JPH05102857A - D/a converter - Google Patents

D/a converter

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JPH05102857A
JPH05102857A JP26027491A JP26027491A JPH05102857A JP H05102857 A JPH05102857 A JP H05102857A JP 26027491 A JP26027491 A JP 26027491A JP 26027491 A JP26027491 A JP 26027491A JP H05102857 A JPH05102857 A JP H05102857A
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digital
circuit
resistors
resistance
analog
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Masao Arimoto
正生 有本
Eiji Onishi
英司 大西
Kenji Kano
賢次 加納
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
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Abstract

PURPOSE:To provide the digital/analog (D/A) converter which can obtain high resolution while maintaining monotonicity without using the resistor of a high resistance ratio. CONSTITUTION:A second D/A circuit to be driven based on the digital data of high-order bits is equipped with a 2R circuit 8 composed of plural resistors. Each of resistors is a resistor in which two second resistance elements rMOa and rMOb (rM1a and rM1b, rM2a and rM2b) symmetrically arranged with a reference line RL as a center are connected in series. Therefore, the error of the resistance element is canceled at the 2R circuit 8. Thus, the high resolution can be obtained while maintaining monotonousness without using the resistor of the high resistance ratio.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、2進数のディジタル
信号をアナログ信号に変換するディジタル・アナログ変
換器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a digital / analog converter for converting a binary digital signal into an analog signal.

【0002】[0002]

【従来の技術】電圧印加方式のディジタル・アナログ変
換器として、R−2R方式を採用したものが従来より知
られている。図15は、そのようなR−2R方式を採用
した8ビットのディジタル・アナログ変換器を示す。
2. Description of the Related Art As a voltage-applying digital-analog converter, an R-2R system is conventionally known. FIG. 15 shows an 8-bit digital-analog converter adopting such an R-2R system.

【0003】同図に示すように、このディジタル・アナ
ログ変換器は、DA変換される8ビットディジタル信号
の各位のビットに対応して8個の切換スイッチS0 〜S
7 がそれぞれ設けられている。各切換スイッチS0 〜S
7 の一方の切換接点は、基準電圧VREF が印加される第
1入力端子1にそれぞれ接続されるとともに、他方の切
換接点は、グランド電位GNDが印加される第2入力端
子2にそれぞれ接続されている。第2入力端子2と出力
端子3の間には、2Rの抵抗値を有する1個の抵抗体と
Rの抵抗値を有する7個の抵抗体が直列に接続されてい
る。また、上記各抵抗体間のノードと切換スイッチS0
〜S7 の共通接点間に、2Rの抵抗値を有する8個の抵
抗体がそれぞれ接続されている。
As shown in FIG. 1, this digital-analog converter has eight changeover switches S 0 to S corresponding to each bit of an 8-bit digital signal to be DA converted.
7 are provided respectively. Each changeover switch S 0 to S
One switching contact 7, together with the reference voltage V REF is connected to the first input terminal 1 is applied, the other switching contact is connected to the second input terminal 2 to the ground potential GND is applied ing. Between the second input terminal 2 and the output terminal 3, one resistor having a resistance value of 2R and seven resistors having a resistance value of R are connected in series. Further, the node between the resistors and the changeover switch S 0.
Between the common contact of to S 7, 8 single resistor having a resistance value of 2R are connected.

【0004】このディジタル・アナログ変換器では、そ
れぞれの切換スイッチS0 〜S7 が、ディジタル信号の
対応するビットの状態に応じて、基準電圧VREF が印加
される第1切換接点とグランド電位GNDが印加される
第2切換接点の間でそれぞれ切換えられ、そのディジタ
ル信号に応じた電圧値を有するアナログ信号が出力端子
3より出力される。
In this digital-analog converter, each of the changeover switches S 0 to S 7 has a first changeover contact to which a reference voltage V REF is applied and a ground potential GND according to the state of the corresponding bit of the digital signal. Is switched between the second switching contacts to which is applied, and an analog signal having a voltage value corresponding to the digital signal is output from the output terminal 3.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のR
−2R方式を採用したディジタル・アナログ変換器は、
抵抗体や切換スイッチS0 〜S7等の素子数が少なくて
済み、制御が簡単であるという利点を有する。しかし、
その反面、次のような欠点を有する。すなわち、現実に
は、各抵抗体の抵抗値にバラツキがあって、ディジタル
データの変化に対するアナログ信号の出力変化に誤差が
含まれる。従来のディジタル・アナログ変換器では、最
上位ビット分のディジタルデータの変化に対するアナロ
グ信号の出力変化に含まれる誤差の影響が大きいため、
単調性を維持しつつ高分解なものを得ようとすると、非
常に高い抵抗比精度が必要となる。
As described above, the conventional R
-The digital-analog converter adopting the -2R system is
It has an advantage that the number of elements such as resistors and changeover switches S 0 to S 7 is small and control is simple. But,
On the other hand, it has the following drawbacks. That is, in reality, the resistance values of the resistors vary, and the output change of the analog signal with respect to the change of the digital data includes an error. In the conventional digital-analog converter, the error included in the output change of the analog signal has a large effect on the change of the digital data for the most significant bit.
In order to obtain high resolution while maintaining monotonicity, very high resistance ratio accuracy is required.

【0006】この発明は、上記問題を解決するためにな
されたもので、高い抵抗比の抵抗を使用せずとも、単調
性を維持しつつ高い分解能が得られるディジタル・アナ
ログ変換器を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and provides a digital-analog converter that can obtain high resolution while maintaining monotonicity without using a resistor having a high resistance ratio. With the goal.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、第1
導電型の半導体領域に第1の方向に同一形状及び同一の
大きさで形成された第2導電型の半導体拡散層からなる
複数の第1の抵抗素子をR−2R回路を構成するように
電気的に接続してなり、下位ビットのディジタルデータ
に基づいて駆動される第1ディジタル・アナログ回路
と、前記半導体領域に前記第1の方向に前記第1の抵抗
素子と同一形状及び同一の大きさで形成された第2導電
型の半導体拡散層からなる複数の第2の抵抗素子を2R
回路を構成するように電気的に接続してなり、上位ビッ
トのディジタルデータに基づいて駆動される第2ディジ
タル・アナログ回路とを備え、前記上位ビットと前記下
位ビットからなる2進数のディジタル信号をアナログ信
号に変換するディジタル・アナログ変換器であって、上
記目的を達成するために、前記第2ディジタル・アナロ
グ変換回路を、前記第1の方向に対し垂直な第2の方向
に伸びた基準線を対称中心とし対称配置された2つの前
記第2の抵抗素子を直列接続してなる複数の抵抗体によ
って構成している。
The invention according to claim 1 is the first
A plurality of first resistance elements, which are formed in the conductive type semiconductor region in the first direction and have the same shape and the same size as each other, are electrically connected to form an R-2R circuit. And a first digital / analog circuit, which are connected in series and are driven based on digital data of lower bits, and have the same shape and the same size as the first resistance element in the semiconductor region in the first direction. A plurality of second resistance elements formed of the second conductivity type semiconductor diffusion layer formed in
A second digital / analog circuit that is electrically connected to form a circuit and that is driven based on digital data of upper bits, and outputs a binary digital signal composed of the upper bits and the lower bits. A digital-to-analog converter for converting into an analog signal, wherein, in order to achieve the above object, the second digital-to-analog conversion circuit has a reference line extending in a second direction perpendicular to the first direction. Is the center of symmetry, and the two second resistance elements symmetrically arranged are connected in series to form a plurality of resistors.

【0008】請求項2の発明は、請求項1の発明に加
え、さらに前記複数の第1の抵抗素子のうち、少なくと
も1組以上の抵抗素子対を前記基準線に対し対称配置し
ている。
According to a second aspect of the invention, in addition to the first aspect of the invention, at least one or more resistance element pairs among the plurality of first resistance elements are symmetrically arranged with respect to the reference line.

