JPH05105557A - 熱分解窒化ほう素容器 - Google Patents
熱分解窒化ほう素容器Info
- Publication number
- JPH05105557A JPH05105557A JP3292365A JP29236591A JPH05105557A JP H05105557 A JPH05105557 A JP H05105557A JP 3292365 A JP3292365 A JP 3292365A JP 29236591 A JP29236591 A JP 29236591A JP H05105557 A JPH05105557 A JP H05105557A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- boron nitride
- layer
- pbn
- pyrolytic boron
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- Ceramic Products (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は製品への不純物混入を防止し、電気
的に安定で熱効率の改良された、化合物半導体製造用、
分子線用セルなどに有用とされる熱分解窒化ほう素容器
の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の熱分解窒化ほう素容器は、熱分解窒
化ほう素容器の外面および／または内面の全部または一
部に輻射光吸収層を設け、その最外面および／またはそ
の最内面に絶縁層または保護層を設けてなることを特徴
とするものである。
的に安定で熱効率の改良された、化合物半導体製造用、
分子線用セルなどに有用とされる熱分解窒化ほう素容器
の提供を目的とするものである。 【構成】 本発明の熱分解窒化ほう素容器は、熱分解窒
化ほう素容器の外面および／または内面の全部または一
部に輻射光吸収層を設け、その最外面および／またはそ
の最内面に絶縁層または保護層を設けてなることを特徴
とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱分解窒化ほう素容器、
特には製品への不純物混入の不利を解決し、電気的に安
定で熱効率も改良されたことから、化合物半導体の製造
容器、分子線用セルなどに有用とされる熱分解窒化ほう
素容器に関するものである。
特には製品への不純物混入の不利を解決し、電気的に安
定で熱効率も改良されたことから、化合物半導体の製造
容器、分子線用セルなどに有用とされる熱分解窒化ほう
素容器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】熱分解窒化ほう素（以下ＰＢＮと略記す
る）成形品がＮＨ3 とＢＦ3 を原料とし、これらを例え
ば１，７００℃の温度での熱ＣＶＤ法によってＰＢＮと
し、これを基体にコーティングすることによって作られ
ることはよく知られているところであり、このようにし
て作られたＰＢＮ成形品がすぐれた耐熱性、耐熱衝撃性
をもつものであることも公知とされている。しかして、
このＰＢＮ容器についてはその外面および／または内面
の全部または一部に赤外線吸収率の高いカーボン膜を塗
布して輻射光吸収層を設けたものが提案されている（特
開平２−２０４３９１号公報、実開昭６３−１９９１７
２号明細書参照）。
る）成形品がＮＨ3 とＢＦ3 を原料とし、これらを例え
ば１，７００℃の温度での熱ＣＶＤ法によってＰＢＮと
し、これを基体にコーティングすることによって作られ
ることはよく知られているところであり、このようにし
て作られたＰＢＮ成形品がすぐれた耐熱性、耐熱衝撃性
をもつものであることも公知とされている。しかして、
このＰＢＮ容器についてはその外面および／または内面
の全部または一部に赤外線吸収率の高いカーボン膜を塗
布して輻射光吸収層を設けたものが提案されている（特
開平２−２０４３９１号公報、実開昭６３−１９９１７
２号明細書参照）。
【０００３】この輻射光吸収層を設けたものは加熱する
ときにヒーターからの輻射光がこの吸収層で吸収される
ために、加熱の効率化、全体の均熱化がはかれるし、こ
れはまた底部、開口部、中央部、片側などの特定の部位
だけの温度を高くして温度分布をつけることもできる。
ときにヒーターからの輻射光がこの吸収層で吸収される
ために、加熱の効率化、全体の均熱化がはかれるし、こ
れはまた底部、開口部、中央部、片側などの特定の部位
だけの温度を高くして温度分布をつけることもできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この、輻射光吸収層と
してはグラファイト、高融点金属が好ましいものとされ
ているが、しかしこれらは飛散によってその不純物が製
品に混入されるというおそれがあるし、これらは一般に
