JPH0512743Y2 - - Google Patents
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- JPH0512743Y2 JPH0512743Y2 JP14026487U JP14026487U JPH0512743Y2 JP H0512743 Y2 JPH0512743 Y2 JP H0512743Y2 JP 14026487 U JP14026487 U JP 14026487U JP 14026487 U JP14026487 U JP 14026487U JP H0512743 Y2 JPH0512743 Y2 JP H0512743Y2
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- Japan
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- light
- light receiving
- receiving element
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- Expired - Lifetime
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 16
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案は光パワーメータの操作性の改善に関
し、さらに詳しくは広い波長範囲にわたつて測定
を可能にした光パワーメータに関する。
し、さらに詳しくは広い波長範囲にわたつて測定
を可能にした光パワーメータに関する。
＜従来の技術＞
光パワーメータの受光素子としては400〜
900nmの比較的短波長領域の測定に適したSi素
子、800〜1600nmの比較的長波長領域の測定に適
したGe素子やInGaAs素子が有る。
900nmの比較的短波長領域の測定に適したSi素
子、800〜1600nmの比較的長波長領域の測定に適
したGe素子やInGaAs素子が有る。
第３図はこの様な受光素子として用いられるSi
素子の分光感度特性を、第４図はGe素子の、第
５図はInGaAs素子の分光感度特性を示してい
る。これらの図から明らかな様に受光素子の種類
により分光感度特性がそれぞれ異なつていること
が分る。従つて未知の波長の光パワーを測定する
場合は、 被測定光の波長を測定する。
素子の分光感度特性を、第４図はGe素子の、第
５図はInGaAs素子の分光感度特性を示してい
る。これらの図から明らかな様に受光素子の種類
により分光感度特性がそれぞれ異なつていること
が分る。従つて未知の波長の光パワーを測定する
場合は、 被測定光の波長を測定する。
測定した波長に応じて受光素子を選定する。
受光素子の出力を分光感度特性に応じて補正
する。
する。
という手順が必要で有る。
＜発明が解決しようとする問題点＞
このため、測定光の波長が変つた場合、波長に
応じて素子を交換する必要があつた。
応じて素子を交換する必要があつた。
本考案は上記従来技術の問題点に鑑みて成され
たもので、受光素子として短波長帯に感度を有す
る素子と長波長帯に感度を有する素子を予め組込
んでおき、測定光の波長が変つた場合でも受光素
子を交換する必要がなく、分光感度特性に応じた
補正も必要のない光パワーメータを提供すること
を目的とする。
たもので、受光素子として短波長帯に感度を有す
る素子と長波長帯に感度を有する素子を予め組込
んでおき、測定光の波長が変つた場合でも受光素
子を交換する必要がなく、分光感度特性に応じた
補正も必要のない光パワーメータを提供すること
を目的とする。
＜問題点を解決するための手段＞
上記問題点を解決するための本考案の構成は、
被測定光を２つの方向に分岐する手段と、この分
岐手段からの一方の光を受光する第１の受光部
と、前記分岐手段からの他方の光を受光する第２
の受光部と、前記第１，第２の受光部からの電気
信号のそれぞれを増幅する増幅器と、これら増幅
器からの出力信号を入力し、被測定光の光パワー
および波長を演算する演算装置からなり、前記第
１の受光部は短波長用の第１の受光素子およびこ
の第１の受光素子の後方に配置され、透過した長
波長を受光する第２の受光素子からなり、前記第
２の受光部は短波長用の第１のフイルタと短波長
用の第３の受光素子および長波長用の第２のフイ
