JPH05136640A - 高周波増幅回路 - Google Patents
高周波増幅回路Info
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- JPH05136640A JPH05136640A JP29423791A JP29423791A JPH05136640A JP H05136640 A JPH05136640 A JP H05136640A JP 29423791 A JP29423791 A JP 29423791A JP 29423791 A JP29423791 A JP 29423791A JP H05136640 A JPH05136640 A JP H05136640A
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- Japan
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- high frequency
- circuit
- rfc
- capacitor
- transistor
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 高周波信号を増幅する高周波用トランジスタ
Ｑ１を誘電体からなる基板上に設ける。トランジスタＱ
１の出力側が、基本周波数に対してλ（基板上での実効
波長）／４の長さの第１ストリップライン７と、基本周
波数に対してλ／６の長さの第２ストリップライン１１
と、出力整合条件を満たすための所定のコンデンサ１０
とを介してそれぞれ接地される。 【効果】 増幅された高周波信号に発生する３次高周波
成分が、第２ストリップライン１１を通して除去され
る。よって、従来は、３次高周波を除去するためにＢＰ
Ｆ（Band Pass Filter）を設けていたため、そのＢＰＦ
が回路の小型化に障害となっていたが、上記構成は、そ
のようなＢＰＦを省くことができ、また、第２ストリッ
プライン１１やコンデンサ１０を基板上に一体形成でき
ることから、回路を小型化でき、ＩＣ化できる。
Ｑ１を誘電体からなる基板上に設ける。トランジスタＱ
１の出力側が、基本周波数に対してλ（基板上での実効
波長）／４の長さの第１ストリップライン７と、基本周
波数に対してλ／６の長さの第２ストリップライン１１
と、出力整合条件を満たすための所定のコンデンサ１０
とを介してそれぞれ接地される。 【効果】 増幅された高周波信号に発生する３次高周波
成分が、第２ストリップライン１１を通して除去され
る。よって、従来は、３次高周波を除去するためにＢＰ
Ｆ（Band Pass Filter）を設けていたため、そのＢＰＦ
が回路の小型化に障害となっていたが、上記構成は、そ
のようなＢＰＦを省くことができ、また、第２ストリッ
プライン１１やコンデンサ１０を基板上に一体形成でき
ることから、回路を小型化でき、ＩＣ化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、携帯用無線電話機等に
使用される高周波増幅回路であって、特に受信部に前置
される高周波増幅回路に関するものである。
使用される高周波増幅回路であって、特に受信部に前置
される高周波増幅回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高周波増幅回路は、図５に示すよ
うに、入力端子２１より入力された高周波信号は、デカ
ップリングコンデンサ２２、入力整合回路２３を通り、
電界効果トランジスタであるトランジスタＱ１０のゲー
トに入力される。そのトランジスタＱ１０において増幅
された信号は、そのドレインより出力され、出力整合回
路２４、デカップリングコンデンサ２５を通り、出力端
子２６より出力される。
うに、入力端子２１より入力された高周波信号は、デカ
ップリングコンデンサ２２、入力整合回路２３を通り、
電界効果トランジスタであるトランジスタＱ１０のゲー
トに入力される。そのトランジスタＱ１０において増幅
された信号は、そのドレインより出力され、出力整合回
路２４、デカップリングコンデンサ２５を通り、出力端
子２６より出力される。
【０００３】上記の高周波増幅回路では、トランジスタ
Ｑ１０に所定の周波数の高周波信号が入力された場合、
コンデンサ２７によってＲＦＣ(Radio Frequency Coil)
２８は接地され、かつ、ＲＦＣ２８は所望とする基本周
