JP3471582B2 - ソリッドステートリレー - Google Patents
ソリッドステートリレーInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトカプラ等の絶
縁回路と駆動素子とを１つのパッケージに組み込んだソ
リッドステートリレーに関するものである。
縁回路と駆動素子とを１つのパッケージに組み込んだソ
リッドステートリレーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例のソリッドステートリレー
を示す構造図である。５１はフォトトライアックカプラ
であり、受光素子と発光素子が内蔵されている。フォト
トライアックカプラ５１はその各端子が、リードフレー
ム５２ａ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅにそれぞれ接続され
ている。５４はトライアックチップであり、リードフレ
ーム５２ａ上にダイボンドされている。トライアックチ
ップ５４はその上面にゲート電極５４ａおよびＴ１電極
５４ｂを有しており、ゲート電極５４ａはワイヤ５３ａ
によってリードフレーム５２ｃと電気的に接続されてい
る。また、Ｔ１電極５４ｂはリードフレーム５２ｂと電
気的に接続されている。点線で示される封止樹脂５５で
モールドすることによりソリッドステートリレー５０が
形成される。封止樹脂５５の外部には入力端子５６ａお
よび５６ｂと出力端子５７ａおよび５７ｂの４つの端子
の一部が露出している。
を示す構造図である。５１はフォトトライアックカプラ
であり、受光素子と発光素子が内蔵されている。フォト
トライアックカプラ５１はその各端子が、リードフレー
ム５２ａ、５２ｃ、５２ｄ、５２ｅにそれぞれ接続され
ている。５４はトライアックチップであり、リードフレ
ーム５２ａ上にダイボンドされている。トライアックチ
ップ５４はその上面にゲート電極５４ａおよびＴ１電極
５４ｂを有しており、ゲート電極５４ａはワイヤ５３ａ
によってリードフレーム５２ｃと電気的に接続されてい
る。また、Ｔ１電極５４ｂはリードフレーム５２ｂと電
気的に接続されている。点線で示される封止樹脂５５で
モールドすることによりソリッドステートリレー５０が
形成される。封止樹脂５５の外部には入力端子５６ａお
よび５６ｂと出力端子５７ａおよび５７ｂの４つの端子
の一部が露出している。
【０００３】図６は従来例のソリッドステートリレーを
示す回路図である。入力端子５６ａと５６ｂに電流が流
れるとフォトトライアックカプラ５１内の発光素子５１
ａが流れた電流に対応して発光する。発光素子５１ａと
しては発光ダイオード等が使用される。
示す回路図である。入力端子５６ａと５６ｂに電流が流
れるとフォトトライアックカプラ５１内の発光素子５１
ａが流れた電流に対応して発光する。発光素子５１ａと
しては発光ダイオード等が使用される。
【０００４】発光素子５１ａから発せられた放射光によ
ってフォトトライアックカプラ５１内の受光素子５１ｂ
がその放射光のレベルに対応して電流発生し、駆動素子
であるトライアックチップ５４を点弧する。これによっ
て出力端子５７ａと５７ｂとの間に介在している交流電
源からの電力を調整することにより負荷電流を制御する
ことが可能になる。
ってフォトトライアックカプラ５１内の受光素子５１ｂ
がその放射光のレベルに対応して電流発生し、駆動素子
であるトライアックチップ５４を点弧する。これによっ
て出力端子５７ａと５７ｂとの間に介在している交流電
源からの電力を調整することにより負荷電流を制御する
ことが可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ソリッドステートリレーにおいては、出力端子間にノイ
ズなどの過電圧が印加されたとき、その電圧値がある一
定のレベルをこえるとソリッドステートリレーが誤動作
を起こすことがある。誤動作を引き起こす可能性のある
電圧値は受光素子やトライアックチップの耐量により決
定されるが、近年、電子機器のデジタル化に伴いソリッ
ドステートリレーのノイズ耐量に対する要求値が厳しく
なってきており、耐量を向上させる必要が生じてきた。
ソリッドステートリレーにおいては、出力端子間にノイ
ズなどの過電圧が印加されたとき、その電圧値がある一
