JPH05118934A - 圧力センサ装置及びその温度補償調整方法 - Google Patents
圧力センサ装置及びその温度補償調整方法Info
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- JPH05118934A JPH05118934A JP30836891A JP30836891A JPH05118934A JP H05118934 A JPH05118934 A JP H05118934A JP 30836891 A JP30836891 A JP 30836891A JP 30836891 A JP30836891 A JP 30836891A JP H05118934 A JPH05118934 A JP H05118934A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体圧力センサ素子を用いた圧力センサ装
置において、製造工程上のトリミングを廃止して製造コ
ストを低減させ、また、材料コストを低減させることを
目的とする。 【構成】 圧力に応じた出力電圧を発生する半導体圧力
センサ素子１と、該センサ素子１の出力電圧を増幅する
アンプ８と、該センサ素子１のオフセット電圧温度変化
量を補償するネットワーク抵抗３と、このネットワーク
抵抗３の接続を切り換える極性切り換え用ＦＥＴスイッ
チ２及びネットワーク切り換え用ＦＥＴスイッチ４と、
各ＦＥＴスイッチ２，４の状態を保持するためのヒュー
ズＲＯＭ７と、各ＦＥＴスイッチ２，４のゲートに外部
から与えられる補償データをライト信号に基づきヒュー
ズＲＯＭ７に書き込むとともに、リード信号に基づきそ
の内容を読み出して各ＦＥＴスイッチ２，４のゲートに
与えるライト・リードコントロール回路６等を、１個の
半導体チップ上に形成した。
置において、製造工程上のトリミングを廃止して製造コ
ストを低減させ、また、材料コストを低減させることを
目的とする。 【構成】 圧力に応じた出力電圧を発生する半導体圧力
センサ素子１と、該センサ素子１の出力電圧を増幅する
アンプ８と、該センサ素子１のオフセット電圧温度変化
量を補償するネットワーク抵抗３と、このネットワーク
抵抗３の接続を切り換える極性切り換え用ＦＥＴスイッ
チ２及びネットワーク切り換え用ＦＥＴスイッチ４と、
各ＦＥＴスイッチ２，４の状態を保持するためのヒュー
ズＲＯＭ７と、各ＦＥＴスイッチ２，４のゲートに外部
から与えられる補償データをライト信号に基づきヒュー
ズＲＯＭ７に書き込むとともに、リード信号に基づきそ
の内容を読み出して各ＦＥＴスイッチ２，４のゲートに
与えるライト・リードコントロール回路６等を、１個の
半導体チップ上に形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体圧力センサ素
子を用いた圧力センサ装置及びその温度補償調整方法に
関するものである。
子を用いた圧力センサ装置及びその温度補償調整方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体圧力センサ素子と
その周辺回路図であり、２９は厚膜基板上に実装された
半導体圧力センサ素子、３０は厚膜基板上に形成された
極性切り換え用の厚膜抵抗、３１は厚膜基板上に形成さ
れた，センサのオフセット電圧温度変化量を補償するネ
ットワーク抵抗、３３は集積回路３２上に形成されたセ
ンサ信号増幅用アンプである。
その周辺回路図であり、２９は厚膜基板上に実装された
半導体圧力センサ素子、３０は厚膜基板上に形成された
極性切り換え用の厚膜抵抗、３１は厚膜基板上に形成さ
れた，センサのオフセット電圧温度変化量を補償するネ
ットワーク抵抗、３３は集積回路３２上に形成されたセ
ンサ信号増幅用アンプである。
【０００３】次に動作について説明する。半導体圧力セ
ンサ素子２９は、電気的な等価回路としてゲージ抵抗４
本でブリッジを形成し、圧力に応じた出力電圧を発生す
る。ブリッジの両端電圧Ｖ＋，Ｖ−は、厚膜基板上の導
体配線を介して集積回路３２上のアンプ３３で差動増幅
する。半導体圧力センサ素子２９の両端電圧Ｖ＋，Ｖ−
は、オフセット電圧温度変化量を持ち、これを打ち消す
方向でブリッジの一辺にネットワーク抵抗３１を接続す
る。極性切り換え用厚膜抵抗３０は、ブリッジの両端電
圧Ｖ＋，Ｖ−のいずれかの側のブリッジ抵抗にネットワ
ーク抵抗３１を接続するかの選択用抵抗で、製造工程上
のトリミングで選択する。この例では、ネットワーク抵
抗３１は２本で構成しているため、計４種類の抵抗値を
トリミングにより選択可能としている。
ンサ素子２９は、電気的な等価回路としてゲージ抵抗４
本でブリッジを形成し、圧力に応じた出力電圧を発生す
る。ブリッジの両端電圧Ｖ＋，Ｖ−は、厚膜基板上の導
体配線を介して集積回路３２上のアンプ３３で差動増幅
する。半導体圧力センサ素子２９の両端電圧Ｖ＋，Ｖ−
は、オフセット電圧温度変化量を持ち、これを打ち消す
方向でブリッジの一辺にネットワーク抵抗３１を接続す