波数のλ（基板上での実効波長：以下λは実効波長を指
す。）／４の長さに形成されているので、所望とする高
周波信号はＲＦＣ２８で反射されてＧＮＤには流れず、
高周波信号の損失が回避され、また、同様に、トランジ
スタＱ１０により増幅された出力高周波信号もＲＦＣ２
８で反射されてＧＮＤに流れず、高周波信号の損失が回
避される。
Ｑ１０に所定の周波数の高周波信号が入力された場合、
コンデンサ２７によってＲＦＣ(Radio Frequency Coil)
２８は接地され、かつ、ＲＦＣ２８は所望とする基本周
波数のλ（基板上での実効波長：以下λは実効波長を指
す。）／４の長さに形成されているので、所望とする高
周波信号はＲＦＣ２８で反射されてＧＮＤには流れず、
高周波信号の損失が回避され、また、同様に、トランジ
スタＱ１０により増幅された出力高周波信号もＲＦＣ２
８で反射されてＧＮＤに流れず、高周波信号の損失が回
避される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、高周波信号を増幅する際に、基本波に対して
整数倍の高周波を生じることがあり、これを除去するた
めに出力端子２６にＢＰＦ（Band Pass Filter：帯域通
過フィルタ）２９を用いる必要が生じており、よって、
そのようなＢＰＦ２９を設けることは、高周波増幅回路
の大型化を招き、また、集積回路（ＩＣ：Integrated C
ircuit）を作製する際の障害となるという問題を生じて
いる。
構成では、高周波信号を増幅する際に、基本波に対して
整数倍の高周波を生じることがあり、これを除去するた
めに出力端子２６にＢＰＦ（Band Pass Filter：帯域通
過フィルタ）２９を用いる必要が生じており、よって、
そのようなＢＰＦ２９を設けることは、高周波増幅回路
の大型化を招き、また、集積回路（ＩＣ：Integrated C
ircuit）を作製する際の障害となるという問題を生じて
いる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波増幅回路
は、以上の課題を解決するために、誘電体からなる基板
上に、高周波を増幅するトランジスタと、基本周波数に
おける上記の基板上での実効波長であるλの４分の１の
長さに形成されている第１ストリップラインとを設けて
なる高周波増幅回路において、前記トランジスタの出力
側が、λ／６の長さに形成されている第２ストリップラ
インと、出力整合条件を満たすために所定容量の容量性
素子とを介してそれぞれ接地されていることを特徴とし
ている。
は、以上の課題を解決するために、誘電体からなる基板
上に、高周波を増幅するトランジスタと、基本周波数に
おける上記の基板上での実効波長であるλの４分の１の
長さに形成されている第１ストリップラインとを設けて
なる高周波増幅回路において、前記トランジスタの出力
側が、λ／６の長さに形成されている第２ストリップラ
インと、出力整合条件を満たすために所定容量の容量性
素子とを介してそれぞれ接地されていることを特徴とし
ている。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、図４の概略回路図に示す
ように、トランジスタＱ１により増幅される基本周波数
の高周波信号は、第１ストリップラインおよび第２スト
リップラインにおいて反射されるので、減衰することな
く出力されるが、２次高周波は第１ストリップライン７
を通じてＧＮＤに流れ、３次高周波は第２ストリップラ
イン１１を通じてＧＮＤに流れるので、発生した高次高
周波成分が次段回路に伝達されることが防止される。な
お、第２ストリップライン１１に起因する出力整合条件
のずれは容量性素子であるコンデンサ１０を設けること
で修正して整合できる。
ように、トランジスタＱ１により増幅される基本周波数
の高周波信号は、第１ストリップラインおよび第２スト
リップラインにおいて反射されるので、減衰することな
く出力されるが、２次高周波は第１ストリップライン７
を通じてＧＮＤに流れ、３次高周波は第２ストリップラ
イン１１を通じてＧＮＤに流れるので、発生した高次高
周波成分が次段回路に伝達されることが防止される。な
お、第２ストリップライン１１に起因する出力整合条件
のずれは容量性素子であるコンデンサ１０を設けること
で修正して整合できる。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図３に
