JPH05114572A - ベリリウムおよびフツ化ベリリウムを含むプラズマの生成方法 - Google Patents
ベリリウムおよびフツ化ベリリウムを含むプラズマの生成方法Info
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- JPH05114572A JPH05114572A JP4081442A JP8144292A JPH05114572A JP H05114572 A JPH05114572 A JP H05114572A JP 4081442 A JP4081442 A JP 4081442A JP 8144292 A JP8144292 A JP 8144292A JP H05114572 A JPH05114572 A JP H05114572A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 腐食性反応を持たず、イオンビーム流を容易
に制御でき、装置の準備手順が最小限であり、ベリリウ
ムとフッ素とを同時にインプラントできるベリリウムの
インプラント方法を得る。 【構成】 ベリリウム結晶は三フッ化ホウ素ガスが導入
されたイオン化容器内でカソードとして使われる。前記
三フッ化ホウ素および前記ベリリウムはフッ化ベリリウ
ムイオン（ＢｅＦ+）およびベリリウムイオン（Ｂｅ+）
を生成するためにイオン化容器内でイオン化される。フ
ッ化ベリリウムイオンは目標の半導体材料に衝突するよ
うに放出され、イオンは半導体材料において分裂して、
結果ベリリウムとフッ素とがインプラントされる。
に制御でき、装置の準備手順が最小限であり、ベリリウ
ムとフッ素とを同時にインプラントできるベリリウムの
インプラント方法を得る。 【構成】 ベリリウム結晶は三フッ化ホウ素ガスが導入
されたイオン化容器内でカソードとして使われる。前記
三フッ化ホウ素および前記ベリリウムはフッ化ベリリウ
ムイオン（ＢｅＦ+）およびベリリウムイオン（Ｂｅ+）
を生成するためにイオン化容器内でイオン化される。フ
ッ化ベリリウムイオンは目標の半導体材料に衝突するよ
うに放出され、イオンは半導体材料において分裂して、
結果ベリリウムとフッ素とがインプラントされる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般にプラズマの生成方
法に関し、さらに詳細にはベリリウムイオンおよびフッ
化ベリリウムイオンを含むプラズマの新規な生成方法に
関する。
法に関し、さらに詳細にはベリリウムイオンおよびフッ
化ベリリウムイオンを含むプラズマの新規な生成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ベリリウム（Ｂｅ）を半導体材料
にインプラントするのは困難なことであった。半導体材
料へのインプラントに用いることが可能なベリリウムイ
オンを生成するための２つの主要な方法が知られてい
る。これらの方法のために機器を準備するのは４時間か
ら６時間もかかる非常に時間を浪費する作業である。
にインプラントするのは困難なことであった。半導体材
料へのインプラントに用いることが可能なベリリウムイ
オンを生成するための２つの主要な方法が知られてい
る。これらの方法のために機器を準備するのは４時間か
ら６時間もかかる非常に時間を浪費する作業である。
【０００３】１つの方法としては、ベリリウムの結晶か
らベリリウムイオンを生成する方法がある。結晶はイオ
ン化容器の中でカソードとして用いられ、不活性ガス、
典型的にはアルゴン、がイオン化剤として使われる。ベ
リリウムイオンの生成は非常に遅く、半導体材料に十分
な濃度のベリリウムイオンをインプラントするには何時
間も要する。さらに、イオンビームは非常に不安定で、
インプラント工程中に変動する。結果としてベリリウム
イオンの一定のインプラントを行うためにはインプラン
ト用の装置を頻繁に監視し、調整しなければならない。
らベリリウムイオンを生成する方法がある。結晶はイオ
ン化容器の中でカソードとして用いられ、不活性ガス、
典型的にはアルゴン、がイオン化剤として使われる。ベ
リリウムイオンの生成は非常に遅く、半導体材料に十分
な濃度のベリリウムイオンをインプラントするには何時
間も要する。さらに、イオンビームは非常に不安定で、
インプラント工程中に変動する。結果としてベリリウム
イオンの一定のインプラントを行うためにはインプラン
ト用の装置を頻繁に監視し、調整しなければならない。
【０００４】またベリリウムイオンを得る別の方法とし
ては、ベリリウムカソードの代わりに標準的なタンタル
のカソードを用いる方法がある。塩化ベリリウム（Ｂｅ
Ｃｌ2）結晶を加熱してイオン化された塩化ベリリウム
ガスを生成し、これによってベリリウムイオンを生成す
