JPH04215417A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH04215417A JPH04215417A JP2402367A JP40236790A JPH04215417A JP H04215417 A JPH04215417 A JP H04215417A JP 2402367 A JP2402367 A JP 2402367A JP 40236790 A JP40236790 A JP 40236790A JP H04215417 A JPH04215417 A JP H04215417A
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- reticle
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- slit
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/967—Semiconductor on specified insulator
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法に係り、詳し
くは半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィ
ー技術に適用することができ、特に所望の露光領域内で
のピントずれを小さくすることができる露光方法に関す
る。近年、ＬＳＩは高集積化が要求されており、回路パ
ターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型化すること
が要求されている。
くは半導体集積回路の製造におけるフォトリソグラフィ
ー技術に適用することができ、特に所望の露光領域内で
のピントずれを小さくすることができる露光方法に関す
る。近年、ＬＳＩは高集積化が要求されており、回路パ
ターンを微細化しつつ、ＬＳＩチップを大型化すること
が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来の露光方法においては、チップの大
型化に伴い露光装置の有効露光領域の大口径化が押し進
められてきた。以下、具体的に図面を用いて従来技術に
ついて説明する。図１５は従来の露光装置を示す概略図
である。図１５においては、３１は照明系、３２はレチ
クル、３３は投影レンズ、３４はウェーハである。
型化に伴い露光装置の有効露光領域の大口径化が押し進
められてきた。以下、具体的に図面を用いて従来技術に
ついて説明する。図１５は従来の露光装置を示す概略図
である。図１５においては、３１は照明系、３２はレチ
クル、３３は投影レンズ、３４はウェーハである。
【０００３】従来の露光方法では、光源からの光を照明
系３１を介して遮光パターン及びぬきパターンが形成さ
れたレチクル３２に照射し、レチクル３２に形成された
パターンを投影レンズ３３で縮小してウェーハ３４上の
レジストに結像していた。そして、ここでは所望の露光
領域を一度に露光していた。
系３１を介して遮光パターン及びぬきパターンが形成さ
れたレチクル３２に照射し、レチクル３２に形成された
パターンを投影レンズ３３で縮小してウェーハ３４上の
レジストに結像していた。そして、ここでは所望の露光
領域を一度に露光していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の露光方法は、所望の露光領域を一度に露光して
いたため、有効露光領域が増大するに伴い、図１６に示
すように、一度に露光された領域内で部分的にピントず
れが生じており、その結果ウェーハ上のレジストパター
ンがくずれ、パターン不良が生じるという問題があった
。
た従来の露光方法は、所望の露光領域を一度に露光して
いたため、有効露光領域が増大するに伴い、図１６に示
すように、一度に露光された領域内で部分的にピントず
れが生じており、その結果ウェーハ上のレジストパター
ンがくずれ、パターン不良が生じるという問題があった
。
【０００５】これは対象とする露光領域の増大に伴い、
その領域内部のウェーハ表面の凹凸成分が大きくなって
いくために、レチクル像面とウェーハ表面の平行度を所
望の露光領域内全面で補正することができなくなること
により生じているものである。従って、必ずしも露光領
域内全面で良好なパターンを得ることができず、ＬＳＩ
の製造歩留りが非常に悪くなってしまうという問題を生
じていた。これらのピントずれに起因する現象としては
、パターン線幅の変動（ばらつき）やパターン抜け不良
等が挙げられる。
その領域内部のウェーハ表面の凹凸成分が大きくなって
いくために、レチクル像面とウェーハ表面の平行度を所
望の露光領域内全面で補正することができなくなること