る。極性切り換え用厚膜抵抗３０は、ブリッジの両端電
圧Ｖ＋，Ｖ−のいずれかの側のブリッジ抵抗にネットワ
ーク抵抗３１を接続するかの選択用抵抗で、製造工程上
のトリミングで選択する。この例では、ネットワーク抵
抗３１は２本で構成しているため、計４種類の抵抗値を
トリミングにより選択可能としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の圧力セ
ンサ装置は以上のように構成されているため、予め半導
体圧力センサ素子のオフセット電圧温度変化量を測定
し、厚膜基板上に形成された極性切り換え用厚膜抵抗，
及びネットワーク抵抗を製造工程上でトリミングするこ
とが必要で、トリミングに多くの時間を要するという問
題点があった。また、半導体圧力センサ素子と、厚膜基
板、及びアンプを内蔵した集積回路が必要で、コストが
かかるという問題もあった。
ンサ装置は以上のように構成されているため、予め半導
体圧力センサ素子のオフセット電圧温度変化量を測定
し、厚膜基板上に形成された極性切り換え用厚膜抵抗，
及びネットワーク抵抗を製造工程上でトリミングするこ
とが必要で、トリミングに多くの時間を要するという問
題点があった。また、半導体圧力センサ素子と、厚膜基
板、及びアンプを内蔵した集積回路が必要で、コストが
かかるという問題もあった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、製造工程上のトリミングを廃止
して製造コストを低減させ、また、半導体チップ上にセ
ンサ素子，アンプ，ネットワーク抵抗等を形成すること
により、材料コストを低減させることを目的とする。さ
らに、この装置に適した温度補償調整方法を提供するこ
とを目的とする。
ためになされたもので、製造工程上のトリミングを廃止
して製造コストを低減させ、また、半導体チップ上にセ
ンサ素子，アンプ，ネットワーク抵抗等を形成すること
により、材料コストを低減させることを目的とする。さ
らに、この装置に適した温度補償調整方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る圧力センサ装置は、半導体圧力センサ素子と、ネット
ワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上記半導体圧力
センサ素子への接続を切り換える切り換え回路と、１回
のみ電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切り換
え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、上記
切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償デー
タをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリに書
き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性半導
体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端子に
与える制御手段とを備えたものである。
る圧力センサ装置は、半導体圧力センサ素子と、ネット
ワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上記半導体圧力
センサ素子への接続を切り換える切り換え回路と、１回
のみ電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切り換
え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、上記
切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償デー
タをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリに書
き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性半導
体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端子に
与える制御手段とを備えたものである。
【０００７】また、請求項２に係る圧力センサ装置は、
１回のみ電気的に書き込み可能な上記不揮発性半導体メ
モリの代わりに、ＥＥＰＲＯＭ（Electronic Erasable
andProgrammable Read Only Memory）に代表される電気
的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリを用いたもの
である。
１回のみ電気的に書き込み可能な上記不揮発性半導体メ
モリの代わりに、ＥＥＰＲＯＭ（Electronic Erasable
andProgrammable Read Only Memory）に代表される電気
