JPH05128964A - ガス放電型表示パネル - Google Patents
ガス放電型表示パネルInfo
- Publication number
- JPH05128964A JPH05128964A JP28832991A JP28832991A JPH05128964A JP H05128964 A JPH05128964 A JP H05128964A JP 28832991 A JP28832991 A JP 28832991A JP 28832991 A JP28832991 A JP 28832991A JP H05128964 A JPH05128964 A JP H05128964A
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- Japan
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- cathode
- substrate
- lam1
- gas discharge
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、視野角が広く、コントラスト比が
高く、明るくて見やすく、応答速度が早く、かつ薄型で
大画面の表示が可能なＯＡ機器などの表示装置に使用さ
れるガス放電型表示パネルに関するもので、放電開始電
圧や放電維持電圧が比較的低く、スパッタによる電極間
の絶縁性の低下を大幅に改善するとともに、パネルの寿
命特性のバラツキを最小限にすることを目的とする。 【構成】 背面基板１に、下地電極２と、この上に陰極
３を形成し、前面基板６には、陰極３と直交するよう
に、陽極４を形成し、隔壁５を介して背面基板１と前面
基板２とを気密に封止する。前記陰極の材料として、ペ
ロブスカイト型またはＫ2ＮｉＦ4型の結晶構造をもつ酸
化物導電体を用い、かつＡサイトに入る元素を化学量論
的な組成よりも過剰な組成になるようにしたものを使用
することにより、放電開始電圧や放電維持電圧を比較的
低く保ちながら、パネルの寿命特性のバラツキを抑える
ことができる。
高く、明るくて見やすく、応答速度が早く、かつ薄型で
大画面の表示が可能なＯＡ機器などの表示装置に使用さ
れるガス放電型表示パネルに関するもので、放電開始電
圧や放電維持電圧が比較的低く、スパッタによる電極間
の絶縁性の低下を大幅に改善するとともに、パネルの寿
命特性のバラツキを最小限にすることを目的とする。 【構成】 背面基板１に、下地電極２と、この上に陰極
３を形成し、前面基板６には、陰極３と直交するよう
に、陽極４を形成し、隔壁５を介して背面基板１と前面
基板２とを気密に封止する。前記陰極の材料として、ペ
ロブスカイト型またはＫ2ＮｉＦ4型の結晶構造をもつ酸
化物導電体を用い、かつＡサイトに入る元素を化学量論
的な組成よりも過剰な組成になるようにしたものを使用
することにより、放電開始電圧や放電維持電圧を比較的
低く保ちながら、パネルの寿命特性のバラツキを抑える
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス放電を利用して文
字や図形などを表示するガス放電型表示パネルに関す
る。
字や図形などを表示するガス放電型表示パネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ガス放電型表示パネルは、対向した２枚
の平板ガラスの内面に陰極と陽極とを設け、周囲を機密
に封止、内部にＮｅなどのガスを封入し、電極間に所定
の電圧を印加することにより、ガス特有の色をともなっ
て発光する放電現象を利用して、文字や図形などを表示
する装置である。
の平板ガラスの内面に陰極と陽極とを設け、周囲を機密
に封止、内部にＮｅなどのガスを封入し、電極間に所定
の電圧を印加することにより、ガス特有の色をともなっ
て発光する放電現象を利用して、文字や図形などを表示
する装置である。
【０００３】このようなガス放電型表示パネルは自己発
光タイプのため、視野角が広くコントラスト比が高いの
で、明るくて見やすく、応答速度が早いなど液晶など他
のフラットディスプレイと比べ優れた特徴を持ってお
り、又薄型で大画面の表示パネルが作成出来ることから