ルタと長波長用の第４の受光素子が順次配置され
てなり、前記第１フイルタの透過率特性は前記第
３の受光素子の分光感度特性とは逆の特性とさ
れ、前記第２フイルタの透過率特性は前記第４の
受光素子の分光感度特性とは逆の特性とされたこ
とを特徴とするものである。
被測定光を２つの方向に分岐する手段と、この分
岐手段からの一方の光を受光する第１の受光部
と、前記分岐手段からの他方の光を受光する第２
の受光部と、前記第１，第２の受光部からの電気
信号のそれぞれを増幅する増幅器と、これら増幅
器からの出力信号を入力し、被測定光の光パワー
および波長を演算する演算装置からなり、前記第
１の受光部は短波長用の第１の受光素子およびこ
の第１の受光素子の後方に配置され、透過した長
波長を受光する第２の受光素子からなり、前記第
２の受光部は短波長用の第１のフイルタと短波長
用の第３の受光素子および長波長用の第２のフイ
ルタと長波長用の第４の受光素子が順次配置され
てなり、前記第１フイルタの透過率特性は前記第
３の受光素子の分光感度特性とは逆の特性とさ
れ、前記第２フイルタの透過率特性は前記第４の
受光素子の分光感度特性とは逆の特性とされたこ
とを特徴とするものである。
＜実施例＞
以下、本考案を図面に基づいて説明する。第１
図は本考案の一実施例を示す構成図である。図に
おいて１は受光装置であり、この受光装置には被
測定光からの光を所定の割合いで分割するビーム
スプリツタ２、Si等を用いた第１の受光素子４
１、GeやInGaAs等を用いた第２の受光素子４３
からなる第１の受光部１ａ、および第１のフイル
タ３１、Si等を用いた第３の受光素子４３、第２
のフイルタ３２、GeやInGaAs等を用いた第４の
受光素子４４が順次配置された第２の受光部１ｂ
が収納されている。なお、ビームスプリツタ２と
しては広い波長範囲にわたつて波長特性が平坦な
ものを使用する。５１〜５４は第１〜第４の受光
素子４１〜４４の出力をそれぞれ増幅する増幅器
であり、この増幅器の出力は演算装置６１に入力
される。７１は温度制御回路で第１，第２の受光
部の温度を一定値に維持し受光素子の特性を安定
させる為のものである。８１は演算装置の出力を
表示する表示装置で有る。
図は本考案の一実施例を示す構成図である。図に
おいて１は受光装置であり、この受光装置には被
測定光からの光を所定の割合いで分割するビーム
スプリツタ２、Si等を用いた第１の受光素子４
１、GeやInGaAs等を用いた第２の受光素子４３
からなる第１の受光部１ａ、および第１のフイル
タ３１、Si等を用いた第３の受光素子４３、第２
のフイルタ３２、GeやInGaAs等を用いた第４の
受光素子４４が順次配置された第２の受光部１ｂ
が収納されている。なお、ビームスプリツタ２と
しては広い波長範囲にわたつて波長特性が平坦な
ものを使用する。５１〜５４は第１〜第４の受光
素子４１〜４４の出力をそれぞれ増幅する増幅器
であり、この増幅器の出力は演算装置６１に入力
される。７１は温度制御回路で第１，第２の受光
部の温度を一定値に維持し受光素子の特性を安定
させる為のものである。８１は演算装置の出力を
表示する表示装置で有る。
上記構成において、ビームスプリツタ２は被測
定光の大部分を透過し一部を（例えば10：１の比
で）反射する。透過した光は第１の受光部１ａに
入射するが、その波長が400〜900nm程度の短波
長であれば第１の受光素子４１に大部分が吸収さ
れ、増幅器５１からの電気信号を演算器６１が採
用する。また、波長が900〜1600nm程度の長い波
長の場合は光は第１の受光素子４１を透過して第
２の受光素子４２で大部分が吸収され、増幅器５
２からの電気信号を演算器６１が採用する。
定光の大部分を透過し一部を（例えば10：１の比
で）反射する。透過した光は第１の受光部１ａに
入射するが、その波長が400〜900nm程度の短波
長であれば第１の受光素子４１に大部分が吸収さ
れ、増幅器５１からの電気信号を演算器６１が採
用する。また、波長が900〜1600nm程度の長い波
長の場合は光は第１の受光素子４１を透過して第
２の受光素子４２で大部分が吸収され、増幅器５
２からの電気信号を演算器６１が採用する。
一方ビームスプリツタで反射した光は第２の受
光部に入射し、第１の受光部同様短波長領域の光
は第３の受光素子に大部分が吸収され、長波長領
域の波長は第４の受光素子に大部分が吸収され
る。
光部に入射し、第１の受光部同様短波長領域の光
は第３の受光素子に大部分が吸収され、長波長領