的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリを用いたもの
である。
【０００８】また、請求項３に係る圧力センサ装置は、
半導体圧力センサ素子と、センサ出力増幅用のアンプ
と、ネットワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上記
半導体圧力センサ素子への接続を切り換える切り換え回
路と、電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切り
換え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、上
記切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償デ
ータをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリに
書き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性半
導体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端子
に与える制御手段とを、半導体チップ上に形成したもの
である。
半導体圧力センサ素子と、センサ出力増幅用のアンプ
と、ネットワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上記
半導体圧力センサ素子への接続を切り換える切り換え回
路と、電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切り
換え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、上
記切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償デ
ータをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリに
書き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性半
導体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端子
に与える制御手段とを、半導体チップ上に形成したもの
である。
【０００９】また、請求項４に係る圧力センサ装置の温
度補償調整方法は、複数の上記圧力センサ装置を恒温槽
に入れて任意の圧力及び温度雰囲気を与えた状態で、個
々の圧力センサ装置に補償データを与えるとともに、個
々の圧力センサ装置の出力をモニタしながら補償データ
を変化させ、圧力センサ装置の出力が最適値の時、当該
圧力センサ装置にライト信号を与えるものである。
度補償調整方法は、複数の上記圧力センサ装置を恒温槽
に入れて任意の圧力及び温度雰囲気を与えた状態で、個
々の圧力センサ装置に補償データを与えるとともに、個
々の圧力センサ装置の出力をモニタしながら補償データ
を変化させ、圧力センサ装置の出力が最適値の時、当該
圧力センサ装置にライト信号を与えるものである。
【００１０】
【作用】この発明の請求項１においては、従来のトリミ
ングを廃止し、ヒューズＲＯＭ等の不揮発性半導体メモ
リに補償データを保持させることにより、半導体圧力セ
ンサ素子のオフセット電圧温度変化量を容易に短時間で
調整することができ、製造コストが安価になる。
ングを廃止し、ヒューズＲＯＭ等の不揮発性半導体メモ
リに補償データを保持させることにより、半導体圧力セ
ンサ素子のオフセット電圧温度変化量を容易に短時間で
調整することができ、製造コストが安価になる。
【００１１】また、請求項２では、電気的に書き換え可
能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性半導体メモリに補償デー
タを保持させるので、一度設定したある温度範囲の補償
データを、これとは違う温度補償範囲に変更が可能にな
る。
能なＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性半導体メモリに補償デー
タを保持させるので、一度設定したある温度範囲の補償
データを、これとは違う温度補償範囲に変更が可能にな
る。
【００１２】また、請求項３では、半導体圧力センサ素
子，アンプ，ネットワーク抵抗，切り換え回路，不揮発
性半導体メモリ等を半導体チップ上に形成し、ワンチッ
プ化することにより、材料コストが安価になる。
子，アンプ，ネットワーク抵抗，切り換え回路，不揮発
性半導体メモリ等を半導体チップ上に形成し、ワンチッ
プ化することにより、材料コストが安価になる。
【００１３】また、請求項４の温度補償調整方法では、
従来のセンサ個々のトリミングから複数個同時のＲＯＭ
への補償データ書き込みによる調整に切り換えたため、
調整が容易で短時間で行なえ、製造コストが安価にな
る。
従来のセンサ個々のトリミングから複数個同時のＲＯＭ