【0009】請求項3の発明は、抵抗値がRになるよう
に設定された半導体層からなる抵抗体が第1の方向に所
定間隔離隔して複数配置され、これら複数の抵抗体が電
気的に接続されることによってR−2R回路を構成し、
少なくとも出力端に接続される抵抗体が半導体基板の第
1の領域に配置されているとともに、残りの抵抗体が半
導体基板の第2の領域に配置され、下位ビットのディジ
タルデータに基づいて駆動される第1ディジタル・アナ
ログ回路と、抵抗値がRになるように設定された半導体
層からなる抵抗体が第1の方向に所定間隔離隔して複数
配置され、これら複数の抵抗体が電気的に接続されるこ
とによって2R回路を構成し、直列接続される2つの抵
抗体が、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に伸
びた基準線を対称中心として対称に配置され、かつ、複
数の抵抗体が前記第1及び第2の領域の間に位置する半
導体基板の第3の領域に配置され、上位ビットのディジ
タルデータに基づいて駆動される第2ディジタル・アナ
ログ回路を備えている。
According to a third aspect of the present invention, a plurality of resistors, each of which is made of a semiconductor layer and whose resistance value is set to R, are arranged at predetermined intervals in the first direction, and the plurality of resistors are electrically connected. The R-2R circuit is configured by being connected to
At least the resistor connected to the output terminal is arranged in the first region of the semiconductor substrate, and the remaining resistors are arranged in the second region of the semiconductor substrate and driven based on the lower bit digital data. A plurality of first digital / analog circuits and a resistor made of a semiconductor layer whose resistance value is set to R are arranged in the first direction with a predetermined space between them, and the plurality of resistors are electrically connected to each other. The two resistors, which are connected to each other to form a 2R circuit and are connected in series, are arranged symmetrically with a reference line extending in a second direction perpendicular to the first direction as a center of symmetry, and A second digital-analog circuit is provided in which a plurality of resistors are arranged in a third region of the semiconductor substrate located between the first and second regions and which is driven based on digital data of upper bits. That.

【0010】[0010]

【作用】請求項1の発明では、上位ビットのディジタル
データに基づいて駆動される第2ディジタル・アナログ
回路が、基準線を対称中心とし対称配置された2つの第
2の抵抗素子を直列接続してなる複数の抵抗体によって
構成されるため、前記第2ディジタル・アナログ回路で
は抵抗素子の誤差が相殺される。そのため、高い抵抗比
の抵抗を使用せずに、単調性を維持しつつ高い分解能が
得られる。
According to the first aspect of the invention, the second digital-analog circuit driven on the basis of the higher-order bit digital data has two second resistance elements connected symmetrically with respect to the reference line as the center of symmetry. Since the second digital / analog circuit is composed of a plurality of resistors, the error of the resistance element is canceled. Therefore, high resolution can be obtained while maintaining monotonicity without using a resistor having a high resistance ratio.

【0011】請求項2の発明では、上記請求項1の発明
に加え、さらに前記複数の第1の抵抗素子のうち、少な
くとも1組以上の抵抗素子対が前記基準線に対し対称配
置されているので、第1ディジタル・アナログ回路にお
いても抵抗素子の誤差が一部相殺されて、より高い分解
能が得られる。
According to the invention of claim 2, in addition to the invention of claim 1, at least one or more resistance element pairs among the plurality of first resistance elements are arranged symmetrically with respect to the reference line. Therefore, even in the first digital / analog circuit, the error of the resistance element is partially canceled, and a higher resolution can be obtained.

【0012】[0012]

【実施例】以下、この発明にかかるディジタル・アナロ
グ変換器の回路構成ならびにその回路の構成要素(抵抗
素子)のレイアウトをそれぞれ開示し、この発明の詳細
について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The circuit configuration of a digital-analog converter according to the present invention and the layout of the constituent elements (resistive elements) of the circuit will be disclosed below, and the details of the present invention will be described.

【0013】 A.ディジタル・アナログ変換器の回路構成とその効果 図1はこの発明の一実施例である8ビットのディジタル
・アナログ変換器を示す。
A. Circuit Configuration of Digital-Analog Converter and Its Effect FIG. 1 shows an 8-bit digital-analog converter according to an embodiment of the present invention.

【0014】このディジタル・アナログ変換器は、ビッ
ト数が「6」の下位ビットとビット数が「2」の上位ビ
ットからなる2進数のディジタル信号をアナログ信号に
変換するものであって、下位6ビットのディジタルデー
タに基づいて駆動される第1ディジタル・アナログ変換
回路4と、上位2ビットのディジタルデータに基づいて
駆動される第2ディジタル・アナログ変換回路5を備え
ている。
This digital-to-analog converter converts a binary digital signal consisting of a lower bit having a bit number "6" and an upper bit having a bit number "2" into an analog signal. It comprises a first digital-analog conversion circuit 4 driven on the basis of bit digital data, and a second digital-analog conversion circuit 5 driven on the basis of upper 2-bit digital data.

【0015】第1ディジタル・アナログ変換回路4に
は、下位6ビットのディジタルデータの状態に応じてそ
れぞれ切換えられる6個の切換スイッチS0 〜S5 が設
けられている。各切換スイッチS0 〜S5 の一方の切換
接点は、基準電圧VREF が印加される第1入力端子1に
それぞれ接続されるとともに、他方の切換接点は、グラ
ンド電位GNDが印加される第2入力端子2にそれぞれ
接続されている。また、第2入力端子2と出力端子3の
間には、2Rの抵抗値を有する1個の抵抗体R1 と、R
の抵抗値を有する6個の抵抗体R2 〜R7 が直列に接続
されている。そして、上記抵抗体R2 〜R7 の一端側
と、切換スイッチS0 〜S5 の共通接点との間に、2R
の抵抗値を有する6個の抵抗体R8 〜R13がそれぞれ接
続される。こうして、抵抗体R2 〜R13によりR−2R
回路6が構成されるとともに、切換スイッチS0 〜S5
により第1スイッチ群7が構成される。
The first digital-analog conversion circuit 4 is provided with six changeover switches S 0 to S 5 which can be changed over according to the state of the lower 6-bit digital data. One of the switching contacts of each of the changeover switches S 0 to S 5 is connected to the first input terminal 1 to which the reference voltage V REF is applied, and the other switching contact of the second input to which the ground potential GND is applied. Each is connected to the input terminal 2. Further, between the second input terminal 2 and the output terminal 3, one resistor R 1 having a resistance value of 2R and R
Six resistors R 2 to R 7 having the resistance value of are connected in series. Then, 2R is provided between one end side of the resistors R 2 to R 7 and the common contact of the changeover switches S 0 to S 5.
The six resistors R 8 to R 13 having the resistance value of are respectively connected. Thus, the resistors R 2 to R 13 cause R-2R.
The circuit 6 is configured and the changeover switches S 0 to S 5
The first switch group 7 is configured by.

【0016】一方、第2ディジタル・アナログ変換回路
5には、上位2ビットのディジタルデータの状態に応じ
てそれぞれ切換えられる3個の切換スイッチSM0
M1,SM2が設けられている。各切換スイッチSM0,S
M1,SM2の一方の切換接点は、基準電圧VREF が印加さ
れる第1入力端子1に接続されるとともに、他方の切換
接点は、グランド電位GNDが印加される第2入力端子
GNDに接続される。そして、各切換スイッチSM0,S
M1,SM2の共通接点と出力端子VOUT の間に、2Rの抵
抗値を有する3個の抵抗体RM0,RM1,RM2がそれぞれ
接続されている。こうして、抵抗体RM0,RM1,RM2
より2R回路8が構成されるとともに、切換スイッチS
M0,SM1,SM2により第2スイッチ群9が構成される。
On the other hand, the second digital-analog conversion circuit 5 has three change-over switches S M0 , which can be changed over in accordance with the state of the upper 2-bit digital data.
S M1 and S M2 are provided. Each changeover switch S M0 , S
One of the switching contacts of M1 and S M2 is connected to the first input terminal 1 to which the reference voltage V REF is applied, and the other switching contact is connected to the second input terminal GND to which the ground potential GND is applied. To be done. Then, each changeover switch S M0 , S
Three resistors R M0 , R M1 , and R M2 each having a resistance value of 2R are connected between the common contact of M1 and S M2 and the output terminal V OUT . Thus, the resistors R M0 , R M1 , and R M2 form the 2R circuit 8, and the changeover switch S
The second switch group 9 is composed of M0 , S M1 and S M2 .

