JPH05114347A - 電磁式リレー - Google Patents
電磁式リレーInfo
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- JPH05114347A JPH05114347A JP27380091A JP27380091A JPH05114347A JP H05114347 A JPH05114347 A JP H05114347A JP 27380091 A JP27380091 A JP 27380091A JP 27380091 A JP27380091 A JP 27380091A JP H05114347 A JPH05114347 A JP H05114347A
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- electromagnetic
- substrate
- magnet
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- movable piece
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- Pending
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H51/00—Electromagnetic relays
- H01H51/22—Polarised relays
- H01H51/2272—Polarised relays comprising rockable armature, rocking movement around central axis parallel to the main plane of the armature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H50/00—Details of electromagnetic relays
- H01H50/005—Details of electromagnetic relays using micromechanics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H50/00—Details of electromagnetic relays
- H01H50/02—Bases; Casings; Covers
- H01H50/04—Mounting complete relay or separate parts of relay on a base or inside a case
- H01H50/041—Details concerning assembly of relays
- H01H50/043—Details particular to miniaturised relays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H50/00—Details of electromagnetic relays
- H01H50/005—Details of electromagnetic relays using micromechanics
- H01H2050/007—Relays of the polarised type, e.g. the MEMS relay beam having a preferential magnetisation direction
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- Electromagnetism (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電磁式マグネットに直流電圧を印加すること
で起こる起磁力を駆動源とすることにより、従来のマイ
クロリレーよりも大きな駆動力の得られるマイクロリレ
ーを提供することにある。 【構成】 電気絶縁体の基板に設けた電磁式マグネット
と、上記電磁式マグネットを設けたこの基板主面にスペ
ーサ手段を介して対向配設された可動する半導体単結晶
からなる可動片とで機械要素を構成し、上記電磁式マグ
ネットに対向する上記可動片の表面に磁性体で形成され
た吸着部と、上記可動片に絶縁薄膜を介して形成された
可動接点層と、上記電気絶縁体の基板の主面に形成され
て上記可動接点層で開閉される固定接点層とを備えたこ
とを特徴とする電磁式リレー。
で起こる起磁力を駆動源とすることにより、従来のマイ
クロリレーよりも大きな駆動力の得られるマイクロリレ
ーを提供することにある。 【構成】 電気絶縁体の基板に設けた電磁式マグネット
と、上記電磁式マグネットを設けたこの基板主面にスペ
ーサ手段を介して対向配設された可動する半導体単結晶
からなる可動片とで機械要素を構成し、上記電磁式マグ
ネットに対向する上記可動片の表面に磁性体で形成され
た吸着部と、上記可動片に絶縁薄膜を介して形成された
可動接点層と、上記電気絶縁体の基板の主面に形成され
て上記可動接点層で開閉される固定接点層とを備えたこ
とを特徴とする電磁式リレー。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロマシーンの１
つであり、起磁力を駆動源とする電磁式リレーに関す
る。
つであり、起磁力を駆動源とする電磁式リレーに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来マイクロマシーンの１つに静電吸引
力を駆動源とする静電式リレーがある。
力を駆動源とする静電式リレーがある。
【０００３】この静電式リレーは一例として特開平２−
１００２２４号に開示されている。図１４は従来の静電
式リレーの分解斜視図である。図１５は図１４のＡ−Ａ
線断面図である。
１００２２４号に開示されている。図１４は従来の静電
式リレーの分解斜視図である。図１５は図１４のＡ−Ａ
線断面図である。
【０００４】この静電式リレーの動作について説明す
る。可動片９１１と前側の固定電極層９０２との間に直
流電圧を印加すると、可動片９１１の前片部９１１Ａと