への補償データ書き込みによる調整に切り換えたため、
調整が容易で短時間で行なえ、製造コストが安価にな
る。
【００１４】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例の構成を示す回路図で
ある。図において、１は半導体圧力センサ素子、２は極
性切り換え用ＦＥＴスイッチ（切り換え回路）、３は拡
散抵抗で形成されたネットワーク抵抗、４はネットワー
ク切り換え用ＦＥＴスイッチ（切り換え回路）であり、
ネットワーク抵抗３は極性切り換え用ＦＥＴスイッチ２
を介して半導体圧力センサ素子１の各出力に接続され、
ネットワーク切り換え用ＦＥＴスイッチ４を介して接地
されている。５はヒューズＲＯＭ７の記録データを増幅
して上記各ＦＥＴスイッチ２，３のゲートに与えるセン
スアンプ・出力バッファ、６はヒューズＲＯＭ７にデー
タを書き込むか，ヒューズＲＯＭ７からデータを読み出
すかを制御するライト・リードコントロール回路（制御
手段）、７はＦＥＴスイッチ２，４のオンオフ状態をデ
ータとして保持するヒューズＲＯＭ（１回のみ電気的に
書き込み可能な不揮発性半導体メモリ）、８は半導体圧
力センサ素子１の出力信号を増幅するアンプ、９は各Ｆ
ＥＴスイッチ２，４のゲートに補償データを与えるとと
もに、ヒューズＲＯＭ７に当該データを書き込むための
データ信号線、１０はヒューズＲＯＭ７にデータを書き
込むか，ヒューズＲＯＭ７からデータをリードするかの
信号を入力するライト・リード信号線である。ここで、
上記各要素は全て１個の半導体チップ上に形成されてい
る。
する。図１はこの発明の一実施例の構成を示す回路図で
ある。図において、１は半導体圧力センサ素子、２は極
性切り換え用ＦＥＴスイッチ（切り換え回路）、３は拡
散抵抗で形成されたネットワーク抵抗、４はネットワー
ク切り換え用ＦＥＴスイッチ（切り換え回路）であり、
ネットワーク抵抗３は極性切り換え用ＦＥＴスイッチ２
を介して半導体圧力センサ素子１の各出力に接続され、
ネットワーク切り換え用ＦＥＴスイッチ４を介して接地
されている。５はヒューズＲＯＭ７の記録データを増幅
して上記各ＦＥＴスイッチ２，３のゲートに与えるセン
スアンプ・出力バッファ、６はヒューズＲＯＭ７にデー
タを書き込むか，ヒューズＲＯＭ７からデータを読み出
すかを制御するライト・リードコントロール回路（制御
手段）、７はＦＥＴスイッチ２，４のオンオフ状態をデ
ータとして保持するヒューズＲＯＭ（１回のみ電気的に
書き込み可能な不揮発性半導体メモリ）、８は半導体圧
力センサ素子１の出力信号を増幅するアンプ、９は各Ｆ
ＥＴスイッチ２，４のゲートに補償データを与えるとと
もに、ヒューズＲＯＭ７に当該データを書き込むための
データ信号線、１０はヒューズＲＯＭ７にデータを書き
込むか，ヒューズＲＯＭ７からデータをリードするかの
信号を入力するライト・リード信号線である。ここで、
上記各要素は全て１個の半導体チップ上に形成されてい
る。
【００１５】次に動作の詳細について説明する。半導体
圧力センサ素子１に仮に圧力０[mmHg]，温度−３０[℃]
を与えた時のセンサ出力電圧をオフセット電圧とする。
ここで温度を１００[℃]に変化させると、半導体圧力セ
ンサ素子１を形成している４本の抵抗は温度依存性を持
っていることから、ブリッジのバランスがくずれ、温度
変化に応じたセンサ出力電圧の変化が発生する。この変
化を少なくするようなデータをデータ信号線９から入力
し、値が決定した時点で、ライト・リード信号線１０か
らライト信号を入力する。これにより、半導体圧力セン
サ素子１のオフセット電圧温度変化量を補償するデータ
を、ヒューズＲＯＭ７に記録したことになる。以後、ラ
イト・リード信号線１０よりリード信号を与えること
で、ヒューズＲＯＭ７に記録された補償データがセンス
アンプ・出力バッファ５を介してＦＥＴスイッチ２及び
４を動作させ、半導体圧力センサ素子１のオフセット温
度変化を補償する形に半導体圧力センサ素子１とネット
ワーク抵抗３を接続する。
圧力センサ素子１に仮に圧力０[mmHg]，温度−３０[℃]
を与えた時のセンサ出力電圧をオフセット電圧とする。
ここで温度を１００[℃]に変化させると、半導体圧力セ
ンサ素子１を形成している４本の抵抗は温度依存性を持
っていることから、ブリッジのバランスがくずれ、温度
変化に応じたセンサ出力電圧の変化が発生する。この変
化を少なくするようなデータをデータ信号線９から入力
し、値が決定した時点で、ライト・リード信号線１０か
らライト信号を入力する。これにより、半導体圧力セン
サ素子１のオフセット電圧温度変化量を補償するデータ
を、ヒューズＲＯＭ７に記録したことになる。以後、ラ
イト・リード信号線１０よりリード信号を与えること
で、ヒューズＲＯＭ７に記録された補償データがセンス
アンプ・出力バッファ５を介してＦＥＴスイッチ２及び
４を動作させ、半導体圧力センサ素子１のオフセット温
度変化を補償する形に半導体圧力センサ素子１とネット
ワーク抵抗３を接続する。