ＯＡ機器などの表示装置の他、ハイビジョンテレビ等へ
の応用が期待されている。
光タイプのため、視野角が広くコントラスト比が高いの
で、明るくて見やすく、応答速度が早いなど液晶など他
のフラットディスプレイと比べ優れた特徴を持ってお
り、又薄型で大画面の表示パネルが作成出来ることから
ＯＡ機器などの表示装置の他、ハイビジョンテレビ等へ
の応用が期待されている。
【０００４】ガス放電型表示パネルとしては、従来から
陰極の材料にはＮｉが主に使用されていたが、放電を開
始する電圧や、放電を維持する電圧が比較的高く、又放
電中のイオン衝撃により、陰極材料がスパッタされ、光
の透過率や、電極間の絶縁性を低下するなどの理由によ
り、パネルの寿命の点で問題点があった。
陰極の材料にはＮｉが主に使用されていたが、放電を開
始する電圧や、放電を維持する電圧が比較的高く、又放
電中のイオン衝撃により、陰極材料がスパッタされ、光
の透過率や、電極間の絶縁性を低下するなどの理由によ
り、パネルの寿命の点で問題点があった。
【０００５】このような問題点を解決するためにＮｉに
変わり、新しくランタンストロンチウムコバルタイト
｛（ＬａＳｒ）ＣｏＯ３｝などのペロブスカイト型の酸
化物導電体の陰極が開発された（例えば、特願平2ー8791
9号参照）。
変わり、新しくランタンストロンチウムコバルタイト
｛（ＬａＳｒ）ＣｏＯ３｝などのペロブスカイト型の酸
化物導電体の陰極が開発された（例えば、特願平2ー8791
9号参照）。
【０００６】これらの酸化物導電体の陰極はＮｉに比
べ、放電維持電圧が低く、しかも耐スパッタ性にも優
れ、従来のＮｉに比べ、パネルの低消費電力を大幅に低
下させ、又パネルの寿命も大幅に向上することが出来
た。
べ、放電維持電圧が低く、しかも耐スパッタ性にも優
れ、従来のＮｉに比べ、パネルの低消費電力を大幅に低
下させ、又パネルの寿命も大幅に向上することが出来
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような優れた特性を示す酸化物導電体を用いたガス放電
型表示パネルではあるが、このパネルを量産するにあた
って、パネルの寿命特性が安定しないという問題が発生
した。特に、通常よりも大きな電流を流して行うライフ
試験において、作成した陰極材料のロット間でのバラツ
キが多く見られた。
ような優れた特性を示す酸化物導電体を用いたガス放電
型表示パネルではあるが、このパネルを量産するにあた
って、パネルの寿命特性が安定しないという問題が発生
した。特に、通常よりも大きな電流を流して行うライフ
試験において、作成した陰極材料のロット間でのバラツ
キが多く見られた。
【０００８】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であり、本発明の目的は、従来よりも低消費電力で駆動
できる陰極材料であるペロブスカイト型や、Ｋ2ＮｉＦ4
型の酸化物導電体材料のスパッタ膜の抵抗値が低下しな
いように改善し、パネルの信頼性を高めることを目的と
する。
であり、本発明の目的は、従来よりも低消費電力で駆動
できる陰極材料であるペロブスカイト型や、Ｋ2ＮｉＦ4
型の酸化物導電体材料のスパッタ膜の抵抗値が低下しな
いように改善し、パネルの信頼性を高めることを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するもので、その技術的手段は、陰極材料として用いら
れる酸化物導電体として、化学式、（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ
3 （但し、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｏ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎのうちのいずれかを少なくとも含む）
で表されるペロブスカイト型結晶構造を用い、（ＬａＭ
１）とＭ２の元素比率をｘで表すと（ｘ＝（ＬａＭ１）
／Ｍ２）、ｘの値が１よりも大きくなるように、酸化物
導電体を仕込むこと、又ペロブスカイト型と同様に良好
な特性を示す酸化物導電体である、化学式、（ＬａＭ