る。塩化ベリリウムは容易に加水分解され、腐食力が強
くイオンインプラント装置に損傷を与える塩酸が生成さ
れる。
ては、ベリリウムカソードの代わりに標準的なタンタル
のカソードを用いる方法がある。塩化ベリリウム（Ｂｅ
Ｃｌ2）結晶を加熱してイオン化された塩化ベリリウム
ガスを生成し、これによってベリリウムイオンを生成す
る。塩化ベリリウムは容易に加水分解され、腐食力が強
くイオンインプラント装置に損傷を与える塩酸が生成さ
れる。
【０００５】ベリリウムが一度Ｐ型の不純物として半導
体材料にインプラントされると、ベリリウムは材料中で
高い移動度をもつようになる。したがってフッ素を続い
てインプラントし、ベリリウムの活性化エネルギーを増
加させる。この独立したフッ素のインプラント工程が必
要であるため、ベリリウムでドープした半導体材料の製
造コストは高いものになっている。
体材料にインプラントされると、ベリリウムは材料中で
高い移動度をもつようになる。したがってフッ素を続い
てインプラントし、ベリリウムの活性化エネルギーを増
加させる。この独立したフッ素のインプラント工程が必
要であるため、ベリリウムでドープした半導体材料の製
造コストは高いものになっている。
【０００６】
【解決すべき課題】従って、腐食性反応を持たず、イオ
ンビーム流を容易に制御でき、装置の準備手順が最小限
であり、ベリリウムとフッ素とを同時にインプラントで
きるベリリウムのインプラント方法を得ることが望まし
い。
ンビーム流を容易に制御でき、装置の準備手順が最小限
であり、ベリリウムとフッ素とを同時にインプラントで
きるベリリウムのインプラント方法を得ることが望まし
い。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明の方法
である、ベリリウムイオンとフッ化ベリリウムイオンの
両方を含むプラズマを生成することによって解決され
る。ベリリウム結晶は三フッ化ホウ素ガスが導入された
イオン化容器内でカソードとして使われる。前記三フッ
化ホウ素および前記ベリリウムはフッ化ベリリウムイオ
ン（ＢｅＦ+）およびベリリウムイオン（Ｂｅ+）を生成
するためにイオン化される。フッ化ベリリウムイオンは
目標の半導体材料に衝突するように放出され、イオンは
半導体材料において分裂してベリリウムとフッ素とがイ
ンプラントされる。
である、ベリリウムイオンとフッ化ベリリウムイオンの
両方を含むプラズマを生成することによって解決され
る。ベリリウム結晶は三フッ化ホウ素ガスが導入された
イオン化容器内でカソードとして使われる。前記三フッ
化ホウ素および前記ベリリウムはフッ化ベリリウムイオ
ン（ＢｅＦ+）およびベリリウムイオン（Ｂｅ+）を生成
するためにイオン化される。フッ化ベリリウムイオンは
目標の半導体材料に衝突するように放出され、イオンは
半導体材料において分裂してベリリウムとフッ素とがイ
ンプラントされる。
【０００８】
【実施例】本発明の方法によって、ベリリウムイオンと
同時にフッ化ベリリウムイオンをも含むプラズマが生成
される。このプラズマはベリリウムとフッ素とを同時に
半導体材料にインプラントするためのイオン源として使
用可能であり、またベリリウムイオンのみをインプラン
とするためのイオン源としても使用可能である。本明細
書においては、本発明は特定の好適実施例に沿って説明
されるが、半導体製造技術に通じたものであれば、様々
な代替実施例または変形的な実施が可能であることは明
らかであろう。さらに詳細には、本発明は本明細書にお
いて、ベリリウムまたはマグネシウムのカソード材料を
用いて特定のＰ型不純物のイオンを生成する方法として
説明されているが、本発明の方法は他のカソード材料お
よび他のイオン化ガスを用いて他の不純物を生成する場
合にも直接使用可能である。
同時にフッ化ベリリウムイオンをも含むプラズマが生成
される。このプラズマはベリリウムとフッ素とを同時に
半導体材料にインプラントするためのイオン源として使
用可能であり、またベリリウムイオンのみをインプラン
とするためのイオン源としても使用可能である。本明細
書においては、本発明は特定の好適実施例に沿って説明
されるが、半導体製造技術に通じたものであれば、様々
な代替実施例または変形的な実施が可能であることは明
らかであろう。さらに詳細には、本発明は本明細書にお
いて、ベリリウムまたはマグネシウムのカソード材料を
用いて特定のＰ型不純物のイオンを生成する方法として
説明されているが、本発明の方法は他のカソード材料お
よび他のイオン化ガスを用いて他の不純物を生成する場
合にも直接使用可能である。
【０００９】プラズマ雰囲気中においては、ベリリウム
は普通フッ素種のガスのほとんどと反応し、ベリリウム
イオン（Ｂｅ+）と同時にフッ化ベリリウム（ＢｅＦ+）