【0017】なお、第1スイッチ群7の各切換スイッチ
0 〜S5 は、下位6ビットの対応するビットが「1」
のときは、基準電圧VREF 側に切換えられる一方、
「0」のときはグランド電位GND側に切換えられる。
また、第2スイッチ群7の各切換スイッチSM0,SM1
M2は、上位2ビットの状態に応じて下表に示すように
それぞれ切換えられる。
In each of the changeover switches S 0 to S 5 of the first switch group 7, the corresponding lower 6 bits are "1".
In the case of, while being switched to the reference voltage V REF side,
When it is "0", it is switched to the ground potential GND side.
Further, the changeover switches S M0 , S M1 ,
S M2 is switched as shown in the table below according to the state of the upper 2 bits.

【0018】[0018]

【表1】 [Table 1]

【0019】同表中、B7 は最上位ビットを表し、B6
は次の位のビットを表す。また、GNDは切換スイッチ
M0,SM1,SM2がグランド電位GND側に切換えら
れ、VRE F は基準電圧VREF 側に切換えられることをそ
れぞれ示す。
In the table, B 7 represents the most significant bit, and B 6
Represents the next significant bit. Further, GND denotes changeover switch S M0, S M1, S M2 is switched to the ground potential GND side, V RE F is that is switched to the reference voltage V REF side.

【0020】このディジタル・アナログ変換器の作用に
ついて、図15に示す従来のディジタル・アナログ変換
器と比較しながら次に説明する。
The operation of this digital-analog converter will be described below in comparison with the conventional digital-analog converter shown in FIG.

【0021】いま、図15に示すディジタル・アナログ
変換器において、例えば切換スイッチS3 が基準電圧V
REF 側に切換えられ、他の切換スイッチS0 〜S2 ,S
4 〜S7 がグランド電位GND側に切換えられる場合に
ついて考える。この場合、図15のC点より左側の合成
抵抗値はRであるので、D点より左側の合成抵抗値は2
Rとなる。一方、D点より上側の抵抗値も2Rである。
したがって、D点より上側と左側の両方をみると、合成
抵抗値はRとなる。その結果、D点はE点の1/2の電
圧となる。以上の関係は、図15のA〜Hの全ての点で
成立する。
Now, in the digital-analog converter shown in FIG. 15, for example, the changeover switch S 3 has a reference voltage V.
Switched to the REF side and the other changeover switches S 0 to S 2 , S
Consider a case where 4 to S 7 are switched to the ground potential GND side. In this case, since the combined resistance value on the left side of point C in FIG. 15 is R, the combined resistance value on the left side of point D is 2
It becomes R. On the other hand, the resistance value above the point D is also 2R.
Therefore, the combined resistance value becomes R when viewing both the upper side and the left side of the point D. As a result, the voltage at point D becomes half the voltage at point E. The above relationships are established at all points A to H in FIG.

【0022】したがって、上記アナログ・ディジタル変
換器の出力電圧VOUT は、一般的に次式により表わされ
る。
Therefore, the output voltage V OUT of the analog-to-digital converter is generally expressed by the following equation.

【0023】[0023]

【数1】 [Equation 1]

【0024】ここで、b0 〜b7 は、各切換スイッチS
0 〜S7 が基準電圧VREF 側に接続されているとき
「1」に、グランド電位GND側に接続されているとき
「0」になる数とする。
Here, b 0 to b 7 are respective changeover switches S
The numbers 0 to S 7 are “1” when connected to the reference voltage V REF side and “0” when connected to the ground potential GND side.

【0025】こうして、ディジタル信号の対応するビッ
トの状態に応じて各切換スイッチS0 〜S7 をそれぞれ
切換えることにより、8ビットのディジタル・アナログ
変換器が実現される。
In this way, an 8-bit digital-analog converter is realized by switching each of the changeover switches S 0 to S 7 according to the state of the corresponding bit of the digital signal.

【0026】一方、図1に示される本願実施例のディジ
タル・アナログ変換器は、図2に示すように書き直せ
る。ここでV1 は図1のG点より左側の電圧を表し、V
2 は同じくG点より右側の電圧を表す。
On the other hand, the digital-analog converter of the present embodiment shown in FIG. 1 can be rewritten as shown in FIG. Here, V 1 represents the voltage on the left side of point G in FIG.
Similarly, 2 represents the voltage on the right side of point G.

【0027】電圧V1 は、数1と同様の方法で求めら
れ、下記式により表わされる。
The voltage V 1 is obtained by the same method as the equation 1, and is represented by the following equation.

【0028】[0028]

【数2】 [Equation 2]

【0029】また、V2 は、次式により表わされる。V 2 is represented by the following equation.

【0030】[0030]

【数3】 [Equation 3]

【0031】ここで、bM0,bM1,bM2は、切換スイッ
チSM0,SM1,SM2が基準電圧VREF 側に接続されると
き「1」に、グランド電位GND側に接続されるときに
「0」となる数とする。
Here, b M0 , b M1 and b M2 are connected to "1" when the changeover switches S M0 , S M1 and S M2 are connected to the reference voltage V REF side and are connected to the ground potential GND side. Sometimes it is set to "0".

【0032】したがって、出力電圧VOUT は、テブナン
の定理を用いて、下記式により表わされる。
Therefore, the output voltage V OUT is expressed by the following equation using Thevenin's theorem.

【0033】[0033]

【数4】 [Equation 4]

【0034】数4に数2および数3を代入すると、Substituting equations 2 and 3 into equation 4,

【0035】[0035]

【数5】 [Equation 5]

【0036】数1のb6 ,b7 と、数5のbM0,bM1
M2の関係を整理すると、下表のようになる。
B 6 and b 7 of the equation 1 and b M0 , b M1 of the equation 5
b The following table shows the relationship of M2 .

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】すなわち、 26 ・b6 +27 ・b7 =26 ・(bM0+bM1+bM2) となる。That is, 2 6 · b 6 +2 7 · b 7 = 2 6 · (b M0 + b M1 + b M2 )

【0039】次に、本願実施例のディジタル・アナログ
変換器により単調性が改善される点について説明する。
図3は図15の従来回路において、各抵抗の抵抗値R,
2Rが(1+δ)だけずれている状態を示し、図4は図
1の本願実施例回路において、各抵抗体R1 〜R13,R
M0〜RM2の抵抗値R,2Rが(1+δ)だけずれている
状態を示す。
Next, the point where the monotonicity is improved by the digital-analog converter of the present embodiment will be described.
FIG. 3 shows the resistance value R of each resistor in the conventional circuit of FIG.
2R is shifted by (1 + δ), and FIG. 4 shows the resistors R 1 to R 13 , R in the circuit of the present embodiment shown in FIG.
Shows a state where the resistance value of the M0 ~R M2 R, 2R are shifted by (1 + δ).

【0040】図3の従来回路において、最も単調性が阻
害され易い点は、最も大きなウェイトを持つ切換スイッ
チS7 の切換えがなされるときである。すなわち、b7
=0,b6 =b5 =b4 =b3 =b2 =b1 =b0 =1
の状態から、b7 =1,b6 =b5 =b4 =b3 =b2
=b1 =b0 =0の状態に変化するときである。
In the conventional circuit of FIG. 3, the point where monotonicity is most likely to be disturbed is when the changeover switch S 7 having the largest weight is changed over. That is, b 7
= 0, b 6 = b 5 = b 4 = b 3 = b 2 = b 1 = b 0 = 1
From the state of, b 7 = 1, b 6 = b 5 = b 4 = b 3 = b 2
= B 1 = b 0 = 0.

【0041】ディジタル信号(b7 ,b6 ,b5
4 ,b3 ,b2 ,b1 ,b0 )が(1,0,0,0,0,0,0,0)
で与えられるとき、図3の回路は図5のように表わされ
る。
Digital signals (b 7 , b 6 , b 5 ,
b 4 , b 3 , b 2 , b 1 , b 0 ) is (1,0,0,0,0,0,0,0)
The circuit of FIG. 3 is represented as in FIG.