導電性であるために、まわりに加熱用ヒーターがあると
これとこのヒーターが接触したときにショートを起すと
いう危険性がある。
してはグラファイト、高融点金属が好ましいものとされ
ているが、しかしこれらは飛散によってその不純物が製
品に混入されるというおそれがあるし、これらは一般に
導電性であるために、まわりに加熱用ヒーターがあると
これとこのヒーターが接触したときにショートを起すと
いう危険性がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決したＰＢＮ容器に関するものであり、これはＰＢ
Ｎ容器の外面および内面の全面または一部に輻射光吸収
層を設け、その最外面および／または最内面に絶縁層ま
たは保護層を設けてなることを特徴とするものである。
を解決したＰＢＮ容器に関するものであり、これはＰＢ
Ｎ容器の外面および内面の全面または一部に輻射光吸収
層を設け、その最外面および／または最内面に絶縁層ま
たは保護層を設けてなることを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは不純物混入のおそ
れがなく、電気的にも安定なＰＢＮ容器を開発すべく種
々検討した結果、これについては従来公知の方法で作ら
れたＰＢＮ容器の外面または内面にこれも公知である輻
射光吸収層を設けたのち、この輻射光吸収層の最外面お
よび／または最内面に絶縁層または保護層を設けるとこ
のＰＢＮ容器から不純物が飛散によって製品に混入する
ことがなくなるし、これが加熱性ヒーターと接触しても
ショートなどを起すことがなく、これを電気的に安定な
ものとすることができることを見出し、このものは化合
物半導体製造用または分子線用セルとして有用とされる
ことを確認して本発明を完成させた。以下にこれをさら
に詳述する。
れがなく、電気的にも安定なＰＢＮ容器を開発すべく種
々検討した結果、これについては従来公知の方法で作ら
れたＰＢＮ容器の外面または内面にこれも公知である輻
射光吸収層を設けたのち、この輻射光吸収層の最外面お
よび／または最内面に絶縁層または保護層を設けるとこ
のＰＢＮ容器から不純物が飛散によって製品に混入する
ことがなくなるし、これが加熱性ヒーターと接触しても
ショートなどを起すことがなく、これを電気的に安定な
ものとすることができることを見出し、このものは化合
物半導体製造用または分子線用セルとして有用とされる
ことを確認して本発明を完成させた。以下にこれをさら
に詳述する。
【０００７】
【作用】本発明はＰＢＮ容器に関するものであり、これ
は公知の方法で作られたＰＢＮ容器の外面および／また
は内面に輻射光吸収層を設け、その最外面および／また
は最内面に絶縁層または保護層を設けたものであるが、
これによればこの絶縁層または保護層によって不純物の
製品への混入を防止することができ、さらにはこのもの
を電気的に安定なものとすることができる。
は公知の方法で作られたＰＢＮ容器の外面および／また
は内面に輻射光吸収層を設け、その最外面および／また
は最内面に絶縁層または保護層を設けたものであるが、
これによればこの絶縁層または保護層によって不純物の
製品への混入を防止することができ、さらにはこのもの
を電気的に安定なものとすることができる。
【０００８】本発明のＰＢＮ容器自体は公知の方法で作
られたものとされる。したがって、これはＮＨ3 と例え
ばＢＦ3 のようなハロゲン化ほう素とを原料とし、これ
を１，７００℃のような高温下に熱ＣＶＤ反応させ、こ
の反応で発生したＰＢＮを基体上に被覆し、これを脱型
することによって作ったものとすればよい。
られたものとされる。したがって、これはＮＨ3 と例え
ばＢＦ3 のようなハロゲン化ほう素とを原料とし、これ
を１，７００℃のような高温下に熱ＣＶＤ反応させ、こ
の反応で発生したＰＢＮを基体上に被覆し、これを脱型
することによって作ったものとすればよい。
【０００９】このＰＢＮ容器にはまずその外面および／
または内面に輻射光吸収層が設けられるのであるが、こ
の輻射光吸収層はカーボン、タングステン、タンタル、
モリブデンなどの高融点金属とからなるものとすればよ
く、これらはＰＢＮ容器の外面および／または内面にこ
れらを塗布するか、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などで設ければ
よく、これによればこの輻射光吸収層の存在により加熱
ヒーターからの加熱がより効果的に行なわれる。
または内面に輻射光吸収層が設けられるのであるが、こ
の輻射光吸収層はカーボン、タングステン、タンタル、
モリブデンなどの高融点金属とからなるものとすればよ
く、これらはＰＢＮ容器の外面および／または内面にこ
れらを塗布するか、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法などで設ければ
よく、これによればこの輻射光吸収層の存在により加熱
ヒーターからの加熱がより効果的に行なわれる。
【００１０】なお、この輻射光吸収層の塗布はＰＢＮ容
器の外面および／または内面の全面でなく、その部分に
行なってもよく、これによればＰＢＮ容器に温度分布を
与えることもできるが、この輻射光吸収層の厚さは１〜
１，０００ｎｍとすればよい。
器の外面および／または内面の全面でなく、その部分に
行なってもよく、これによればＰＢＮ容器に温度分布を
与えることもできるが、この輻射光吸収層の厚さは１〜
１，０００ｎｍとすればよい。
【００１１】本発明のＰＢＮ容器はこの外面および／ま
たは内面に輻射光吸収層を設けたものの輻射光吸収層の
最外面および／または最内面に絶縁層または保護層を設
けることによって構成される。この絶縁層、保護層とし
てはＰＢＮ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化けい素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）など
からなるものが例示され、これらはＣＶＤ法、スパッタ
ー法、塗布などで設ければよい。
たは内面に輻射光吸収層を設けたものの輻射光吸収層の
最外面および／または最内面に絶縁層または保護層を設
けることによって構成される。この絶縁層、保護層とし
てはＰＢＮ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化けい素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）など
からなるものが例示され、これらはＣＶＤ法、スパッタ
ー法、塗布などで設ければよい。
【００１２】この絶縁層、保護層としては、製造目的と
する物質の種類にもよるが、純度の点からはＰＢＮをＣ
ＶＤ法により蒸着したものとすることが好ましい。な
お、この絶縁層、保護層の厚さは１〜１００μｍ程度と
すればよいが、このようにして作られた本発明のＰＢＮ
容器はこの絶縁層または保護層によって不純物が飛散す
ることもないので不純物によって目的物が汚染されるこ
ともないし、この絶縁層、保護層によってこれが導電性
となることもないので電気的に安定したものとなるの
で、このものは分子線セル、ＩＩＩ，ＩＶ族単結晶引上
げ用ルツボおよびボートなどとして有用とされる。
する物質の種類にもよるが、純度の点からはＰＢＮをＣ
ＶＤ法により蒸着したものとすることが好ましい。な
お、この絶縁層、保護層の厚さは１〜１００μｍ程度と
すればよいが、このようにして作られた本発明のＰＢＮ
容器はこの絶縁層または保護層によって不純物が飛散す
ることもないので不純物によって目的物が汚染されるこ
ともないし、この絶縁層、保護層によってこれが導電性
となることもないので電気的に安定したものとなるの
で、このものは分子線セル、ＩＩＩ，ＩＶ族単結晶引上
げ用ルツボおよびボートなどとして有用とされる。
【００１３】つぎに本発明のＰＢＮ容器を添付の図面に
もとづいて説明する。図３は公知の方法で作られたＰＢ
Ｎ容器１の縦断面図、図４はこのＰＢＮ容器１の外面に
輻射光吸収層２を塗布したＰＢＮ容器の縦断面図、図１
は、図４のＰＢＮ容器１の外面の輻射光吸収層２の最外
面に絶縁層３を形成してなる本発明のＰＢＮ容器の縦断
面図を示したもの、図２はこの本発明のＰＢＮ容器にヒ
ーター４、リフレクター５を設けて作成した分子線源用
るつぼ６を用い、この中に収納したＧａ融液７からの分
子線８を基板９に照射する装置の縦断面図を示したもの
であり、これによれば不純物混入のおそれなく、効率よ
く分子線を照射することができるので、目的とするＧａ
Ａｓなどのエピタキシャル膜を純度よく得ることができ
る。
もとづいて説明する。図３は公知の方法で作られたＰＢ
Ｎ容器１の縦断面図、図４はこのＰＢＮ容器１の外面に
輻射光吸収層２を塗布したＰＢＮ容器の縦断面図、図１
は、図４のＰＢＮ容器１の外面の輻射光吸収層２の最外
面に絶縁層３を形成してなる本発明のＰＢＮ容器の縦断
面図を示したもの、図２はこの本発明のＰＢＮ容器にヒ
ーター４、リフレクター５を設けて作成した分子線源用
るつぼ６を用い、この中に収納したＧａ融液７からの分
子線８を基板９に照射する装置の縦断面図を示したもの
であり、これによれば不純物混入のおそれなく、効率よ
く分子線を照射することができるので、目的とするＧａ
Ａｓなどのエピタキシャル膜を純度よく得ることができ
る。
【００１４】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例を挙げる。 実施例 ＮＨ3 とＢＦ3 との混合物からの熱ＣＶＤ法で得たＰＢ
Ｎをカーボン質基材に蒸着し、これを基材から取外して
作った内径２０ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ１ｍｍの図
３に示したＰＢＮ容器の外面に、プロパンガスを１トー
ルの真空下に１，０００℃で熱分解して得たカーボンを
厚さ２０μｍに被覆して図４に示したような輻射光吸収
層を設けたＰＢＮ容器を作った。
Ｎをカーボン質基材に蒸着し、これを基材から取外して
作った内径２０ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ１ｍｍの図
３に示したＰＢＮ容器の外面に、プロパンガスを１トー
ルの真空下に１，０００℃で熱分解して得たカーボンを
厚さ２０μｍに被覆して図４に示したような輻射光吸収
層を設けたＰＢＮ容器を作った。
【００１５】ついで、このＰＢＮ容器の輻射光吸収層の
最外面に、ＮＨ3とＢＦ3 を原料とし、２トールの真空
下での１，７００℃での熱ＣＶＤ法で得たＰＢＮを厚さ
１０μｍで被覆して輻射光吸収層の最外面を絶縁層とし
てのＰＢＮで被覆した図１に示したＰＢＮ容器を作っ
た。
最外面に、ＮＨ3とＢＦ3 を原料とし、２トールの真空
下での１，７００℃での熱ＣＶＤ法で得たＰＢＮを厚さ
１０μｍで被覆して輻射光吸収層の最外面を絶縁層とし
てのＰＢＮで被覆した図１に示したＰＢＮ容器を作っ
た。
【００１６】つぎにこのＰＢＮ容器にヒーターとリフレ
クターを取りつけて分子線源用るつぼを作り、これにＧ
ａ融液を入れ、ヒーターで加熱してＧａの分子線を基台
に照射し、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を行なわせ、
このエピタキシャル膜の不純物を検査したところ、この
ものは不純物が殆んどゼロの良好な膜で、この場合の消
費電力は輻射光吸収層のないものにくらべて２割節約す
ることができ、このものは５０回連続してエピタキシャ
ル膜の成長を行なわせても得られたエピタキシャル膜は
いずれも良好なものであった。
クターを取りつけて分子線源用るつぼを作り、これにＧ
ａ融液を入れ、ヒーターで加熱してＧａの分子線を基台
に照射し、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を行なわせ、
このエピタキシャル膜の不純物を検査したところ、この
ものは不純物が殆んどゼロの良好な膜で、この場合の消
費電力は輻射光吸収層のないものにくらべて２割節約す
ることができ、このものは５０回連続してエピタキシャ
ル膜の成長を行なわせても得られたエピタキシャル膜は
いずれも良好なものであった。
【００１７】比較例 比較のために、上記実施例におけるＰＢＮ容器におい
て、絶縁層としてのＰＢＮの被覆を行なわず、公知のＰ
ＢＮ容器に輻射光吸収層のみを形成した図４に示したＰ
ＢＮ容器を使用し、これから上記と同じようにして分子
線源用るつぼを作り、これを用いてＧａＡｓのエピタキ
シャル膜を形成したところ、この場合も消費電力は２割
節約することができたけれども、成膜されたエピタキシ
ャル膜には不純物としてのカーボンが多数混入していて
良好な製品は得られず、またこのものは使用３回目に熱
電対とショートしたためにそれ以降の使用はできなくな
った。
て、絶縁層としてのＰＢＮの被覆を行なわず、公知のＰ
ＢＮ容器に輻射光吸収層のみを形成した図４に示したＰ
ＢＮ容器を使用し、これから上記と同じようにして分子
線源用るつぼを作り、これを用いてＧａＡｓのエピタキ
シャル膜を形成したところ、この場合も消費電力は２割
節約することができたけれども、成膜されたエピタキシ
ャル膜には不純物としてのカーボンが多数混入していて
良好な製品は得られず、またこのものは使用３回目に熱
電対とショートしたためにそれ以降の使用はできなくな
った。
【００１８】
【発明の効果】本発明はＰＢＮ容器に関するものであ
り、これは前記したようにＰＢＮ容器の外面および／ま
たは内面に輻射光吸収層を設け、その最外面および／ま
たはその最内面に絶縁層または保護層を設けてなること
を特徴とするものであるが、これによればこの絶縁層、
保護層の存在により不純物が目的とする製品中に混入す
ることが防止されるし、これが加熱ヒーターと接触して
もショートすることがないので電気的に安定したものに
なるという有利性が与えられる。
り、これは前記したようにＰＢＮ容器の外面および／ま
たは内面に輻射光吸収層を設け、その最外面および／ま
たはその最内面に絶縁層または保護層を設けてなること
を特徴とするものであるが、これによればこの絶縁層、
保護層の存在により不純物が目的とする製品中に混入す
ることが防止されるし、これが加熱ヒーターと接触して
もショートすることがないので電気的に安定したものに
なるという有利性が与えられる。
【図１】本発明のＰＢＮ容器の縦断面図を示したもので
ある。
ある。
【図２】本発明のＰＢＮ容器から作られた分子線源るつ
ぼを使用してＧａＡｓエピタキシャル膜を形成する装置
の縦断面図を示したものである。
ぼを使用してＧａＡｓエピタキシャル膜を形成する装置
の縦断面図を示したものである。
【図３】公知の方法で作られたＰＢＮ容器の縦断面図を
示したものである。
示したものである。
【図４】図３のＰＢＮ容器の外面に輻射光吸収層を塗布
したＰＢＮ容器の縦断面図を示したものである。
したＰＢＮ容器の縦断面図を示したものである。
１ ＰＢＮ容器 ２ 輻射光吸収層 ３ 絶縁層 ４ ヒーター ５ リフレクター ６ 分子線源用るつぼ ７ Ｇａ融液 ８ 分子線 ９ 基板 １０ 熱電対
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年４月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 萩原 浩二 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 熱分解窒化ほう素容器の外面および／ま
たは内面の全面または一部に輻射光吸収層を設け、その
最外面および／または最内面に絶縁層または保護層を設
けてなることを特徴とする熱分解窒化ほう素容器。 - 【請求項２】 輻射光吸収層がカーボンまたは高融点金
属で作られたものである請求項１に記載した熱分解窒化
ほう素容器。 - 【請求項３】 絶縁層が熱分解窒化ほう素、窒化けい
素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムよりなる
ものとされる請求項１に記載した熱分解窒化ほう素容
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292365A JPH05105557A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 熱分解窒化ほう素容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3292365A JPH05105557A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 熱分解窒化ほう素容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05105557A true JPH05105557A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17780864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3292365A Pending JPH05105557A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | 熱分解窒化ほう素容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05105557A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06312009A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Daiichi Rajio Isotope Kenkyusho:Kk | 放射性医薬品加熱装置 |
| EP0842913A1 (en) * | 1996-11-18 | 1998-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pyrolytic boron nitride container and manufacture thereof |
| JP2003073829A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素製容器の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP3292365A patent/JPH05105557A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06312009A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Daiichi Rajio Isotope Kenkyusho:Kk | 放射性医薬品加熱装置 |
| EP0842913A1 (en) * | 1996-11-18 | 1998-05-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Pyrolytic boron nitride container and manufacture thereof |
| JP2003073829A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-12 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素製容器の製造方法 |
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