定のレベルをこえるとソリッドステートリレーが誤動作
を起こすことがある。誤動作を引き起こす可能性のある
電圧値は受光素子やトライアックチップの耐量により決
定されるが、近年、電子機器のデジタル化に伴いソリッ
ドステートリレーのノイズ耐量に対する要求値が厳しく
なってきており、耐量を向上させる必要が生じてきた。
【０００６】本発明は上述の問題を鑑みてなされたもの
であり、耐ノイズ性を向上させたソリッドステートリレ
ーを提供することを目的とする。
であり、耐ノイズ性を向上させたソリッドステートリレ
ーを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
ソリッドステートリレーは、入力側からの入力信号に対
応して発光する発光素子と、該発光素子の光を受光する
ための受光素子と、該受光素子からの駆動信号を受けて
駆動する駆動素子とを備えたソリッドステートリレーに
おいて、前記駆動素子のゲートと前記駆動素子のゲート
設置側の出力電極または出力端子との間にコンデンサが
電気的に直接接続されていることを特徴とするものであ
る。
ソリッドステートリレーは、入力側からの入力信号に対
応して発光する発光素子と、該発光素子の光を受光する
ための受光素子と、該受光素子からの駆動信号を受けて
駆動する駆動素子とを備えたソリッドステートリレーに
おいて、前記駆動素子のゲートと前記駆動素子のゲート
設置側の出力電極または出力端子との間にコンデンサが
電気的に直接接続されていることを特徴とするものであ
る。
【０００８】また、本発明の請求項２記載のソリッドス
テートリレーは、前記コンデンサは駆動素子上に形成さ
れた電極に直接設置されてなることを特徴とするもので
ある。
テートリレーは、前記コンデンサは駆動素子上に形成さ
れた電極に直接設置されてなることを特徴とするもので
ある。
【０００９】また、本発明の請求項３記載のソリッドス
テートリレーは、駆動素子上面のコンデンサ設置部とワ
イヤボンディング部の電極の材質が違うことを特徴とす
るものである。
テートリレーは、駆動素子上面のコンデンサ設置部とワ
イヤボンディング部の電極の材質が違うことを特徴とす
るものである。
【００１０】また、本発明の請求項４記載のソリッドス
テートリレーは、前記コンデンサはソリッドステートリ
レー内部のリードフレーム間に設置されたことを特徴と
するものである。
テートリレーは、前記コンデンサはソリッドステートリ
レー内部のリードフレーム間に設置されたことを特徴と
するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
るソリッドステートリレーを示す構造図である。１１は
フォトトライアックカプラであり、受光素子と発光素子
が内蔵されている。フォトトライアックカプラ１１はそ
の各端子が、リードフレーム１２ａ、１２ｃ、１２ｄ、
１２ｅにそれぞれ接続されている。１４はトライアック
チップであり、リードフレーム１２ａ上にダイボンドさ
れている。トライアックチップ１４はその上面にゲート
電極１４ａおよび出力電極であるＴ１電極１４ｂを有し
ており、電極１４ａはワイヤ１３ａによってリードフレ
ーム１２ｃと電気的に接続さている。また、電極１４ｂ
はリードフレーム１２ｂと電気的に接続されている。
るソリッドステートリレーを示す構造図である。１１は
フォトトライアックカプラであり、受光素子と発光素子
が内蔵されている。フォトトライアックカプラ１１はそ
の各端子が、リードフレーム１２ａ、１２ｃ、１２ｄ、
１２ｅにそれぞれ接続されている。１４はトライアック
チップであり、リードフレーム１２ａ上にダイボンドさ
れている。トライアックチップ１４はその上面にゲート
電極１４ａおよび出力電極であるＴ１電極１４ｂを有し
ており、電極１４ａはワイヤ１３ａによってリードフレ
ーム１２ｃと電気的に接続さている。また、電極１４ｂ
はリードフレーム１２ｂと電気的に接続されている。
【００１２】また、トライアックチップ１４上のゲート
電極１４ａとＴ１電極１４ｂとにまたがってコンデンサ
１８が取付けられている。すなわち、トライアックチッ
プ１４のゲートとトライアックチップのゲート接地側の
出力電極との間に設置される。
電極１４ａとＴ１電極１４ｂとにまたがってコンデンサ
１８が取付けられている。すなわち、トライアックチッ
