JPH0513369B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0513369B2 JPH0513369B2 JP60024910A JP2491085A JPH0513369B2 JP H0513369 B2 JPH0513369 B2 JP H0513369B2 JP 60024910 A JP60024910 A JP 60024910A JP 2491085 A JP2491085 A JP 2491085A JP H0513369 B2 JPH0513369 B2 JP H0513369B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- scanning
- optical system
- projection optical
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
- G03F7/70366—Rotary scanning
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は露光装置に関し、特にIC、LSI等の集
積回路の製作においてマスク若しくはレチクル面
上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投
影露光する際に好適な露光装置に関するものであ
る。
積回路の製作においてマスク若しくはレチクル面
上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投
影露光する際に好適な露光装置に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来より集積回路の製作においてレチクル面上
のパターンをウエハ面上に転写し露光する方式と
しては大別して２方式が用いられている。
のパターンをウエハ面上に転写し露光する方式と
しては大別して２方式が用いられている。
一つはステツプアンドリピート方式と呼ばれる
ものでありウエハ面を複数に分割し、分割したウ
エハ面に順次レチクル面上のパターンを投影し露
光していく方式である。この方式は１シヨツト露
光が終了したらウエハを所定量移動させて再度投
影露光を行うという動作を繰り返すことによりウ
エハ全面の露光を行うもので所謂静的な露光とウ
エハ載置用のステージの動的な駆動とを組み合わ
せた方式である。
ものでありウエハ面を複数に分割し、分割したウ
エハ面に順次レチクル面上のパターンを投影し露
光していく方式である。この方式は１シヨツト露
光が終了したらウエハを所定量移動させて再度投
影露光を行うという動作を繰り返すことによりウ
エハ全面の露光を行うもので所謂静的な露光とウ
エハ載置用のステージの動的な駆動とを組み合わ
せた方式である。
他の１つは特開昭52−5544号公報等で提案され
ているスキヤン方式と呼ばれるものである。この
方式は投影光学系の収差が特に良好に補正された
特定領域（リング状となる。）のみを用いて被写
体面と結像面に各々対応するマスクとウエハを
各々同時に走査して投影露光する方式である。
ているスキヤン方式と呼ばれるものである。この
方式は投影光学系の収差が特に良好に補正された
特定領域（リング状となる。）のみを用いて被写
体面と結像面に各々対応するマスクとウエハを
各々同時に走査して投影露光する方式である。
最近は集積回路の微細化に伴い高解像力が比較
的容易に得られるステツプアンドリピート方式が
注目されている。この方式では１回の露光で露光
できる面積即ち画面寸法は投影光学系の性能に依
存してくる。一般に投影光学系の高解像力化を図
ろうとする程画面寸法は小さくなつてくる。
的容易に得られるステツプアンドリピート方式が
注目されている。この方式では１回の露光で露光
できる面積即ち画面寸法は投影光学系の性能に依
存してくる。一般に投影光学系の高解像力化を図
ろうとする程画面寸法は小さくなつてくる。
即ち投影光学系には
画面寸法／最小解像線幅一定
という経験則がある。この事は換言すれば投影光
学系を１つの情報伝送手段とすれば送り得る情報
量は一定であるという事に対応する。
学系を１つの情報伝送手段とすれば送り得る情報
量は一定であるという事に対応する。
集積回路のパターンがより高密度化している現
在では投影光学系の情報伝送量を増大させ、将来
のデバイスに対応出来るシステムを構築すること
が重要となつてきている。
在では投影光学系の情報伝送量を増大させ、将来
のデバイスに対応出来るシステムを構築すること
が重要となつてきている。
現在、高密度の集積回路の製作において光学設
計上、画面寸法が限定されている最も重要な要素
の１つに投影光学系の像面彎曲がある。一般にこ
の像面彎曲を少なくし、像面の平坦化を図り、画
面寸法の拡大を図ろうとするとハローと呼ばれる
高次の軸外球面収差が増加し、このハローが投影
解像力を低下させる原因となつている。この為投
影光学系の画面寸法の拡大を図るのが大変困難と
なつている。
計上、画面寸法が限定されている最も重要な要素
の１つに投影光学系の像面彎曲がある。一般にこ
の像面彎曲を少なくし、像面の平坦化を図り、画
面寸法の拡大を図ろうとするとハローと呼ばれる