【００１６】実施例２．なお、上記実施例では、１回の
み電気的に書き込み可能なヒューズＲＯＭ７を用いた
が、ヒューズＲＯＭ７を図２の回路図に示すように電気
的に何回も書き換え可能なＥＥＰＲＯＭ１１に代えるこ
とにより、ＥＥＰＲＯＭ１１に記録したデータを再び任
意の値に電気的に書き換えられる。従って、一度設定し
たある温度範囲の補償データを、これとは違う温度補償
範囲に変更が可能となる。
み電気的に書き込み可能なヒューズＲＯＭ７を用いた
が、ヒューズＲＯＭ７を図２の回路図に示すように電気
的に何回も書き換え可能なＥＥＰＲＯＭ１１に代えるこ
とにより、ＥＥＰＲＯＭ１１に記録したデータを再び任
意の値に電気的に書き換えられる。従って、一度設定し
たある温度範囲の補償データを、これとは違う温度補償
範囲に変更が可能となる。
【００１７】実施例３．次に、上記装置の温度補償調整
方法の一実施例について図３で説明する。図において、
１２，１３はそれぞれ上述した圧力センサ装置（センサ
１，センサ２）、１４は切り換え回路、１５は各圧力セ
ンサ装置１２，１３の出力信号のモニタ回路、１６は各
圧力センサ装置１２，１３へ供給するライト・リード信
号等を制御するライト・リードコントロール回路、１７
は上記切り換え回路１４，モニタ回路１５，ライト・リ
ードコントロール回路１６を制御するコントロール回路
である。１８は圧力センサ回路１２，１３に温度雰囲気
を与えるための恒温槽、１９は切り換え回路１４，モニ
タ回路１５，ライト・リードコントロール回路１６及び
コントロール回路１７を包括したデータ書き込み装置で
ある。他の信号線２０〜２８については以下の詳細説明
と併せて説明する。
方法の一実施例について図３で説明する。図において、
１２，１３はそれぞれ上述した圧力センサ装置（センサ
１，センサ２）、１４は切り換え回路、１５は各圧力セ
ンサ装置１２，１３の出力信号のモニタ回路、１６は各
圧力センサ装置１２，１３へ供給するライト・リード信
号等を制御するライト・リードコントロール回路、１７
は上記切り換え回路１４，モニタ回路１５，ライト・リ
ードコントロール回路１６を制御するコントロール回路
である。１８は圧力センサ回路１２，１３に温度雰囲気
を与えるための恒温槽、１９は切り換え回路１４，モニ
タ回路１５，ライト・リードコントロール回路１６及び
コントロール回路１７を包括したデータ書き込み装置で
ある。他の信号線２０〜２８については以下の詳細説明
と併せて説明する。
【００１８】この例では、２個の圧力センサ装置を同時
に補償調整する方法について説明する。圧力センサ装置
１２，１３は、恒温槽１８により任意の圧力，及び温度
雰囲気を与えられている。この時の圧力センサ装置１
２，１３の出力電圧（信号）２１，２２のうち、切り換
え回路１４によりまず出力信号２１が選択され、出力信
号２４としてモニタ回路１５に入力される。この時、ラ
イト・リードコントロール回路１６はデータ信号線２０
を介して圧力センサ装置１２に補償データを入力する。
コントロール回路１７は、コントロール信号２６により
ライト・リードコントロール回路１６から圧力センサ装
置１２に与える補償データ信号を変化させ、最適値の
時，ライト・リードコントロール回路１６からリード・
ライト信号線２５，切り換え回路１４、リード・ライト
信号線２７を介して圧力センサ装置１２へライト信号を
与える。これにより、圧力センサ装置１２に補償データ
が記録されたことになる。次に、切り換え回路１４を圧
力センサ装置１３側に切り換え、上記と同様の処理を繰
り返す。これにより、複数の圧力センサ装置を同時に補
償記録することが可能となる。
に補償調整する方法について説明する。圧力センサ装置
１２，１３は、恒温槽１８により任意の圧力，及び温度
雰囲気を与えられている。この時の圧力センサ装置１
２，１３の出力電圧（信号）２１，２２のうち、切り換
え回路１４によりまず出力信号２１が選択され、出力信
号２４としてモニタ回路１５に入力される。この時、ラ
イト・リードコントロール回路１６はデータ信号線２０
を介して圧力センサ装置１２に補償データを入力する。
コントロール回路１７は、コントロール信号２６により
ライト・リードコントロール回路１６から圧力センサ装
置１２に与える補償データ信号を変化させ、最適値の
時，ライト・リードコントロール回路１６からリード・
ライト信号線２５，切り換え回路１４、リード・ライト
信号線２７を介して圧力センサ装置１２へライト信号を
与える。これにより、圧力センサ装置１２に補償データ
が記録されたことになる。次に、切り換え回路１４を圧
力センサ装置１３側に切り換え、上記と同様の処理を繰
り返す。これにより、複数の圧力センサ装置を同時に補
償記録することが可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１にお
ける圧力センサ装置は、半導体圧力センサ素子と、ネッ
トワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上記半導体圧
力センサ素子への接続を切り換える切り換え回路と、１