上記電極層９０２との間に静電吸引力が生起し、前片部
９１１Ａは枢支部９１２を支点として電極層９０２側へ
歪んで変位するため、可動接点層９１４が固定接点層９
０４，９０５に接触し、両固定接点層９０４，９０５間
が閉成される。上記直流電圧の印加を断つと、可動片９
１１Ａは枢支部９１２のねじれ復帰力で原状に復帰し、
両固定接点層９０４，９０５間が開放される。
る。可動片９１１と前側の固定電極層９０２との間に直
流電圧を印加すると、可動片９１１の前片部９１１Ａと
上記電極層９０２との間に静電吸引力が生起し、前片部
９１１Ａは枢支部９１２を支点として電極層９０２側へ
歪んで変位するため、可動接点層９１４が固定接点層９
０４，９０５に接触し、両固定接点層９０４，９０５間
が閉成される。上記直流電圧の印加を断つと、可動片９
１１Ａは枢支部９１２のねじれ復帰力で原状に復帰し、
両固定接点層９０４，９０５間が開放される。
【０００５】可動片９１１と後側の固定電極層９０３と
の間に直流電圧を印加することにより、可動片９１１の
後片部９１１Ｂも上記と同様の動作を行なう。
の間に直流電圧を印加することにより、可動片９１１の
後片部９１１Ｂも上記と同様の動作を行なう。
【０００６】ここで、可動片９１１をシリコン単結晶ウ
エハ９０８から形成すれば微細加工が可能となる。さら
に、上記可動片９１１を基体９０１とは別体のシリコン
単結晶ウエハ９０８から形成したから、スペーサ９０９
の選択によって電極間距離を変えて所望の駆動力を得る
ことができる。
エハ９０８から形成すれば微細加工が可能となる。さら
に、上記可動片９１１を基体９０１とは別体のシリコン
単結晶ウエハ９０８から形成したから、スペーサ９０９
の選択によって電極間距離を変えて所望の駆動力を得る
ことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
１４に上げた微細加工による静電式リレーでは上記可動
接点層９１４が上記固定接点層９０４，９０５に接触
し、両固定接点層９０４，９０５間をＯＮ，ＯＦＦ制御
をするために上記固定電極層９０２，９０３と上記可動
片９１１とで構成した駆動用対向電極間に所定の静電吸
引力を生起させることが必要である。また、対向する上
記電極間の隙間を小さくする必要があるが非常にこの隙
間を小さくすると短絡する危険性があるため、実状特定
の大きさ以下には作製できない。
１４に上げた微細加工による静電式リレーでは上記可動
接点層９１４が上記固定接点層９０４，９０５に接触
し、両固定接点層９０４，９０５間をＯＮ，ＯＦＦ制御
をするために上記固定電極層９０２，９０３と上記可動
片９１１とで構成した駆動用対向電極間に所定の静電吸
引力を生起させることが必要である。また、対向する上
記電極間の隙間を小さくする必要があるが非常にこの隙
間を小さくすると短絡する危険性があるため、実状特定
の大きさ以下には作製できない。
【０００８】そこで本発明の目的は電磁式マグネットに
直流電圧を印加することで起こる起磁力を駆動源とする
ことにより、従来のマイクロリレーよりも大きな駆動力
の得られるマイクロリレーを提供することにある。
直流電圧を印加することで起こる起磁力を駆動源とする
ことにより、従来のマイクロリレーよりも大きな駆動力
の得られるマイクロリレーを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の請求項１に係る電磁式リレーは、電気絶縁体
の基板に設けた電磁式マグネットと、上記電磁式マグネ
ットを設けたこの基板主面にスペーサ手段を介して対向
配設された可動する半導体単結晶からなる可動片とで機
械要素を構成し、上記電磁式マグネットに対向する上記
可動片の表面に磁性体で形成された吸着部と、上記可動
片に絶縁薄膜を介して形成された可動接点層と、上記電
気絶縁体の基板の主面に形成されて上記可動接点層で開
閉される固定接点層とを備えたことを特徴としている。
請求項２に係る電磁式リレーは、上記可動片と上記吸着
部との間に微細なコイルを埋設してなることを特徴とし
ている。請求項３に係る電磁式リレーは、上記吸着部に
磁石を用いて形成されたことを特徴としている。
に本発明の請求項１に係る電磁式リレーは、電気絶縁体
の基板に設けた電磁式マグネットと、上記電磁式マグネ
ットを設けたこの基板主面にスペーサ手段を介して対向
配設された可動する半導体単結晶からなる可動片とで機
械要素を構成し、上記電磁式マグネットに対向する上記
可動片の表面に磁性体で形成された吸着部と、上記可動
片に絶縁薄膜を介して形成された可動接点層と、上記電
気絶縁体の基板の主面に形成されて上記可動接点層で開
閉される固定接点層とを備えたことを特徴としている。
請求項２に係る電磁式リレーは、上記可動片と上記吸着
部との間に微細なコイルを埋設してなることを特徴とし
ている。請求項３に係る電磁式リレーは、上記吸着部に
磁石を用いて形成されたことを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明の請求項１の構成によれば駆動源となる
起磁力が生起する電磁式マグネットとこの電磁式マグネ
ットを設えた基板主面に対向して配設された可動する可
動片の表面に磁性体で形成された吸着部を設ける。上記
電磁式マグネットに直流電圧を印加することで起こる起
磁力を持って上記可動片を撓ませ、上記電磁式マグネッ
トに上記可動片を吸着する。すると、上記可動片に別途
形成された可動接点層で上記基板主面に形成された固定
接点層を開閉することができる。
起磁力が生起する電磁式マグネットとこの電磁式マグネ
ットを設えた基板主面に対向して配設された可動する可
動片の表面に磁性体で形成された吸着部を設ける。上記
電磁式マグネットに直流電圧を印加することで起こる起
磁力を持って上記可動片を撓ませ、上記電磁式マグネッ
トに上記可動片を吸着する。すると、上記可動片に別途
形成された可動接点層で上記基板主面に形成された固定
接点層を開閉することができる。
【００１１】本発明の請求項２の構成によれば特殊加工
により上記可動片と上記吸着部との間に微細なコイルを
埋設する。上記電磁式マグネットに直流電圧を印加、切
断した後わずかに上記吸着部に残留磁気が残るが、上記
可動片に埋設された上記コイルに直流電圧を、一時的に