により生じているものである。従って、必ずしも露光領
域内全面で良好なパターンを得ることができず、ＬＳＩ
の製造歩留りが非常に悪くなってしまうという問題を生
じていた。これらのピントずれに起因する現象としては
、パターン線幅の変動（ばらつき）やパターン抜け不良
等が挙げられる。
【０００６】そこで、本発明は、以上の点を鑑み、所望
の露光領域内でピントずれを小さくすることができ、所
望の露光領域内で良好なパターンを得ることができ、Ｌ
ＳＩの製造歩留りを良くすることができる露光方法を提
供することを目的としている。
の露光領域内でピントずれを小さくすることができ、所
望の露光領域内で良好なパターンを得ることができ、Ｌ
ＳＩの製造歩留りを良くすることができる露光方法を提
供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法は
上記目的達成のため、レチクルに形成されたパターンを
投影露光によって被露光物に結像する露光方法において
、レチクルを固定したままレチクル照明領域を走査させ
ることによって露光するものである。
上記目的達成のため、レチクルに形成されたパターンを
投影露光によって被露光物に結像する露光方法において
、レチクルを固定したままレチクル照明領域を走査させ
ることによって露光するものである。
【０００８】
【作用】本発明では、従来のように所望の露光領域を一
度に露光するのではなく、レチクルの一部のみを照明し
、レチクルの照明領域をスキャン（走査）させながら、
同時にウェーハ表面の光軸方向の位置をレチクル結像面
に一致させながら露光するようにしている。
度に露光するのではなく、レチクルの一部のみを照明し
、レチクルの照明領域をスキャン（走査）させながら、
同時にウェーハ表面の光軸方向の位置をレチクル結像面
に一致させながら露光するようにしている。
【０００９】したがって、図１に示すように、所望の露
光領域全面に渡ってレチクル結像面とウェーハ表面の距
離を合わせ込むことができるため、従来の露光領域を一
度に露光する場合よりもピントずれ量Δを極めて小さく
することができ、ピントずれによるレジスト線幅のばら
つきや、レジストパターンの抜け不良等といった問題を
解消することができる。
光領域全面に渡ってレチクル結像面とウェーハ表面の距
離を合わせ込むことができるため、従来の露光領域を一
度に露光する場合よりもピントずれ量Δを極めて小さく
することができ、ピントずれによるレジスト線幅のばら
つきや、レジストパターンの抜け不良等といった問題を
解消することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
２及び図３は本発明に係る露光方法を説明する図であり
、図２は一実施例の露光装置の構成を示す概略図、図３
は一実施例のレチクル像面をスキャンさせていった場合
を示す図である。これらの図において、１は光源、２は
照明系、３はレチクル、４は投影レンズ、５はウェーハ
、６はシャッタを含む第１のレンズ群、７はスリット板
、８はレチクルブラインド（遮光板）、９は第２のレン
ズ群である。
２及び図３は本発明に係る露光方法を説明する図であり
、図２は一実施例の露光装置の構成を示す概略図、図３
は一実施例のレチクル像面をスキャンさせていった場合
を示す図である。これらの図において、１は光源、２は
照明系、３はレチクル、４は投影レンズ、５はウェーハ
、６はシャッタを含む第１のレンズ群、７はスリット板
、８はレチクルブラインド（遮光板）、９は第２のレン
ズ群である。
【００１１】本実施例では、従来のように所望の露光領
域を一度に露光するのではなく、レチクル３の照明領域
をスキャン（走査）させながら、同時に、ウェーハ５表
面の光軸方向の位置をレチクル３結像面に一致させなが
ら露光するというものである。具体的には、図３（ａ）
〜（ｅ）に示すように、レチクル像面の結像される位置
をスキャンさせながら、かつ光軸方向の位置調整をウェ
ーハ表面を光軸方向に移動させながら行い、ウェーハ表
面でレチクル結像面とウェーハ表面のピントを合わせ込
むようにしている。
域を一度に露光するのではなく、レチクル３の照明領域
をスキャン（走査）させながら、同時に、ウェーハ５表
面の光軸方向の位置をレチクル３結像面に一致させなが
ら露光するというものである。具体的には、図３（ａ）
〜（ｅ）に示すように、レチクル像面の結像される位置
をスキャンさせながら、かつ光軸方向の位置調整をウェ
ーハ表面を光軸方向に移動させながら行い、ウェーハ表
面でレチクル結像面とウェーハ表面のピントを合わせ込
むようにしている。
【００１２】ここでは、スリット板７をレチクルブライ
ンド８の手前（又は後ろでもよい）に設けて、スリット
板７をスキャンさせている。なお、レチクルの前後であ
っても構わない。そして、ここではレチクルブラインド
、レチクルパターン面、レチクルパターン結像面は光学