１）2Ｍ２Ｏ４ （但し、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、
Ｍ２はＣｕ、Ｎｉのうちのいずれかを少なくとも含む）
で表されるＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を用い、（ＬａＭ１）
2とＭ２の比をｙと表し（ｙ＝（ＬａＭ１）2／Ｍ２）、
ｙの値が１よりも大きくなるように、酸化物導電体を仕
込むようにしたものである。
するもので、その技術的手段は、陰極材料として用いら
れる酸化物導電体として、化学式、（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ
3 （但し、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｏ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎのうちのいずれかを少なくとも含む）
で表されるペロブスカイト型結晶構造を用い、（ＬａＭ
１）とＭ２の元素比率をｘで表すと（ｘ＝（ＬａＭ１）
／Ｍ２）、ｘの値が１よりも大きくなるように、酸化物
導電体を仕込むこと、又ペロブスカイト型と同様に良好
な特性を示す酸化物導電体である、化学式、（ＬａＭ
１）2Ｍ２Ｏ４ （但し、Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、
Ｍ２はＣｕ、Ｎｉのうちのいずれかを少なくとも含む）
で表されるＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を用い、（ＬａＭ１）
2とＭ２の比をｙと表し（ｙ＝（ＬａＭ１）2／Ｍ２）、
ｙの値が１よりも大きくなるように、酸化物導電体を仕
込むようにしたものである。
【００１０】
【作用】したがって、本発明によれば、上記酸化物導電
体の組成が、本来の化学量論的な組成にくらべ、ペロブ
スカイト型の結晶構造の場合は（ＬａＭ１）元素が、又
Ｋ2ＮｉＦ4型の結晶構造の場合は（ＬａＭ１）2の元素
が過剰な組成になっている。このため、これらの過剰な
元素は、酸化物導電体の焼成行程中に空気中の酸素で酸
化され、それぞれの元素の酸化物になって、結晶中に混
入する。すなわち、Ｌａ2Ｏ3、ＢａＯ、ＳｒＯなどであ
る。これらの酸化物は、もともと電気抵抗が高いので、
ガス放電中にイオン衝撃によりスパッタされても、化学
量論的な組成の材料に比べ、特に低抵抗な膜を作ること
はない。
体の組成が、本来の化学量論的な組成にくらべ、ペロブ
スカイト型の結晶構造の場合は（ＬａＭ１）元素が、又
Ｋ2ＮｉＦ4型の結晶構造の場合は（ＬａＭ１）2の元素
が過剰な組成になっている。このため、これらの過剰な
元素は、酸化物導電体の焼成行程中に空気中の酸素で酸
化され、それぞれの元素の酸化物になって、結晶中に混
入する。すなわち、Ｌａ2Ｏ3、ＢａＯ、ＳｒＯなどであ
る。これらの酸化物は、もともと電気抵抗が高いので、
ガス放電中にイオン衝撃によりスパッタされても、化学
量論的な組成の材料に比べ、特に低抵抗な膜を作ること
はない。
【００１１】これに対して、本発明と逆のＭ２元素が過
剰な場合は、過剰なＭ２元素は酸化されると、例えばＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕなどの酸化物であるが、こ
れらの酸化物は比較的、抵抗は低く、又特に酸素分圧の
低いガス放電パネル内では、還元され易い性質があるの
で、スパッタされた膜は、本来の化学量論的な組成に比
べ、低抵抗な膜になってしまう。
剰な場合は、過剰なＭ２元素は酸化されると、例えばＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕなどの酸化物であるが、こ
れらの酸化物は比較的、抵抗は低く、又特に酸素分圧の
低いガス放電パネル内では、還元され易い性質があるの
で、スパッタされた膜は、本来の化学量論的な組成に比
べ、低抵抗な膜になってしまう。
【００１２】このように、ガス放電により低抵抗な膜が
スパッタされると、電極間に付着し、絶縁性を損ない、
放電パネルの寿命は急速に低下する。量産工程において
は、酸化物導電体の組成を厳密に化学量論的な組成比に
調整して、合成することは困難であり、わずかながらど