高次の軸外球面収差が増加し、このハローが投影
解像力を低下させる原因となつている。この為投
影光学系の画面寸法の拡大を図るのが大変困難と
なつている。
（本発明の目的）
本発明は新しい露光方式を採用することにより
実質的にレチクルの画面寸法の拡大を図り高解像
力を有しつつレチクル面上のパターンをウエハ面
上に投影露光することのできる露光装置の提供を
目的とする。
実質的にレチクルの画面寸法の拡大を図り高解像
力を有しつつレチクル面上のパターンをウエハ面
上に投影露光することのできる露光装置の提供を
目的とする。
（本発明の主たる特徴）
レチクル面上のパターンを投影光学系によりウ
エハ面上に投影露光する際前記レチクル面を部分
的に走査しながら順次照明すると共に、走査に同
期させて前記ウエハ若しくはレチクルの少なくと
も一方を前記結像光学系の光軸方向に移動させた
ことである。
エハ面上に投影露光する際前記レチクル面を部分
的に走査しながら順次照明すると共に、走査に同
期させて前記ウエハ若しくはレチクルの少なくと
も一方を前記結像光学系の光軸方向に移動させた
ことである。
この他の本発明の特徴は実施例において記載さ
れている。
れている。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の概略図である。図
中１は橢円鏡、２は橢円鏡１の第１焦点近傍に配
置されている水銀灯やレーザー等の光源で、光源
２からの光束は橢円鏡１により集光されて第１照
明系３に導光され、本実施例に従う露光の基本単
位となる走査用の開口４を所定の角度分布を有し
つつ照明している。開口４を通過した光束は反射
鏡２０で反射し、走査用の２つの振動鏡５，６で
各々反射した後第２照明系７′によりレチクル８
面上を照明する。本実施例では２つの振動鏡のフ
レの影響を同一にする為、５と６の間にレンズ系
７が配置されている。尚走査用の開口４は均一照
明するように第２照明系７′により略レチクル８
面上に結像されている。振動鏡５，６で反射した
開口４を通過した光束は振動鏡５，６の振動に合
わせてレチクル８面上を走査しながら照明する。
第２図はこのときの走査照明の様子を示す一実施
例の説明図である。同図において４′は開口４の
第２照明系７′によるレチクル８面上に形成され
た開口像である。この開口像４′は同図に示す矢
印の如くレチクル８面上を螺旋状に走査すること
によりレチクル８全面の露光を行つている。
中１は橢円鏡、２は橢円鏡１の第１焦点近傍に配
置されている水銀灯やレーザー等の光源で、光源
２からの光束は橢円鏡１により集光されて第１照
明系３に導光され、本実施例に従う露光の基本単
位となる走査用の開口４を所定の角度分布を有し
つつ照明している。開口４を通過した光束は反射
鏡２０で反射し、走査用の２つの振動鏡５，６で
各々反射した後第２照明系７′によりレチクル８
面上を照明する。本実施例では２つの振動鏡のフ
レの影響を同一にする為、５と６の間にレンズ系
７が配置されている。尚走査用の開口４は均一照
明するように第２照明系７′により略レチクル８
面上に結像されている。振動鏡５，６で反射した
開口４を通過した光束は振動鏡５，６の振動に合
わせてレチクル８面上を走査しながら照明する。
第２図はこのときの走査照明の様子を示す一実施
例の説明図である。同図において４′は開口４の
第２照明系７′によるレチクル８面上に形成され
た開口像である。この開口像４′は同図に示す矢
印の如くレチクル８面上を螺旋状に走査すること
によりレチクル８全面の露光を行つている。
再び第１図において９は投影光学系でレチクル
８面上のパターンをウエハ面上に投影している。
本実施例において投影光学系の投影倍率は縮少若
しくは等倍で構成されている。１０はウエハでス
テージ１１上に載置されている。ステージ１１は
Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の駆動装置１２，１３，１４によ
り各々の方向及び不図示の駆動装置によりθ方向
に駆動可能となつている。１５は振動鏡５，６の
振動に同期させてＺ方向の駆動装置１４を駆動さ
せる為の駆動制御装置である。
８面上のパターンをウエハ面上に投影している。
本実施例において投影光学系の投影倍率は縮少若
しくは等倍で構成されている。１０はウエハでス
テージ１１上に載置されている。ステージ１１は
Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の駆動装置１２，１３，１４によ
り各々の方向及び不図示の駆動装置によりθ方向
に駆動可能となつている。１５は振動鏡５，６の
振動に同期させてＺ方向の駆動装置１４を駆動さ
せる為の駆動制御装置である。
本実施例の特徴はレチクル面８全面を一度では
なく開口像４′で走査照明して露光することにあ
る。
なく開口像４′で走査照明して露光することにあ
る。
又本実施例では１回の露光において開口像４′
のレチクル８面上の走査位置に対応させて駆動装
置１４によりステージ１１をＺ軸方向、即ち投影
光学系９の光軸Ｓ方向へ駆動させていることであ
る。このときのＺ軸方向の駆動量は予め求めてお
いた投影光学系９の像面彎曲特性に合致する様に
駆動制御装置１５により振動鏡５，６と同期させ
て制御している。
のレチクル８面上の走査位置に対応させて駆動装