域の波長は第４の受光素子に大部分が吸収され
る。
ところで、この第２の受光部１ｂには第１の受
光素子４３の前に第１のフイルタ３１が配置され
ており、このフイルタの透過率特性は第３の受光
素子の分光感度特性とは逆の特性とされる。すな
わち第２図ａに示すように点線で示すSiの分光感
度特性に対して実線で示すような透過率特性を有
するものされる。その結果、第３の受光素子の出
力は光パワーのみに依存し、波長に左右されない
ものとなる。
光素子４３の前に第１のフイルタ３１が配置され
ており、このフイルタの透過率特性は第３の受光
素子の分光感度特性とは逆の特性とされる。すな
わち第２図ａに示すように点線で示すSiの分光感
度特性に対して実線で示すような透過率特性を有
するものされる。その結果、第３の受光素子の出
力は光パワーのみに依存し、波長に左右されない
ものとなる。
同様に第４の受光素子４４の前には第２のフイ
ルタ３２が配置されており、このフイルタの透過
率特性は第４の受光素子の分光感度特性と逆の特
性とされる。すなわち第２図ｂに示すように点線
で示すGeの分光感度特性に対して実線で示すよ
うなカーブを有する透過率特性とされる。従つ
て、第３の受光素子の出力も波長に左右されない
ものとなる。この様な分光感度特性を有するフイ
ルタ３１，３２の製作は誘電体多層膜や金属薄膜
の厚さを調節したり、組み合わせを工夫すること
により可能で有る。
ルタ３２が配置されており、このフイルタの透過
率特性は第４の受光素子の分光感度特性と逆の特
性とされる。すなわち第２図ｂに示すように点線
で示すGeの分光感度特性に対して実線で示すよ
うなカーブを有する透過率特性とされる。従つ
て、第３の受光素子の出力も波長に左右されない
ものとなる。この様な分光感度特性を有するフイ
ルタ３１，３２の製作は誘電体多層膜や金属薄膜
の厚さを調節したり、組み合わせを工夫すること
により可能で有る。
なお、この光パワーメータにおいては予め既知
の光を入力し、ビームスプリツタを透過した受光
素子の電気信号とビームスプリツタで反射した光
を受光する受光素子の電気信号の比から波長を特
定するテーブルを有しているものとする。
の光を入力し、ビームスプリツタを透過した受光
素子の電気信号とビームスプリツタで反射した光
を受光する受光素子の電気信号の比から波長を特
定するテーブルを有しているものとする。
今、例えば短波長領域の被測定光が入射されビ
ームスプリツタ２を透過した光が第１の受光素子
４１により電気信号に変換され演算装置６１に入
力される。一方ビームスプリツタで反射した光は
第３の受光素子により電気信号に変換され演算装
置に入力される。演算装置ではこれらの比を演算
するがこの比は光のパワーには影響されない。例
えば第２図ａに示す様にその比がy1であれば前記
テーブルと比較してその光の波長を500nmと特定
し、y2で有れば600nmと特定する。そしてこの特
定した波長に基づいてビームスプリツタを透過し
た光パワーを測定する。また、第２図ｂに示すよ
うに長波長の光においても第２の受光素子４２と
第４の受光素子４４の出力の比y3およびy4を演算
することにより同様に波長を特定しその波長に基
づいて光パワーを測定することが出来る。
ームスプリツタ２を透過した光が第１の受光素子
４１により電気信号に変換され演算装置６１に入
力される。一方ビームスプリツタで反射した光は
第３の受光素子により電気信号に変換され演算装
置に入力される。演算装置ではこれらの比を演算
するがこの比は光のパワーには影響されない。例
えば第２図ａに示す様にその比がy1であれば前記
テーブルと比較してその光の波長を500nmと特定
し、y2で有れば600nmと特定する。そしてこの特
定した波長に基づいてビームスプリツタを透過し
た光パワーを測定する。また、第２図ｂに示すよ
うに長波長の光においても第２の受光素子４２と
第４の受光素子４４の出力の比y3およびy4を演算
することにより同様に波長を特定しその波長に基
づいて光パワーを測定することが出来る。
なお、上記実施例においては光分岐手段として
ビームスプリツタを用いて説明したが、光分岐手
段としては、例えば被測定光の光路に傾斜したミ
ラーを配置し、このミラーで光の方向を切替える
様にしてもよい。本考案での光分岐手段とはこの
様なものも含むものとする。
ビームスプリツタを用いて説明したが、光分岐手
段としては、例えば被測定光の光路に傾斜したミ
