5757020A (en) | Photosemiconductor relay, photosemiconductor relay device, controller using photosemiconductor relay, power supply apparatus using photosemiconductor relay and terminal switching apparatus using photosemiconductor relay | |
| US6441404B1 (en) | Multichip module | |
| JPH0315852B2 (ja) | ||
| JPH0513807A (ja) | 光結合素子 | |
| JP3319879B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10270805A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3469730B2 (ja) | 半導体素子 | |
| JP3505986B2 (ja) | 半導体リレー | |
| JP2596957B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JP3471582B2 (ja) | ソリッドステートリレー | |
| TW200406597A (en) | Optical semiconductor relay | |
| JPH0231457A (ja) | 発光素子駆動用半導体装置 | |
| JP2667731B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JPH10150217A (ja) | ２接点型半導体リレー | |
| JPH06177736A (ja) | 固体リレー | |
| JP3439587B2 (ja) | ソリッドステートリレー | |
| JPH05227000A (ja) | ソリッドステートリレー | |
| JP2004303949A (ja) | Ｍｏｓトランジスタ装置 | |
| JPH0593058U (ja) | ドライバー内蔵型発光ダイオード | |
| JPH06224725A (ja) | フォトモスリレー | |
| JPH0645357U (ja) | 光電気的に隔絶された固体リレー |