的に共役な位置関係になるように配置しているが、スリ
ット板７は、スリットのエッジを結像させる必要はない
ので、共役面から少しずれた位置にあっても良い。でき
れば、共役面位置にあるのが好ましい。また、スキャン
露光での露光量は、スリットの幅、スキャン速度、照明
照度のいずれかを変えることによって調整することがで
きる。
ンド８の手前（又は後ろでもよい）に設けて、スリット
板７をスキャンさせている。なお、レチクルの前後であ
っても構わない。そして、ここではレチクルブラインド
、レチクルパターン面、レチクルパターン結像面は光学
的に共役な位置関係になるように配置しているが、スリ
ット板７は、スリットのエッジを結像させる必要はない
ので、共役面から少しずれた位置にあっても良い。でき
れば、共役面位置にあるのが好ましい。また、スキャン
露光での露光量は、スリットの幅、スキャン速度、照明
照度のいずれかを変えることによって調整することがで
きる。
【００１３】このように、本実施例では、所望の露光領
域全面に渡ってレチクル結像面とウェーハ表面の距離を
合わせ込むことができるため、従来の露光領域を一度に
露光する場合よりもピントずれ量Δを極めて小さくする
ことができ、ピントずれによるレジスト線幅のばらつき
や、レジストパターンの抜け不良等を生じ難くすること
ができ、所望の露光領域内で良好なパターンを得ること
ができる。従って、ＬＳＩの製造歩留りを良くすること
ができる。
域全面に渡ってレチクル結像面とウェーハ表面の距離を
合わせ込むことができるため、従来の露光領域を一度に
露光する場合よりもピントずれ量Δを極めて小さくする
ことができ、ピントずれによるレジスト線幅のばらつき
や、レジストパターンの抜け不良等を生じ難くすること
ができ、所望の露光領域内で良好なパターンを得ること
ができる。従って、ＬＳＩの製造歩留りを良くすること
ができる。
【００１４】次に、本発明に適用できるスリットについ
て図４、図５を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｃ）に
示すスリットは、一定幅のスリット穴を１個有する場合
であり、本質的な有意差はないが、図５（ｄ）に示すス
リットはスリット穴を２個有する場合であり、連続でレ
ーザ等を光照射した際の、レジスト表面や投影レンズ系
が温度上昇を起こして感度等の特性が変わり易いため、
断続的に光を照射したい場合に有効である。図５（ｅ）
に示すスリットはスリット幅が連続的に変化しているス
リット穴の場合であり、有効露光領域内で例えばスリッ
ト穴の下側に対応する部分の照度が低い場合、スリット
幅を適宜広げて実効的照明ムラを低減させることができ
るという利点がある。また、図４（ａ）〜（ｃ）、図５
（ｄ）、（ｅ）に示すスリットは一体型であるのでスリ
ット幅は安定しており、露光量制御はスキャン速度と照
度を適宜調整すればよい。そして、図５（ｆ）に示すス
リットは、分離型にしているため連動して同一速度でス
キャンさせることができる。この場合、スリット幅を適
宜可変することができるという利点がある。
て図４、図５を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｃ）に
示すスリットは、一定幅のスリット穴を１個有する場合
であり、本質的な有意差はないが、図５（ｄ）に示すス
リットはスリット穴を２個有する場合であり、連続でレ
ーザ等を光照射した際の、レジスト表面や投影レンズ系
が温度上昇を起こして感度等の特性が変わり易いため、
断続的に光を照射したい場合に有効である。図５（ｅ）
に示すスリットはスリット幅が連続的に変化しているス
リット穴の場合であり、有効露光領域内で例えばスリッ
ト穴の下側に対応する部分の照度が低い場合、スリット
幅を適宜広げて実効的照明ムラを低減させることができ
るという利点がある。また、図４（ａ）〜（ｃ）、図５
（ｄ）、（ｅ）に示すスリットは一体型であるのでスリ
ット幅は安定しており、露光量制御はスキャン速度と照
度を適宜調整すればよい。そして、図５（ｆ）に示すス
リットは、分離型にしているため連動して同一速度でス
キャンさせることができる。この場合、スリット幅を適
宜可変することができるという利点がある。
【００１５】次に、本発明に適用できるウェーハ表面上
の段差がスキャン方向に対して垂直方向で変化している
場合の補正方法を図６を用いて説明する。ここでは、ウ
ェーハ上の露光領域に対応させて、投影レンズのレチク
ル結像面とウェーハ表面の間隔（ピント）を補正しなが
らスキャン露光することによって、所望の全露光領域の
Ｚ方向で良好なレジストパターンを得るというものであ
る。
の段差がスキャン方向に対して垂直方向で変化している
場合の補正方法を図６を用いて説明する。ここでは、ウ
ェーハ上の露光領域に対応させて、投影レンズのレチク