回のみ電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切り
換え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、上
記切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償デ
ータをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリに
書き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性半
導体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端子
に与える制御手段とを備えて、従来のトリミングを廃止
し、ヒューズＲＯＭ等の不揮発性半導体メモリに補償デ
ータを保持させることにより、半導体圧力センサ素子の
オフセット電圧温度変化量を容易に短時間で調整するこ
とができ、製造コストが安価になる効果がある。
ける圧力センサ装置は、半導体圧力センサ素子と、ネッ
トワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上記半導体圧
力センサ素子への接続を切り換える切り換え回路と、１
回のみ電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切り
換え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、上
記切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償デ
ータをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリに
書き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性半
導体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端子
に与える制御手段とを備えて、従来のトリミングを廃止
し、ヒューズＲＯＭ等の不揮発性半導体メモリに補償デ
ータを保持させることにより、半導体圧力センサ素子の
オフセット電圧温度変化量を容易に短時間で調整するこ
とができ、製造コストが安価になる効果がある。
【００２０】また、請求項２における圧力センサ装置
は、１回のみ電気的に書き込み可能な上記不揮発性半導
体メモリの代わりに、ＥＥＰＲＯＭに代表される電気的
に書き換え可能な不揮発性半導体メモリを用いて、補償
データを保持させるので、一度設定したある温度範囲の
補償データを、これとは違う温度補償範囲に変更が可能
になる。
は、１回のみ電気的に書き込み可能な上記不揮発性半導
体メモリの代わりに、ＥＥＰＲＯＭに代表される電気的
に書き換え可能な不揮発性半導体メモリを用いて、補償
データを保持させるので、一度設定したある温度範囲の
補償データを、これとは違う温度補償範囲に変更が可能
になる。
【００２１】また、請求項３における圧力センサ装置
は、半導体圧力センサ素子と、センサ出力増幅用のアン
プと、ネットワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上
記半導体圧力センサ素子への接続を切り換える切り換え
回路と、電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切
り換え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、
上記切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償
データをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリ
に書き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性
半導体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端
子に与える制御手段とを、半導体チップ上に形成してワ
ンチップ化することにより、材料コストが安価になる効
果がある。
は、半導体圧力センサ素子と、センサ出力増幅用のアン
プと、ネットワーク抵抗と、このネットワーク抵抗の上
記半導体圧力センサ素子への接続を切り換える切り換え
回路と、電気的に書き込み可能で上記切り換え回路の切
り換え状態を保持するための不揮発性半導体メモリと、
上記切り換え回路の制御端子に外部から与えられる補償
データをライト信号に基づき上記不揮発性半導体メモリ
に書き込むとともに、リード信号に基づき上記不揮発性
半導体メモリの内容を読み出して切り換え回路の制御端
子に与える制御手段とを、半導体チップ上に形成してワ
ンチップ化することにより、材料コストが安価になる効
果がある。