印加して上記吸着部の残留磁気を取り除くことができ
る。
により上記可動片と上記吸着部との間に微細なコイルを
埋設する。上記電磁式マグネットに直流電圧を印加、切
断した後わずかに上記吸着部に残留磁気が残るが、上記
可動片に埋設された上記コイルに直流電圧を、一時的に
印加して上記吸着部の残留磁気を取り除くことができ
る。
【００１２】本発明の請求項３の構成によれば上記吸着
部は磁石を用いて形成する。常に上記電磁式マグネット
に直流電圧を印加しておけばこの電磁式マグネットは電
磁石として使える。上記電磁式マグネットのコイルに流
す電流の向きを変えることによって上記電磁式マグネッ
トの極性（Ｎ極・Ｓ極）を切り替えることができる。す
ると、上記電磁式マグネットに可動片を吸着したり、反
発したりすることができる。
部は磁石を用いて形成する。常に上記電磁式マグネット
に直流電圧を印加しておけばこの電磁式マグネットは電
磁石として使える。上記電磁式マグネットのコイルに流
す電流の向きを変えることによって上記電磁式マグネッ
トの極性（Ｎ極・Ｓ極）を切り替えることができる。す
ると、上記電磁式マグネットに可動片を吸着したり、反
発したりすることができる。
【００１３】
【実施例】本発明の一実施例を図面を参照して説明す
る。図１は第１の実施例の電磁式リレーの分解斜視図で
ある。図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図３はセラ
ミック基板側１０１の作成方法を段階的に示した図であ
り、図４は図３のセラミック基板１０１の貫通穴に挿設
させた電磁式マグネット１０２ａの拡大断面図である。
る。図１は第１の実施例の電磁式リレーの分解斜視図で
ある。図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図３はセラ
ミック基板側１０１の作成方法を段階的に示した図であ
り、図４は図３のセラミック基板１０１の貫通穴に挿設
させた電磁式マグネット１０２ａの拡大断面図である。
【００１４】電磁式マグネット１０２ａ，１０２ｂはコ
ア１０３ａ，１０３ｂとコイル（銅線）１０４ａ，１０
４ｂから成っている。コア１０３ａ，１０３ｂは例えば
Ｍｎ（マンガン）−Ｚｎ（ジンク）フェライトを粉体に
して金型に入れて固め、焼成することによって作成し、
コイル１０４ａ，１０４ｂはコア１０３ａ，１０３ｂの
中の芯のまわりに例えば周りを絶縁物で被覆された０．
１ｍｍの銅線により約３０ターンずつ巻いて作成する。
ア１０３ａ，１０３ｂとコイル（銅線）１０４ａ，１０
４ｂから成っている。コア１０３ａ，１０３ｂは例えば
Ｍｎ（マンガン）−Ｚｎ（ジンク）フェライトを粉体に
して金型に入れて固め、焼成することによって作成し、
コイル１０４ａ，１０４ｂはコア１０３ａ，１０３ｂの
中の芯のまわりに例えば周りを絶縁物で被覆された０．
１ｍｍの銅線により約３０ターンずつ巻いて作成する。
【００１５】セラミック基板１０１は例えばＡｌ2Ｏ
3（アルミナ）の粉体を金型に入れて固め焼成すること
によって作成する。セラミック基板１０１には、貫通穴
１０５ａ，１０５ｂが設けられている（図３（ａ））。
まず、セラミック基板１０１のＡ面の全面にＣｒ（クロ
ム）とＡｕ（金）を真空蒸着により成膜する。このとき
Ｃｒはセラミック基板１０１とＡｕの密着性を向上させ
るものでＡｕより先にＣｒを成膜する。Ａｕ／Ｃｒを成
膜した後、Ａｕ／Ｃｒ層をフォトリソグラフィー技術に
よるエッチング（以下エッチングと記す。）により固定
接点層１０６ａ，１０６ｂ，１０７ａ，１０７ｂを作成
する（図３（ｂ））。
3（アルミナ）の粉体を金型に入れて固め焼成すること
によって作成する。セラミック基板１０１には、貫通穴
１０５ａ，１０５ｂが設けられている（図３（ａ））。
まず、セラミック基板１０１のＡ面の全面にＣｒ（クロ
ム）とＡｕ（金）を真空蒸着により成膜する。このとき
Ｃｒはセラミック基板１０１とＡｕの密着性を向上させ
るものでＡｕより先にＣｒを成膜する。Ａｕ／Ｃｒを成
膜した後、Ａｕ／Ｃｒ層をフォトリソグラフィー技術に
よるエッチング（以下エッチングと記す。）により固定
接点層１０６ａ，１０６ｂ，１０７ａ，１０７ｂを作成
する（図３（ｂ））。
【００１６】図５は第１の実施例の可動片１０８からな
るＳｉ（シリコン単結晶ウエハ）基板側の作成方法を段
階的に示した図である。上記可動片１０８となるＳｉ基
板１０９は例えば図６に示すような面方向に作成する。
上記Ｓｉ基板１０９を矩形状に製作すると、オリエンテ
ーション・ファゼット（以下ＯＦと記す。）６０１に対
して平行な６０２ａ，６０２ｂは、精密な直線が得られ
るもののＯＦ６０１に対して垂直な辺６０２ｃ，６０２
ｄはギザ状となる。しかし、上記ＯＦ６０１に対して斜
めの面方向に上記Ｓｉ基板１０９を製作すると図６に示
す他の４辺６０３ａ，６０３ｂ，６０３ｃ，６０３ｄは
複雑なギザ状の形状となり、精密な形状を要求する上記
Ｓｉ基板１０９は得られにくい。
るＳｉ（シリコン単結晶ウエハ）基板側の作成方法を段
階的に示した図である。上記可動片１０８となるＳｉ基
板１０９は例えば図６に示すような面方向に作成する。
上記Ｓｉ基板１０９を矩形状に製作すると、オリエンテ
ーション・ファゼット（以下ＯＦと記す。）６０１に対
して平行な６０２ａ，６０２ｂは、精密な直線が得られ
るもののＯＦ６０１に対して垂直な辺６０２ｃ，６０２
ｄはギザ状となる。しかし、上記ＯＦ６０１に対して斜
めの面方向に上記Ｓｉ基板１０９を製作すると図６に示
す他の４辺６０３ａ，６０３ｂ，６０３ｃ，６０３ｄは
複雑なギザ状の形状となり、精密な形状を要求する上記
Ｓｉ基板１０９は得られにくい。
【００１７】そこでＳｉ基板１０９の４辺が６０２ａ，
６０２ｂ，６０２ｃ，６０２ｄとなるように製作して、
まず図５に示すＳｉ基板１０９のＡ面及びＢ面に例えば
熱酸化法によりＳｉＯ2（酸化シリコン）１１０ａ，１
１０ｂを成膜する（図５（ａ））。ＳｉＯ2を形成した
後、上記Ｂ面のＳｉＯ2１１０ｂをエッチングし、周囲
枠を残して除去加工する（図５（ｂ））。このＢ面にＳ
ｉＯ2１１０ｂをマスクとしてＳｉ基板１０９をＫＯＨ
（水酸化カリウム）異方性エッチングにより周囲枠内を
所定量除去加工する（図５（ｃ））。
６０２ｂ，６０２ｃ，６０２ｄとなるように製作して、
まず図５に示すＳｉ基板１０９のＡ面及びＢ面に例えば
熱酸化法によりＳｉＯ2（酸化シリコン）１１０ａ，１
１０ｂを成膜する（図５（ａ））。ＳｉＯ2を形成した
後、上記Ｂ面のＳｉＯ2１１０ｂをエッチングし、周囲
枠を残して除去加工する（図５（ｂ））。このＢ面にＳ
ｉＯ2１１０ｂをマスクとしてＳｉ基板１０９をＫＯＨ
（水酸化カリウム）異方性エッチングにより周囲枠内を
所定量除去加工する（図５（ｃ））。
【００１８】次にＣｒ１１１とＡｕ（金）１１２を真空
蒸着によりＡ面の全面に成膜する。この時、ＣｒはＳｉ
Ｏ2とＡｕとの密着性を向上させるものでＡｕより先に
Ｃｕを成膜する。Ｃｒ／Ａｕ層を例えば王水（塩酸：硝
酸：３：１の容積比）を用いてエッチングして上記可動
片１０８ａ，１０８ｂとなる部分の端片に可動接点層１
１２ａ，１１２ｂを形成する。その後Ａ面の全面にパー
マロイ膜１１３（ニッケルと鉄の合金）を例えば３００
オングストローム程薄く真空蒸着により成膜する（図５
（ｄ））。次に上記Ａ面の全面のパーマロイ膜１１３に
真空蒸着によりレジスト１１４を成膜する。
蒸着によりＡ面の全面に成膜する。この時、ＣｒはＳｉ
Ｏ2とＡｕとの密着性を向上させるものでＡｕより先に
Ｃｕを成膜する。Ｃｒ／Ａｕ層を例えば王水（塩酸：硝
酸：３：１の容積比）を用いてエッチングして上記可動
片１０８ａ，１０８ｂとなる部分の端片に可動接点層１
１２ａ，１１２ｂを形成する。その後Ａ面の全面にパー
マロイ膜１１３（ニッケルと鉄の合金）を例えば３００
オングストローム程薄く真空蒸着により成膜する（図５
（ｄ））。次に上記Ａ面の全面のパーマロイ膜１１３に
真空蒸着によりレジスト１１４を成膜する。
【００１９】上記レジスト１１４を密着露光により上記
電磁式マグネット１０２ａ，１０２ｂの接触面のふちど
った形で吸着部枠１１６ａ，１１６ｂを形成する。その
後、上記Ａ面の全面に厚くパーマロイ膜１１５を例えば
１２ミクロン程度均等に真空蒸着により成膜する（図５
（ｅ））。
電磁式マグネット１０２ａ，１０２ｂの接触面のふちど
った形で吸着部枠１１６ａ，１１６ｂを形成する。その
後、上記Ａ面の全面に厚くパーマロイ膜１１５を例えば
１２ミクロン程度均等に真空蒸着により成膜する（図５
（ｅ））。
【００２０】尚、このパーマロイ膜１１３，１１５は例
えば ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ（硫酸ニッケル）・・・１５０ｇ ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ（硫酸鉄）・・・・・・・１０ｇ Ｈ3ＢＯ4（硼酸） ・・・・・・・２０ｇ サッカリン ・・・・・０．７５ｇ を混合したものを用いる。
えば ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ（硫酸ニッケル）・・・１５０ｇ ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ（硫酸鉄）・・・・・・・１０ｇ Ｈ3ＢＯ4（硼酸） ・・・・・・・２０ｇ サッカリン ・・・・・０．７５ｇ を混合したものを用いる。
【００２１】次に上記Ａ面上のレジスト１１４で形成さ
れた吸着部枠１１６ａ，１１６ｂをレジスト１１７ａ，
１１７ｂで覆い、そして、例えば硝酸，過酸化水素水，
水が２．９：１：７．２のエッチング液によりＡ面の吸
着部枠外となるパーマロイ膜１１３，１１５をエッチン
グして除去する（図５（ｆ））。次にこのＡ面のレジス
ト１１４，１１７ａ，１１７ｂを密着露光によりすべて
除去して、吸着部１１５ａ，１１５ｂを形成する。そし
てＡ面のＳｉＯ2，１１０ａにコ字が対向した形状にエ
ッチングを行ない、最後に例えば水酸化カリウム溶液に
より所定の量だけエッチングを行なって可動片１０８
ａ，１０８ｂが枢支部１１８を介して周囲枠に接続した
形に形成する（図５（ｇ））。上記のように加工された
Ｓｉ基板側１０９とセラミック基板側１０１とはスペー
サ１１９を介し接着する。
れた吸着部枠１１６ａ，１１６ｂをレジスト１１７ａ，
１１７ｂで覆い、そして、例えば硝酸，過酸化水素水，
水が２．９：１：７．２のエッチング液によりＡ面の吸
着部枠外となるパーマロイ膜１１３，１１５をエッチン
グして除去する（図５（ｆ））。次にこのＡ面のレジス
ト１１４，１１７ａ，１１７ｂを密着露光によりすべて
除去して、吸着部１１５ａ，１１５ｂを形成する。そし
てＡ面のＳｉＯ2，１１０ａにコ字が対向した形状にエ
ッチングを行ない、最後に例えば水酸化カリウム溶液に
より所定の量だけエッチングを行なって可動片１０８
ａ，１０８ｂが枢支部１１８を介して周囲枠に接続した
形に形成する（図５（ｇ））。上記のように加工された
Ｓｉ基板側１０９とセラミック基板側１０１とはスペー
サ１１９を介し接着する。
【００２２】次に第１の実施例の電磁式リレーの動作に
ついて説明する。電磁式マグネット１０２ａのコイル１
０４ａに直流電圧を印加すると、この電磁式マグネット
１０２ａに起磁力が生起し、可動片１０８の前片部１０
８ａは枢支部１１８を支点として電磁式マグネット１０
２ａ側へ撓んで変位するため、可動接点層１１２ａが固
定接点層１０６ａ，１０６ｂに接触し両固定接点層１０
６ａ，１０６ｂ間が閉成される。
ついて説明する。電磁式マグネット１０２ａのコイル１
０４ａに直流電圧を印加すると、この電磁式マグネット
１０２ａに起磁力が生起し、可動片１０８の前片部１０
８ａは枢支部１１８を支点として電磁式マグネット１０
２ａ側へ撓んで変位するため、可動接点層１１２ａが固
定接点層１０６ａ，１０６ｂに接触し両固定接点層１０
６ａ，１０６ｂ間が閉成される。
【００２３】上記直流電圧の印加を断つと、可動片１０
８Ａは枢支部１１８のねじれ復帰力で原状に復帰し、両
固定接点層１０６ａ，１０６ｂ間が開放される。電磁式
マグネット１０２ｂのコイル１０４ｂに直流電圧を印加
することにより可動片１０８の後片部１０８ｂも上記と
同様の動作を行う。上記電磁式マグネット１０２ａ，１
０２ｂに直流電圧を印加・切断した後、わずかに吸着部
１１５ａ，１１５ｂに残留磁気が残るが、これを取り除
く手段として第２の実施例の電磁式リレーがある。
８Ａは枢支部１１８のねじれ復帰力で原状に復帰し、両
固定接点層１０６ａ，１０６ｂ間が開放される。電磁式
マグネット１０２ｂのコイル１０４ｂに直流電圧を印加
することにより可動片１０８の後片部１０８ｂも上記と
同様の動作を行う。上記電磁式マグネット１０２ａ，１
０２ｂに直流電圧を印加・切断した後、わずかに吸着部
１１５ａ，１１５ｂに残留磁気が残るが、これを取り除
く手段として第２の実施例の電磁式リレーがある。
【００２４】図７は第２の実施例の電磁式リレーの要部
断面分解斜視図である。図８は図７のＢ−Ｂ線断面図で
ある。図９は可動片２０８からなるＳｉ基板側の作成方
法を段階的に示した図である。まずＳｉ基板２０９のＡ
面及びＢ面に熱酸化法によりＳｉＯ2（酸化シリコン）
２１０ａ，２１０ｂを成膜する（図９（ａ））。ＳｉＯ
2を形成した後、上記Ｂ面のＳｉＯ2２１０ｂをエッチン
グし、周囲枠を残して除去加工する（図９（ｂ））。こ
のＢ面にＳｉＯ2２１０ｂをマスクとしてＳｉ基板２０
９をＫＯＨ（水酸化カリウム）異方性エッチングにより
周囲枠内を所定量除去加工する（図９（ｃ））。
断面分解斜視図である。図８は図７のＢ−Ｂ線断面図で
ある。図９は可動片２０８からなるＳｉ基板側の作成方
法を段階的に示した図である。まずＳｉ基板２０９のＡ
面及びＢ面に熱酸化法によりＳｉＯ2（酸化シリコン）
２１０ａ，２１０ｂを成膜する（図９（ａ））。ＳｉＯ
2を形成した後、上記Ｂ面のＳｉＯ2２１０ｂをエッチン
グし、周囲枠を残して除去加工する（図９（ｂ））。こ
のＢ面にＳｉＯ2２１０ｂをマスクとしてＳｉ基板２０
９をＫＯＨ（水酸化カリウム）異方性エッチングにより
周囲枠内を所定量除去加工する（図９（ｃ））。
【００２５】次に上記電磁式マグネット１０２ａ，１０
２ｂに対向するＳｉ基板２０９のＡ面部位に微細なコイ
ル１１４ａ，１１４ｂを形成する。上記微細なコイルの
加工手段としては、 １）Ｓｉ基板２０９のＡ面の全面にＮｂ（ニオブ）を真
空蒸着により成膜する。 ２）Ｎｂを成膜した後、上記電磁式マグネット１０２
ａ，１０２ｂに対向するＳｉ基板２０９のＡ面部位に銅
板２１４を真空蒸着により付ける。この時ＮｂはＳｉＯ
2２１０ａと銅板２１４密着性を向上させるために用い
る。 ３）銅板２１４を付けた後、この銅板２１４をエッチン
グにより過巻き上に加工して微細なコイル２１４ａ，２
１４ｂを形成する。 微細なコイル２１４ａ，２１４ｂを形成した後、Ａ面の
全面にポリイミド（樹脂）２１５を付けＳｉ基板２０９
に微細なコイル２１４ａ，２１４ｂを固定する（図９
（ｂ））。上記コイル２１４ａ，２１４ｂの中心の端片
を同コイルの外へ引き出すためには、 １）上記コイル２１４ａ，２１４ｂの中心の端片部位の
ポリイミド２１５をエッチングにより除去する。 ２）Ｓｉ基板りＡ面の全面にＮｂを真空蒸着により成膜
する。 ３）Ｓｉ基板２０９のＡ面に加工し、固定した微細コイ
ル２１４ａ，２１４ｂに重ねた形状で２枚の小さな銅板
２１６ａ，２１６ｂを真空蒸着により付ける。 ４）そして上記コイル２１４ａ，２１４ｂの中心にある
端片を同コイルの外への引き出し線となるように上記銅
板２１６ａ，２１６ｂをエッチングにより加工して形成
する。 以上のように特殊加工して引き出し線２１６ａ，２１６
ｂを形成する（図９（ｅ））。引き出し線２１６ａ，２
１６ｂを形成した後、Ａ面の全面にポリイミド２１７を
付けＳｉ基板２０９に引き出し線２１６ａ，２１６ｂを
固定する。次にエッチングにより上記ポリイミド２１７
を上記コイル２１４ａ，２１４ｂ部位のみ残して除去す
る。（図９（ｆ））。次にＣｒ２１９とＡｕ（金）２１
８を真空蒸着によりＡ面の全面に成膜する。この時、Ｃ
ｒはＳｉＯ2とＡｕとの密着性を向上させるものでＡｕ
より先にＣｕを成膜する。Ｃｒ／Ａｕ層を例えば王水
（塩酸：硝酸：３：１の容積比）を用いてエッチングし
て上記可動片２０８ａ，２０８ｂとなる部分の端片に可
動接点層２１８ａ，２１８ｂを形成する。
２ｂに対向するＳｉ基板２０９のＡ面部位に微細なコイ
ル１１４ａ，１１４ｂを形成する。上記微細なコイルの
加工手段としては、 １）Ｓｉ基板２０９のＡ面の全面にＮｂ（ニオブ）を真
空蒸着により成膜する。 ２）Ｎｂを成膜した後、上記電磁式マグネット１０２
ａ，１０２ｂに対向するＳｉ基板２０９のＡ面部位に銅
板２１４を真空蒸着により付ける。この時ＮｂはＳｉＯ
2２１０ａと銅板２１４密着性を向上させるために用い
る。 ３）銅板２１４を付けた後、この銅板２１４をエッチン
グにより過巻き上に加工して微細なコイル２１４ａ，２
１４ｂを形成する。 微細なコイル２１４ａ，２１４ｂを形成した後、Ａ面の
全面にポリイミド（樹脂）２１５を付けＳｉ基板２０９
に微細なコイル２１４ａ，２１４ｂを固定する（図９
（ｂ））。上記コイル２１４ａ，２１４ｂの中心の端片
を同コイルの外へ引き出すためには、 １）上記コイル２１４ａ，２１４ｂの中心の端片部位の
ポリイミド２１５をエッチングにより除去する。 ２）Ｓｉ基板りＡ面の全面にＮｂを真空蒸着により成膜
する。 ３）Ｓｉ基板２０９のＡ面に加工し、固定した微細コイ
ル２１４ａ，２１４ｂに重ねた形状で２枚の小さな銅板
２１６ａ，２１６ｂを真空蒸着により付ける。 ４）そして上記コイル２１４ａ，２１４ｂの中心にある
端片を同コイルの外への引き出し線となるように上記銅
板２１６ａ，２１６ｂをエッチングにより加工して形成
する。 以上のように特殊加工して引き出し線２１６ａ，２１６
ｂを形成する（図９（ｅ））。引き出し線２１６ａ，２
１６ｂを形成した後、Ａ面の全面にポリイミド２１７を
付けＳｉ基板２０９に引き出し線２１６ａ，２１６ｂを
固定する。次にエッチングにより上記ポリイミド２１７
を上記コイル２１４ａ，２１４ｂ部位のみ残して除去す
る。（図９（ｆ））。次にＣｒ２１９とＡｕ（金）２１
８を真空蒸着によりＡ面の全面に成膜する。この時、Ｃ
ｒはＳｉＯ2とＡｕとの密着性を向上させるものでＡｕ
より先にＣｕを成膜する。Ｃｒ／Ａｕ層を例えば王水
（塩酸：硝酸：３：１の容積比）を用いてエッチングし
て上記可動片２０８ａ，２０８ｂとなる部分の端片に可
動接点層２１８ａ，２１８ｂを形成する。
【００２６】その後Ａ面の全面にパーマロイ膜２２０
（ニッケルと鉄の合金）を例えば３００オングストロー
ム程薄く真空蒸着により成膜する（図９（ｇ））。
（ニッケルと鉄の合金）を例えば３００オングストロー
ム程薄く真空蒸着により成膜する（図９（ｇ））。
【００２７】次に上記Ａ面の全面のパーマロイ膜２２０
上に真空蒸着によりレジスト２２１を成膜する。上記レ
ジスト２２１を密着露光により上記電磁式マグネット１
０２ａ，１０２ｂの接触面のふちどった形で吸着部枠２
２３ａ，２２３ｂを形成する。その後、上記Ａ面のレジ
スト２２１を除いて厚くパーマロイ膜２２２を例えば１
２ミクロン程度均等に真空蒸着により成膜する（図１０
（ｈ））。
上に真空蒸着によりレジスト２２１を成膜する。上記レ
ジスト２２１を密着露光により上記電磁式マグネット１
０２ａ，１０２ｂの接触面のふちどった形で吸着部枠２
２３ａ，２２３ｂを形成する。その後、上記Ａ面のレジ
スト２２１を除いて厚くパーマロイ膜２２２を例えば１
２ミクロン程度均等に真空蒸着により成膜する（図１０
（ｈ））。
【００２８】尚このパーマロイ膜２２０，２２２は例え
ば、 ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ（硫酸ニッケル）・・・１５０ｇ ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ（硫酸鉄）・・・・・・・１０ｇ Ｈ3ＢＯ4（硼酸） ・・・・・・・２０ｇ サッカリン ・・・・・０．７５ｇ を混合したものを用いる。
ば、 ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏ（硫酸ニッケル）・・・１５０ｇ ＦｅＳＯ4・７Ｈ2Ｏ（硫酸鉄）・・・・・・・１０ｇ Ｈ3ＢＯ4（硼酸） ・・・・・・・２０ｇ サッカリン ・・・・・０．７５ｇ を混合したものを用いる。
【００２９】次にこのＡ面上に形成された吸着部枠２２
３ａ，２２３ｂのレジスト２２１をレジスト２２４ａ，
２２４ｂで覆い、その後、例えば硝酸、過酸化水素水、
水が２．９：１：７．２のエッチング液によりＡ面の吸
着部枠外のパーマロイ膜２２０，２２２をエッチングし
て除去する（図１０（ｉ））。
３ａ，２２３ｂのレジスト２２１をレジスト２２４ａ，
２２４ｂで覆い、その後、例えば硝酸、過酸化水素水、
水が２．９：１：７．２のエッチング液によりＡ面の吸
着部枠外のパーマロイ膜２２０，２２２をエッチングし
て除去する（図１０（ｉ））。
【００３０】次にこのＡ面のレジスト２２１，２２４
ａ，２２４ｂを密着露光によりすべて除去して吸着部２
２３ａ，２２３ｂを形成する（図１０（ｊ））。そして
Ａ面のＳｉＯ2２１０ａにコ字が対向した形状にエッチ
ングを行い、最後に例えば水酸化カリウム溶液により所
定の量だけエッチングを行なって可動片２０８ａ，２０
８ｂが枢支部２２５を介して周囲枠に接続した形に形成
する（図１０（ｋ））。上記のように加工されたＳｉ基
板側２０９はセラミック基板側１０１とスペーサ１１９
を介し接着する。
ａ，２２４ｂを密着露光によりすべて除去して吸着部２
２３ａ，２２３ｂを形成する（図１０（ｊ））。そして
Ａ面のＳｉＯ2２１０ａにコ字が対向した形状にエッチ
ングを行い、最後に例えば水酸化カリウム溶液により所
定の量だけエッチングを行なって可動片２０８ａ，２０
８ｂが枢支部２２５を介して周囲枠に接続した形に形成
する（図１０（ｋ））。上記のように加工されたＳｉ基
板側２０９はセラミック基板側１０１とスペーサ１１９
を介し接着する。
【００３１】次に第２の実施例の電磁式リレーの動作に
ついて説明する。電磁式マグネット１０２ａのコイル１
０４ａに直流電圧を印加すると、この電磁式マグネット
１０２ａに起磁力が生起し、可動片２０８の前片部２０
８ａは枢支部２２５を支点として電磁式マグネット１０
２ａ側へ撓んで変位するため、可動接点層２１８ａが固
定接点層１０６ａ，１０６ｂに接触し、両固定接点層１
０６ａ，１０６ｂ間が閉成される。
ついて説明する。電磁式マグネット１０２ａのコイル１
０４ａに直流電圧を印加すると、この電磁式マグネット
１０２ａに起磁力が生起し、可動片２０８の前片部２０
８ａは枢支部２２５を支点として電磁式マグネット１０
２ａ側へ撓んで変位するため、可動接点層２１８ａが固
定接点層１０６ａ，１０６ｂに接触し、両固定接点層１
０６ａ，１０６ｂ間が閉成される。
【００３２】上記両固定接点層１０６ａ，１０６ｂ間を
開放するには上記直流電圧の印加を断った後、上記前片
部２０８ａの吸着部２２３ａとなるパーマロイ膜２２２
ａに残った残留磁気を取り除くことが必要である。そこ
で、まず上記直流電圧の印加を断った後上記可動片２０
８に埋設したコイル２１４ａに一時的に直流電圧を印加
させて上記吸着部２２３ａの残留磁気を取り除いた。前
片部２０８ａは枢支部２２５のねじれ復帰力で原状に復
帰し両固定接点層１０６ａ，１０６ｂ間が開放される。
電磁式マグネット１０２ｂのコイル１０４ｂに直流電圧
を印加することにより、可動片２０８の後片部２０８ｂ
も上記と同様の動作を行う。
開放するには上記直流電圧の印加を断った後、上記前片
部２０８ａの吸着部２２３ａとなるパーマロイ膜２２２
ａに残った残留磁気を取り除くことが必要である。そこ
で、まず上記直流電圧の印加を断った後上記可動片２０
８に埋設したコイル２１４ａに一時的に直流電圧を印加
させて上記吸着部２２３ａの残留磁気を取り除いた。前
片部２０８ａは枢支部２２５のねじれ復帰力で原状に復
帰し両固定接点層１０６ａ，１０６ｂ間が開放される。
電磁式マグネット１０２ｂのコイル１０４ｂに直流電圧
を印加することにより、可動片２０８の後片部２０８ｂ
も上記と同様の動作を行う。
【００３３】図１１は第３の実施例の電磁式リレーの要
部断面斜視図である。図１２は図１１のＣ−Ｃ線断面図
である。図１３は図１１のセラミック基板の貫通穴に挿
設させた電磁式マグネット３０２ａの拡大断面図であ
る。本実施例では電磁式マグネット３０２ａ，３０２ｂ
に対向するＳｉ基板３０９上の吸着部３１５ａ，３１５
ｂに磁石を着設して形成する。その他部位の構造は第１
の実施例の電磁式リレーと同様である。
部断面斜視図である。図１２は図１１のＣ−Ｃ線断面図
である。図１３は図１１のセラミック基板の貫通穴に挿
設させた電磁式マグネット３０２ａの拡大断面図であ
る。本実施例では電磁式マグネット３０２ａ，３０２ｂ
に対向するＳｉ基板３０９上の吸着部３１５ａ，３１５
ｂに磁石を着設して形成する。その他部位の構造は第１
の実施例の電磁式リレーと同様である。
【００３４】次に第３の実施例の電磁式リレーの動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３５】図中、Ｕ字型の構造の電磁式マグネット３
０２ａのコイル３０４ａに対してＡ方向に正極（＋：プ
ラス）から負極（−：マイナス）の直流電圧を印加する
と、この電磁式マグネット３０２ａに起磁力が生起し、
可動片３０８の前片部３０８ａの吸着部Ｎ極に対向して
配設された電磁式マグネット３０２ａの端片部はＳ極と
なり同吸着部Ｓ極に対向して配設された同電磁式マグネ
ット３０２ａのもう１つの端片部はＮ極となって、可動
片３０８ａは枢支部３１８を支点として向かい合った異
極間の引力によって電磁式マグネット３０２ａ側へ撓ん
で変位するため可動接点層３１２ａが固定接点層３０６
ａ，３０６ｂに接触し、両固定接点層３０６ａ，３０６
ｂ間が開成される。
０２ａのコイル３０４ａに対してＡ方向に正極（＋：プ
ラス）から負極（−：マイナス）の直流電圧を印加する
と、この電磁式マグネット３０２ａに起磁力が生起し、
可動片３０８の前片部３０８ａの吸着部Ｎ極に対向して
配設された電磁式マグネット３０２ａの端片部はＳ極と
なり同吸着部Ｓ極に対向して配設された同電磁式マグネ
ット３０２ａのもう１つの端片部はＮ極となって、可動
片３０８ａは枢支部３１８を支点として向かい合った異
極間の引力によって電磁式マグネット３０２ａ側へ撓ん
で変位するため可動接点層３１２ａが固定接点層３０６
ａ，３０６ｂに接触し、両固定接点層３０６ａ，３０６
ｂ間が開成される。
【００３６】上記両固定接点層３０６ａ，３０６ｂ間を
開放するには上記電磁式マグネット３０２ａの３０４ａ
に対してＢ方向に正極（＋：プラス）から負極（−：マ
イナス）の直流電圧を印加して、この電磁式マグネット
３０２ａに前記とは逆方向への起磁力を生起し、可動片
３０８の前片部３０８ａの吸着部Ｎ極に対して配設され
た電磁式マグネット３０２ａの端片部はＮ極となり同吸
着部Ｓ極に対向して配設された同電磁式マグネット３０
２ａのもう１つの端片部はＳ極となって可動片３０８ａ
は枢支部３１８を支点として向かい合った異極間の反発
力によって電磁式マグネット３０２ａから離れ両固定接
点層３０６ａ，３０６ｂが開放される。電磁式マグネッ
ト３０２ｂのコイル３０４ｂに直流電圧をリレーの動作
に合わせ印加することにより可動片３０８の後片部３０
８ｂも上記と同様の動作を行う。第３の実施例において
は図１に示したセラミック基板１０１の貫通穴１０５
ａ，１０５ｂに挿設した電磁式マグネット１０２ａ，１
０２ｂに対向させてＳｉ基板３０９上の吸着部３１５
ａ，３１５ｂの磁石をＮ極又はＳ極の一方の吸着部の構
成も同様の動作が考えられる。
開放するには上記電磁式マグネット３０２ａの３０４ａ
に対してＢ方向に正極（＋：プラス）から負極（−：マ
イナス）の直流電圧を印加して、この電磁式マグネット
３０２ａに前記とは逆方向への起磁力を生起し、可動片
３０８の前片部３０８ａの吸着部Ｎ極に対して配設され
た電磁式マグネット３０２ａの端片部はＮ極となり同吸
着部Ｓ極に対向して配設された同電磁式マグネット３０
２ａのもう１つの端片部はＳ極となって可動片３０８ａ
は枢支部３１８を支点として向かい合った異極間の反発
力によって電磁式マグネット３０２ａから離れ両固定接
点層３０６ａ，３０６ｂが開放される。電磁式マグネッ
ト３０２ｂのコイル３０４ｂに直流電圧をリレーの動作
に合わせ印加することにより可動片３０８の後片部３０
８ｂも上記と同様の動作を行う。第３の実施例において
は図１に示したセラミック基板１０１の貫通穴１０５
ａ，１０５ｂに挿設した電磁式マグネット１０２ａ，１
０２ｂに対向させてＳｉ基板３０９上の吸着部３１５
ａ，３１５ｂの磁石をＮ極又はＳ極の一方の吸着部の構
成も同様の動作が考えられる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、従来のマイクロリレー
の特徴を生かし、しかも駆動源として起磁力を用いるよ
うにしているため従来に比較して大きな駆動力を得るこ
とができると共に、接点力が大きくなりリレーの安定性
が増すことができる。
の特徴を生かし、しかも駆動源として起磁力を用いるよ
うにしているため従来に比較して大きな駆動力を得るこ
とができると共に、接点力が大きくなりリレーの安定性
が増すことができる。
【図１】第１の実施例の電磁式リレーの分解斜視図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】セラミック基板側の作成方法を段階的に示した
図である。
図である。
【図４】図３のセラミック基板側の貫通穴に挿設させた
電磁式マグネットの拡大断面図である。
電磁式マグネットの拡大断面図である。
【図５】第１の実施例の可動片からなるＳｉ（シリコン
単結晶ウエハ）基板側の作成方法を段階的に示した図で
ある。
単結晶ウエハ）基板側の作成方法を段階的に示した図で
ある。
【図６】シリコン単結晶ウエハの面方向の説明図であ
る。
る。
【図７】第２の実施例の電磁式リレーの分解斜視図であ
る。
る。
【図８】図７のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】第２の実施例の可動片からなるＳｉ（シリコン
単結晶ウエハ）基板側の作成方法（ａ〜ｇ）を段階的に
示した図である。
単結晶ウエハ）基板側の作成方法（ａ〜ｇ）を段階的に
示した図である。
【図１０】第２の実施例の可動片からなるＳｉ（シリコ
ン単結晶ウエハ）基板側の作成方法（ｈ〜ｋ）を段階的
に示した図である。
ン単結晶ウエハ）基板側の作成方法（ｈ〜ｋ）を段階的
に示した図である。
【図１１】第３の実施例の電磁式リレーの要部断面斜視
図である。
図である。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１３】図１１のセラミック基板側の貫通穴に挿設さ
せた電磁式マグネットの拡大断面図である。
せた電磁式マグネットの拡大断面図である。
【図１４】従来のマイクロマシーンの一例を示す静電式
リレーの分解斜視図である。