を含むプラズマを生成する。これら普通フッ素種のガス
のいくつかはしばしば半導体装置の処理に用いられ、簡
単に入手可能である。そのようなガスには三フッ化窒素
（ＮＦ3）、三フッ化ホウ素（ＢＦ3）、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）、四フッ化シリコン（ＳｉＦ4）、およびフッ素
（Ｆ2）がある。次の化学式はガス化した三フッ化ホウ
素とベリリウムとのプラズマ雰囲気中での反応の一部を
示したものである。
は普通フッ素種のガスのほとんどと反応し、ベリリウム
イオン（Ｂｅ+）と同時にフッ化ベリリウム（ＢｅＦ+）
を含むプラズマを生成する。これら普通フッ素種のガス
のいくつかはしばしば半導体装置の処理に用いられ、簡
単に入手可能である。そのようなガスには三フッ化窒素
（ＮＦ3）、三フッ化ホウ素（ＢＦ3）、フッ化水素（Ｈ
Ｆ）、四フッ化シリコン（ＳｉＦ4）、およびフッ素
（Ｆ2）がある。次の化学式はガス化した三フッ化ホウ
素とベリリウムとのプラズマ雰囲気中での反応の一部を
示したものである。
【００１０】 Ｂｅ ＋ ＢＦ3 → ＢｅＦ+ ＋ Ｂｅ+ ＋ Ｂ+ ＋ ＯＴ 添字の「＋」は原子または分子のイオンを示しており、
ＯＴは反応によって副次的に生成されるその他の元素ま
たは化合物を示している。化学式で示されているよう
に、ガス化した三フッ化ホウ素とベリリウムとの反応に
よってフッ化ベリリウムイオンだけでなく、ベリリウム
イオンも生成される。ホウ素（Ｂ+）イオンも同時に生
成され、もし必要であれば利用可能である。
ＯＴは反応によって副次的に生成されるその他の元素ま
たは化合物を示している。化学式で示されているよう
に、ガス化した三フッ化ホウ素とベリリウムとの反応に
よってフッ化ベリリウムイオンだけでなく、ベリリウム
イオンも生成される。ホウ素（Ｂ+）イオンも同時に生
成され、もし必要であれば利用可能である。
【００１１】上記の化学式において、三フッ化ホウ素は
他のフッ素種のガス（例えば、Ｆ2，ＨＦ，ＳｉＦ4，Ｎ
Ｆ3等）によって、プラズマ雰囲気中において上記化学
式と同等の反応物をえるために置き換えることが可能で
ある。例えば、四フッ化シリコンを用いた反応では、次
の化学式で示されるように、フッ化ベリリウムイオン、
ベリリウムイオン、フッ化シリコンガス（ＳｉＦ2）お
よび副次的な反応物が生成される。
他のフッ素種のガス（例えば、Ｆ2，ＨＦ，ＳｉＦ4，Ｎ
Ｆ3等）によって、プラズマ雰囲気中において上記化学
式と同等の反応物をえるために置き換えることが可能で
ある。例えば、四フッ化シリコンを用いた反応では、次
の化学式で示されるように、フッ化ベリリウムイオン、
ベリリウムイオン、フッ化シリコンガス（ＳｉＦ2）お
よび副次的な反応物が生成される。
【００１２】 Ｂｅ ＋ ＳｉＦ4 → ＢｅＦ+ ＋ Ｂｅ+ ＋ ＳｉＦ2 ＋ ＯＴ これらの同類のガスはプラズマ雰囲気中で他の元素と結
合して、他のＰ型不純物のイオン化されたフッ化物を形
成することが可能である。これらのフッ化物はベリリウ
ムを元素周期表の第ＩＩ類に属する他の元素で置き換え
ることによって生成される。ベリリウムと同様にこれら
の元素（マグネシウム、Ｍｇ；カルシウム、Ｃａ；スト
ロンチウム、Ｓｒ；バリウム、Ｂａ；ラジウム、Ｒａ；
亜鉛、Ｚｎ；カドミウム、Ｃｄ；水銀、Ｈｇ）のそれぞ
れは２の酸化状態を持ち、フッ素種のガスとベリリウム
と同じように反応する。その例として、次の式はプラズ
マ雰囲気化でのマグネシウムとフッ化水素ガスとの反応
を示している。
合して、他のＰ型不純物のイオン化されたフッ化物を形
成することが可能である。これらのフッ化物はベリリウ
ムを元素周期表の第ＩＩ類に属する他の元素で置き換え
ることによって生成される。ベリリウムと同様にこれら
の元素（マグネシウム、Ｍｇ；カルシウム、Ｃａ；スト
ロンチウム、Ｓｒ；バリウム、Ｂａ；ラジウム、Ｒａ；
亜鉛、Ｚｎ；カドミウム、Ｃｄ；水銀、Ｈｇ）のそれぞ
れは２の酸化状態を持ち、フッ素種のガスとベリリウム
と同じように反応する。その例として、次の式はプラズ
マ雰囲気化でのマグネシウムとフッ化水素ガスとの反応
を示している。
【００１３】 Ｍｇ ＋ＨＦ → ＭｇＦ+ ＋ Ｍｇ+ ＋ Ｈ+ ＋ ＯＴ フッ化水素は加水分解され、フッ化水素酸になりうる。
イオン化容器中ではフッ化水素酸は金属部品と反応し、
部品表面にフッ化金属の被膜を生成する。一般にこのフ
ッ化金属は不活性であり、一度被膜が形成されるとその
部品における化学反応は停止する。したがって、この反
応は酸を生成するにしても、上記の化学式で表わされる
ようにＰ型不純物のフッ化物を含むプラズマを生成する
のにフッ化水素は好適である。
イオン化容器中ではフッ化水素酸は金属部品と反応し、
部品表面にフッ化金属の被膜を生成する。一般にこのフ