【0042】いま、A点から左を見たインピーダンスZ
A を求めると、次のようになる。
Impedance Z seen from point A to the left
If we ask for A, we get:

【0043】[0043]

【数6】 [Equation 6]

【0044】ここで、δ2 ,δ1 <<1として2次以上の
項を無視する(ニュートンの一次近似)と、ZA は次の
ようになる。
Here, when δ 2 and δ 1 << 1 and the terms of the second or higher order are ignored (Newton's first-order approximation), Z A is as follows.

【0045】[0045]

【数7】 [Equation 7]

【0046】同様にして、B点から左を見たインピーダ
ンスZB は、次のようになる。
Similarly, the impedance Z B as seen from the point B to the left is as follows.

【0047】[0047]

【数8】 [Equation 8]

【0048】同様にして、C点から左を見たインピーダ
ンスZC は、次のようになる。
Similarly, the impedance Z C viewed from the point C to the left is as follows.

【0049】[0049]

【数9】 [Equation 9]

【0050】この方程式は、2Rの大きさの抵抗(接点
・接地間抵抗)に対しては、最初1/2で、1段下位ビ
ット側に行くに従って1/4倍ずつ減少していく。一
方、Rの大きさの抵抗(節点間の抵抗)に対しては、最
初1/4で、1段下位ビットに行くに従って1/4倍ず
つ減少していく。
This equation is initially 1/2 for the resistance of 2R (contact-to-ground resistance), and decreases 1/4 as it goes to the lower bit side of the first stage. On the other hand, with respect to the resistance of R (resistance between nodes), it is 1/4 at first and decreases by 1/4 as it goes to the lower bit of one stage.

【0051】したがって、G点より左を見たインピーダ
ンスZG は、次のようになる。
Therefore, the impedance Z G viewed from the point G to the left is as follows.

【0052】[0052]

【数10】 [Equation 10]

【0053】したがって、H点から左を見たインピーダ
ンスZH は、次のようになる。
Therefore, the impedance Z H viewed from the point H to the left is as follows.

【0054】[0054]

【数11】 [Equation 11]

【0055】したがって、ディジタル信号(1,0,0,0,0,
0,0,0) が与えられたときの出力電圧VOUT (1,0,0,0,0,
0,0,0) は、次のようになる。
Therefore, the digital signal (1,0,0,0,0,
Output voltage V OUT (1,0,0,0,0, when 0,0,0) is given
0,0,0) is as follows.

【0056】[0056]

【数12】 [Equation 12]

【0057】一方、ディジタル信号が(0,1,1,1,1,1,1,
1) で与えられるとき、図3の回路は図6のように表わ
される。
On the other hand, the digital signal is (0,1,1,1,1,1,1,
When given in 1), the circuit of FIG. 3 is represented as in FIG.

【0058】重畳の理を使えば、図6の回路の出力電圧
は、図7の回路の出力電圧VOUT7から、図8の回路の出
力電圧VOUT8を引いたものとなる。
Using the principle of superposition, the output voltage of the circuit of FIG. 6 is the output voltage V OUT7 of the circuit of FIG. 7 minus the output voltage V OUT8 of the circuit of FIG.

【0059】そこで、図7の出力電圧VOUT7を求める
と、次のようになる。
Then, the output voltage V OUT7 of FIG. 7 is calculated as follows.

【0060】 VOUT7=VREF −VOUT (1,0,0,0,0,0,0,0) これに数12を代入して、V OUT7 = V REF −V OUT (1,0,0,0,0,0,0,0) Substituting equation 12 into this,

【0061】[0061]

【数13】 [Equation 13]

【0062】また、図8の出力電圧VOUT8を求めると、
次のようになる。この場合、図8の回路は、抵抗2R
(1+δi )(i=1,2,4,6,8,10,12,14,16) の接地状態に
対し、1ビット相当の抵抗2R(1+δ1 )がVREF
接続された状態に相当する。したがって、
Further, when the output voltage V OUT8 in FIG. 8 is obtained,
It looks like this: In this case, the circuit of FIG.
With respect to the grounded state of (1 + δ i ) (i = 1,2,4,6,8,10,12,14,16), the resistor 2R (1 + δ 1 ) corresponding to 1 bit is connected to V REF. Equivalent to. Therefore,

【0063】[0063]

【数14】 [Equation 14]

【0064】となる。ただし、δerror はδ0 〜δ15
よって生じる誤差成分である。
It becomes However, δ error is an error component caused by δ 0 to δ 15 .

【0065】したがって、図6の回路の出力電圧、言い
換えればディジタル信号が(0,1,1,1,1,1,1,1) で与えら
れるときの出力電圧VOUT (0,1,1,1,1,1,1,1) は、数1
3および数14を用いて次のように表わせる。
Therefore, the output voltage of the circuit of FIG. 6, that is, the output voltage V OUT (0,1,1) when the digital signal is given by (0,1,1,1,1,1,1,1) , 1,1,1,1,1,1) is the number 1
It can be expressed as follows using 3 and Equation 14.

【0066】[0066]

【数15】 [Equation 15]

【0067】そこで、VOUT (1,0,0,0,0,0,0,0) とV
OUT (0,1,1,1,1,1,1,1) との差電圧ΔVOUT を、数1
2及び数15を用いて求めると、次のようになる。
Therefore, V OUT (1,0,0,0,0,0,0,0) and V OUT
The difference voltage ΔV OUT from OUT (0,1,1,1,1,1,1,1,1) is
When calculated using 2 and Equation 15, the result is as follows.

【0068】[0068]

【数16】 [Equation 16]

【0069】ここで、δerror は極めて小さな値である
ため、無視でき、次のように表わせる。
Here, δ error is an extremely small value and can be ignored, and can be expressed as follows.

【0070】[0070]

【数17】 [Equation 17]

【0071】数17は、ディジタル信号が(0,1,1,1,1,
1,1,1) から(1,0,0,0,0,0,0) に変化したときの出力電
圧VOUT の変化量を示すため、図3の従来回路の場合、
ほぼδ16として1/27 以上となったときに、単調性が
阻害されることが分る。
Equation 17 shows that the digital signal is (0, 1, 1, 1, 1,
In order to show the change amount of the output voltage V OUT when changing from (1,1,1) to (1,0,0,0,0,0,0), in the case of the conventional circuit of FIG.
It can be seen that monotonicity is hindered when δ 16 becomes 1/2 7 or more.

【0072】これに対し、図4に示される本願実施例の
回路において、最も単調性が阻害され易い点は、最も大
きなウェイトを持つ切換スイッチSM0,SM1,SM2の切
換えがなされるときである。すなわち、次の3つの場合
である。
On the other hand, in the circuit of the embodiment of the present invention shown in FIG. 4, the point that monotonicity is most likely to be disturbed is when the changeover switches S M0 , S M1 and S M2 having the largest weight are changed over. Is. That is, there are the following three cases.

【0073】(i) bM2=0,bM1=0,bM0=0,b
5 =b4 =b3 =b2 =b1 =1の状態から、bM2
0,bM1=0,bM0=1,b5 =b4 =b3 =b2 =b
1 =b0 =0の状態に変化する場合。
(I) b M2 = 0, b M1 = 0, b M0 = 0, b
From the state of 5 = b 4 = b 3 = b 2 = b 1 = 1, b M2 =
0, b M1 = 0, b M0 = 1, b 5 = b 4 = b 3 = b 2 = b
When changing to the state of 1 = b 0 = 0.

【0074】(ii) bM2=0,bM1=0,bM0=1,b
5 =b4 =b3 =b2 =b1 =b0 =1の状態から、b
M2=0,bM1=1,bM0=1,b5 =b4 =b3 =b2
=b1 =b0 =0の状態に変化する場合。
(Ii) b M2 = 0, b M1 = 0, b M0 = 1, b
From the state of 5 = b 4 = b 3 = b 2 = b 1 = b 0 = 1
M2 = 0, b M1 = 1 , b M0 = 1, b 5 = b 4 = b 3 = b 2
= B 1 = b 0 = 0.