ル結像面とウェーハ表面の間隔（ピント）を補正しなが
らスキャン露光することによって、所望の全露光領域の
Ｚ方向で良好なレジストパターンを得るというものであ
る。
【００１６】具体的には、図６に示すように、例えばウ
ェーハ表面上における所望露光領域のＡＢＣの光軸方向
の平均値をａ、同様にＤＥＦ、ＧＨＩの光軸方向の平均
値を各々ｄ、ｇとすると、スキャンに伴ってａ、ｄ、ｇ
の量に応じてスリット状露光領域に対応するウェーハ表
面の高さを補正していく。この場合、ＡＢＣ、ＧＨＩで
は結像面に対して低くなっているので、ａ、ｇの量に応
じてウェーハの高さを適宜高くし、ＤＥＦではＡＢＣ、
ＧＨＩに較べ高くなっているのでｄの量に応じてＡＢＣ
、ＧＨＩの場合よりもウェーハの高さを適宜低くする。
ェーハ表面上における所望露光領域のＡＢＣの光軸方向
の平均値をａ、同様にＤＥＦ、ＧＨＩの光軸方向の平均
値を各々ｄ、ｇとすると、スキャンに伴ってａ、ｄ、ｇ
の量に応じてスリット状露光領域に対応するウェーハ表
面の高さを補正していく。この場合、ＡＢＣ、ＧＨＩで
は結像面に対して低くなっているので、ａ、ｇの量に応
じてウェーハの高さを適宜高くし、ＤＥＦではＡＢＣ、
ＧＨＩに較べ高くなっているのでｄの量に応じてＡＢＣ
、ＧＨＩの場合よりもウェーハの高さを適宜低くする。
【００１７】次に、本発明に適用できるウェーハ表面上
の段差がスキャン直交方向で変化している場合の補正方
法を図７を用いて説明する。図７において、ＡＢＣ、Ｄ
ＥＦ、ＧＨＩは図６に示すものと対応している。ここで
は、スキャン方向と直交する方向のスリット状露光領域
のレチクル像面とウェーハ表面の平行度を保ちながらス
キャン露光するというものである。
の段差がスキャン直交方向で変化している場合の補正方
法を図７を用いて説明する。図７において、ＡＢＣ、Ｄ
ＥＦ、ＧＨＩは図６に示すものと対応している。ここで
は、スキャン方向と直交する方向のスリット状露光領域
のレチクル像面とウェーハ表面の平行度を保ちながらス
キャン露光するというものである。
【００１８】具体的には、図７に示すように、ＡＢＣが
スキャン直交方向で凹になっている場合、ウェーハ表面
の曲がりが平均的なところにレチクル像面（固定）が来
るようにウェーハを回転させる。そして、ＤＥＦ、ＧＨ
Ｉでもウェーハをレベリング（傾斜どり）させてレチク
ル像面とウェーハ表面の平行度を保ちながらスキャン露
光する。
スキャン直交方向で凹になっている場合、ウェーハ表面
の曲がりが平均的なところにレチクル像面（固定）が来
るようにウェーハを回転させる。そして、ＤＥＦ、ＧＨ
Ｉでもウェーハをレベリング（傾斜どり）させてレチク
ル像面とウェーハ表面の平行度を保ちながらスキャン露
光する。
【００１９】ここでの図６及び図７で説明した露光方法
では、連続的に動作させるアナログ制御で行う場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、図８に示すように、ウェーハ高さ補正量（光軸方向
の位置補正）及びスキャン直交方向の傾斜補正量を断続
的に動作させるデジタル制御で行う場合であってもよい
。なお、スキャン速度（スリットの動作速度）はスキャ
ン開始から終了まで一定でなければならない。
では、連続的に動作させるアナログ制御で行う場合につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、図８に示すように、ウェーハ高さ補正量（光軸方向
の位置補正）及びスキャン直交方向の傾斜補正量を断続
的に動作させるデジタル制御で行う場合であってもよい
。なお、スキャン速度（スリットの動作速度）はスキャ
ン開始から終了まで一定でなければならない。
【００２０】なお、図６、図７で説明したスキャン露光
を組み合わせて行えば単独でスキャン露光する場合より
も更に良好なレジストパターンを得ることができる。次
に、本発明においては、所望全露光領域内のウェーハ表
面の投影レンズ光軸方向の情報を露光に先立って求めて
おき、露光の際にはこの情報をもとにレチクル像面とウ
ェーハ表面の間隔及び平行度を保ちながら露光する場合
であってもよく、この場合、確実な補正をすることがで
き好ましい。
を組み合わせて行えば単独でスキャン露光する場合より
も更に良好なレジストパターンを得ることができる。次
に、本発明においては、所望全露光領域内のウェーハ表
面の投影レンズ光軸方向の情報を露光に先立って求めて
おき、露光の際にはこの情報をもとにレチクル像面とウ
ェーハ表面の間隔及び平行度を保ちながら露光する場合
であってもよく、この場合、確実な補正をすることがで
き好ましい。
【００２１】具体的には、図９（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、所望の露光領域に対して各々の測定位置で求める
。測定は、公知のステッパに備えられている公知の測定