ッ化金属は不活性であり、一度被膜が形成されるとその
部品における化学反応は停止する。したがって、この反
応は酸を生成するにしても、上記の化学式で表わされる
ようにＰ型不純物のフッ化物を含むプラズマを生成する
のにフッ化水素は好適である。
【００１４】これらのプラズマの使い方の一つはＰ型の
不純物を半導体材料にインプラントするためのイオンを
生成することである。この用途においては、プラズマ反
応はある特定のイオン化ガスとカソード材料との組み合
わせを用いる標準のイオンインプラント装置のイオン化
容器内で起こる。イオン化容器内には、プラズマを生成
するために使われるアノードおよびカソード、またプラ
ズマを容器から排出するための孔が設けられている。イ
ンプラント装置からイオンを放出させるための加速器は
イオンを高速度まで加速し、目標の半導体材料めがけて
放出する。加速器は通常孔電圧が印加された一連の板状
電極の間にイオンを導くことによってこれを加速する。
前記反応式で示されるようにプラズマは何種類かのイオ
ンを含んでいるために、インプラント装置はプラズマか
ら特定のイオンを放出させるためのイオン選別手段を持
っている。この選別手段は通常質量分析器であり特定の
質量を持つ特定のイオンを選択的に分析器から加速器に
を通り抜けさせ、他の選択されないイオンの通り抜けを
阻止する。例としてベリリウムとガス化した三フッ化ホ
ウ素との反応（Ｂｅ ＋ ＢＦ3 → ＢｅＦ+ ＋ Ｂ
ｅ+ ＋ Ｂ+ ＋ＯＴ）を取り上げる。フッ化ベリリウ
ムイオンおよびベリリウムイオンはプラズマ中に存在
し、どちらもＰ型の不純物として使用可能である。フッ
化ベリリウムの質量は２８であり、ベリリウムの質量は
９である。質量分析器はこれらのうちの１つを選択して
イオンインプラント装置から放出することができる。ベ
リリウムイオンをインプラントするこの方法では１平方
センチメートル当りおおよそ１００ナノアンペア（nano
amps）のビーム電流が流れる。この大きさは短時間に１
平方センチメートル当りおおよそ２Ｘ１０14個のイオン
程度の濃度までインプラントを行うのに十分な大きさで
ある。このような濃度は通常ＩＩＩ−Ｖ族半導体装置の
他の部分に加えて埋め込み層を設けるために使われる。
フッ化ベリリウムイオン（ＢｅＦ+）が選択されたとす
ると、このイオンが放出され半導体材料と衝突する。フ
ッ化ベリリウムイオンはベリリウムとフッ素に分裂し、
どちらも半導体材料中に侵入する。フッ化ベリリウムイ
オン（ＢｅＦ+）はプラス１の電荷を持つために分裂し
たあとの電荷の合計もプラス１でなければならない。し
たがってフッ化ベリリウムイオンは、ベリリウムイオン
（Ｂｅ+）とフッ素原子（Ｆ）とに分裂するか、または
ベリリウム原子（Ｂｅ）とフッ素イオン（Ｆ+）とに分
裂する。インプラントされたベリリウムはそれがイオン
であっても、原子であっても、半導体材料中ではＰ型の
不純物となり、一方フッ素はそれがイオンであっても原
子であってもこの後の処理工程におけるベリリウムの外
方拡散を最小限に抑制する働きをする。このようにして
ベリリウムとフッ素とを同時にインプラントすること
で、１平方センチメートル当りおおよそ５５０ナノアン
ペアのビーム電流が得られる。これは１平方センチメー
トル当りおおよそ２Ｘ１０15個程度までのイオン濃度を
得るのに十分な大きさである。このイオン濃度における
ベリリウムおよびフッ素はＩＩＩ−Ｖ族半導体装置に必
要とされる浅いソース・ドレイン領域をインプラントす
るのに好適であり、さらにオーミック接合を作るための
高濃度にドープされた領域を設けるのにも好適である。
ベリリウムとフッ素とを同時にインプラントすること
で、従来ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料にベリリウムとフッ素
とをドープするために必要であった独立したフッ素のイ
ンプラント工程を省略することができる。
不純物を半導体材料にインプラントするためのイオンを
生成することである。この用途においては、プラズマ反
応はある特定のイオン化ガスとカソード材料との組み合
わせを用いる標準のイオンインプラント装置のイオン化
容器内で起こる。イオン化容器内には、プラズマを生成
するために使われるアノードおよびカソード、またプラ
ズマを容器から排出するための孔が設けられている。イ
ンプラント装置からイオンを放出させるための加速器は
イオンを高速度まで加速し、目標の半導体材料めがけて
放出する。加速器は通常孔電圧が印加された一連の板状
電極の間にイオンを導くことによってこれを加速する。
前記反応式で示されるようにプラズマは何種類かのイオ
ンを含んでいるために、インプラント装置はプラズマか
ら特定のイオンを放出させるためのイオン選別手段を持
っている。この選別手段は通常質量分析器であり特定の