【0075】(iii) bM2=0,bM1=1,bM0=1,b
5 =b4 =b3 =b2=b1 =b0 =1の状態から、b
M2=1,bM1=1,bM0=1,b5 =b4 =b3 =b2
=b1 =b0 =0の状態に変化する場合。
(Iii) b M2 = 0, b M1 = 1 and b M0 = 1 and b
From the state of 5 = b 4 = b 3 = b 2 = b 1 = b 0 = 1
M2 = 1, b M1 = 1 , b M0 = 1, b 5 = b 4 = b 3 = b 2
= B 1 = b 0 = 0.

【0076】これらの場合の出力電極VOUT の変化量
は、図3の従来回路で求めた方法と同様の方法を用いて
求めると、それぞれほぼ次式で与えられる。
The amount of change in the output electrode V OUT in these cases is approximately given by the following equations when obtained using the same method as that obtained in the conventional circuit of FIG.

【0077】(i) の場合:In the case of (i):

【0078】[0078]

【数18】 [Equation 18]

【0079】(ii)の場合:In case of (ii):

【0080】[0080]

【数19】 [Formula 19]

【0081】(iii) の場合:In the case of (iii):

【0082】[0082]

【数20】 [Equation 20]

【0083】数18ないし数20から分るように、本願
実施例の回路では、ほぼδM0,δM1,δM2として1
/26 以上になったときに単調性が阻害される。
As can be seen from Eqs. 18 to 20, in the circuit of the present embodiment, δ M0 , δ M1 , and δ M2 are approximately 1
Monotonicity is hindered when the value exceeds / 26 .

【0084】すなわち、図4の本願実施例の回路は、図
3の従来回路に比べて、単調性を維持するために、抵抗
比が倍ずれてもよいことを示している。
That is, the circuit of the embodiment of the present invention shown in FIG. 4 shows that the resistance ratio may be doubled in order to maintain monotonicity as compared with the conventional circuit of FIG.

【0085】このように、図1の本願実施例の回路は、
図15の従来回路に比べて単調性を維持し易いが、その
理由は、図15の回路では、切換スイッチS7 の切換に
よる出力電圧VOUT の変化量が、切換スイッチS0 のそ
れに比べて27 倍であるのに対し、図1の回路では、切
換スイッチSM0,SM1,SM2の切換による出力電圧V
OUT の変化量が、切換スイッチS0 のそれら比べて26
倍にとどまるためである。
As described above, the circuit of the present embodiment of FIG.
The monotonicity is easier to maintain as compared with the conventional circuit of FIG. 15. The reason is that in the circuit of FIG. 15, the change amount of the output voltage V OUT due to the changeover of the changeover switch S 7 is larger than that of the changeover switch S 0. In the circuit of FIG. 1, the output voltage V by switching the changeover switches S M0 , S M1 , S M2 is 2 7 times.
The change amount of OUT is 2 6 compared to those of the changeover switch S 0.
This is because it stays double.

【0086】したがって、第1ディジタル・アナログ変
換回路4の切換スイッチS0 〜S5 および抵抗R2 〜R
13の数を下位ビットのビット数に合わせて一定とし、第
2ディジタル・アナログ変換回路5の切換スイッチSM0
〜SM2および抵抗RMo〜RM2の数を上位ビットのビット
数よりも増やすことにより、抵抗比精度を良くしなくて
も、単調性を維持することができる。
Therefore, the changeover switches S 0 to S 5 and the resistors R 2 to R of the first digital-analog conversion circuit 4 are arranged.
The number of 13 is fixed according to the number of lower bits, and the changeover switch S M0 of the second digital-analog conversion circuit 5 is set.
By increasing the numbers of ˜S M2 and resistors R Mo ˜R M2 beyond the number of upper bits, monotonicity can be maintained without improving the resistance ratio accuracy.

【0087】以上は、8ビットのディジタル信号をアナ
ログ信号に変換する場合について説明したが、一般に、
下位ビットのビット数がNL 、上位ビットのビット数が
U のディジタル信号をアナログ信号に変換する場合に
は、図1の回路において、第1スイッチ群7の切換スイ
ッチおよびR−2R回路6のR,2Rの抵抗体をそれぞ
れNL 個設けるとともに、第2スイッチ群9の切換スイ
ッチおよび2R回路8の2Rの抵抗をそれぞれ2Nu−1
個設ければよい。そして、第1スイッチ群7の各切換ス
イッチが、下位ビットの対応するビットの状態に応じ
て、基準電圧VRE F 側とグランド電位GND側にそれぞ
れ切換えられるとともに、基準電圧VREF 側に切換えら
れる第2スイッチ群9の切換スイッチの個数が、上位ビ
ットの状態に応じて決定されるように構成すればよい。
Although the case of converting an 8-bit digital signal into an analog signal has been described above, in general,
When converting a digital signal in which the number of lower bits is N L and the number of upper bits is N U into an analog signal, the changeover switch of the first switch group 7 and the R-2R circuit 6 in the circuit of FIG. of R, resistor together with N L pieces provided each 2R, respectively 2 Nu resistance of 2R of the switch and the 2R circuit 8 of the second switch group 9 -1
You only have to provide one. Then, the selector switches in the first switch group 7, in accordance with the state of a corresponding bit of the lower bits, respectively with is switched to the reference voltage V RE F side and the ground potential GND side, is switched to the reference voltage V REF side The number of changeover switches of the second switch group 9 may be determined according to the state of the upper bits.

【0088】このように、ディジタル信号を下位のNL
ビットと上位のNU ビットにより一般的に表示した場合
には、ディジタル・アナログ変換器の図2に相当する回
路は図9のように表わせる。同図中N点は第1ディジタ
ル・アナログ変換回路4と第2ディジタル・アナログ変
換回路5の接続点、V1 はN点より第1ディジタル・ア
ナログ変換回路4側を見た場合の電圧、V2 はN点より
第2ディジタル・アナログ変換回路5側を見た場合の電
圧をそれぞれ表す。
In this way, the digital signal is converted to the lower N L
When generally represented by bits and upper N U bits, the circuit corresponding to FIG. 2 of the digital-analog converter can be represented as shown in FIG. In the figure, point N is the connection point between the first digital-analog conversion circuit 4 and the second digital-analog conversion circuit 5, V 1 is the voltage when the first digital-analog conversion circuit 4 side is viewed from the point N, V 2 represents the voltage when the second digital-analog conversion circuit 5 side is viewed from the N point.

【0089】このとき、V1 ,V2 は次のように表わさ
れる。
At this time, V 1 and V 2 are expressed as follows.

【0090】[0090]

【数21】 [Equation 21]

【0091】[0091]

【数22】 [Equation 22]

【0092】したがって、出力電圧VOUT は、Therefore, the output voltage V OUT is

【0093】[0093]

【数23】 [Equation 23]

【0094】で表わされる。It is represented by

【0095】参考のために、9ビットのディジタル信号
をアナログ信号に変換するディジタル・アナログ変換器
を図10に示す。ただし、下位ビットのビット数NL
「6」、上位ビットのビット数NU が「3」に設定され
ている。この場合、第2ディジタル・アナログ変換回路
5に設けられる切換スイッチおよび抵抗の数は、 2Nu−1=23 −1=7 より7個それぞれ設けられる。
For reference, a digital-analog converter for converting a 9-bit digital signal into an analog signal is shown in FIG. However, the bit number N L of the lower bits is set to “6” and the bit number N U of the upper bits is set to “3”. In this case, the number of changeover switches and resistors provided in the second digital-analog conversion circuit 5 is 7 from 2 Nu −1 = 2 3 −1 = 7.

【0096】そして、第2スイッチ群9の各切換スイッ
チSM0〜SM6が上位3ビットの状態に応じて下表に示す
ように、それぞれ切換えられる。
Then, the changeover switches S M0 to S M6 of the second switch group 9 are changed over according to the state of the upper 3 bits as shown in the table below.