機構（Ａｕｔｏｆｏｃｕｓ 機構）を用いて行い、各々
の測定はウェーハステージを水平方向に移動させること
によって逐次行う。ここで、図９（ａ）は４端でのデー
タを用いて行う場合であり、図９（ｂ）は４端だが、Ｉ
Ｃのダイシングライン部よりも内側で行う場合であり、
図９（ｃ）は点数を６点増した場合である。そして、図
９（ｄ）はスキャン方向のみの補正を行い、ｌ−ｍ間の
傾斜補正をしない場合である。この場合、スキャン露光
に先立って所望露光領域全体に渡って平均的傾斜補正を
行っておくと良い。
うに、所望の露光領域に対して各々の測定位置で求める
。測定は、公知のステッパに備えられている公知の測定
機構（Ａｕｔｏｆｏｃｕｓ 機構）を用いて行い、各々
の測定はウェーハステージを水平方向に移動させること
によって逐次行う。ここで、図９（ａ）は４端でのデー
タを用いて行う場合であり、図９（ｂ）は４端だが、Ｉ
Ｃのダイシングライン部よりも内側で行う場合であり、
図９（ｃ）は点数を６点増した場合である。そして、図
９（ｄ）はスキャン方向のみの補正を行い、ｌ−ｍ間の
傾斜補正をしない場合である。この場合、スキャン露光
に先立って所望露光領域全体に渡って平均的傾斜補正を
行っておくと良い。
【００２２】図９では、全露光領域内のウェーハ表面の
凹凸情報を、１つの光軸方向位置検出機構を用いて求め
る場合について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、少
なくとも４つの光軸方向位置検出機構を用いて求める場
合であってもよく、中間の領域の情報は直接求められた
情報をもとに、内挿及び外挿して求めておく。この場合
、検出機構の位置は固定であっても大抵のＬＳＩは内挿
、外挿でウェーハ表面の凸凹を求めることができ、測定
時間を短縮することができ好ましい。なお、測定機構と
しては光ビームを用いたもの、大気を用いたもの、静電
容量センサを用いたもの等が挙げられる。
凹凸情報を、１つの光軸方向位置検出機構を用いて求め
る場合について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、少
なくとも４つの光軸方向位置検出機構を用いて求める場
合であってもよく、中間の領域の情報は直接求められた
情報をもとに、内挿及び外挿して求めておく。この場合
、検出機構の位置は固定であっても大抵のＬＳＩは内挿
、外挿でウェーハ表面の凸凹を求めることができ、測定
時間を短縮することができ好ましい。なお、測定機構と
しては光ビームを用いたもの、大気を用いたもの、静電
容量センサを用いたもの等が挙げられる。
【００２３】次に、本発明においては、図１１（ａ）、
（ｂ）に示すように、スキャンに用いられる長方形状（
又はスリット状）の照明領域の形成はレチクル遮光板と
は別に設けられた板によって行われる場合であってもよ
い。この場合、スリットのスキャン直交方向の長さはＩ
Ｃパターンの幅よりも大きくし、スキャン開始位置は、
ＩＣパターンの外側から始まり、相対する反対側のＩＣ
パターン端より外側までいって終わるようにする。 なお、図１１（ｂ）に示すように、レチクル上ではＩＣ
チップパターンの周囲は遮光膜（例Ｃｒ）で覆われてお
り、レチクル遮光膜帯の幅内に、レチクル遮光板のエッ
ジがくるように遮光板は設定されている。
（ｂ）に示すように、スキャンに用いられる長方形状（
又はスリット状）の照明領域の形成はレチクル遮光板と
は別に設けられた板によって行われる場合であってもよ
い。この場合、スリットのスキャン直交方向の長さはＩ
Ｃパターンの幅よりも大きくし、スキャン開始位置は、
ＩＣパターンの外側から始まり、相対する反対側のＩＣ
パターン端より外側までいって終わるようにする。 なお、図１１（ｂ）に示すように、レチクル上ではＩＣ
チップパターンの周囲は遮光膜（例Ｃｒ）で覆われてお
り、レチクル遮光膜帯の幅内に、レチクル遮光板のエッ
ジがくるように遮光板は設定されている。
【００２４】次に、本発明においては、図１２に示すよ
うに、スキャン用のスリットはレチクル遮光板を用いて
形成され、レチクル遮光板の移動によってスキャン露光
される場合であってもよい。この場合、新たにスリット
のための板を付加する必要はなくなるという利点がある
が、スリットのスキャンの開始位置はスリットの幅を含
め、前述したレチクル遮光膜帯内に入れておかなくては
ならず、遮光膜帯幅を大きくしておかなくてはならない
。
うに、スキャン用のスリットはレチクル遮光板を用いて
形成され、レチクル遮光板の移動によってスキャン露光
される場合であってもよい。この場合、新たにスリット
のための板を付加する必要はなくなるという利点がある
が、スリットのスキャンの開始位置はスリットの幅を含
め、前述したレチクル遮光膜帯内に入れておかなくては
ならず、遮光膜帯幅を大きくしておかなくてはならない
。