質量を持つ特定のイオンを選択的に分析器から加速器に
を通り抜けさせ、他の選択されないイオンの通り抜けを
阻止する。例としてベリリウムとガス化した三フッ化ホ
ウ素との反応（Ｂｅ ＋ ＢＦ3 → ＢｅＦ+ ＋ Ｂ
ｅ+ ＋ Ｂ+ ＋ＯＴ）を取り上げる。フッ化ベリリウ
ムイオンおよびベリリウムイオンはプラズマ中に存在
し、どちらもＰ型の不純物として使用可能である。フッ
化ベリリウムの質量は２８であり、ベリリウムの質量は
９である。質量分析器はこれらのうちの１つを選択して
イオンインプラント装置から放出することができる。ベ
リリウムイオンをインプラントするこの方法では１平方
センチメートル当りおおよそ１００ナノアンペア（nano
amps）のビーム電流が流れる。この大きさは短時間に１
平方センチメートル当りおおよそ２Ｘ１０14個のイオン
程度の濃度までインプラントを行うのに十分な大きさで
ある。このような濃度は通常ＩＩＩ−Ｖ族半導体装置の
他の部分に加えて埋め込み層を設けるために使われる。
フッ化ベリリウムイオン（ＢｅＦ+）が選択されたとす
ると、このイオンが放出され半導体材料と衝突する。フ
ッ化ベリリウムイオンはベリリウムとフッ素に分裂し、
どちらも半導体材料中に侵入する。フッ化ベリリウムイ
オン（ＢｅＦ+）はプラス１の電荷を持つために分裂し
たあとの電荷の合計もプラス１でなければならない。し
たがってフッ化ベリリウムイオンは、ベリリウムイオン
（Ｂｅ+）とフッ素原子（Ｆ）とに分裂するか、または
ベリリウム原子（Ｂｅ）とフッ素イオン（Ｆ+）とに分
裂する。インプラントされたベリリウムはそれがイオン
であっても、原子であっても、半導体材料中ではＰ型の
不純物となり、一方フッ素はそれがイオンであっても原
子であってもこの後の処理工程におけるベリリウムの外
方拡散を最小限に抑制する働きをする。このようにして
ベリリウムとフッ素とを同時にインプラントすること
で、１平方センチメートル当りおおよそ５５０ナノアン
ペアのビーム電流が得られる。これは１平方センチメー
トル当りおおよそ２Ｘ１０15個程度までのイオン濃度を
得るのに十分な大きさである。このイオン濃度における
ベリリウムおよびフッ素はＩＩＩ−Ｖ族半導体装置に必
要とされる浅いソース・ドレイン領域をインプラントす
るのに好適であり、さらにオーミック接合を作るための
高濃度にドープされた領域を設けるのにも好適である。
ベリリウムとフッ素とを同時にインプラントすること
で、従来ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料にベリリウムとフッ素
とをドープするために必要であった独立したフッ素のイ
ンプラント工程を省略することができる。
【００１５】以上の説明から、本発明によってフッ化ベ
リリウムイオンとベリリウムイオンとを含むプラズマを
生成する方法が提供されたことが理解されるだろう。本
発明の方法によるプラズマはイオンインプラント装置の
金属部分を腐食しない。さらに本発明の方法によって、
プラズマ源からの不純物のインプラントの間、容易に制
御できる安定なビーム流を得ることができる。本発明の
方法によれば、インプラント装置の初期化および準備は
単純で短時間に容易に完了できる。
リリウムイオンとベリリウムイオンとを含むプラズマを
生成する方法が提供されたことが理解されるだろう。本
発明の方法によるプラズマはイオンインプラント装置の
金属部分を腐食しない。さらに本発明の方法によって、
プラズマ源からの不純物のインプラントの間、容易に制
御できる安定なビーム流を得ることができる。本発明の
方法によれば、インプラント装置の初期化および準備は
単純で短時間に容易に完了できる。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料にベリリウムイ
オンとフッ素イオンとを同時にインプラントする方法で
あって：ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を準備する段階；前記
半導体材料にイオンをインプラントするための手段であ
って、材料をイオン化するためのイオン化容器と前記イ
オン化容器から所定の型のイオンを放出するための手段
とを備えた手段を準備する段階；前記イオン化容器内に
ベリリウムのカソードを準備する段階；前記イオン化容
器内に三フッ化ホウ素ガスを注入する段階；前記ベリリ
ウムカソードからベリリウムをスパッタリングするため
に前記三フッ化ホウ素ガスをイオン化し、前記イオン化
容器内に少なくともフッ化ベリリウムイオン（Ｂｅ
Ｆ+）を生成する段階；前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料に
イオンをインプラントするための前記手段から前記フッ