プ１４のゲートとトライアックチップのゲート接地側の
出力電極との間に設置される。
【００１３】点線で表される封止樹脂１５でモールドす
ることによりソリッドリレー１０が形成される。リード
フレームの一部は端子として形成されており、アノード
端子である入力端子１６ａおよびカソード端子である入
力端子１６ｂと、一般にＴ１端子と呼ばれている出力端
子１７ａと一般にＴ２端子と呼ばれている出力端子１７
ｂの４つの端子の一部が封止樹脂１５の外側に露出して
いる。リードフレーム１２ｃはトライアックチップ１４
のゲート端子に相当する部分であるが、外部に露出させ
る必要はなく、封止樹脂１５の内部にあるほうが対ノイ
ズ性および絶縁特性において有利である。
ることによりソリッドリレー１０が形成される。リード
フレームの一部は端子として形成されており、アノード
端子である入力端子１６ａおよびカソード端子である入
力端子１６ｂと、一般にＴ１端子と呼ばれている出力端
子１７ａと一般にＴ２端子と呼ばれている出力端子１７
ｂの４つの端子の一部が封止樹脂１５の外側に露出して
いる。リードフレーム１２ｃはトライアックチップ１４
のゲート端子に相当する部分であるが、外部に露出させ
る必要はなく、封止樹脂１５の内部にあるほうが対ノイ
ズ性および絶縁特性において有利である。
【００１４】図２は図１のソリッドステートリレーの回
路図である、入力端子１６ａと１６ｂに電流が流れると
フォトトライアックカプラ１１内の発光素子１１ａが流
れた電流に対応して発光する。発光素子１１ａとしては
発光ダイオード等が使用される。
路図である、入力端子１６ａと１６ｂに電流が流れると
フォトトライアックカプラ１１内の発光素子１１ａが流
れた電流に対応して発光する。発光素子１１ａとしては
発光ダイオード等が使用される。
【００１５】発光素子１１ａから発せられた放射光によ
ってフォトトライアックカプラ１１内の受光素子１１ｂ
がその放射光のレベルに対応して電流発生し、駆動素子
であるトライアックチップ１４を点弧する。
ってフォトトライアックカプラ１１内の受光素子１１ｂ
がその放射光のレベルに対応して電流発生し、駆動素子
であるトライアックチップ１４を点弧する。
【００１６】コンデンサ１８はゲートとＴ１電極の間に
設置されており、パルスノイズ耐量および入力信号を印
加しない状態でソリッドステートリレーのＴ１−Ｔ２間
に急峻な立ち上がりの純電圧を印加した場合の電圧の上
昇率である臨界オフ電圧上昇率を高めることができ、耐
ノイズ性を向上させることができる。
設置されており、パルスノイズ耐量および入力信号を印
加しない状態でソリッドステートリレーのＴ１−Ｔ２間
に急峻な立ち上がりの純電圧を印加した場合の電圧の上
昇率である臨界オフ電圧上昇率を高めることができ、耐
ノイズ性を向上させることができる。
【００１７】また、外部に別途コンデンサが付加される
場合にはトライアックのゲート部が端子として封止樹脂
外部に露出するため、ゲート端子部よりノイズが侵入す
る怖れがあるが、コンデンサを封止樹脂内部に内蔵する
ことにより、ゲート端子部よりノイズが侵入することが
なく、耐ノイズ性を向上させることができる。
場合にはトライアックのゲート部が端子として封止樹脂
外部に露出するため、ゲート端子部よりノイズが侵入す
る怖れがあるが、コンデンサを封止樹脂内部に内蔵する
ことにより、ゲート端子部よりノイズが侵入することが
なく、耐ノイズ性を向上させることができる。
【００１８】図７はソリッドステートリレーのパルスノ
イズ耐量を測定回路を示すブロック図である。ソリッド
ステートリレー２１のＴ１電極とＴ２電極の間にスナバ
回路である抵抗２２（抵抗値Ｒ）とコンデンサ２３（容
量Ｃ）が接続されている。Ｔ１電極にはノイズシュミレ
ータ２５を介してＡＣ電源２６が接続されており、Ｔ２
電極には電磁弁等の負荷が接続され、さらに、ノイズシ
ュミレータ２５を介してＡＣ電源２６に接続されてい
る。この回路において、ノイズシュミレータによって大
地などの基準点と各線間対に現れるコモンモードノイズ
を与えた。
イズ耐量を測定回路を示すブロック図である。ソリッド
ステートリレー２１のＴ１電極とＴ２電極の間にスナバ
回路である抵抗２２（抵抗値Ｒ）とコンデンサ２３（容
量Ｃ）が接続されている。Ｔ１電極にはノイズシュミレ
ータ２５を介してＡＣ電源２６が接続されており、Ｔ２
電極には電磁弁等の負荷が接続され、さらに、ノイズシ
ュミレータ２５を介してＡＣ電源２６に接続されてい
る。この回路において、ノイズシュミレータによって大
地などの基準点と各線間対に現れるコモンモードノイズ
を与えた。
【００１９】表１はソリッドステートリレーのゲートに
コンデンサを取付けた場合とコンデンサが無い場合との
パルスノイズ耐量を示す実験結果を示している。
コンデンサを取付けた場合とコンデンサが無い場合との
パルスノイズ耐量を示す実験結果を示している。
【００２０】
【表１】
【００２１】表１において、コンデンサを取付けた場合
のパルスノイズ耐量２０００〜２１００（Ｖ）であるの
に対し、コンデンサがない場合には１７００〜１８００
（Ｖ）である。すなわち、コンデンサを取付けることに
よりパルスノイズに対する耐量が向上している。
のパルスノイズ耐量２０００〜２１００（Ｖ）であるの
に対し、コンデンサがない場合には１７００〜１８００
（Ｖ）である。すなわち、コンデンサを取付けることに
よりパルスノイズに対する耐量が向上している。
【００２２】表２はソリッドステートリレーのゲートに
コンデンサを取付けた場合とコンデンサが無い場合との
臨界オフ電圧上昇率を示す実験結果を示している。
コンデンサを取付けた場合とコンデンサが無い場合との
臨界オフ電圧上昇率を示す実験結果を示している。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２において、コンデンサを取付けた場合
の臨界オフ値上昇率は、１８００（Ｖ／μｓ）以上であ
るのに対し、コンデンサが無い場合には７００〜１２９
０（Ｖ／μｓ）である。すなわち、コンデンサを取付け
ることにより、臨界オフ電圧上昇率が向上している。Ｖ
ＤはソリッドステートリレーのＴ１電極とＴ２電極との
間に印加される電圧である。
の臨界オフ値上昇率は、１８００（Ｖ／μｓ）以上であ
るのに対し、コンデンサが無い場合には７００〜１２９
０（Ｖ／μｓ）である。すなわち、コンデンサを取付け
ることにより、臨界オフ電圧上昇率が向上している。Ｖ
ＤはソリッドステートリレーのＴ１電極とＴ２電極との
間に印加される電圧である。
【００２５】図３は本願発明の別の実施形態であるソリ
ッドステートリレーを示す構造図である。回路的には図
１に示すソリッドステートリレーと同じであるが、トラ
イアックチップ１４上面にはゲート電極１４ａ、１４ｃ
とＴ１電極１４ｂ、１４ｄの４つの電極が設けられてお
り、ゲート電極１４ａとゲート電極１４ｃは同電位であ
り、また、Ｔ１電極１４ｂとＴ２電極１４ｄは同電位で
ある。ゲート電極１４ａ、Ｔ１電極１４ｂはハンダ付け
性の良いニッケル電極等で形成されており、また、ゲー
ト電極１４ｃ、Ｔ１電極１４ｄはワイヤボンディング性
の良いアルミで電極等で形成されている。コンデンサ１
８はゲート電極１４ａとＴ１電極１４ｂに直接半田付け
されている。また、Ｔ１電極１４ｄはリードフレーム１
２ｂとワイヤ１３ｂで電気的に接続され、ゲート電極１
４ｃはリードフレーム１２ｃとワイヤ１３ａで電気的に
接続されている。コンデンサ１８を設置する電極部分と
ワイヤボンディングする電極部分を別の材質で構成する
ことにより、コンデンサをトライアックチップ上に確実
に設置でき、また、リードフレームとワイヤで確実に結
線することができる。
ッドステートリレーを示す構造図である。回路的には図
１に示すソリッドステートリレーと同じであるが、トラ
イアックチップ１４上面にはゲート電極１４ａ、１４ｃ
とＴ１電極１４ｂ、１４ｄの４つの電極が設けられてお
り、ゲート電極１４ａとゲート電極１４ｃは同電位であ
り、また、Ｔ１電極１４ｂとＴ２電極１４ｄは同電位で
ある。ゲート電極１４ａ、Ｔ１電極１４ｂはハンダ付け
性の良いニッケル電極等で形成されており、また、ゲー
ト電極１４ｃ、Ｔ１電極１４ｄはワイヤボンディング性
の良いアルミで電極等で形成されている。コンデンサ１
８はゲート電極１４ａとＴ１電極１４ｂに直接半田付け
されている。また、Ｔ１電極１４ｄはリードフレーム１
２ｂとワイヤ１３ｂで電気的に接続され、ゲート電極１
４ｃはリードフレーム１２ｃとワイヤ１３ａで電気的に
接続されている。コンデンサ１８を設置する電極部分と
ワイヤボンディングする電極部分を別の材質で構成する
ことにより、コンデンサをトライアックチップ上に確実