【００２５】次に、本発明においては、図１３に示すよ
うに、スリットの走査方向が露光ショット毎に反対方向
に交互に行われる場合であってもよく、具体的には、連
続して次のチップを焼き付けする場合、スリットをもと
の初期位置に戻すのでは戻す時間分余計であるので、交
互に行うことにより動きを半減することができ、スリッ
ト駆動部の摩耗を少なくすることができ好ましい。
うに、スリットの走査方向が露光ショット毎に反対方向
に交互に行われる場合であってもよく、具体的には、連
続して次のチップを焼き付けする場合、スリットをもと
の初期位置に戻すのでは戻す時間分余計であるので、交
互に行うことにより動きを半減することができ、スリッ
ト駆動部の摩耗を少なくすることができ好ましい。
【００２６】次に、本発明においては、図１４に示すよ
うに、スリットの走査が所望の露光領域に対して複数回
行い、各走査方向を交互に逆転して行う場合であっても
よく、この場合、レジストの温度上昇を防止することが
でき好ましい。なお、温度上昇を考慮すると、図１４（
ａ）に示す一方向のみスキャンする場合の方が図１４（
ｂ）に示す交互にスキャンする場合より好ましいが、ス
ループットを考えると、図１４（ｂ）に示す方が好まし
い。
うに、スリットの走査が所望の露光領域に対して複数回
行い、各走査方向を交互に逆転して行う場合であっても
よく、この場合、レジストの温度上昇を防止することが
でき好ましい。なお、温度上昇を考慮すると、図１４（
ａ）に示す一方向のみスキャンする場合の方が図１４（
ｂ）に示す交互にスキャンする場合より好ましいが、ス
ループットを考えると、図１４（ｂ）に示す方が好まし
い。
【００２７】本発明においては、露光量調整は、光源の
光強度（レーザの場合はパルスレートやパルス強度）を
変えても良く、光減衰板（減衰フィルター）を光路途中
に入れても良い。これは、露光量制御がスキャンスピー
ドやスリット幅等でその装置の能力上できない場合に有
効である。本発明においてはスキャン露光する前に予め
ステッパで所望露光領域全面の平均的な傾斜補正や光軸
方向の位置補正を行い、スキャン露光時には、各々の微
調整を行うようにしてもよい。
光強度（レーザの場合はパルスレートやパルス強度）を
変えても良く、光減衰板（減衰フィルター）を光路途中
に入れても良い。これは、露光量制御がスキャンスピー
ドやスリット幅等でその装置の能力上できない場合に有
効である。本発明においてはスキャン露光する前に予め
ステッパで所望露光領域全面の平均的な傾斜補正や光軸
方向の位置補正を行い、スキャン露光時には、各々の微
調整を行うようにしてもよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、所望の露光領域内でピ
ントずれを小さくすることができ、所望の露光領域内で
良好なパターンを得ることができ、ＬＳＩの製造歩留り
を良くすることができるという効果がある。
ントずれを小さくすることができ、所望の露光領域内で
良好なパターンを得ることができ、ＬＳＩの製造歩留り
を良くすることができるという効果がある。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】一実施例の露光装置の構成を示す概略図である
。
。
【図３】一実施例のレチクル像面をスキャンさせていっ
た場合を示す図である。
た場合を示す図である。
【図４】本発明に適用できるスリットを示す図である。
【図５】本発明に適用できるスリットを示す図である。
【図６】本発明に適用できるウェーハ表面上の段差がス
キャン方向で変化している場合の補正方法を説明する図
である。
キャン方向で変化している場合の補正方法を説明する図
である。
【図７】本発明に適用できるウェーハ表面上の段差がス
キャン直交方向で変化している場合の補正方法を説明す
る図である。
キャン直交方向で変化している場合の補正方法を説明す
る図である。
【図８】本発明に適用できるウェーハ高さ補正量及びウ
ェーハ表面傾斜補正量をデジタル制御で行う場合を説明
する図である。
ェーハ表面傾斜補正量をデジタル制御で行う場合を説明
する図である。
【図９】本発明に適用できるウェーハ表面の投影レンズ
光軸方向の情報の求め方を説明する図である。
光軸方向の情報の求め方を説明する図である。
【図１０】本発明に適用できるウェーハ表面の投影レン
ズ光軸方向の情報の求め方を説明する図である。
ズ光軸方向の情報の求め方を説明する図である。
【図１１】本発明に適用できるスリットとレチクル遮光
板との関係を示す図である。
板との関係を示す図である。
【図１２】本発明に適用できるスリット付レチクル遮光
板を示す図である。
板を示す図である。
【図１３】本発明に適用できるスリット走査方法を説明
する図である。
する図である。
【図１４】本発明に適用できるスリット走査方法を説明
する図である。