【0097】[0097]

【表3】 [Table 3]

【0098】同表中、B6 ,B7 ,B8 は上位3ビット
を表す。また、GNDは、切換スイッチSM0〜SM6がグ
ランド電位GND側に切換えられ、VREF は基準電圧V
REF 側に切換えられることをそれぞれ示す。
In the table, B 6 , B 7 , and B 8 represent the upper 3 bits. Further, in the GND, the changeover switches S M0 to S M6 are switched to the ground potential GND side, and V REF is the reference voltage V
It shows that it can be switched to the REF side.

【0099】このディジタル・アナログ変換器の出力電
圧VOUT は、NL =6,NU =3を数23に代入するこ
とによって、次のように表わされる。
The output voltage V OUT of this digital-analog converter is expressed as follows by substituting N L = 6 and N U = 3 into the equation 23.

【0100】[0100]

【数24】 [Equation 24]

【0101】このディジタル・アナログ変換器によって
も、上記実施例と同様の効果が得られる。
With this digital-to-analog converter, the same effect as that of the above embodiment can be obtained.

【0102】なお、上記実施例では、第1入力端子1に
基準電圧VREF を、第2入力端子2にグランド電位GN
Dをそれぞれ印加しているが、印加される電圧の大きさ
は特に問わない。要は、第1入力端子1と第2入力端子
2に、相互に電圧値の異なる第1基準電位と第2基準電
位をそれぞれ印加しさえすればよい。
In the above embodiment, the reference voltage V REF is applied to the first input terminal 1 and the ground potential GN is applied to the second input terminal 2.
Although each D is applied, the magnitude of the applied voltage is not particularly limited. In short, it is only necessary to apply the first reference potential and the second reference potential having different voltage values to the first input terminal 1 and the second input terminal 2, respectively.

【0103】B.抵抗素子のレイアウトとその効果 図1のディジタル・アナログ変換器は、複数の抵抗素子
を半導体ウエハ上に形成し、それら抵抗素子を適宜電気
的に接続することにより構成される。すなわち、各抵抗
素子は第1導電型の半導体ウエハの所定領域に不純物を
拡散させたり、適当なイオンを注入することによって第
2導電型の帯状の半導体層として形成され、このような
帯状の抵抗素子が複数個、それぞれ抵抗値Rを有するよ
うに同一の形状,同一の大きさに揃えられて半導体ウエ
ハ上に並列して配置される。そして、1つの抵抗素子に
よりRの抵抗値を有する抵抗体が、また2つの抵抗素子
を直列に接続することにより2Rの抵抗値を有する抵抗
体が形成される。
B. Layout of Resistive Elements and Their Effects The digital-analog converter of FIG. 1 is formed by forming a plurality of resistive elements on a semiconductor wafer and electrically connecting the resistive elements appropriately. That is, each resistance element is formed as a band-shaped semiconductor layer of the second conductivity type by diffusing impurities or implanting appropriate ions into a predetermined region of a semiconductor wafer of the first conductivity type. A plurality of elements are arranged in parallel on a semiconductor wafer so as to have the same shape and the same size so that each element has a resistance value R. Then, a resistor having a resistance value of R is formed by one resistance element, and a resistor having a resistance value of 2R is formed by connecting two resistance elements in series.

【0104】ところで、上記のようにして抵抗素子を形
成した場合、すべての抵抗素子の抵抗値を一定値Rにす
る必要があるが、半導体ウエハの中央部と周辺部とでは
拡散やイオン注入に対する条件が多少異なるため、すべ
ての抵抗素子の抵抗値を一定値Rに揃えることは実際上
は困難である。一般には、各抵抗素子の抵抗値がその配
列方向に沿って直線的に変化することが多い。また、上
記抵抗素子の周辺に配置される各素子の発熱が均一でな
いと、それら抵抗素子が配列されている領域の温度分布
が不均一となって、各抵抗素子の抵抗値の変化にばらつ
きが生じる。したがって、単に抵抗体R1 〜R7 、RM0
〜RM2を構成する抵抗素子をその順序で、すなわち下位
ビットに対する抵抗素子から上位ビットに対する抵抗素
子の順に隣り合うように、一列に配列して配線したとき
には、抵抗値の精度悪化によって単調性を維持すること
ができなくなるおそれがある。
By the way, when the resistance elements are formed as described above, it is necessary to set the resistance value of all the resistance elements to a constant value R. However, in the central portion and the peripheral portion of the semiconductor wafer, diffusion or ion implantation is not required. Since the conditions are slightly different, it is practically difficult to make the resistance values of all the resistance elements equal to the constant value R. In general, the resistance value of each resistance element often changes linearly along the arrangement direction. Further, if the heat generated by each element arranged around the resistance element is not uniform, the temperature distribution in the region where the resistance elements are arranged becomes non-uniform, and the variation in the resistance value of each resistance element varies. Occurs. Therefore, the resistors R 1 to R 7 and R M0 are simply included.
When the resistance elements forming the R M2 are arranged in a line in such a manner that the resistance elements for the lower bits are adjacent to the resistance elements for the higher bits, the resistance elements are monotonic due to deterioration in accuracy of the resistance value. It may not be able to be maintained.

【0105】そこで、この発明では、抵抗素子を以下に
説明するように配置し、ディジタル・アナログ変換器の
単調性を維持している。
Therefore, in the present invention, the resistance element is arranged as described below to maintain the monotonicity of the digital-analog converter.

【0106】図11は、図1のディジタル・アナログ変
換器を構成する抵抗素子のレイアウトの第1実施例を示
す平面図である。同図に示すように、複数の抵抗素子r
M0a ,rM1a ,..がX方向に一定間隔で一列に配置さ
れており、このうち2R回路8を構成する抵抗素子が基
準線RLに対し対称に配置されている。すなわち、抵抗
体RM0を構成する抵抗素子rM0a ,rM0b が、また抵抗
体RM1を構成する抵抗素子rM1a ,rM1b が、また抵抗
体RM2を構成する抵抗素子rM2a ,rM2b がそれぞれ基
準線RLに対し対称に配置されている。一方、R−2R
回路6では、抵抗体R7 ,R13,R6 ,R12,... を構
成する抵抗素子r7 ,r13b ,r13a ,r6 ,r12b
12a...がこの順序で一列に配置されている。なお、こ
の実施例では、基準線RLから抵抗素子までの距離をX
方向を正とし、(−X)方向を負としている。
FIG. 11 is a plan view showing a first embodiment of the layout of the resistance elements which form the digital-analog converter of FIG. As shown in FIG.
M0a , r M1a ,. . Are arranged in a line in the X direction at regular intervals, and the resistance elements forming the 2R circuit 8 are arranged symmetrically with respect to the reference line RL. That is, the resistance element r M0a constituting the resistance R M0, r M0b is also resistive element r M1a constituting the resistance R M1, r M1b is also resistive element r M2a constituting the resistance R M2, r M2b Are arranged symmetrically with respect to the reference line RL. On the other hand, R-2R
In the circuit 6, the resistive elements r 7 , r 13b , r 13a , r 6 , r 12b , which form the resistors R 7 , R 13 , R 6 , R 12 ,.
r 12a. .. they are arranged in a row in this order. In this embodiment, the distance from the reference line RL to the resistance element is X.
The direction is positive and the (-X) direction is negative.

【0107】以上のように、この実施例では、ディジタ
ル・アナログ変換器の単調性に重大な影響を与える2R
回路8を対称配置された抵抗素子rM0a とrM0b ,r
M1a とrM1b ,rM2a とrM2b によって構成しているの
で、2R回路8では抵抗素子の形成位置の違い等による
抵抗値の誤差が相殺されて、ディジタル・アナログ変換
器の単調性を維持することができる。なお、その定量的
説明は後述する。
As described above, in this embodiment, 2R which seriously affects the monotonicity of the digital-analog converter.
Resistor elements r M0a and r M0b , r in which the circuit 8 is symmetrically arranged
Since it is composed of M1a and r M1b and r M2a and r M2b , the error of the resistance value due to the difference in the formation position of the resistance element in the 2R circuit 8 is offset, and the monotonicity of the digital-analog converter is maintained. be able to. The quantitative description will be given later.