置１４によりステージ１１をＺ軸方向、即ち投影
光学系９の光軸Ｓ方向へ駆動させていることであ
る。このときのＺ軸方向の駆動量は予め求めてお
いた投影光学系９の像面彎曲特性に合致する様に
駆動制御装置１５により振動鏡５，６と同期させ
て制御している。
例えば投影光学系９の像面彎曲が第３図に示す
如く形成されており開口像４′がウエハ面１０面
上光軸Ｓから距離ａの位置に投影されているとす
る。このとき本実施例ではステージ１１を光軸Ｓ
中心を露光したときに比べ距離ｂだけ投影光学系
９側へ駆動した後露光するようにしている。これ
により従来では光学性能上使用することのできな
い領域、即ち光軸からの距離ａの領域でも光軸Ｓ
の位置と略同様に高解像力のパターン像を得るこ
とが可能となり実質的に画面寸法の拡大を図つた
投影光学系を達成することができる。
如く形成されており開口像４′がウエハ面１０面
上光軸Ｓから距離ａの位置に投影されているとす
る。このとき本実施例ではステージ１１を光軸Ｓ
中心を露光したときに比べ距離ｂだけ投影光学系
９側へ駆動した後露光するようにしている。これ
により従来では光学性能上使用することのできな
い領域、即ち光軸からの距離ａの領域でも光軸Ｓ
の位置と略同様に高解像力のパターン像を得るこ
とが可能となり実質的に画面寸法の拡大を図つた
投影光学系を達成することができる。
尚本実施例においてウエハ１０の載置用のステ
ージ１１を走査と同期させて駆動させる代わりに
レチクル８を走査と同期させて光軸Ｓ方向に駆動
させるようにしても良い。
ージ１１を走査と同期させて駆動させる代わりに
レチクル８を走査と同期させて光軸Ｓ方向に駆動
させるようにしても良い。
又本実施例において走査は連続的に行つても又
不連続的に行つても良い。
不連続的に行つても良い。
本実施例では開口像４′をレチクル８面上で螺
旋形となるように走査した場合を示したが走査方
式はどのような方式を用いても良い。
旋形となるように走査した場合を示したが走査方
式はどのような方式を用いても良い。
第４図は本実施例に適用可能な走査方式の一実
施例の説明図である。同図Ａはラスター走査方
式、同図Ｂは往復走査方式、同図Ｃは正方形型走
査方式である。いずれの走査方式でも走査用の開
口像４′のレチクル面若しくはウエハ面上の位置
と投影光学系の相対関係さえわかれば、レチクル
若しくはウエハの駆動量を予め求めることが出来
るので容易に露光時の制御をすることができる。
施例の説明図である。同図Ａはラスター走査方
式、同図Ｂは往復走査方式、同図Ｃは正方形型走
査方式である。いずれの走査方式でも走査用の開
口像４′のレチクル面若しくはウエハ面上の位置
と投影光学系の相対関係さえわかれば、レチクル
若しくはウエハの駆動量を予め求めることが出来
るので容易に露光時の制御をすることができる。
又開口４の形状は円形に限らず正方形、長方形
等で構成しても良い。
等で構成しても良い。
（本発明の効果）
レチクル面上を部分的に開口により走査照明
し、このときの走査に同期させてレチクル若しく
はウエハを投影光学系の光軸方向へ移動させるこ
とにより、投影光学系の像面彎曲及び軸外の高次
の球面収差によるハローを効率良く改善し、光学
設計上の制約を克服し、実質的に画面寸法の拡大
を図つた露光装置を達成することができる。又今
後増々高密度化していく集積回路の製作に好適な
露光装置の構築が可能となる。
し、このときの走査に同期させてレチクル若しく
はウエハを投影光学系の光軸方向へ移動させるこ
とにより、投影光学系の像面彎曲及び軸外の高次
の球面収差によるハローを効率良く改善し、光学
設計上の制約を克服し、実質的に画面寸法の拡大
を図つた露光装置を達成することができる。又今
後増々高密度化していく集積回路の製作に好適な
露光装置の構築が可能となる。
第１図は本発明の一実施例の概略図、第２図、
第４図は各々本発明に係る走査方式の説明図、第
３図は本発明に係る投影光学系の像面彎曲の説明
図である。 図中１は橢円鏡、２は光源、３は第１照明系、
４は走査用の開口、５，６は各々振動鏡、７′は
第２照明系、８はレチクル、９は投影光学系、１
０はウエハ、１１はステージ、１２，１３，１４
は各々駆動装置、１５は駆動制御装置である。
第４図は各々本発明に係る走査方式の説明図、第
３図は本発明に係る投影光学系の像面彎曲の説明
図である。 図中１は橢円鏡、２は光源、３は第１照明系、
４は走査用の開口、５，６は各々振動鏡、７′は
第２照明系、８はレチクル、９は投影光学系、１
０はウエハ、１１はステージ、１２，１３，１４
は各々駆動装置、１５は駆動制御装置である。
Claims (1)
- １ レチクル面上のパターンを投影光学系により
ウエハ面上に投影露光する際前記レチクル面を部
分的に走査しながら順次照明すると共に、走査に
同期させて前記ウエハ若しくはレチクルの少なく
とも一方を前記結像光学系の光軸方向に移動させ
たことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024910A JPS61184829A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 露光装置 |