する図である。
【図１５】従来例の露光装置を示す概略図である。
【図１６】従来例の課題を説明する図である。
１ 光源
２ 照明系
３ レチクル
４ 投影レンズ
５ ウェーハ
６ 第１のレンズ群
７ スリット板
８ レチクルブラインド
Claims (13)
- 【請求項１】 レチクルに形成されたパターンを投影
露光によって被露光物に結像する露光方法において、レ
チクルを固定したままレチクル照明領域を走査させるこ
とによって露光することを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記被露光物上の露光領域に対応させ
て、投影レンズのレチクル結像面とウェーハ表面の間隔
を補正しながらスキャン露光することを特徴とする請求
項１項記載の露光方法。 - 【請求項３】 スキャン方向と直交する方向のスリッ
ト状露光領域のレチクル像面とウェーハ表面との平行度
を保ちながらスキャン露光することを特徴とする請求項
１又は２記載の露光方法。 - 【請求項４】 前記レチクル像面とウエーハ表面との
平行度の補正が断続的に行われることを特徴とする請求
項３記載の露光方法。 - 【請求項５】 所望全露光領域内のウェーハ表面の投
影レンズ光軸方向の情報をスキャン露光に先立って予め
求めておき、該情報に基づいてスキャン露光することを
特徴とする請求項１乃至３記載の露光方法。 - 【請求項６】 前記情報を、少なくとも４つの光軸方
向位置検出機構を用いて求めることを特徴とする請求項
４記載の露光方法。 - 【請求項７】 スキャンに用いられるスリット状の照
明領域の形成は、レチクル遮光板とは別に設けられた板
によって行われることを特徴とする請求項１乃至５記載
の露光方法。 - 【請求項８】 スリットがスキャン方向に少なくとも
２個以上並んで配置されていることを特徴とする請求項
７記載の露光方法。 - 【請求項９】 スキャン方向のスリットの幅が有効露
光領域のスキャン直交方向の照度むらに応じて変化させ
てあることを特徴とする請求項７記載の露光方法。 - 【請求項１０】 スキャン用のスリットがレチクル遮
光板に形成され、該レチクル遮光板の移動によってスキ
ャン露光されることを特徴とする請求項１乃至５記載の
露光方法。 - 【請求項１１】 スリットの走査方向が露光ショット
毎に反対方向に交互に行われることを特徴とする請求項
１乃至５記載の露光方法。 - 【請求項１２】 スリットの走査が所望の露光領域に
対して複数回行われることを特徴とする請求項１乃至５
記載の露光方法。 - 【請求項１３】 前記走査方向が交互に逆転している
ことを特徴とする請求項１２記載の露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402367A JPH04215417A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 露光方法 |
| US07/806,402 US5238870A (en) | 1990-12-14 | 1991-12-13 | Exposure process for writing a pattern on an object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402367A JPH04215417A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215417A true JPH04215417A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402367A Pending JPH04215417A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5238870A (ja) |
| JP (1) | JPH04215417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009088003A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5854671A (en) | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
| US6411387B1 (en) | 1996-12-16 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Stage apparatus, projection optical apparatus and exposure method |