【0108】図12は、図1のディジタル・アナログ変
換器を構成する抵抗素子のレイアウトの第2実施例を示
す平面図である。同図に示すように、この第2実施例で
は、2R回路8のみならずR−2R回路6の一部につい
ても、抵抗素子が基準線RLに対し対称配置されてい
る。すなわち、1組の抵抗素子対r7 ,r13b が基準線
RLに対し対称となっている。なお、その他の構成につ
いては、第1実施例と同一である。
FIG. 12 is a plan view showing a second embodiment of the layout of the resistance elements which form the digital-analog converter of FIG. As shown in the figure, in this second embodiment, not only the 2R circuit 8 but also a part of the R-2R circuit 6, the resistance elements are arranged symmetrically with respect to the reference line RL. That is, one set of resistance element pair r 7 and r 13b is symmetrical with respect to the reference line RL. The other configurations are the same as those in the first embodiment.

【0109】このように、R−2R回路6の一部につい
ても抵抗素子を対称配置することによってR−2R回路
6の抵抗値の誤差が少なくなり、ディジタル・アナログ
変換器の特性向上を図ることができる。
By arranging the resistance elements symmetrically in a part of the R-2R circuit 6 as described above, the error of the resistance value of the R-2R circuit 6 is reduced and the characteristics of the digital-analog converter are improved. You can

【0110】次に、第1実施例の効果および第2実施例
による効果を第1実施例と比較しながら定量的に説明す
る。ここで、抵抗素子の抵抗値は基準線RLに垂直な方
向(X方向)に直線的に比例定数αで変化し、基準線R
Lでの抵抗値が基準抵抗値Rとする。したがって、基準
線RLからにX方向に距離dだけ離れた抵抗素子の抵抗
値Rd は、 Rd =R(1+δi )=R(1+d・α) ただし、δi は抵抗素子ri の誤差成分である、とな
る。
Next, the effects of the first embodiment and the effects of the second embodiment will be described quantitatively while comparing with the first embodiment. Here, the resistance value of the resistance element changes linearly in the direction (X direction) perpendicular to the reference line RL by the proportional constant α, and the reference line R
The resistance value at L is the reference resistance value R. Therefore, the resistance value R d of the resistance element separated from the reference line RL by the distance d in the X direction is R d = R (1 + δ i ) = R (1 + d · α) where δ i is the error of the resistance element r i . It is an ingredient.

【0111】最も単調性が阻害され易いのは、上記のよ
うに、ディジタル信号(0,1,1,1,1,1,1,1) がディジタル
信号(1,0,0,0,0,0,0,0) に切り換わるときである。そこ
で、上記と同様にして、差電圧ΔVOUT を求めると、次
式となる。
As described above, the digital signal (0,1,1,1,1,1,1,1,1) is most likely to be impaired in monotonicity when the digital signal (1,0,0,0,0). , 0,0,0). Therefore, when the difference voltage ΔV OUT is obtained in the same manner as above, the following equation is obtained.

【0112】[0112]

【数25】 [Equation 25]

【0113】ただし、δoiは2R回路8全体の誤差であ
る。なお、数25において、下位ビットの影響は小さい
ために、下位ビットの抵抗素子の誤差については無視し
ている。
However, δ oi is the error of the entire 2R circuit 8. In Expression 25, since the influence of the lower bit is small, the error of the resistance element of the lower bit is ignored.

【0114】数25のうち電圧変化誤差Verror を取り
出すと、
Taking out the voltage change error V error from the equation 25,

【0115】[0115]

【数26】 [Equation 26]

【0116】ただし、LSB=VREF /28 となる。However, LSB = V REF / 2 8 .

【0117】数26からわかるように、δoiが電圧変化
誤差Verror に与える影響が最も大きく、一般的にはδ
oiをゼロに設定することが好適である。上記のように2
R回路8を対称配置した場合には、値δoiがゼロとな
り、電圧変化誤差Verror は比較的小さくなる。なお、
その時のVerror の値は以下のようにして求まる。
As can be seen from equation 26, δ oi has the greatest effect on the voltage change error V error , and in general δ oi
Setting oi to zero is preferred. 2 as above
When the R circuits 8 are symmetrically arranged, the value δ oi becomes zero and the voltage change error V error becomes relatively small. In addition,
The value of V error at that time is obtained as follows.

【0118】上記のように、第1及び第2実施例では基
準線RLに対称に配置された抵抗素子によって2R回路
8を構成しているので、値δoiはゼロである。また、抵
抗素子の誤差成分は基準線RLからの距離dに比例する
ので、数26は
As described above, in the first and second embodiments, since the 2R circuit 8 is composed of the resistance elements symmetrically arranged on the reference line RL, the value δ oi is zero. Since the error component of the resistance element is proportional to the distance d from the reference line RL,

【0119】[0119]

【数27】 となる。[Equation 27] Becomes

【0120】図11からわかるように、第1実施例で
は、距離d7 ,d13b ,d13a ,d6 ,d12b
12a ,d5 はそれぞれ7,9,11,13,15,1
7,19であるので、これらの値を数27に代入して、
電圧変化誤差Verror を求めると、 Verror =590α・LSB が得られる。
As can be seen from FIG. 11, in the first embodiment, the distances d 7 , d 13b , d 13a , d 6 , d 12b ,
d 12a and d 5 are 7, 9, 11, 13, 15, 1 respectively
Since these are 7, 19, these values are substituted into Equation 27,
When the voltage change error V error is calculated, V error = 590α · LSB is obtained.

【0121】一方、第2実施例では、図12に示すよう
に距離d7 ,d13b ,d13a ,d6 ,d12b ,d12a
5 はそれぞれ−7,7,9,11,13,15,17
である。したがって、これらの値を数27に代入して、
電圧変化誤差Verror を求めると、 Verror =82α・LSB が得られる。
On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. 12, the distances d 7 , d 13b , d 13a , d 6 , d 12b , d 12a ,
d 5 is -7, 7, 9, 11, 13, 15, 17 respectively.
Is. Therefore, by substituting these values into Equation 27,
When the voltage change error V error is calculated, V error = 82α · LSB is obtained.

【0122】このように、2R回路8のみならずR−2
R回路6の1組の抵抗素子対R7 ,R13b を基準線RL
に対し対称配置することによって、電圧変化誤差V
error が小さくなる。例えば、上記第2実施例によれ
ば、電圧変化誤差は第1実施例の0.14倍となり、抵
抗素子の精度悪化の影響を受け難くなり、第1実施例に
比べディジタル・アナログ変換器の特性を向上させるこ
とができる。その結果、高精度のディジタル・アナログ
変換器が得られる。
Thus, not only the 2R circuit 8 but also the R-2
The resistance element pair R 7 , R 13b of the R circuit 6 is connected to the reference line RL.
By arranging symmetrically with respect to
error becomes smaller. For example, according to the second embodiment, the voltage change error is 0.14 times that of the first embodiment, and is less susceptible to the deterioration of the accuracy of the resistance element. The characteristics can be improved. As a result, a highly accurate digital-analog converter can be obtained.

【0123】図13は、図1のディジタル・アナログ変
換器を構成する抵抗素子のレイアウトの第3実施例を示
す平面図である。この第3実施例では、同図に示すよう
に、R−2R回路6を構成する抵抗素子のうち、対称配
置する抵抗素子を増やしたものである。すなわち、R−
2R回路6において、抵抗素子対r7,r13a が、さら
に抵抗素子対r13b ,r6がそれぞれ基準線RLに対し
対称となっている。なお、その他の構成については、第
1実施例と同一である。
FIG. 13 is a plan view showing a third embodiment of the layout of the resistance elements forming the digital-analog converter of FIG. In the third embodiment, as shown in the figure, among the resistance elements constituting the R-2R circuit 6, the number of symmetrically arranged resistance elements is increased. That is, R-
In the 2R circuit 6, the resistance element pair r 7 and r 13a and the resistance element pair r 13b and r 6 are symmetrical with respect to the reference line RL. The other configurations are the same as those in the first embodiment.