【００２２】また、請求項４における圧力センサ装置の
温度補償調整方法は、複数の上記圧力センサ装置を恒温
槽に入れて任意の圧力及び温度雰囲気を与えた状態で、
個々の圧力センサ装置に補償データを与えるとともに、
個々の圧力センサ装置の出力をモニタしながら補償デー
タを変化させ、圧力センサ装置の出力が最適値の時、当
該圧力センサ装置にライト信号を与えるものであり、従
来のセンサ個々のトリミングから複数個同時のＲＯＭへ
の補償データ書き込みによる調整に切り換えたため、調
整が容易で短時間で行なえ、製造コストが安価になる効
果がある。
温度補償調整方法は、複数の上記圧力センサ装置を恒温
槽に入れて任意の圧力及び温度雰囲気を与えた状態で、
個々の圧力センサ装置に補償データを与えるとともに、
個々の圧力センサ装置の出力をモニタしながら補償デー
タを変化させ、圧力センサ装置の出力が最適値の時、当
該圧力センサ装置にライト信号を与えるものであり、従
来のセンサ個々のトリミングから複数個同時のＲＯＭへ
の補償データ書き込みによる調整に切り換えたため、調
整が容易で短時間で行なえ、製造コストが安価になる効
果がある。
【図１】この発明による圧力センサ装置の一実施例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図２】この発明による圧力センサ装置の他の実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図３】この発明による圧力センサ装置の温度補償調整
方法の一実施例を示すブロック図である。
方法の一実施例を示すブロック図である。
【図４】従来の圧力センサ装置の回路図である。
１ 半導体圧力センサ素子 ２ 極性切り換え用ＦＥＴスイッチ（切り換え回路） ３ ネットワーク抵抗 ４ ネットワーク切り換え用ＦＥＴスイッチ（切り換え
回路） ５ センスアンプ・出力バッファ ６ ライト・リードコントロール回路（制御手段） ７ ヒューズＲＯＭ（不揮発性半導体メモリ） ８ アンプ ９ データ信号線 １０ ライト・リード信号線 １１ ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性半導体メモリ） １２，１３ 圧力センサ装置 １４ 切り換え回路 １５ モニタ回路 １６ ライト・リードコントロール回路 １７ コントロール回路 １８ 恒温槽 １９ データ書き込み装置
回路） ５ センスアンプ・出力バッファ ６ ライト・リードコントロール回路（制御手段） ７ ヒューズＲＯＭ（不揮発性半導体メモリ） ８ アンプ ９ データ信号線 １０ ライト・リード信号線 １１ ＥＥＰＲＯＭ（不揮発性半導体メモリ） １２，１３ 圧力センサ装置 １４ 切り換え回路 １５ モニタ回路 １６ ライト・リードコントロール回路 １７ コントロール回路 １８ 恒温槽 １９ データ書き込み装置
Claims (4)
- 【請求項１】 圧力に応じた出力電圧を発生する半導体
圧力センサ素子と、この半導体圧力センサ素子のオフセ
ット電圧温度変化量を補償するネットワーク抵抗と、こ
のネットワーク抵抗の上記半導体圧力センサ素子への接
続を切り換える切り換え回路と、１回のみ電気的に書き
込み可能で上記切り換え回路の切り換え状態を保持する
ための不揮発性半導体メモリと、上記切り換え回路の制
御端子に外部から与えられる補償データをライト信号に
基づき上記不揮発性半導体メモリに書き込むとともに、
リード信号に基づき上記不揮発性半導体メモリの内容を
読み出して切り換え回路の制御端子に与える制御手段と
を備えたことを特徴とする圧力センサ装置。 - 【請求項２】 圧力に応じた出力電圧を発生する半導体
圧力センサ素子と、この半導体圧力センサ素子のオフセ
ット電圧温度変化量を補償するネットワーク抵抗と、こ
のネットワーク抵抗の上記半導体圧力センサ素子への接
続を切り換える切り換え回路と、電気的に書き換え可能
で上記切り換え回路の切り換え状態を保持するための不
揮発性半導体メモリと、上記切り換え回路の制御端子に
外部から与えられる補償データをライト信号に基づき上
記不揮発性半導体メモリに書き込むとともに、リード信
号に基づき上記不揮発性半導体メモリの内容を読み出し
て切り換え回路の制御端子に与える制御手段とを備えた
ことを特徴とする圧力センサ装置。 - 【請求項３】 圧力に応じた出力電圧を発生する半導体
圧力センサ素子と、この半導体圧力センサ素子の出力電
圧を増幅するアンプと、上記半導体圧力センサ素子のオ
フセット電圧温度変化量を補償するネットワーク抵抗
と、このネットワーク抵抗の上記半導体圧力センサ素子
への接続を切り換える切り換え回路と、電気的に書き込
み可能で上記切り換え回路の切り換え状態を保持するた
めの不揮発性半導体メモリと、上記切り換え回路の制御
端子に外部から与えられる補償データをライト信号に基
づき上記不揮発性半導体メモリに書き込むとともに、リ
ード信号に基づき上記不揮発性半導体メモリの内容を読
み出して切り換え回路の制御端子に与える制御手段と
を、半導体チップ上に形成したことを特徴とする圧力セ