化ベリリウムイオンを放出させる段階；および前記フッ
化ベリリウムイオンを前記半導体材料に侵入するベリリ
ウムとフッ素とに分離させる段階；を含むことを特徴と
する方法。 - 【請求項２】 半導体基板にベリリウムとフッ素とを同
時にインプラントする方法であって：フッ素系ガスが導
入されたイオン化容器内においてベリリウム結晶をカソ
ードとして用いる段階；少なくともフッ化ベリリウムイ
オンを得るために前記フッ素系ガスと前記ベリリウムと
をイオン化する段階；および前記フッ化ベリリウムイオ
ンを前記半導体基板に放出し、前記イオンは分裂してベ
リリウムとフッ素とが同時にインプラントされる段階；
を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項３】 プラズマを生成する方法であって：材料
をイオン化するためにイオン化容器を準備する段階；前
記イオン化容器内にカソードを準備する段階であって、
前記カソードはベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム、ストロンチウム、バリウム、ラジウム、亜鉛、カド
ミウムおよび水銀からなる群から選択された１の材料か
らなるところの段階；前記イオン化容器内にフッ素系ガ
スを放出する段階；および前記カソードから材料をイオ
ン化するために前記フッ素系ガスをイオン化し、少なく
とも前記カソード材料のフッ化物のイオンを得る段階；
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/664,142 US5073507A (en) | 1991-03-04 | 1991-03-04 | Producing a plasma containing beryllium and beryllium fluoride |
| US664142 | 1996-06-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114572A true JPH05114572A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=24664726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4081442A Pending JPH05114572A (ja) | 1991-03-04 | 1992-03-04 | ベリリウムおよびフツ化ベリリウムを含むプラズマの生成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5073507A (ja) |
| JP (1) | JPH05114572A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5863831A (en) * | 1995-08-14 | 1999-01-26 | Advanced Materials Engineering Research, Inc. | Process for fabricating semiconductor device with shallow p-type regions using dopant compounds containing elements of high solid solubility |
| US6001172A (en) * | 1997-08-05 | 1999-12-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for the in-situ generation of dopants |
| US6452338B1 (en) | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
| GB0128913D0 (en) | 2001-12-03 | 2002-01-23 | Applied Materials Inc | Improvements in ion sources for ion implantation apparatus |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1278495A (en) * | 1969-08-08 | 1972-06-21 | Ian George Sayce | Production of flourine or volatile fluorine compounds by melt electrolysis |
| US4502898A (en) * | 1983-12-21 | 1985-03-05 | At&T Bell Laboratories | Diffusion procedure for semiconductor compound |