リレーの分解斜視図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ線断面図である。
１０１ セラミック基板 １０２ａ，１０２ｂ 電磁式マグネット １０３ａ，１０３ｂ コア １０４ａ，１０４ｂ コイル（銅線） １０５ａ，１０５ｂ 貫通穴 １０６ａ，１０６ｂ 固定接点層 １０７ａ，１０７ｂ 固定接点層 １０８ａ，１０８ｂ 可動片 １０９ Ｓｉ基板 １１０ａ，１１０ｂ ＳｉＯ2（酸化シリコン） １１２ａ，１１２ｂ 可動接点層 １１５ａ，１１５ｂ 吸着部（磁性体） １１８ 枢支部 １１９ スペーサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三宅 知之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 小林 省三 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 寺島 重男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 電気絶縁体の基板に設けた電磁式マグネ
ットと、上記電磁式マグネットを設けたこの基板主面に
スペーサ手段を介して対向配設された可動する半導体単
結晶からなる可動片とで機械要素を構成し、 上記電磁式マグネットに対向する上記可動片の表面に磁
性体で形成された吸着部と、 上記可動片に絶縁薄膜を介して形成された可動接点層
と、上記電気絶縁体の基板の主面に形成されて上記可動
接点層で開閉される固定接点層とを備えたことを特徴と
する電磁式リレー。 - 【請求項２】 上記可動片と上記吸着部との間に微細な
コイルを埋設してなることを特徴とする請求項１記載の
電磁式リレー。 - 【請求項３】 上記吸着部は、磁石を用いて形成された
ことを特徴とする請求項１記載の電磁式リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27380091A JPH05114347A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 電磁式リレー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27380091A JPH05114347A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 電磁式リレー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114347A true JPH05114347A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17532761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27380091A Pending JPH05114347A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 電磁式リレー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114347A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003064315A3 (de) * | 2002-01-31 | 2004-02-05 | Hans-Heinrich Gatzen | Mikrotechnisch hergestellte schwenkplattform mit magnetischem antrieb und rastpositionen |
| CN1305091C (zh) * | 2004-11-03 | 2007-03-14 | 重庆大学 | 双稳态电磁微机械继电器 |
| EP1938353A2 (en) * | 2005-10-02 | 2008-07-02 | Jun Shen | Electromechanical latching relay and method of operating same |
| US7482900B2 (en) | 2004-01-27 | 2009-01-27 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Micro relay |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP27380091A patent/JPH05114347A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003064315A3 (de) * | 2002-01-31 | 2004-02-05 | Hans-Heinrich Gatzen | Mikrotechnisch hergestellte schwenkplattform mit magnetischem antrieb und rastpositionen |
| US7482900B2 (en) | 2004-01-27 | 2009-01-27 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Micro relay |
| CN1305091C (zh) * | 2004-11-03 | 2007-03-14 | 重庆大学 | 双稳态电磁微机械继电器 |
| EP1938353A2 (en) * | 2005-10-02 | 2008-07-02 | Jun Shen | Electromechanical latching relay and method of operating same |
| EP1938353A4 (en) * | 2005-10-02 | 2011-05-04 | Magvention Suzhou Ltd | ELECTROMECHANICAL LATCH RELAY AND METHOD OF OPERATION |
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