に設置でき、また、リードフレームとワイヤで確実に結
線することができる。
【００２６】図４は本願発明の別の実施形態であるソリ
ッドステートリレーを示す構造図である。Ｔ１出力端子
とゲートの間である、すなわち、リードフレーム１２ｂ
とリードフレーム１２ｃとの間に、コンデンサ１８が設
置されている。図４の構成においても、回路的には図２
と同等であり、図１、図３に示されるソリッドステート
リレーと同様に耐ノイズ性を向上させることができる。
ッドステートリレーを示す構造図である。Ｔ１出力端子
とゲートの間である、すなわち、リードフレーム１２ｂ
とリードフレーム１２ｃとの間に、コンデンサ１８が設
置されている。図４の構成においても、回路的には図２
と同等であり、図１、図３に示されるソリッドステート
リレーと同様に耐ノイズ性を向上させることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の請求項１記載のソリッドステー
トリレーは、入力側からの入力信号に対応して発光する
発光素子と、該発光素子の光を受光するための受光素子
と、該受光素子からの駆動信号を受けて駆動する駆動素
子とを備えたソリッドステートリレーにおいて、前記駆
動素子のゲートと前記駆動素子のゲート設置側の出力電
極または出力端子との間にコンデンサが電気的に直接接
続されていることを特徴とするものであり、ソリッドス
テートリレーの耐ノイズ性を向上させることができ、信
頼性を高めることができる。
トリレーは、入力側からの入力信号に対応して発光する
発光素子と、該発光素子の光を受光するための受光素子
と、該受光素子からの駆動信号を受けて駆動する駆動素
子とを備えたソリッドステートリレーにおいて、前記駆
動素子のゲートと前記駆動素子のゲート設置側の出力電
極または出力端子との間にコンデンサが電気的に直接接
続されていることを特徴とするものであり、ソリッドス
テートリレーの耐ノイズ性を向上させることができ、信
頼性を高めることができる。
【００２８】また、本発明の請求項２記載のソリッドス
テートリレーは、前記コンデンサは駆動素子上に形成さ
れた電極に直接設置されてなることを特徴とするもので
あり、コンデンサを封止樹脂内部に内蔵させることによ
り、ソリッドステートリレーの耐ノイズ性を向上させる
ことができ、信頼性を高めることができる。
テートリレーは、前記コンデンサは駆動素子上に形成さ
れた電極に直接設置されてなることを特徴とするもので
あり、コンデンサを封止樹脂内部に内蔵させることによ
り、ソリッドステートリレーの耐ノイズ性を向上させる
ことができ、信頼性を高めることができる。
【００２９】また、本発明の請求項３記載のソリッドス
テートリレーは、駆動素子上面のコンデンサ設置部とワ
イヤボンディング部の電極の材質が違うことを特徴とす
るものであり、駆動素子上面にコンデンサを確実に設置
できるとともに、駆動素子とリードフレームとをワイヤ
によって確実に結線することができる。
テートリレーは、駆動素子上面のコンデンサ設置部とワ
イヤボンディング部の電極の材質が違うことを特徴とす
るものであり、駆動素子上面にコンデンサを確実に設置
できるとともに、駆動素子とリードフレームとをワイヤ
によって確実に結線することができる。
【００３０】また、本発明の請求項４記載のソリッドス
テートリレーは、前記コンデンサはソリッドステートリ
レー内部のリードフレーム間に設置されたことを特徴と
するものであり、コンデンサを封止樹脂内部に内蔵させ
ることにより、ソリッドステートリレーの耐ノイズ性を
向上させることができ、信頼性を高めることができる。
テートリレーは、前記コンデンサはソリッドステートリ
レー内部のリードフレーム間に設置されたことを特徴と
するものであり、コンデンサを封止樹脂内部に内蔵させ
ることにより、ソリッドステートリレーの耐ノイズ性を
向上させることができ、信頼性を高めることができる。
【図１】本発明の一実施の形態であるソリッドステート
リレーを示す構造図である。
リレーを示す構造図である。
【図２】本発明の一実施の形態であるソリッドステート
リレーを示す回路図である。
リレーを示す回路図である。
【図３】本発明の別の実施の形態であるソリッドステー
トリレーを示す構造図である。
トリレーを示す構造図である。
【図４】本発明の別の実施の形態であるソリッドステー