| US6977985B2 (en) * | 2002-12-17 | 2005-12-20 | Agilent Technologies, Inc. | X-ray laminography system having a pitch, roll and Z-motion positioning system |
| NL1036232A1 (nl) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with adjusted exposure slit shape enabling reduction of focus errors due to substrate topology and device manufacturing method. |
| CN104483815B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-05-11 | 上海核电装备焊接及检测工程技术研究中心（筹） | 一种射线源对中支撑装置及其固定射线源装置的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4200395A (en) * | 1977-05-03 | 1980-04-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Alignment of diffraction gratings |
| US4232969A (en) * | 1979-05-30 | 1980-11-11 | International Business Machines Corporation | Projection optical system for aligning an image on a surface |
| US4414749A (en) * | 1979-07-02 | 1983-11-15 | Optimetrix Corporation | Alignment and exposure system with an indicium of an axis of motion of the system |
| JPS56122128A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-25 | Telmec Co Ltd | Positioning system for printing device of semiconductor or the like |
| JPS5998525A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Canon Inc | 分割焼付け装置のアライメント方法 |
| JPS61232615A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS61232616A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS61184829A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPS6258626A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-14 | Toshiba Corp | マスクアライメント方法 |
| JP2506616B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1996-06-12 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びそれを用いた回路の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2402367A patent/JPH04215417A/ja active Pending
-
1991
- 1991-12-13 US US07/806,402 patent/US5238870A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009088003A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| US8436981B2 (en) | 2008-01-10 | 2013-05-07 | Nikon Corporation | Exposing method, exposure apparatus, and device fabricating method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5238870A (en) | 1993-08-24 |
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