基づいて説明すれば、以下の通りである。高周波増幅回
路はマイクロ波集積回路として設けられ、そのマイクロ
波集積回路には、誘電体からなる基板が用いられ、その
基板の裏面に接地用導体が貼り付けられ、上記の基板の
表面に金属を蒸着・メッキおよびエッチングして伝送線
路またはインダクタ等の受動素子であるストリップライ
ンの回路パターンを形成し、次に、トランジスタ等の能
動素子や、抵抗、キャパシタ、インダクタ等の受動素子
などの個別部品が半田付けあるいは熱圧着して取り付け
られている。なお、上記の基板としてはガラスエポキシ
が用いられる。
基づいて説明すれば、以下の通りである。高周波増幅回
路はマイクロ波集積回路として設けられ、そのマイクロ
波集積回路には、誘電体からなる基板が用いられ、その
基板の裏面に接地用導体が貼り付けられ、上記の基板の
表面に金属を蒸着・メッキおよびエッチングして伝送線
路またはインダクタ等の受動素子であるストリップライ
ンの回路パターンを形成し、次に、トランジスタ等の能
動素子や、抵抗、キャパシタ、インダクタ等の受動素子
などの個別部品が半田付けあるいは熱圧着して取り付け
られている。なお、上記の基板としてはガラスエポキシ
が用いられる。
【０００８】そのような高周波増幅回路には、図１に示
すように、能動素子としての高周波信号を増幅するトラ
ンジスタとしてガリウムひ素からなる電界効果トランジ
スタ（以下、トランジスタと略す）Ｑ１が使用されてい
て、このトランジスタＱ１のゲートは、インピーダンス
整合のための入力整合回路１およびコンデンサ８を介し
て入力端子３に接続されている。
すように、能動素子としての高周波信号を増幅するトラ
ンジスタとしてガリウムひ素からなる電界効果トランジ
スタ（以下、トランジスタと略す）Ｑ１が使用されてい
て、このトランジスタＱ１のゲートは、インピーダンス
整合のための入力整合回路１およびコンデンサ８を介し
て入力端子３に接続されている。
【０００９】また、トランジスタＱ１のドレインには、
インピーダンス整合のための出力整合回路２およびコン
デンサ８を介して出力端子４に接続されており、トラン
ジスタＱ１のソースは接地されている。
インピーダンス整合のための出力整合回路２およびコン
デンサ８を介して出力端子４に接続されており、トラン
ジスタＱ１のソースは接地されている。
【００１０】さらに、入力整合回路１と入力側のコンデ
ンサ８との間、および出力整合回路２と出力側のコンデ
ンサ８との間は、所望とする基本周波数における前記基
板上での実効波長λの４分の１（λ／４）の長さに形成
されているＲＦＣ(Radio Frequency Coil)（第１ストリ
ップライン）７と、パスコンデンサ９とを介してそれぞ
れ接地されている。
ンサ８との間、および出力整合回路２と出力側のコンデ
ンサ８との間は、所望とする基本周波数における前記基
板上での実効波長λの４分の１（λ／４）の長さに形成
されているＲＦＣ(Radio Frequency Coil)（第１ストリ
ップライン）７と、パスコンデンサ９とを介してそれぞ
れ接地されている。
【００１１】トランジスタＱ１のゲートバイアスは、Ｒ
ＦＣ７を介して供給され、トランジスタＱ１のドレイン
電源はＲＦＣ７’を介して供給される。なお、上記の実
効波長λは、真空中での波長／（基板の実効誘電率）
1/2 で表される。
ＦＣ７を介して供給され、トランジスタＱ１のドレイン
電源はＲＦＣ７’を介して供給される。なお、上記の実
効波長λは、真空中での波長／（基板の実効誘電率）
1/2 で表される。
【００１２】その上、出力整合回路２と出力側のコンデ
ンサ８との間は、所望とする基本周波数における前記基
板上での実効波長λの６分の１（λ／６）の長さに形成
されているＲＦＣ（第２ストリップライン）１１の一端
が接続され、そのＲＦＣ１１の他端が接地されると共
に、そのＲＦＣ１１の接続による出力整合条件のずれを
解消するために、さらに、比較的小容量の整合用コンデ
ンサ（容量性素子）１０を介して接地されている。
ンサ８との間は、所望とする基本周波数における前記基
板上での実効波長λの６分の１（λ／６）の長さに形成
されているＲＦＣ（第２ストリップライン）１１の一端
が接続され、そのＲＦＣ１１の他端が接地されると共
に、そのＲＦＣ１１の接続による出力整合条件のずれを
解消するために、さらに、比較的小容量の整合用コンデ
ンサ（容量性素子）１０を介して接地されている。
【００１３】次に、上記実施例の構成の動作について説