ちらかに組成がシフトしてしまうのが普通である。これ
に対して、本発明のように、化学量論的な組成よりも、
あらかじめ安全側にシフトした組成にしておくことによ
り、ある程度の組成のバラツキに対しても、信頼性の高
いパネルを得ることが出来る。
スパッタされると、電極間に付着し、絶縁性を損ない、
放電パネルの寿命は急速に低下する。量産工程において
は、酸化物導電体の組成を厳密に化学量論的な組成比に
調整して、合成することは困難であり、わずかながらど
ちらかに組成がシフトしてしまうのが普通である。これ
に対して、本発明のように、化学量論的な組成よりも、
あらかじめ安全側にシフトした組成にしておくことによ
り、ある程度の組成のバラツキに対しても、信頼性の高
いパネルを得ることが出来る。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。は
じめに、ガス放電型表示パネルの基本的な構造と作製方
法及び動作について説明する。
じめに、ガス放電型表示パネルの基本的な構造と作製方
法及び動作について説明する。
【００１４】図１にガス放電型表示パネルの一部を拡大
した断面図を模式的に表す。図１において、ガラスから
なる背面基板１に、陰極の導電性を補うためにＮｉやＡ
ｇなどの良導電体を下地電極２としてあらかじめ形成
し、この下地電極２の上に本発明の陰極３を形成する。
いずれも、量産性が容易なスクリーン印刷法を用いる。
一方、前面基板６には、陰極３と直交するように、ＩＴ
ＯやＮｉ、Ａｇなどからなる陽極４が形成される。ま
た、放電空間部７でのクロストークを防ぐために、隔壁
５が形成される。次に背面基板１と前面基板６を重ね合
わせ、周囲をフリットガラスで気密に封じ、その後、放
電空間部７を真空に排気し、十分脱ガスした後、Ｎｅ−
Ａｒなどの放電ガスを数百ｔｏｒｒ導入し、ガス放電パ
ネルを作製する。このように作製されたパネルの陰極と
陽極の間に、所定の電圧を印加してプラズマ放電を発生
させ、このとき発生するガス固有の発光を利用して、文
字や図形などを表示する。
した断面図を模式的に表す。図１において、ガラスから
なる背面基板１に、陰極の導電性を補うためにＮｉやＡ
ｇなどの良導電体を下地電極２としてあらかじめ形成
し、この下地電極２の上に本発明の陰極３を形成する。
いずれも、量産性が容易なスクリーン印刷法を用いる。
一方、前面基板６には、陰極３と直交するように、ＩＴ
ＯやＮｉ、Ａｇなどからなる陽極４が形成される。ま
た、放電空間部７でのクロストークを防ぐために、隔壁
５が形成される。次に背面基板１と前面基板６を重ね合
わせ、周囲をフリットガラスで気密に封じ、その後、放
電空間部７を真空に排気し、十分脱ガスした後、Ｎｅ−
Ａｒなどの放電ガスを数百ｔｏｒｒ導入し、ガス放電パ
ネルを作製する。このように作製されたパネルの陰極と
陽極の間に、所定の電圧を印加してプラズマ放電を発生
させ、このとき発生するガス固有の発光を利用して、文
字や図形などを表示する。
【００１５】プラズマ放電中の陰極表面には、プラスに
帯電したＮｅなどのイオンが、衝突し、陰極材料をスパ
ッタし、周囲に導電性の皮膜をつくる。放電パネルの寿
命は、このようなスパッタ膜による電極間の絶縁性が低
下することで制限されている。
帯電したＮｅなどのイオンが、衝突し、陰極材料をスパ
ッタし、周囲に導電性の皮膜をつくる。放電パネルの寿
命は、このようなスパッタ膜による電極間の絶縁性が低
下することで制限されている。
【００１６】本発明に用いられている酸化物導電体のカ
ソードは、Ｎｉなどの金属のカソードに比べ、導電率は
２桁から５桁低いので、スパッタされても金属ほどには
問題は少ない。しかしながら、良好な酸化物導電体にお
いても、酸化物導電体の組成が化学量論的な組成比から
わずかにずれると、スパッタ膜の抵抗が変化することが
わかった。
ソードは、Ｎｉなどの金属のカソードに比べ、導電率は
２桁から５桁低いので、スパッタされても金属ほどには
問題は少ない。しかしながら、良好な酸化物導電体にお
いても、酸化物導電体の組成が化学量論的な組成比から
わずかにずれると、スパッタ膜の抵抗が変化することが
わかった。
【００１７】第１の実施例として、ペロブスカイト型の
酸化物導電体の代表的な組成として、（Ｌａ0.5Ｓ
ｒ0.5）ＣｏＯ3 （コバルタイトと呼ぶ）を用いた場合
について説明する。上記組成において、（Ｌａ0.5Ｓｒ
0.5）が位置するところを、Ａサイト、Ｃｏが位置する
ところをＢサイトと呼ぶことにする。ＡサイトとＢサイ
トの比率をＡ／Ｂで表し、その値をＸとする。化学量論
的な値とはＸが１のことである。
酸化物導電体の代表的な組成として、（Ｌａ0.5Ｓ
ｒ0.5）ＣｏＯ3 （コバルタイトと呼ぶ）を用いた場合
について説明する。上記組成において、（Ｌａ0.5Ｓｒ
0.5）が位置するところを、Ａサイト、Ｃｏが位置する
ところをＢサイトと呼ぶことにする。ＡサイトとＢサイ
トの比率をＡ／Ｂで表し、その値をＸとする。化学量論
的な値とはＸが１のことである。
【００１８】次に、このＸの値を０．９５から１．０５
まで変化させたときの結果について説明する。まず、材
料の作製方法について説明する。作製方法は共沈法を用
いた。出発原料として、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｏの各硝酸溶液
を所定の元素比率になるように混合し、それぞれの溶液
を蓚酸とエタノールの混合液に滴下し、それぞれの蓚酸
塩の沈澱物をつくる。この沈澱物を７０℃で、乾燥し、
乾燥した固形物を混合し、空気中雰囲気で、５００℃
で、３時間加熱し、不要な蓚酸塩を熱分解し、Ｌａ、Ｓ
ｒ、Ｃｏの酸化物を作る。そして、この酸化物を５００
℃以上の温度で、３００ｃｃ／分導入した酸素気流中に
おいて、１３００℃で、５時間焼成することにより、完
全なペロブスカイト型結晶構造を得る。焼成後の粉末は
粒子が結合して固まっているので、乳鉢やボールミルな
どにより、数μｍ以下に粉砕する。
まで変化させたときの結果について説明する。まず、材
料の作製方法について説明する。作製方法は共沈法を用
いた。出発原料として、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃｏの各硝酸溶液
を所定の元素比率になるように混合し、それぞれの溶液
を蓚酸とエタノールの混合液に滴下し、それぞれの蓚酸
塩の沈澱物をつくる。この沈澱物を７０℃で、乾燥し、
乾燥した固形物を混合し、空気中雰囲気で、５００℃
で、３時間加熱し、不要な蓚酸塩を熱分解し、Ｌａ、Ｓ
ｒ、Ｃｏの酸化物を作る。そして、この酸化物を５００
℃以上の温度で、３００ｃｃ／分導入した酸素気流中に
おいて、１３００℃で、５時間焼成することにより、完
全なペロブスカイト型結晶構造を得る。焼成後の粉末は
粒子が結合して固まっているので、乳鉢やボールミルな
どにより、数μｍ以下に粉砕する。
【００１９】このようにして作製された粉末試料のスパ
ッタ膜の特性を調べるために、上記粉末試料を強制的に
高周波スパッタ法によりスパッタした。スパッタした膜
の比抵抗は、膜厚を正確に求める必要があるが、薄膜に
なると困難なので相対的な値で評価した。あらかじめガ
ラス基板上に、金の蒸着膜からなる隙間２０μｍ、長さ
１０ｍｍの櫛形電極を１０対設けた評価用のパターンを
用意し、このパタンー上に同じ時間だけスパッタを行い
膜の抵抗値を求めた。スパッタ装置は、日電アネルバ製
の高周波スパッタ装置ＳＰＦ−２１０Ｈ、ターゲットサ
イズは９０ｍｍφ、雰囲気はＡｒ、ガス圧力は１０ｍｔ
ｏｒｒ、パワーは１００Ｗ、スパッタ時間はすべて３０
分で行った。
ッタ膜の特性を調べるために、上記粉末試料を強制的に
高周波スパッタ法によりスパッタした。スパッタした膜
の比抵抗は、膜厚を正確に求める必要があるが、薄膜に
なると困難なので相対的な値で評価した。あらかじめガ
ラス基板上に、金の蒸着膜からなる隙間２０μｍ、長さ
１０ｍｍの櫛形電極を１０対設けた評価用のパターンを
用意し、このパタンー上に同じ時間だけスパッタを行い
膜の抵抗値を求めた。スパッタ装置は、日電アネルバ製
の高周波スパッタ装置ＳＰＦ−２１０Ｈ、ターゲットサ
イズは９０ｍｍφ、雰囲気はＡｒ、ガス圧力は１０ｍｔ
ｏｒｒ、パワーは１００Ｗ、スパッタ時間はすべて３０
分で行った。
【００２０】図２にコバルタイトのＡサイトとＢサイト
に入る元素の仕込み比率を変化させたときの、スパッタ
膜の抵抗値を化学量論的な組成の場合を１として相対的
に表す。図２から、明かのように、Ｘが１より大きいと
きは、スパッタ膜の抵抗値は、ほとんど変化しないのに
対し、Ｘが１より小さいときは、抵抗値が次第に低くな
っていることが分かる。この結果から、ガス放電型表示
パネルに用いるコバルタイトの組成は、ＡサイトとＢサ
イトに入る元素の比率を化学量論的な組成よりも、Ａサ
イトをわずかに過剰な組成にしておく方が抵抗値が下が
らないことが分かる。
に入る元素の仕込み比率を変化させたときの、スパッタ
膜の抵抗値を化学量論的な組成の場合を１として相対的
に表す。図２から、明かのように、Ｘが１より大きいと
きは、スパッタ膜の抵抗値は、ほとんど変化しないのに
対し、Ｘが１より小さいときは、抵抗値が次第に低くな
っていることが分かる。この結果から、ガス放電型表示
パネルに用いるコバルタイトの組成は、ＡサイトとＢサ
イトに入る元素の比率を化学量論的な組成よりも、Ａサ
イトをわずかに過剰な組成にしておく方が抵抗値が下が
らないことが分かる。
【００２１】次に、Ｋ2ＮｉＦ4型結晶構造を用いた第２
の実施例について説明する。代表的な組成として、（Ｌ
ａ0.9Ｂａ0.1）2ＣｕＯ4について述べる。上記組成にお
いて、（Ｌａ0.9Ｂａ0.1）2 が位置するところを、Ａサ
イト、Ｃｕが位置するところをＢサイトと呼ぶとする。
ＡサイトとＢサイトの比率をＡ／Ｂで表し、その値をＸ
とする。ここで化学量論的な値とはＸが１のことであ
る。実験方法は第１の実施例と同様の方法で、共沈法に
より微粉末を作製し、この微粉末を高周波スパッタ法に
よりスパッタし、上述の評価パターンで抵抗値を求め
た。
の実施例について説明する。代表的な組成として、（Ｌ
ａ0.9Ｂａ0.1）2ＣｕＯ4について述べる。上記組成にお
いて、（Ｌａ0.9Ｂａ0.1）2 が位置するところを、Ａサ
イト、Ｃｕが位置するところをＢサイトと呼ぶとする。
ＡサイトとＢサイトの比率をＡ／Ｂで表し、その値をＸ
とする。ここで化学量論的な値とはＸが１のことであ
る。実験方法は第１の実施例と同様の方法で、共沈法に
より微粉末を作製し、この微粉末を高周波スパッタ法に
よりスパッタし、上述の評価パターンで抵抗値を求め
た。
【００２２】その結果を図２にコバルタイトの場合と重
ねて示した。図２から、明らかなように、Ｘが１より大
きいときは、スパッタ膜の抵抗値はほとんど変化しない
のに対し、Ｘが１より小さいときは、抵抗値が次第に低
くなっていることが分かる。
ねて示した。図２から、明らかなように、Ｘが１より大
きいときは、スパッタ膜の抵抗値はほとんど変化しない
のに対し、Ｘが１より小さいときは、抵抗値が次第に低
くなっていることが分かる。
【００２３】従って、ガス放電型表示パネルに用いるＫ
2ＮｉＦ4の組成においても、ＡサイトとＢサイトに位置
する元素の比率を化学量論的な組成よりも、Ａサイトを
わずかに過剰な組成に仕込む方がいずれも抵抗値が下が
らないことが分かる。
2ＮｉＦ4の組成においても、ＡサイトとＢサイトに位置
する元素の比率を化学量論的な組成よりも、Ａサイトを
わずかに過剰な組成に仕込む方がいずれも抵抗値が下が
らないことが分かる。
【００２４】尚、上記に、ペロブスカイト型とＫ2Ｎｉ
Ｆ4型の代表的な例として、それぞれ、（ＬａＳｒ）Ｃ
ｏＯ3と（ＬａＢａ）2ＣｕＯ4 を示したが、このような
効果は、ペロブスカイト型結晶構造をもつ酸化物導電体
では、他に化学式、（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3（但し、Ｍ１
はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍ
ｎのうちいずれかを少なくとも含む）があり、又Ｋ2Ｎ
ｉＦ4 では、化学式、（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ４（但し、
Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｕ、Ｎｉのうち
のいずれかを少なくとも含む）でも同様の効果がある。
Ｆ4型の代表的な例として、それぞれ、（ＬａＳｒ）Ｃ
ｏＯ3と（ＬａＢａ）2ＣｕＯ4 を示したが、このような
効果は、ペロブスカイト型結晶構造をもつ酸化物導電体
では、他に化学式、（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3（但し、Ｍ１
はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍ
ｎのうちいずれかを少なくとも含む）があり、又Ｋ2Ｎ
ｉＦ4 では、化学式、（ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ４（但し、
Ｍ１はＢａまたはＳｒを示し、Ｍ２はＣｕ、Ｎｉのうち
のいずれかを少なくとも含む）でも同様の効果がある。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本願発明はガス放電型表
示パネルの陰極材料にペロブスカイト型またはＫ2Ｎｉ
Ｆ4型の結晶構造をもつ酸化物導電体を用い、かつＡサ
イトに入る元素を化学量論的な組成よりも過剰な組成に
なるようにしたものであり、かかる構成により、電極間
の絶縁抵抗が低下する方向にずれる危険性がなく、放電
型表示パネルを量産するときに、信頼性の高い製品を作
ることができ、本発明の効果は非常に大きい。
示パネルの陰極材料にペロブスカイト型またはＫ2Ｎｉ
Ｆ4型の結晶構造をもつ酸化物導電体を用い、かつＡサ
イトに入る元素を化学量論的な組成よりも過剰な組成に
なるようにしたものであり、かかる構成により、電極間
の絶縁抵抗が低下する方向にずれる危険性がなく、放電
型表示パネルを量産するときに、信頼性の高い製品を作
ることができ、本発明の効果は非常に大きい。
【図１】本発明の一実施例におけるガス放電型表示パネ
ルの構造を表す断面図
ルの構造を表す断面図
【図２】本発明の実施例におけるスパッタ膜の特性図
１ 背面基板 ２ 下地金属 ３ 陰極 ４ 陽極 ５ 隔壁 ６ 前面基板 ７ 放電空間部
Claims (2)
- 【請求項１】 陰極と陽極とを備え、陰極の材料として
化学式、（ＬａＭ１）Ｍ２Ｏ3 （但し、Ｍ１はＢａまた
はＳｒを示し、Ｍ２はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｎのうちの
いずれかを少なくとも含む）で表わされるペロブスカイ
ト型結晶構造を用い、（ＬａＭ１）／Ｍ２の比率を１よ
りも大きくしたことを特徴とするガス放電型表示パネ
ル。 - 【請求項２】 陰極と陽極とを備え、陰極材料として化
学式、 （ＬａＭ１）2Ｍ２Ｏ4 （但し、Ｍ１はＢａまた
はＳｒを示し、Ｍ２はＣｕ、Ｎｉのうちのいずれかを少
なくとも含む）で表されるＫ2ＮｉＦ4型結晶構造を用
い、（ＬａＭ１） 2／Ｍ２ の比率を１よりも大きくした
ことを特徴とするガス放電型表示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28832991A JPH05128964A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | ガス放電型表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28832991A JPH05128964A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | ガス放電型表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128964A true JPH05128964A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17728779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28832991A Pending JPH05128964A (ja) | 1991-11-05 | 1991-11-05 | ガス放電型表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128964A (ja) |
-
1991
- 1991-11-05 JP JP28832991A patent/JPH05128964A/ja active Pending
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