| JPS613465A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US4558509A (en) * | 1984-06-29 | 1985-12-17 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating a gallium arsenide semiconductor device |
| US4843033A (en) * | 1985-09-27 | 1989-06-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for outdiffusion of zinc into III-V substrates using zinc tungsten silicide as dopant source |
| US4868633A (en) * | 1986-10-22 | 1989-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Selective epitaxy devices and method |
| JPS63288083A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS6422172A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Ricoh Kk | Method for compressing picture data of binary-multi value mixing image |
| JPS6443267A (en) * | 1987-08-12 | 1989-02-15 | Kenwa Kk | Injection needle pull-out device |
| FR2625612B1 (fr) * | 1987-12-30 | 1990-05-04 | Labo Electronique Physique | Procede de realisation d'un dispositif semiconducteur du type transistor bipolaire a heterojonction |
| US4883686A (en) * | 1988-05-26 | 1989-11-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for the high rate plasma deposition of high quality material |
| US4937094A (en) * | 1988-05-26 | 1990-06-26 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of creating a high flux of activated species for reaction with a remotely located substrate |
| JPH028867A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Canon Inc | 光情報処理装置 |
| US4904616A (en) * | 1988-07-25 | 1990-02-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of depositing arsine, antimony and phosphine substitutes |
| US4988640A (en) * | 1988-07-25 | 1991-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method of doping and implanting using arsine, antimony, and phosphine substitutes |
-
1991
- 1991-03-04 US US07/664,142 patent/US5073507A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4081442A patent/JPH05114572A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5073507A (en) | 1991-12-17 |
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