ラーを配置し、このミラーで光の方向を切替える
様にしてもよい。本考案での光分岐手段とはこの
様なものも含むものとする。
＜考案の効果＞
以上、実施例とともに具体的に説明したように
本考案によれば、受光素子として短波長帯に感度
を有する素子と長波長帯に感度を有する素子を予
め組込んでおき、出力の大きい受光素子からの電
気信号を採用して光パワーの演算を行うようにし
たので、測定光の波長が変つた場合でも受光素子
を交換する必要がなく、分光感度特性に応じた補
正も必要のない光パワーメータを実現することが
出来る。
本考案によれば、受光素子として短波長帯に感度
を有する素子と長波長帯に感度を有する素子を予
め組込んでおき、出力の大きい受光素子からの電
気信号を採用して光パワーの演算を行うようにし
たので、測定光の波長が変つた場合でも受光素子
を交換する必要がなく、分光感度特性に応じた補
正も必要のない光パワーメータを実現することが
出来る。
第１図は本考案の一実施例を示す構成図、第２
図ａ，ｂは受光素子の分光感度特性にフイルタの
相対透過率を重ね一定の出力を得るための説明
図、第３，４，５図は受光素子の分光感度特性を
示す図である。 １……受光装置、１ａ……第１の受光部、１ｂ
……第２の受光部、２……ビームスプリツタ、３
１，３２……波長フイルタ、４１〜４４……第１
〜第４の受光素子、５１〜５４……増幅器、６１
……演算装置。
図ａ，ｂは受光素子の分光感度特性にフイルタの
相対透過率を重ね一定の出力を得るための説明
図、第３，４，５図は受光素子の分光感度特性を
示す図である。 １……受光装置、１ａ……第１の受光部、１ｂ
……第２の受光部、２……ビームスプリツタ、３
１，３２……波長フイルタ、４１〜４４……第１
〜第４の受光素子、５１〜５４……増幅器、６１
……演算装置。
Claims (1)
- 被測定光を２つの方向に分岐する手段と、この
分岐手段からの一方の光を受光する第１の受光部
と、前記分岐手段からの他方の光を受光する第２
の受光部と、前記第１，第２の受光部からの電気
信号のそれぞれを増幅する増幅器と、これら増幅
器からの出力信号を入力し、被測定光の光パワー
および波長を演算する演算装置からなり、前記第
１の受光部は短波長用の第１の受光素子およびこ
の第１の受光素子の後方に配置され、透過した長
波長を受光する第２の受光素子からなり、前記第
２の受光部は短波長用の第１のフイルタと短波長
用の第３の受光素子および長波長用の第２のフイ
ルタと長波長用の第４の受光素子が順次配置され
てなり、前記第１フイルタの透過率特性は前記第
３の受光素子の分光感度特性とは逆の特性とさ
れ、前記第２フイルタの透過率特性は前記第４の
受光素子の分光感度特性とは逆の特性とされてな
ることを特徴とする光パワーメータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14026487U JPH0512743Y2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14026487U JPH0512743Y2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6444436U JPS6444436U (ja) | 1989-03-16 |
| JPH0512743Y2 true JPH0512743Y2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=31404275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14026487U Expired - Lifetime JPH0512743Y2 (ja) | 1987-09-14 | 1987-09-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512743Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-09-14 JP JP14026487U patent/JPH0512743Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6444436U (ja) | 1989-03-16 |
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