明すると、まず、図示しないアンテナより入力されてき
た高周波信号は、図示しないＢＰＦ(BandPass Filter)
によって所望とする基本周波数のみが取り出されトラン
ジスタＱ１に入力される。このとき、トランジスタＱ１
への入力は、上記の基本周波数に応じた整合をとってい
るため、所望しない周波数成分はほとんど増幅されな
い。
明すると、まず、図示しないアンテナより入力されてき
た高周波信号は、図示しないＢＰＦ(BandPass Filter)
によって所望とする基本周波数のみが取り出されトラン
ジスタＱ１に入力される。このとき、トランジスタＱ１
への入力は、上記の基本周波数に応じた整合をとってい
るため、所望しない周波数成分はほとんど増幅されな
い。
【００１４】また、増幅された高周波信号は、ＲＦＣ７
・７’が所望とする基本周波数のλ／４の長さに形成さ
れているので、上記の基本周波数の高周波信号は、各Ｒ
ＦＣ７・７’で反射されて接地側であるＧＮＤ側には流
れず、ほとんど減衰することなく出力端子４から出力さ
れる。
・７’が所望とする基本周波数のλ／４の長さに形成さ
れているので、上記の基本周波数の高周波信号は、各Ｒ
ＦＣ７・７’で反射されて接地側であるＧＮＤ側には流
れず、ほとんど減衰することなく出力端子４から出力さ
れる。
【００１５】ところで、このトランジスタＱ１において
増幅された高周波信号には、基本周波数に対して整数倍
の高周波が発生することがあり、その主要な高次高周波
である２次高周波にとって、基本周波数のλ／４のＲＦ
Ｃ７’はλ’（２次高周波の実効波長）／２として作動
するので、２次高周波成分はＲＦＣ７’では反射され
ず、ＧＮＤ側に流れることから、次段回路への２次高周
波成分および偶数次高周波成分の伝達が阻止される。
増幅された高周波信号には、基本周波数に対して整数倍
の高周波が発生することがあり、その主要な高次高周波
である２次高周波にとって、基本周波数のλ／４のＲＦ
Ｃ７’はλ’（２次高周波の実効波長）／２として作動
するので、２次高周波成分はＲＦＣ７’では反射され
ず、ＧＮＤ側に流れることから、次段回路への２次高周
波成分および偶数次高周波成分の伝達が阻止される。
【００１６】一方、３次高周波にとって、基本周波数の
λ／６のＲＦＣ１１はλ”（３次高周波の実効波長）／
２として作動するので、３次高周波成分はＲＦＣ１１で
は反射されず、ＲＦＣ１１を通してＧＮＤ側に流れるこ
とにより、次段回路への３次高周波成分および奇数次高
周波成分の伝達が阻止される。
λ／６のＲＦＣ１１はλ”（３次高周波の実効波長）／
２として作動するので、３次高周波成分はＲＦＣ１１で
は反射されず、ＲＦＣ１１を通してＧＮＤ側に流れるこ
とにより、次段回路への３次高周波成分および奇数次高
周波成分の伝達が阻止される。
【００１７】そこで、例として所望する基本周波数を１
ＧHzとし、基板としてガラスエポキシ（誘電率 4.8、板
厚1.0mm ）を用いた場合、３次高周波成分の伝達阻止を
調べるために、図２（ａ）に示す基本周波数のλ／４の
ＲＦＣ（線路長39.6mm）７およびコンデンサ（容量1000
pF）のみを設けた従来を示す回路と、図２（ｂ）に示す
基本周波数のλ／４のＲＦＣ（線路長39.6mm）７、基本
周波数のλ／６のＲＦＣ（線路長26.4mm）１１、コンデ
ンサ（容量1000pF）および整合用コンデンサ（容量1.8p
Ｆ）１０を備える上記実施例を示す回路とを用いて、そ
れらにおける高周波信号の通過特性を調べた。
ＧHzとし、基板としてガラスエポキシ（誘電率 4.8、板
厚1.0mm ）を用いた場合、３次高周波成分の伝達阻止を
調べるために、図２（ａ）に示す基本周波数のλ／４の
ＲＦＣ（線路長39.6mm）７およびコンデンサ（容量1000
pF）のみを設けた従来を示す回路と、図２（ｂ）に示す
基本周波数のλ／４のＲＦＣ（線路長39.6mm）７、基本
周波数のλ／６のＲＦＣ（線路長26.4mm）１１、コンデ
ンサ（容量1000pF）および整合用コンデンサ（容量1.8p
Ｆ）１０を備える上記実施例を示す回路とを用いて、そ
れらにおける高周波信号の通過特性を調べた。
【００１８】上記の各回路例において、基本周波数を１
ＧHzとすると、２次高周波は２ＧHz、３次高周波は３Ｇ
Hzとなる。図２（ｂ）に示すように、基本周波数のλ／
４のＲＦＣ７のみでは、３次高周波を除去できないが、
図２（ｂ）に示すように、基本周波数のλ／６のＲＦＣ
１１と、出力整合条件を満たすように設定された比較的