| US06/827,015 US4688932A (en) | 1985-02-12 | 1986-02-07 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60024910A JPS61184829A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184829A JPS61184829A (ja) | 1986-08-18 |
| JPH0513369B2 true JPH0513369B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=12151330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60024910A Granted JPS61184829A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61184829A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04215417A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-08-06 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP60024910A patent/JPS61184829A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61184829A (ja) | 1986-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3102076B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| US6903801B2 (en) | Illumination optical system for use in projection exposure apparatus | |
| JPH088177A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3950732B2 (ja) | 照明光学系、照明方法及び露光装置 | |
| JPH1041225A (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| US6008885A (en) | Scanning exposure apparatus | |
| JP2008153401A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPS6312134A (ja) | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 | |
| JP3559694B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| US6738129B2 (en) | Illumination apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method using the same | |
| JP2007242775A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| EP0715213B1 (en) | Method of optical projection exposure to light | |
| US7236239B2 (en) | Illumination system and exposure apparatus | |
| JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
| JP4051473B2 (ja) | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 | |
| JP3028028B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0513369B2 (ja) | ||
| JPH0548613B2 (ja) | ||
| JPH0548611B2 (ja) | ||
| JPH09167736A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP3347405B2 (ja) | 照明装置及び該照明装置を備える露光装置 | |
| JP2003021769A (ja) | 光学素子保持装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス | |
| JP3279311B2 (ja) | 投影露光方法及び装置、並びに前記方法を用いた回路素子製造方法 | |
| JPH09213623A (ja) | 走査露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH06118331A (ja) | 照明光学系 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |