JPH05109022A - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
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- JPH05109022A JPH05109022A JP3271257A JP27125791A JPH05109022A JP H05109022 A JPH05109022 A JP H05109022A JP 3271257 A JP3271257 A JP 3271257A JP 27125791 A JP27125791 A JP 27125791A JP H05109022 A JPH05109022 A JP H05109022A
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異方性磁界緩和処理における外部磁界の印加
条件を最適化することにより、実用的な加熱処理装置で
も高い透磁率を得ることが可能な薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を実現すること。 【構成】 薄膜磁気ヘッド１の基板２の表面側に形成さ
れた下部磁気コア３および上部磁気コア８は、異方性磁
界緩和処理が施されたＣｏ系アモルファス合金からな
り、その飽和磁束密度および透磁率が高い。その製造プ
ロセスにおいては、熱処理工程として、下部および上部
磁気コア３，８に対し、加熱すると共に、冷却過程にお
いても０．０１ｋＯｅ以上の回転磁界を外部から印加す
る。
条件を最適化することにより、実用的な加熱処理装置で
も高い透磁率を得ることが可能な薄膜磁気ヘッドおよび
その製造方法を実現すること。 【構成】 薄膜磁気ヘッド１の基板２の表面側に形成さ
れた下部磁気コア３および上部磁気コア８は、異方性磁
界緩和処理が施されたＣｏ系アモルファス合金からな
り、その飽和磁束密度および透磁率が高い。その製造プ
ロセスにおいては、熱処理工程として、下部および上部
磁気コア３，８に対し、加熱すると共に、冷却過程にお
いても０．０１ｋＯｅ以上の回転磁界を外部から印加す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製造方法に関し、特に、その磁気コア部に対する透磁
率向上技術に関する。
の製造方法に関し、特に、その磁気コア部に対する透磁
率向上技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録装置の高密度記録化を実
現するため、磁気記録媒体は、狭トラック化により高ト
ラック密度化される一方、高周波記録化により高線密度
化される傾向にある。このため、磁気ヘッドにおいて
は、磁気記録媒体の高密度記録化に対応可能なように、
ヘッド磁界分布が急峻な薄膜磁気ヘッドが種々提案さ
れ、実用化されつつある。この磁気誘導型の薄膜磁気ヘ
ッドは、図１に示すように、基体２の上に下部磁気コア
３および磁気ギャップ形成層４と、磁気ギャップ形成層
４の上に形成された下部絶縁層５および上部絶縁層６
と、磁気ギャップ形成層４と下部絶縁層５の間、および
下部絶縁層５と上部絶縁層６の間に形成された状態に断
面が表されるコイル状導電体層７と、磁気ギャップ形成
層４および上部絶縁層６の上に形成された上部磁気コア
８と、保護層９とを有する。このような構成の薄膜磁気
ヘッド１においては、記録・再生特性が下部および上部
磁気コア３，８の磁気特性に大きく支配される。たとえ
ば、高周波領域（〜１０ＭＨｚ）における使用に対応可
能とするためには、下部および上部磁気コア３，８の高
周波領域での透磁率が大きいことが必要である。そこ
で、下部および上部磁気コア３，８に対して、薄膜磁気
ヘッド１のトラック幅方向が磁化容易軸となるように一
軸異方性が付与されて、記録・再生時の磁界がトラック
幅と直角方向に印加されたときに、その磁化回転による
磁化過程を利用できるようになっている。従来は、それ
らを構成する磁気コア材料として、飽和磁束密度が約７
０００〜８０００ＧのパーマロイＮｉＦｅ合金が用いら
れている。
現するため、磁気記録媒体は、狭トラック化により高ト
ラック密度化される一方、高周波記録化により高線密度
化される傾向にある。このため、磁気ヘッドにおいて
は、磁気記録媒体の高密度記録化に対応可能なように、
ヘッド磁界分布が急峻な薄膜磁気ヘッドが種々提案さ
れ、実用化されつつある。この磁気誘導型の薄膜磁気ヘ
ッドは、図１に示すように、基体２の上に下部磁気コア
３および磁気ギャップ形成層４と、磁気ギャップ形成層
４の上に形成された下部絶縁層５および上部絶縁層６
と、磁気ギャップ形成層４と下部絶縁層５の間、および
下部絶縁層５と上部絶縁層６の間に形成された状態に断
面が表されるコイル状導電体層７と、磁気ギャップ形成
層４および上部絶縁層６の上に形成された上部磁気コア
８と、保護層９とを有する。このような構成の薄膜磁気
ヘッド１においては、記録・再生特性が下部および上部
磁気コア３，８の磁気特性に大きく支配される。たとえ
ば、高周波領域（〜１０ＭＨｚ）における使用に対応可
能とするためには、下部および上部磁気コア３，８の高
周波領域での透磁率が大きいことが必要である。そこ
で、下部および上部磁気コア３，８に対して、薄膜磁気
ヘッド１のトラック幅方向が磁化容易軸となるように一
軸異方性が付与されて、記録・再生時の磁界がトラック
幅と直角方向に印加されたときに、その磁化回転による
磁化過程を利用できるようになっている。従来は、それ
らを構成する磁気コア材料として、飽和磁束密度が約７
０００〜８０００ＧのパーマロイＮｉＦｅ合金が用いら
れている。
【０００３】さらに、磁気記録媒体側においては、その
記録密度を高めるために保磁力がより大きな媒体を採用
する傾向にあり、下部および上部磁気コア３，８を構成
する磁性材料としては、従来のパーマロイＮｉＦｅ合金
では飽和磁束密度が低すぎるため、これに代えてＣｏ系
アモルファス合金などが採用されつつある。このＣｏ系
アモルファス合金などによれば、その飽和磁束密度は約
１２０００Ｇであり、磁気記録媒体の保磁力に充分対応
することができる。
記録密度を高めるために保磁力がより大きな媒体を採用
する傾向にあり、下部および上部磁気コア３，８を構成
する磁性材料としては、従来のパーマロイＮｉＦｅ合金
では飽和磁束密度が低すぎるため、これに代えてＣｏ系
アモルファス合金などが採用されつつある。このＣｏ系
アモルファス合金などによれば、その飽和磁束密度は約
１２０００Ｇであり、磁気記録媒体の保磁力に充分対応
することができる。
【０００４】しかしながら、Ｃｏ系アモルファス合金な
どの飽和磁束密度が高い磁気コア材料では、本質的に強
い一軸異方性を有しているため、異方性磁界Ｈｋが大き
く、以下の問題点を有する。すなわち、磁気記録媒体の
高線密度化、高周波記録化を図るには薄膜磁気ヘッド１
の動作周波数を高くする必要があるため、下部および上
部磁気コア３，８には、その動作周波数における透磁率
μが大きいことが要求される。ここで、透磁率μは下式
で表され、異方性磁界Ｈｋが大きな磁気コア材料では、
反対に透磁率μが小さくなってしまう。
どの飽和磁束密度が高い磁気コア材料では、本質的に強
い一軸異方性を有しているため、異方性磁界Ｈｋが大き
く、以下の問題点を有する。すなわち、磁気記録媒体の
高線密度化、高周波記録化を図るには薄膜磁気ヘッド１
の動作周波数を高くする必要があるため、下部および上
部磁気コア３，８には、その動作周波数における透磁率
μが大きいことが要求される。ここで、透磁率μは下式
で表され、異方性磁界Ｈｋが大きな磁気コア材料では、
反対に透磁率μが小さくなってしまう。
【０００５】μ ＝ Ｂｓ ／ Ｈｋ 但し、式中、Ｂｓは飽和磁束密度を表す。
【０００６】そこで、従来は、特公昭５９−３５４３１
号公報にも開示されているように、下部および上部磁気
コア３，８に対し、熱処理と、一定温度雰囲気中での回
転磁界の印加処理とを施すことにより、磁気異方性を緩
和して異方性磁界Ｈｋを低減する方法が採用されてい
る。
号公報にも開示されているように、下部および上部磁気
コア３，８に対し、熱処理と、一定温度雰囲気中での回
転磁界の印加処理とを施すことにより、磁気異方性を緩
和して異方性磁界Ｈｋを低減する方法が採用されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気異方性緩和処理のように、単に一定温度雰囲気中で
磁界を印加する方法では、その効果が低く、上記の磁性
材料を使用した場合に、下部および上部磁気コア３，８
の透磁率は約２５００にしか至らず、磁気記録媒体の高
周波数記録化には追従できないという問題点があった。
磁気異方性緩和処理のように、単に一定温度雰囲気中で
磁界を印加する方法では、その効果が低く、上記の磁性
材料を使用した場合に、下部および上部磁気コア３，８
の透磁率は約２５００にしか至らず、磁気記録媒体の高
周波数記録化には追従できないという問題点があった。
【０００８】さらに、従来の磁気異方性の緩和方法にお
いては、非常に大きくて高価な磁界印加装置を必要する
という問題点もある。すなわち、薄膜磁気ヘッド１の工
程プロセスにおいては、同一基板上にフォトリソグラフ
ィ技術を用いて数百個の素子を一括して作り込み、その
基板を切断して、個々の薄膜磁気ヘッド１を加工する。
従って、φ３〜４インチの基板を複数枚、一括して均一
な磁界を印加しながら熱処理を施すため、加熱処理炉が
大きい。従って、加熱処理炉の外部から各基板の各部位
に約１ｋＯｅの均一な磁界を印加するには、磁界発生部
として、大きくて高価なものが必要であり、実用面で大
きな問題を有する。
いては、非常に大きくて高価な磁界印加装置を必要する
という問題点もある。すなわち、薄膜磁気ヘッド１の工
程プロセスにおいては、同一基板上にフォトリソグラフ
ィ技術を用いて数百個の素子を一括して作り込み、その
基板を切断して、個々の薄膜磁気ヘッド１を加工する。
従って、φ３〜４インチの基板を複数枚、一括して均一
な磁界を印加しながら熱処理を施すため、加熱処理炉が
大きい。従って、加熱処理炉の外部から各基板の各部位
に約１ｋＯｅの均一な磁界を印加するには、磁界発生部
として、大きくて高価なものが必要であり、実用面で大
きな問題を有する。
【０００９】かかる問題点に鑑みて、本発明の課題は、
磁気異方性緩和処理における外部磁界の印加条件を最適
化することにより、磁界発生部が小さくて実用的な加熱
処理装置でも高い透磁率を得ることが可能な薄膜磁気ヘ
ッドおよびその製造方法を実現することにある。
磁気異方性緩和処理における外部磁界の印加条件を最適
化することにより、磁界発生部が小さくて実用的な加熱
処理装置でも高い透磁率を得ることが可能な薄膜磁気ヘ
ッドおよびその製造方法を実現することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、本発明において講じた手段は、基板の表面側に形
成された下部磁気コア部と上部磁気コア部とが一方端側
で接合されていると共に、その接合部の周囲が導電体層
によって巻回されており、他方端側ではこれらの磁気コ
ア部の間に磁気ギャップ部が形成されている薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、下部磁気コア部および上部磁気コア部の
飽和磁束密度を１００００Ｇから１８０００Ｇまでの範
囲とし、その磁気ヘッド磁路方向の透磁率を周波数１０
ＭＨｚにおいて３０００以上とすることである。ここ
で、下部磁気コア部および上部磁気コア部としては、磁
気異方性緩和処理が施されたＣｏ系アモルファス合金、
たとえば、ＣｏＺｒＴａ系アモルファス合金，ＣｏＨｆ
Ｔａ系アモルファス合金，ＣｏＨｆＰｄ系アモルファス
合金などを用いることができる。
めに、本発明において講じた手段は、基板の表面側に形
成された下部磁気コア部と上部磁気コア部とが一方端側
で接合されていると共に、その接合部の周囲が導電体層
によって巻回されており、他方端側ではこれらの磁気コ
ア部の間に磁気ギャップ部が形成されている薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、下部磁気コア部および上部磁気コア部の
飽和磁束密度を１００００Ｇから１８０００Ｇまでの範
囲とし、その磁気ヘッド磁路方向の透磁率を周波数１０
ＭＨｚにおいて３０００以上とすることである。ここ
で、下部磁気コア部および上部磁気コア部としては、磁
気異方性緩和処理が施されたＣｏ系アモルファス合金、
たとえば、ＣｏＺｒＴａ系アモルファス合金，ＣｏＨｆ
Ｔａ系アモルファス合金，ＣｏＨｆＰｄ系アモルファス
合金などを用いることができる。
【００１１】この構成の薄膜磁気ヘッドを製造する方法
は、磁気異方性緩和処理として、基板の表面側に形成さ
れた下部および上部磁気コア部を加熱すると共に、少な
くとも冷却過程における下部および上部磁気コア部に対
して、それらの磁気異方性を緩和すべき０．０１ｋＯｅ
以上の外部磁界、たとえば、下部および上部磁気コア部
に対する回転磁界を印加する熱処理工程を行う。すなわ
ち、単に高温度に保った下部および上部磁気コア部に対
して外部磁界を印加するのではなく、温度が低下しつつ
ある下部および上部磁気コア部に対して外部磁界を印加
することである。本発明においては、外部磁界として、
下部および上部磁気コア部に対する回転磁界の他、ヘッ
ド磁路方向成分の磁界を有する静磁場を利用してもよ
い。ここで、下部および上部磁気コア部としては、Ｃｏ
系アモルファス合金などを用いることができる。
は、磁気異方性緩和処理として、基板の表面側に形成さ
れた下部および上部磁気コア部を加熱すると共に、少な
くとも冷却過程における下部および上部磁気コア部に対
して、それらの磁気異方性を緩和すべき０．０１ｋＯｅ
以上の外部磁界、たとえば、下部および上部磁気コア部
に対する回転磁界を印加する熱処理工程を行う。すなわ
ち、単に高温度に保った下部および上部磁気コア部に対
して外部磁界を印加するのではなく、温度が低下しつつ
ある下部および上部磁気コア部に対して外部磁界を印加
することである。本発明においては、外部磁界として、
下部および上部磁気コア部に対する回転磁界の他、ヘッ
ド磁路方向成分の磁界を有する静磁場を利用してもよ
い。ここで、下部および上部磁気コア部としては、Ｃｏ
系アモルファス合金などを用いることができる。
【００１２】本発明に係る製造方法おいて、熱処理工程
では、冷却過程における外部磁界の印加を下部および上
部磁気コア部の温度が２５０℃以下に低下するまで行う
ことが透磁率の向上に効果的である。
では、冷却過程における外部磁界の印加を下部および上
部磁気コア部の温度が２５０℃以下に低下するまで行う
ことが透磁率の向上に効果的である。
【００１３】また、熱処理工程では、下部および上部磁
気コア部を３２５℃からそれらの結晶化温度までの範囲
の温度に保持した後に上述の冷却過程を行うことが好ま
しく、さらに、下部および上部磁気コア部に対する高温
度保持を１０分間以上行うことが好ましい。
気コア部を３２５℃からそれらの結晶化温度までの範囲
の温度に保持した後に上述の冷却過程を行うことが好ま
しく、さらに、下部および上部磁気コア部に対する高温
度保持を１０分間以上行うことが好ましい。
【００１４】
【作用】本発明において、熱処理工程（磁気異方性緩和
処理）として、少なくとも冷却過程における下部および
上部磁気コア部に対して、それらの磁気異方性を緩和す
べき０．０１ｋＯｅ以上の外部磁界、たとえば、回転磁
界を印加すると、外部磁界としては小さいにもかかわら
ず、一軸異方性の磁性材料に対して磁気異方性を緩和す
る効果が大きく、異方性磁界Ｈｋを効率よく低減させる
ことができる。このため、Ｂｓ／Ｈｋ（Ｂｓは飽和磁束
密度）で表される透磁率、特に高周波領域（動作領域）
における透磁率が高くなり、薄膜磁気ヘッドは、磁気記
録媒体の高線密度化、高周波記録化に充分対応すること
ができる。ここで、冷却過程の磁性材料に磁界を印加す
ると、効率よく異方性磁界を緩和できる現象は、繰り返
し行った実験結果により判明したものであり、その理由
は詳細に解明されていないが、下部および上部磁気コア
部の温度が低下しつつあって、ある程度不可逆的な状態
で磁化困難軸であった方向に磁化容易軸を部分的に回転
させているためと想定される。
処理）として、少なくとも冷却過程における下部および
上部磁気コア部に対して、それらの磁気異方性を緩和す
べき０．０１ｋＯｅ以上の外部磁界、たとえば、回転磁
界を印加すると、外部磁界としては小さいにもかかわら
ず、一軸異方性の磁性材料に対して磁気異方性を緩和す
る効果が大きく、異方性磁界Ｈｋを効率よく低減させる
ことができる。このため、Ｂｓ／Ｈｋ（Ｂｓは飽和磁束
密度）で表される透磁率、特に高周波領域（動作領域）
における透磁率が高くなり、薄膜磁気ヘッドは、磁気記
録媒体の高線密度化、高周波記録化に充分対応すること
ができる。ここで、冷却過程の磁性材料に磁界を印加す
ると、効率よく異方性磁界を緩和できる現象は、繰り返
し行った実験結果により判明したものであり、その理由
は詳細に解明されていないが、下部および上部磁気コア
部の温度が低下しつつあって、ある程度不可逆的な状態
で磁化困難軸であった方向に磁化容易軸を部分的に回転
させているためと想定される。
【００１５】
【実施例】つぎに、添付図面を参照して、本発明の一実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００１６】図１は本発明の実施例に係る磁気誘導型の
薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。この図において、
薄膜磁気ヘッドの構造は従来の薄膜磁気ヘッドと同様で
あるため、同じく図１を用いて説明する。
薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。この図において、
薄膜磁気ヘッドの構造は従来の薄膜磁気ヘッドと同様で
あるため、同じく図１を用いて説明する。
【００１７】図において、薄膜磁気ヘッド１の基体２の
上には、Ｃｏ系アモルファス合金からなる下部磁気コア
３と、アルミニウム酸化物などからなる磁気ギャップ形
成層４と、磁気ギャップ形成層４の上に形成された下部
絶縁層５および上部絶縁層６と、磁気ギャップ形成層４
と下部絶縁層５の間、および下部絶縁層５と上部絶縁層
６の間に形成された状態に断面が表されるコイル状導電
体層７と、磁気ギャップ形成層４および上部絶縁層６の
上に形成されたＣｏ系アモルファス合金からなる上部磁
気コア８と、保護層９とが積層されている。ここで、下
部磁気コア３と上部磁気コア８とは一方端側において接
合していると共に、他方端側においては、それらの層間
に磁気ギャップ形成層４を介在させた状態にある。ま
た、コイル状導電体層７は下部磁気コア３と上部磁気コ
ア８との接合部１ａの周囲を複数回、巻回する状態にあ
る。
上には、Ｃｏ系アモルファス合金からなる下部磁気コア
３と、アルミニウム酸化物などからなる磁気ギャップ形
成層４と、磁気ギャップ形成層４の上に形成された下部
絶縁層５および上部絶縁層６と、磁気ギャップ形成層４
と下部絶縁層５の間、および下部絶縁層５と上部絶縁層
６の間に形成された状態に断面が表されるコイル状導電
体層７と、磁気ギャップ形成層４および上部絶縁層６の
上に形成されたＣｏ系アモルファス合金からなる上部磁
気コア８と、保護層９とが積層されている。ここで、下
部磁気コア３と上部磁気コア８とは一方端側において接
合していると共に、他方端側においては、それらの層間
に磁気ギャップ形成層４を介在させた状態にある。ま
た、コイル状導電体層７は下部磁気コア３と上部磁気コ
ア８との接合部１ａの周囲を複数回、巻回する状態にあ
る。
【００１８】この構成の薄膜磁気ヘッド１においては、
コイル状導電体層７に記録電流を流して下部および上部
磁気コア３，８を磁化させ、磁気ギャップ形成層４の側
から漏洩する磁界を利用して磁気記録媒体に情報を記録
する。一方、磁気記録媒体から情報を再生する場合に
は、下部および上部磁気コア３，８を通過する磁気記録
媒体からの磁界をコイル状導電体層７を介して電圧信号
に変換して、これを検出する。本例の薄膜磁気ヘッド１
においては、下部磁気コア３および上部磁気コア８がい
ずれもＣｏ系アモルファス合金からなっているため、飽
和磁束密度が１００００Ｇから１８０００Ｇまでの範囲
であり、高いレベルにある。従って、磁気記録媒体の記
録密度を高めるために、磁気記録媒体側の保磁力が高い
場合であっても充分に対応できる。しかも、下部磁気コ
ア３および上部磁気コア８は、後述する磁気異方性に対
する緩和処理によって異方性磁界Ｈｋが小さくなってい
るため、Ｂｓ／Ｈｋ（Ｂｓは飽和磁束密度）で表される
透磁率μ、特に高周波領域（動作領域）における透磁率
が大きく、磁路方向の透磁率は周波数１０ＭＨｚにおい
て３０００以上である。このため、磁気記録媒体を高線
密度化、高周波数記録化した場合でも充分対応すること
ができる。
コイル状導電体層７に記録電流を流して下部および上部
磁気コア３，８を磁化させ、磁気ギャップ形成層４の側
から漏洩する磁界を利用して磁気記録媒体に情報を記録
する。一方、磁気記録媒体から情報を再生する場合に
は、下部および上部磁気コア３，８を通過する磁気記録
媒体からの磁界をコイル状導電体層７を介して電圧信号
に変換して、これを検出する。本例の薄膜磁気ヘッド１
においては、下部磁気コア３および上部磁気コア８がい
ずれもＣｏ系アモルファス合金からなっているため、飽
和磁束密度が１００００Ｇから１８０００Ｇまでの範囲
であり、高いレベルにある。従って、磁気記録媒体の記
録密度を高めるために、磁気記録媒体側の保磁力が高い
場合であっても充分に対応できる。しかも、下部磁気コ
ア３および上部磁気コア８は、後述する磁気異方性に対
する緩和処理によって異方性磁界Ｈｋが小さくなってい
るため、Ｂｓ／Ｈｋ（Ｂｓは飽和磁束密度）で表される
透磁率μ、特に高周波領域（動作領域）における透磁率
が大きく、磁路方向の透磁率は周波数１０ＭＨｚにおい
て３０００以上である。このため、磁気記録媒体を高線
密度化、高周波数記録化した場合でも充分対応すること
ができる。
【００１９】この構成の薄膜磁気ヘッド１の製造方法
を、図１を参照して説明する。
を、図１を参照して説明する。
【００２０】この薄膜磁気ヘッド１の工程プロセスにお
いては、同一基板上にフォトリソグラフィ技術を用いて
数百個の素子を一括して作り込み、その基板を切断して
個々の薄膜磁気ヘッド１に加工していく。
いては、同一基板上にフォトリソグラフィ技術を用いて
数百個の素子を一括して作り込み、その基板を切断して
個々の薄膜磁気ヘッド１に加工していく。
【００２１】まず、基板２の表面側にＣｏ系アモルファ
ス合金からなる下部磁気コア３をＤＣマグネトロンスパ
ッタ法により形成する。その結果、下部磁気コア３の磁
気異方性は、磁路となるべき方向に対して実質的に直角
の方向を示す。
ス合金からなる下部磁気コア３をＤＣマグネトロンスパ
ッタ法により形成する。その結果、下部磁気コア３の磁
気異方性は、磁路となるべき方向に対して実質的に直角
の方向を示す。
【００２２】つぎに、下部磁気コア３の表面上に磁気ギ
ャップ層４を形成する。さらに、フォトリソグラフィ技
術を用いて、磁気ギャップ層４の表面側の所定領域の周
囲を巻回する状態にコイル状導電体層７を形成すると共
に、コイル状導電体層７が埋設する状態に下部絶縁層５
および上部絶縁層６を形成する。さらに、それらの表面
側に上部磁気コア８をＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り形成する。その結果、上部磁気コア８の磁気異方性
も、磁路となるべき方向に対して実質的に直角の方向を
示す。
ャップ層４を形成する。さらに、フォトリソグラフィ技
術を用いて、磁気ギャップ層４の表面側の所定領域の周
囲を巻回する状態にコイル状導電体層７を形成すると共
に、コイル状導電体層７が埋設する状態に下部絶縁層５
および上部絶縁層６を形成する。さらに、それらの表面
側に上部磁気コア８をＤＣマグネトロンスパッタ法によ
り形成する。その結果、上部磁気コア８の磁気異方性
も、磁路となるべき方向に対して実質的に直角の方向を
示す。
【００２３】つぎに、下部および上部絶縁層５，６など
をパターニングして所定領域の下部磁気コア３の表面お
よび磁気ギャップ層４の表面を露出させ、それらの表面
側にＣｏ系アモルファス合金からなる下部磁気コア３を
形成する。これにより、下部磁気コア３と上部磁気コア
８とは一方端側で接合していると共に、他方端側でそれ
らの層間に磁気ギャップ形成層４が介在する状態とな
る。また、コイル状導電体層７は下部磁気コア３と上部
磁気コア８との接合部１ａの周囲を巻回する状態とな
る。
をパターニングして所定領域の下部磁気コア３の表面お
よび磁気ギャップ層４の表面を露出させ、それらの表面
側にＣｏ系アモルファス合金からなる下部磁気コア３を
形成する。これにより、下部磁気コア３と上部磁気コア
８とは一方端側で接合していると共に、他方端側でそれ
らの層間に磁気ギャップ形成層４が介在する状態とな
る。また、コイル状導電体層７は下部磁気コア３と上部
磁気コア８との接合部１ａの周囲を巻回する状態とな
る。
【００２４】しかる後に、上部磁気コア８の表面側に表
面保護層９を形成する。
面保護層９を形成する。
【００２５】本例においては、上記の各工程のうち、下
部磁気コア３と上部磁気コア８とを形成した後のいずれ
かの工程の後、たとえば、表面保護層９を形成した後
に、下部および上部磁気コア３，８の磁気異方性を緩和
するための熱処理工程を行う。
部磁気コア３と上部磁気コア８とを形成した後のいずれ
かの工程の後、たとえば、表面保護層９を形成した後
に、下部および上部磁気コア３，８の磁気異方性を緩和
するための熱処理工程を行う。
【００２６】すなわち、形成直後の下部および上部磁気
コア３，８は、一軸異方性が強すぎるため、透磁率が低
い。そこで、高温度雰囲気中で下部および上部磁気コア
３，８に磁界を印加することにより、その磁気異方性を
緩和して、それらの透磁率を高める。しかも、単に高温
度雰囲気中で外部磁界を印加するのではなく、冷却過程
にある下部および上部磁気コア３，８に対して、外部磁
界を印加する。
コア３，８は、一軸異方性が強すぎるため、透磁率が低
い。そこで、高温度雰囲気中で下部および上部磁気コア
３，８に磁界を印加することにより、その磁気異方性を
緩和して、それらの透磁率を高める。しかも、単に高温
度雰囲気中で外部磁界を印加するのではなく、冷却過程
にある下部および上部磁気コア３，８に対して、外部磁
界を印加する。
【００２７】この熱処理工程（磁気異方性緩和処理）に
おいては、φ３〜４インチの基板を複数枚、一括して加
熱処理炉内に収納し、加熱処理炉の外部から基板に対し
て磁界を印加する。ここで、基板は加熱処理炉内で１０
０ｒｐｍの回転数で回転しているため、基板には回転磁
界が印加された状態にある。また、加熱処理炉内におけ
る基板の温度プロファイルは、図２に模式的に示すよう
に、昇温過程（Ａ期間）、高温保持過程（Ｂ期間）およ
び冷却過程（Ｃ期間）で表され、そのうち、冷却過程
（Ｃ期間）における磁界印加が、磁性特性の向上に効率
的であることを利用する。なお、冷却は加熱処理炉内部
の真空雰囲気中での自然冷却による。
おいては、φ３〜４インチの基板を複数枚、一括して加
熱処理炉内に収納し、加熱処理炉の外部から基板に対し
て磁界を印加する。ここで、基板は加熱処理炉内で１０
０ｒｐｍの回転数で回転しているため、基板には回転磁
界が印加された状態にある。また、加熱処理炉内におけ
る基板の温度プロファイルは、図２に模式的に示すよう
に、昇温過程（Ａ期間）、高温保持過程（Ｂ期間）およ
び冷却過程（Ｃ期間）で表され、そのうち、冷却過程
（Ｃ期間）における磁界印加が、磁性特性の向上に効率
的であることを利用する。なお、冷却は加熱処理炉内部
の真空雰囲気中での自然冷却による。
【００２８】この熱処理工程による透磁率の向上効果
を、高温保持過程における高温保持温度と透磁率との関
係、印加磁界の大きさと透磁率との関係、高温保持過程
における高温保持時間と透磁率との関係、冷却過程にお
いて印加磁界を除去したときの温度と透磁率との関係の
各検査結果に基づいて、以下に説明する。それらの結果
を図３〜図６に示す。なお、Ｃｏ系アモルファス合金と
しては、ＣｏＺｒＴａ系およびＣｏＨｆＴａ系アモルフ
ァス合金を用いた。また、ここでの透磁率は、いずれも
ヘッド磁路方向における透磁率である。
を、高温保持過程における高温保持温度と透磁率との関
係、印加磁界の大きさと透磁率との関係、高温保持過程
における高温保持時間と透磁率との関係、冷却過程にお
いて印加磁界を除去したときの温度と透磁率との関係の
各検査結果に基づいて、以下に説明する。それらの結果
を図３〜図６に示す。なお、Ｃｏ系アモルファス合金と
しては、ＣｏＺｒＴａ系およびＣｏＨｆＴａ系アモルフ
ァス合金を用いた。また、ここでの透磁率は、いずれも
ヘッド磁路方向における透磁率である。
【００２９】（高温保持過程における高温保持温度と透
磁率との関係）まず、高温保持過程における保持温度を
室温〜４５０℃に変えたときの各温度に対応する１０Ｍ
Ｈｚにおける透磁率（μ10MHz ）を図３に示す。ここ
で、冷却過程の最終まで０．６ｋＯｅの外部磁界を印加
したが、昇温過程から外部磁界の印加を開始しても、高
温保持過程から外部磁界の印加を開始しても略同様な傾
向が得られている。なお、高温保持過程における保持時
間は１時間である。
磁率との関係）まず、高温保持過程における保持温度を
室温〜４５０℃に変えたときの各温度に対応する１０Ｍ
Ｈｚにおける透磁率（μ10MHz ）を図３に示す。ここ
で、冷却過程の最終まで０．６ｋＯｅの外部磁界を印加
したが、昇温過程から外部磁界の印加を開始しても、高
温保持過程から外部磁界の印加を開始しても略同様な傾
向が得られている。なお、高温保持過程における保持時
間は１時間である。
【００３０】図３において、実線１１でＣｏＺｒＴａ系
アモルファス合金の結果を示し、破線１２でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、高温保持温度を高くする
程、透磁率は高くなる傾向を示し、温度が３００℃で透
磁率は約３０００、温度が３２５℃で透磁率は約４００
０であった。ここで、透磁率は、高温保持温度が約４０
０℃のときにピーク値を示し、さらに高い温度では逆に
低下する。その理由は、いずれのＣｏ系アモルファス合
金も、その結晶化温度が約４００℃であることに起因す
る。従って、高温保持温度としては、約３００℃以上、
好ましくは約３２５℃以上であって、かつ、結晶化温度
より低く設定されるべきである。
アモルファス合金の結果を示し、破線１２でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、高温保持温度を高くする
程、透磁率は高くなる傾向を示し、温度が３００℃で透
磁率は約３０００、温度が３２５℃で透磁率は約４００
０であった。ここで、透磁率は、高温保持温度が約４０
０℃のときにピーク値を示し、さらに高い温度では逆に
低下する。その理由は、いずれのＣｏ系アモルファス合
金も、その結晶化温度が約４００℃であることに起因す
る。従って、高温保持温度としては、約３００℃以上、
好ましくは約３２５℃以上であって、かつ、結晶化温度
より低く設定されるべきである。
【００３１】（印加磁界の大きさと透磁率との関係）つ
ぎに、印加磁界の大きさを０〜１．０ｋＯｅに変えたと
きの各印加磁界の大きさに対応する１０ＭＨｚにおける
透磁率（μ10MHz ）を図４に示す。ここでも、冷却過程
の最終まで外部磁界を印加したが、昇温過程から外部磁
界の印加を開始しても、高温保持過程から外部磁界の印
加を開始しても略同様な傾向が得られた。なお、高温保
持過程の条件は、その保持温度が３７５℃、保持時間が
１時間である。
ぎに、印加磁界の大きさを０〜１．０ｋＯｅに変えたと
きの各印加磁界の大きさに対応する１０ＭＨｚにおける
透磁率（μ10MHz ）を図４に示す。ここでも、冷却過程
の最終まで外部磁界を印加したが、昇温過程から外部磁
界の印加を開始しても、高温保持過程から外部磁界の印
加を開始しても略同様な傾向が得られた。なお、高温保
持過程の条件は、その保持温度が３７５℃、保持時間が
１時間である。
【００３２】図４において、実線１３でＣｏＺｒＴａ系
アモルファス合金の結果を示し、破線１４でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、印加磁界がゼロ、すなわち
磁界をかけない場合には透磁率が約１１００であった
が、印加磁界をかけることによって透磁率は高まる。こ
こで、印加磁界が大きい程、透磁率は高まる傾向にはあ
るが、印加磁界が約０．０１ｋＯｅであっても、透磁率
は著しく向上することが確認されている。
アモルファス合金の結果を示し、破線１４でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、印加磁界がゼロ、すなわち
磁界をかけない場合には透磁率が約１１００であった
が、印加磁界をかけることによって透磁率は高まる。こ
こで、印加磁界が大きい程、透磁率は高まる傾向にはあ
るが、印加磁界が約０．０１ｋＯｅであっても、透磁率
は著しく向上することが確認されている。
【００３３】従って、冷却過程においても外部磁界を印
加すれば、外部磁界は約０．０１ｋＯｅでも充分であ
り、大きな外部磁界を必要としないので、本例の薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、大きな磁界を印加するた
めの高価な加熱処理炉を必要としないという効果を奏す
る。
加すれば、外部磁界は約０．０１ｋＯｅでも充分であ
り、大きな外部磁界を必要としないので、本例の薄膜磁
気ヘッドの製造方法によれば、大きな磁界を印加するた
めの高価な加熱処理炉を必要としないという効果を奏す
る。
【００３４】なお、印加磁界が大きい程、透磁率は高ま
る傾向にあるが、本例において行った他の検査におい
て、印加磁界を０．０１ｋＯｅに設定しても同様な傾向
が得られると推定できる。
る傾向にあるが、本例において行った他の検査におい
て、印加磁界を０．０１ｋＯｅに設定しても同様な傾向
が得られると推定できる。
【００３５】（高温保持過程における高温保持時間と透
磁率との関係）つぎに、高温保持過程における高温保持
時間を０〜１２０分に変えたときの各保持時間に対応す
る１０ＭＨｚにおける透磁率（μ10MHz ）を図５に示
す。ここで、冷却過程の最終まで外部磁界を０．６ｋＯ
ｅに設定したが、昇温過程から外部磁界の印加を開始し
ても、高温保持過程から外部磁界の印加を開始しても略
同様な傾向が得られた。なお、高温保持温度は約３７５
℃である。
磁率との関係）つぎに、高温保持過程における高温保持
時間を０〜１２０分に変えたときの各保持時間に対応す
る１０ＭＨｚにおける透磁率（μ10MHz ）を図５に示
す。ここで、冷却過程の最終まで外部磁界を０．６ｋＯ
ｅに設定したが、昇温過程から外部磁界の印加を開始し
ても、高温保持過程から外部磁界の印加を開始しても略
同様な傾向が得られた。なお、高温保持温度は約３７５
℃である。
【００３６】図５において、実線１５でＣｏＺｒＴａ系
アモルファス合金の結果を示し、破線１６でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、高温保持時間を長くする
程、透磁率は高くなる傾向を示すが、約１０分間の高温
保持で透磁率は３０００以上を示す。
アモルファス合金の結果を示し、破線１６でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、高温保持時間を長くする
程、透磁率は高くなる傾向を示すが、約１０分間の高温
保持で透磁率は３０００以上を示す。
【００３７】従って、本例のように、冷却過程において
も外部磁界を印加すれば、高温保持時間は１０分でも高
い透磁率を得られ、この熱処理工程におけるスループッ
トが大幅に向上する。
も外部磁界を印加すれば、高温保持時間は１０分でも高
い透磁率を得られ、この熱処理工程におけるスループッ
トが大幅に向上する。
【００３８】なお、高温保持時間が長い程、透磁率は高
まる傾向にあるが、本例において行った他の検査におい
て、高温保持時間を１０分間に設定しても同様な傾向が
得られると推定できる。
まる傾向にあるが、本例において行った他の検査におい
て、高温保持時間を１０分間に設定しても同様な傾向が
得られると推定できる。
【００３９】（冷却過程において印加磁界を除去したと
きの温度と透磁率との関係）つぎに、冷却過程において
印加磁界を除去したときの温度を５０〜３７５℃に変え
たときの各温度に対応する１０ＭＨｚにおける透磁率
（μ10MHz）を図６に示す。ここでも、昇温過程から外
部磁界を印加しても、高温保持過程から外部磁界をかけ
ても略同様な傾向が得られた。なお、高温保持過程の条
件は、その保持温度が３７５℃、保持時間が１時間であ
り、印加磁界の大きさは約０．１ｋＯｅである。
きの温度と透磁率との関係）つぎに、冷却過程において
印加磁界を除去したときの温度を５０〜３７５℃に変え
たときの各温度に対応する１０ＭＨｚにおける透磁率
（μ10MHz）を図６に示す。ここでも、昇温過程から外
部磁界を印加しても、高温保持過程から外部磁界をかけ
ても略同様な傾向が得られた。なお、高温保持過程の条
件は、その保持温度が３７５℃、保持時間が１時間であ
り、印加磁界の大きさは約０．１ｋＯｅである。
【００４０】図６において、実線１７でＣｏＺｒＴａ系
アモルファス合金の結果を示し、破線１８でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、外部磁界を除去したときの
温度が低い程、すなわち冷却が進んだ状態で外部磁界を
除去した方が透磁率は高い。たとえば、温度が２５０℃
の時点で外部磁界を除去した場合には、透磁率は約３０
００、温度が１００℃の時点で外部磁界を除去した場合
には、透磁率は４０００以上を示す。ここで、試料は真
空雰囲気中で冷却されるため、その冷却速度は小さい
が、窒素ガスの導入などによって冷却速度を高めた場合
であっても、上述の印加磁界を除去したときの温度と透
磁率との関係に大きな変化が見られず、その温度が支配
的であることが確認されている。
アモルファス合金の結果を示し、破線１８でＣｏＨｆＴ
ａ系アモルファス合金の結果を示すように、いずれの合
金を用いた場合であっても、外部磁界を除去したときの
温度が低い程、すなわち冷却が進んだ状態で外部磁界を
除去した方が透磁率は高い。たとえば、温度が２５０℃
の時点で外部磁界を除去した場合には、透磁率は約３０
００、温度が１００℃の時点で外部磁界を除去した場合
には、透磁率は４０００以上を示す。ここで、試料は真
空雰囲気中で冷却されるため、その冷却速度は小さい
が、窒素ガスの導入などによって冷却速度を高めた場合
であっても、上述の印加磁界を除去したときの温度と透
磁率との関係に大きな変化が見られず、その温度が支配
的であることが確認されている。
【００４１】なお、外部磁界を冷却過程の最終まで印加
した方が、透磁率は高まる傾向にあるが、本例において
行った他の検査において、印加磁界を除去するときの温
度を２５０℃以下に設定し、冷却過程の途中で磁界の印
加を止めても同様な傾向が得られると推定できる。
した方が、透磁率は高まる傾向にあるが、本例において
行った他の検査において、印加磁界を除去するときの温
度を２５０℃以下に設定し、冷却過程の途中で磁界の印
加を止めても同様な傾向が得られると推定できる。
【００４２】このように、本例の薄膜磁気ヘッドの製造
方法によれば、パーマロイＮｉＦｅ合金に比して高い飽
和磁束密度を有するＣｏ系アモルファス合金、たとえ
ば、ＣｏＺｒＴａ合金，ＣｏＨｆＴａ合金またはＣｏＨ
ｆＴａ合金などを用いて、磁気記録媒体の保磁力に対応
可能とすることは勿論のこと、その強い一軸異方性を緩
和することによって高い透磁率μを得ることもできるた
め、磁気記録媒体の高密度記録化に対応することができ
る。
方法によれば、パーマロイＮｉＦｅ合金に比して高い飽
和磁束密度を有するＣｏ系アモルファス合金、たとえ
ば、ＣｏＺｒＴａ合金，ＣｏＨｆＴａ合金またはＣｏＨ
ｆＴａ合金などを用いて、磁気記録媒体の保磁力に対応
可能とすることは勿論のこと、その強い一軸異方性を緩
和することによって高い透磁率μを得ることもできるた
め、磁気記録媒体の高密度記録化に対応することができ
る。
【００４３】さらに、本例によれば、印加磁界として
０．０１ｋＯｅでも充分に磁気異方性を緩和することが
できるため、従来のような大きな磁界発生部を備えた高
価な加熱処理炉などを必要としないので、安価な装置で
多数の素子を作り込んだ基板を一括して処理することが
でき、生産コストを低減することができる。
０．０１ｋＯｅでも充分に磁気異方性を緩和することが
できるため、従来のような大きな磁界発生部を備えた高
価な加熱処理炉などを必要としないので、安価な装置で
多数の素子を作り込んだ基板を一括して処理することが
でき、生産コストを低減することができる。
【００４４】なお、本例においては、外部磁界として回
転磁界を利用したが、これに代えて、たとえばヘッド磁
路方向成分の磁界を有する静磁場を利用しても、冷却過
程において磁界を印加することによって同様な効果を得
ることができる。
転磁界を利用したが、これに代えて、たとえばヘッド磁
路方向成分の磁界を有する静磁場を利用しても、冷却過
程において磁界を印加することによって同様な効果を得
ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上のとおり、本発明においては、基板
上に形成されたＣｏ系アモルファス合金などの下部およ
び上部磁気コア部を加熱すると共に、少なくとも冷却過
程における下部および上部磁気コア部に対して、それら
の磁気異方性を緩和すべき０．０１ｋＯｅ以上の回転磁
界などの外部磁界を印加する熱処理工程（異方性緩和処
理）を行うことに特徴を有する。従って、本発明によれ
ば、磁気異方性を緩和する効果が大きいため、下部およ
び上部磁気コア部は、その飽和磁束密度が１００００Ｇ
から１８０００Ｇまでと高く、しかも磁気ヘッド磁路方
向の透磁率が周波数１０ＭＨｚにおいて３０００以上と
高いので、磁気記録媒体の高密度記録化に充分対応でき
る薄膜磁気ヘッドを実現できるという効果を奏する。
上に形成されたＣｏ系アモルファス合金などの下部およ
び上部磁気コア部を加熱すると共に、少なくとも冷却過
程における下部および上部磁気コア部に対して、それら
の磁気異方性を緩和すべき０．０１ｋＯｅ以上の回転磁
界などの外部磁界を印加する熱処理工程（異方性緩和処
理）を行うことに特徴を有する。従って、本発明によれ
ば、磁気異方性を緩和する効果が大きいため、下部およ
び上部磁気コア部は、その飽和磁束密度が１００００Ｇ
から１８０００Ｇまでと高く、しかも磁気ヘッド磁路方
向の透磁率が周波数１０ＭＨｚにおいて３０００以上と
高いので、磁気記録媒体の高密度記録化に充分対応でき
る薄膜磁気ヘッドを実現できるという効果を奏する。
【００４６】また、熱処理工程における外部磁界が０．
０１ｋＯｅ以上であり、小さな磁界から上記の効果を奏
するため、多量の基板を同時に処理可能な大きな加熱処
理炉を用いても、小さくて安価な磁界発生部で磁気異方
性の緩和処理を行うことができるので、薄膜磁気ヘッド
のコストを低減することができる。
０１ｋＯｅ以上であり、小さな磁界から上記の効果を奏
するため、多量の基板を同時に処理可能な大きな加熱処
理炉を用いても、小さくて安価な磁界発生部で磁気異方
性の緩和処理を行うことができるので、薄膜磁気ヘッド
のコストを低減することができる。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの概略断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法における熱処理工程の温度プロファイルを模式的に示
すグラフ図である。
法における熱処理工程の温度プロファイルを模式的に示
すグラフ図である。
【図３】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、熱処理工程における高温保持温度と透磁率
との関係を示すグラフ図である。
法において、熱処理工程における高温保持温度と透磁率
との関係を示すグラフ図である。
【図４】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、熱処理工程における印加磁界の大きさと透
磁率との関係を示すグラフ図である。
法において、熱処理工程における印加磁界の大きさと透
磁率との関係を示すグラフ図である。
【図５】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、熱処理工程における高温保持時間と透磁率
との関係を示すグラフ図である。
法において、熱処理工程における高温保持時間と透磁率
との関係を示すグラフ図である。
【図６】本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、冷却過程における印加磁界を除去したとき
の温度と透磁率との関係を示すグラフ図である。
法において、冷却過程における印加磁界を除去したとき
の温度と透磁率との関係を示すグラフ図である。
１・・・薄膜磁気ヘッド ２・・・基板 ３・・・下部磁気コア（下部磁気コア部） ４・・・磁気ギャップ形成層（磁気ギャップ部） ５・・・下部絶縁層 ６・・・上部絶縁層 ７・・・コイル状導電体層（導電体層） ８・・・上部磁気コア（上部磁気コア部） ９・・・・保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 恒 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板の表面側に形成された下部磁気コア
部と上部磁気コア部とが一方端側で接合されていると共
に、その接合部の周囲が導電体層によって巻回されてお
り、他方端側ではこれらの磁気コア部の間に磁気ギャッ
プ部が形成されている薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下
部および上部磁気コア部は、飽和磁束密度が１００００
Ｇから１８０００Ｇまでの範囲であって、磁気ヘッド磁
路方向の透磁率が周波数１０ＭＨｚにおいて３０００以
上であることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１において、前記下部および上部
磁気コア部は、磁気異方性緩和処理が施されたＣｏ系ア
モルファス合金からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 基板の表面側に形成された下部磁気コア
部と上部磁気コア部とが一方端側で接合されていると共
に、その接合部の周囲が導電体層によって巻回されてお
り、他方端側ではこれらの磁気コア部の間に磁気ギャッ
プ部が形成されている薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、前記下部および上部磁気コア部を加熱すると共に、
少なくとも冷却過程における前記下部および上部磁気コ
ア部に対して、それらの磁気異方性を緩和すべき０．０
１ｋＯｅ以上の外部磁界を印加する熱処理工程を有する
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３において、前記外部磁界は、前
記下部および上部磁気コア部に対する回転磁界であるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４において、前記
下部および上部磁気コア部は、Ｃｏ系アモルファス合金
からなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 請求項３ないし請求項５のいずれかの項
において、前記熱処理工程では、前記冷却過程における
外部磁界の印加を、前記下部および上部磁気コア部の温
度が２５０℃以下に低下するまで行うことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】 請求項３ないし請求項６のいずれかの項
において、前記熱処理工程では、前記下部および上部磁
気コア部を３２５℃からそれらの結晶化温度までの範囲
の温度に保持した後に、前記冷却過程を行うことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】 請求項７において、前記熱処理工程で
は、前記の下部および上部磁気コア部に対する高温度保
持を１０分間以上行うことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3271257A JPH05109022A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| US07/961,395 US5382301A (en) | 1991-10-18 | 1992-10-15 | High permeability thin-film magnetic head and method of manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3271257A JPH05109022A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109022A true JPH05109022A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17497553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3271257A Pending JPH05109022A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5382301A (ja) |
| JP (1) | JPH05109022A (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2002092854A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体及び信号記録方式 |
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| JPH03130910A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-06-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP3271257A patent/JPH05109022A/ja active Pending
-
1992
- 1992-10-15 US US07/961,395 patent/US5382301A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5382301A (en) | 1995-01-17 |
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