小容量の整合用コンデンサ１０とを加えることで、３次
高周波を除去することができる。
ＧHzとすると、２次高周波は２ＧHz、３次高周波は３Ｇ
Hzとなる。図２（ｂ）に示すように、基本周波数のλ／
４のＲＦＣ７のみでは、３次高周波を除去できないが、
図２（ｂ）に示すように、基本周波数のλ／６のＲＦＣ
１１と、出力整合条件を満たすように設定された比較的
小容量の整合用コンデンサ１０とを加えることで、３次
高周波を除去することができる。
【００１９】ところで、従来は、高周波信号を増幅する
際に生じる３次高周波成分を出力端子からの出力にＢＰ
Ｆを接続して除去していたため、そのＢＰＦがＩＣ化等
の小型化が困難ことから、回路の小型化やマイクロ波集
積回路作成（ＩＣ化）の障害となっていた。
際に生じる３次高周波成分を出力端子からの出力にＢＰ
Ｆを接続して除去していたため、そのＢＰＦがＩＣ化等
の小型化が困難ことから、回路の小型化やマイクロ波集
積回路作成（ＩＣ化）の障害となっていた。
【００２０】しかしながら、上記実施例の構成では、λ
／６のＲＦＣ１１と、出力整合条件を満たすように設定
された比較的小容量（1.8pＦ程度）の整合用コンデンサ
１０とを設けることにより、３次高周波成分の除去が可
能となるので、小型化の困難なＢＰＦを省くことがで
き、その上、λ／６のＲＦＣ１１と、整合用コンデンサ
１０とが同一基板上に形成可能なことから、回路の小型
化を図ることができ、また、ＩＣ化も容易に実現可能な
ものとなっている。
／６のＲＦＣ１１と、出力整合条件を満たすように設定
された比較的小容量（1.8pＦ程度）の整合用コンデンサ
１０とを設けることにより、３次高周波成分の除去が可
能となるので、小型化の困難なＢＰＦを省くことがで
き、その上、λ／６のＲＦＣ１１と、整合用コンデンサ
１０とが同一基板上に形成可能なことから、回路の小型
化を図ることができ、また、ＩＣ化も容易に実現可能な
ものとなっている。
【００２１】上記構成では、基板としてガラスエポキシ
を用いた例を挙げたが、誘電体であるセラミックスやフ
ッ素樹脂を用いることも可能であり、さらに、ガリウム
ひ素（GaAs）あるいは二酸化珪素（SiO2）等の半導体を
基板として用い、上記構成の単体マイクロ波集積回路
（MonolithicＩＣ）を作製することも可能である。
を用いた例を挙げたが、誘電体であるセラミックスやフ
ッ素樹脂を用いることも可能であり、さらに、ガリウム
ひ素（GaAs）あるいは二酸化珪素（SiO2）等の半導体を
基板として用い、上記構成の単体マイクロ波集積回路
（MonolithicＩＣ）を作製することも可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明の高周波増幅回路は、以上のよう
に、誘電体からなる基板上に、高周波を増幅するトラン
ジスタと、基本周波数における上記の基板上での実効波
長であるλの４分の１の長さに形成されている第１スト
リップラインとを設けてなる高周波増幅回路において、
前記トランジスタの出力側が、λ／６の長さに形成され
ている第２ストリップラインと、出力整合条件を満たす
ために所定容量の容量性素子とを介してそれぞれ接地さ
れている構成である。
に、誘電体からなる基板上に、高周波を増幅するトラン
ジスタと、基本周波数における上記の基板上での実効波
長であるλの４分の１の長さに形成されている第１スト
リップラインとを設けてなる高周波増幅回路において、
前記トランジスタの出力側が、λ／６の長さに形成され
ている第２ストリップラインと、出力整合条件を満たす
ために所定容量の容量性素子とを介してそれぞれ接地さ
れている構成である。
【００２３】それゆえ、トランジスタにより増幅された
高周波信号の内、基本周波数の高周波信号は減衰するこ
となく出力されるが、２次高周波は第１ストリップライ
ンを通じてＧＮＤに流れ、３次高周波は第２ストリップ
ラインを通じてＧＮＤに流れるので、発生した高次高周
波成分が次段回路に伝達されることが防止される。
高周波信号の内、基本周波数の高周波信号は減衰するこ
となく出力されるが、２次高周波は第１ストリップライ
ンを通じてＧＮＤに流れ、３次高周波は第２ストリップ
ラインを通じてＧＮＤに流れるので、発生した高次高周
波成分が次段回路に伝達されることが防止される。
【００２４】したがって、従来は、３次高周波を除去す
るためにＢＰＦ（Band Pass Filter）を設けていたた
め、そのＢＰＦが回路の小型化に対して障害となってい
たが、上記構成は、そのようなＢＰＦを省くことがで
き、また、第２ストリップラインや容量性素子を基板上
に形成できることから、回路を小型化でき、ＩＣ化も容
易に実現可能となるという効果を奏する。
るためにＢＰＦ（Band Pass Filter）を設けていたた
め、そのＢＰＦが回路の小型化に対して障害となってい
たが、上記構成は、そのようなＢＰＦを省くことがで
き、また、第２ストリップラインや容量性素子を基板上
に形成できることから、回路を小型化でき、ＩＣ化も容
易に実現可能となるという効果を奏する。
【図１】本発明の高周波増幅回路の回路図である。
【図２】上記高周波増幅回路のシュミレート用回路図
（ｂ）およびそれと比較するためのシュミレート回路図
（ａ）である。
（ｂ）およびそれと比較するためのシュミレート回路図
（ａ）である。
【図３】上記各シュミレート回路を用いてそれぞれ測定
した通過特性をそれぞれ示すグラフである。
した通過特性をそれぞれ示すグラフである。
【図４】上記高周波増幅回路の概略回路図である。
【図５】従来の高周波増幅回路の回路図である。
Ｑ１ トランジスタ ７ ＲＦＣ（第１ストリップライン） １０ 整合用コンデンサ（容量性素子） １１ ＲＦＣ（第２ストリップライン）
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体からなる基板上に、高周波を増幅す
るトランジスタと、基本周波数における上記の基板上で
の実効波長であるλの４分の１の長さに形成されている
第１ストリップラインとを設けてなる高周波増幅回路に
おいて、 前記トランジスタの出力側が、λ／６の長さに形成され
ている第２ストリップラインと、出力整合条件を満たす
ために所定容量の容量性素子とを介してそれぞれ接地さ
れていることを特徴とする高周波増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29423791A JPH05136640A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 高周波増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29423791A JPH05136640A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 高周波増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136640A true JPH05136640A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17805124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29423791A Pending JPH05136640A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 高周波増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136640A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010906A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | Ｆｅｔゲートバイアス回路 |
| KR101298538B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2013-08-22 | 삼성전자주식회사 | 공유 드레인 전류 패스를 갖는 평형 증폭기 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP29423791A patent/JPH05136640A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101298538B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2013-08-22 | 삼성전자주식회사 | 공유 드레인 전류 패스를 갖는 평형 증폭기 |
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