ンサ装置。 - 【請求項４】 圧力に応じた出力電圧を発生する半導体
圧力センサ素子と、この半導体圧力センサ素子のオフセ
ット電圧温度変化量を補償するネットワーク抵抗と、こ
のネットワーク抵抗の上記半導体圧力センサ素子への接
続を切り換える切り換え回路と、電気的に書き込み可能
で上記切り換え回路の切り換え状態を保持するための不
揮発性半導体メモリと、上記切り換え回路の制御端子に
外部から与えられる補償データをライト信号に基づき上
記不揮発性半導体メモリに書き込むとともに、リード信
号に基づき上記不揮発性半導体メモリの内容を読み出し
て切り換え回路の制御端子に与える制御手段とを備えた
圧力センサ装置の温度補償調整方法であって、複数の上
記圧力センサ装置を恒温槽に入れて任意の圧力及び温度
雰囲気を与えた状態で、個々の圧力センサ装置に補償デ
ータを与えるとともに、個々の圧力センサ装置の出力を
モニタしながら補償データを変化させ、圧力センサ装置
の出力が最適値の時、当該圧力センサ装置にライト信号
を与えることを特徴とする圧力センサ装置の温度補償調
整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03308368A JP3099840B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 圧力センサ装置及びその温度補償調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03308368A JP3099840B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 圧力センサ装置及びその温度補償調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05118934A true JPH05118934A (ja) | 1993-05-14 |
| JP3099840B2 JP3099840B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17980229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03308368A Expired - Fee Related JP3099840B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | 圧力センサ装置及びその温度補償調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3099840B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180798B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-02-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor physical quantity sensing device |
| CN112729661A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 北京金迈捷科技有限公司 | 一种带温度信号输出的超低温压力传感器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103338011B (zh) * | 2013-06-17 | 2016-04-06 | 聚辰半导体(上海)有限公司 | 一种用于放大器失调电压修调的低温漂修调电路 |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP03308368A patent/JP3099840B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180798B2 (en) | 2001-04-12 | 2007-02-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor physical quantity sensing device |
| CN112729661A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 北京金迈捷科技有限公司 | 一种带温度信号输出的超低温压力传感器 |
| CN112729661B (zh) * | 2020-12-29 | 2024-03-19 | 北京金迈捷科技有限公司 | 一种带温度信号输出的超低温压力传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3099840B2 (ja) | 2000-10-16 |
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