トリレーを示す構造図である。
トリレーを示す構造図である。
【図５】従来例のソリッドステートリレーを示す構造図
である。
である。
【図６】従来例のソリッドステートリレーを示す回路図
である。
である。
【図７】ソリッドステートリレーのパルスノイズ耐量を
測定回路を示すブロック図である。
測定回路を示すブロック図である。
１０ ソリッドステートリレー
１１ フォトトライアックカプラ
１１ａ 発光素子
１１ｂ 受光素子
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ リードフレーム
１３ａ、１３ｂ ワイヤ
１４ トライアックチップ
１４ａ ゲート電極
１４ｂ Ｔ１電極
１５ 封止樹脂
１６ａ、１６ｂ 入力端子
１７ａ、１７ｂ 出力端子
１８ コンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】入力側からの入力信号に対応して発光する
発光素子と、該発光素子の光を受光するための受光素子
と、該受光素子からの駆動信号を受けて駆動する駆動素
子とを備えたソリッドステートリレーにおいて、 前記駆動素子のゲートと、前記駆動素子のゲート設置側
の出力電極または出力端子との間にコンデンサが電気的
に直接接続されていることを特徴とするソリッドステー
トリレー。 - 【請求項２】 請求項１記載のソリッドステートリレー
において、前記コンデンサは駆動素子上に形成された電
極に直接設置されてなることを特徴とするソリッドステ
ートリレー。 - 【請求項３】 請求項２記載のソリッドステートリレー
において、駆動素子上面のコンデンサ設置部とワイヤボ
ンディング部の電極の材質が違うことを特徴とするソリ
ッドステートリレー。 - 【請求項４】 請求項１記載のソリッドステートリレー
において、前記コンデンサはソリッドステートリレー内
部のリードフレーム間に設置されたことを特徴とするソ
リッドステートリレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26612597A JP3471582B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ソリッドステートリレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26612597A JP3471582B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ソリッドステートリレー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112020A JPH11112020A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3471582B2 true JP3471582B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=17426683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26612597A Expired - Fee Related JP3471582B2 (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ソリッドステートリレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3471582B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100763863B1 (ko) | 2006-11-06 | 2007-10-05 | 한국 고덴시 주식회사 | 포토 트라이악의 구조 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26612597A patent/JP3471582B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11112020A (ja) | 1999-04-23 |
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