【0124】次に、上記と同様にして第3実施例におけ
る電圧変化誤差を求め、第3実施例の効果について説明
する。この実施例では、同図に示すように、距離d7
13 a ,d13b ,d6 ,d12b ,d12a ,d5 はそれぞ
れ−7,7,−9,9,11,13,15であるので、
これらの値を数27に代入して、電圧変化誤差Verro r
を求めると、 Verror =−134α・LSB が得られる。
Next, the voltage change error in the third embodiment is obtained in the same manner as described above, and the effect of the third embodiment will be described. In this embodiment, as shown in the figure, the distance d 7,
d 13 a, d 13b, d 6, d 12b, d 12a, d 5 respectively -7,7, since it is -9,9,11,13,15,
Substituting these values into Equation 27, the voltage change error V erro r
Then, V error = −134α · LSB is obtained.

【0125】このように、抵抗素子r7 ,r13a を、ま
た抵抗素子r13b ,r6 を基準線RLに対し対称配置す
ることによって、第1実施例に比べ電圧変化誤差V
error が小さくなり、上記第2実施例と同様の効果が得
られる。
As described above, by arranging the resistance elements r 7 and r 13a and the resistance elements r 13b and r 6 symmetrically with respect to the reference line RL, the voltage change error V is different from that in the first embodiment.
The error is reduced, and the same effect as the second embodiment can be obtained.

【0126】図14は、図1のディジタル・アナログ変
換器を構成する抵抗素子のレイアウトの第4実施例を示
す平面図である。この第4実施例では、同図に示すよう
に、R−2R回路6を構成する抵抗素子のうち、対称配
置する抵抗素子の数をさらに増やしたものである。すな
わち、R−2R回路6において、抵抗素子対r7 ,r
13a が、また抵抗素子対r13b ,r6 が、さらに抵抗素
子対r12b 12a がそれぞれ基準線RLに対し対称とな
っている。なお、その他の構成については、第1実施例
と同一である。
FIG. 14 is a plan view showing a fourth embodiment of the layout of the resistance elements which form the digital-analog converter of FIG. In the fourth embodiment, as shown in the figure, among the resistance elements forming the R-2R circuit 6, the number of resistance elements symmetrically arranged is further increased. That is, in the R-2R circuit 6, the resistance element pair r 7 , r
13a , the resistance element pair r 13b and r 6 , and the resistance element pair r 12b r 12a are symmetrical with respect to the reference line RL. The other configurations are the same as those in the first embodiment.

【0127】次に、上記と同様にして第4実施例におけ
る電圧変化誤差を求め、第4実施例の効果について説明
する。この実施例では、同図に示すように、距離d7
13 a ,d13b ,d6 ,d12b ,d12a ,d5 はそれぞ
れ−7,7,−9,9,−11,11,13であるの
で、これらの値を数27に代入して、電圧変化誤差Ver
ror を求めると、 Verror =−142α・LSB が得られる。
Next, the voltage change error in the fourth embodiment is obtained in the same manner as described above, and the effect of the fourth embodiment will be described. In this embodiment, as shown in the figure, the distance d 7,
Since d 13 a , d 13b , d 6 , d 12b , d 12a and d 5 are -7, 7, -9, 9, -11, 11 and 13, respectively, substituting these values into Equation 27, Voltage change error Ver
When ror is calculated, V error = -142α · LSB is obtained.

【0128】以上のように、この第4実施例において
も、同様の効果が得られる。なお、R−2R回路6を構
成する抵抗素子のうち、対称配置する抵抗素子の組合せ
および組合せ数は上記第2ないし第4実施例に限定され
ず、任意である。
As described above, also in the fourth embodiment, the same effect can be obtained. It should be noted that, of the resistance elements forming the R-2R circuit 6, the combination and the number of combinations of the resistance elements symmetrically arranged are not limited to those in the above second to fourth embodiments, and are arbitrary.

【0129】[0129]

【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、上位ビットのディジタルデータに基づいて駆動され
る第2ディジタル・アナログ回路を基準線を対称中心と
し対称配置された2つの第2の抵抗素子を直列接続して
なる複数の抵抗体によって構成しているので、前記第2
ディジタル・アナログ回路における抵抗素子の誤差を相
殺することができ、高い抵抗比の抵抗を使用せずに、単
調性を維持しつつ高い分解能を得ることができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the second digital-analog circuit driven based on the higher-order digital data is symmetrically arranged about the reference line. Since it is composed of a plurality of resistors formed by connecting two resistance elements in series,
It is possible to cancel the error of the resistance element in the digital / analog circuit, and it is possible to obtain high resolution while maintaining monotonicity without using a resistor having a high resistance ratio.

【0130】請求項2の発明によれば、上記請求項1の
発明に加え、さらに前記複数の第1の抵抗素子のうち、
少なくとも1組以上の抵抗素子対を前記基準線に対し対
称配置しているので、第1ディジタル・アナログ回路に
おいても抵抗素子の誤差を一部相殺することができ、よ
り高い分解能を得ることができる。
According to the invention of claim 2, in addition to the invention of claim 1, among the plurality of first resistance elements,
Since at least one resistance element pair is symmetrically arranged with respect to the reference line, even in the first digital / analog circuit, the error of the resistance element can be partially canceled and higher resolution can be obtained. ..

【0131】請求項3の発明によれば、2R回路を構成
する抵抗体のうち、直列接続される2つの抵抗体を、第
1の方向に対して垂直な第2の方向に伸びた基準線を対
称中心として対称に配置され、かつ、複数の抵抗体が第
1及び第2の領域の間に位置する半導体基板の第3の領
域に配置しているので、第2ディジタル・アナログ回路
における抵抗素子の誤差を相殺することができ、高い分
解能を得ることができる。
According to the third aspect of the present invention, of the resistors forming the 2R circuit, two resistors connected in series are connected to a reference line extending in a second direction perpendicular to the first direction. Are arranged symmetrically with respect to the center of symmetry, and the plurality of resistors are arranged in the third region of the semiconductor substrate located between the first and second regions. Therefore, the resistance in the second digital / analog circuit is reduced. It is possible to cancel the error of the element and obtain high resolution.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例である8ビットのディジタ
ル・アナログ変換器を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an 8-bit digital-analog converter according to an embodiment of the present invention.

【図2】その等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram thereof.

【図3】従来回路において、抵抗にばらつきを持たせた
状態を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a state in which resistance is varied in a conventional circuit.

【図4】図1の回路において抵抗にばらつきを持たせた
状態を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a state in which resistance is varied in the circuit of FIG.

【図5】出力電圧の変化量を算出するための回路図であ
る。
FIG. 5 is a circuit diagram for calculating the amount of change in output voltage.

【図6】出力電圧の変化量を算出するための回路図であ
る。
FIG. 6 is a circuit diagram for calculating the amount of change in output voltage.

【図7】出力電圧の変化量を算出するための回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram for calculating the amount of change in output voltage.

【図8】出力電圧の変化量を算出するための回路図であ
る。
FIG. 8 is a circuit diagram for calculating the amount of change in output voltage.

【図9】一般化して表わされるディジタル・アナログ変
換器の等価回路を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing an equivalent circuit of a generalized digital-analog converter.

【図10】この発明の他の実施例である9ビットのディ
ジタル・アナログ変換器を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a 9-bit digital-analog converter that is another embodiment of the present invention.

【図11】図1のディジタル・アナログ変換器を構成す
る抵抗素子のレイアウトの第1実施例を示す平面図であ
る。
FIG. 11 is a plan view showing a first embodiment of the layout of the resistance elements forming the digital-analog converter of FIG.

【図12】図1のディジタル・アナログ変換器を構成す
る抵抗素子のレイアウトの第2実施例を示す平面図であ
る。
FIG. 12 is a plan view showing a second embodiment of the layout of the resistance elements forming the digital-analog converter of FIG.

【図13】図1のディジタル・アナログ変換器を構成す
る抵抗素子のレイアウトの第3実施例を示す平面図であ
る。
13 is a plan view showing a third embodiment of the layout of the resistance elements that form the digital-analog converter of FIG. 1. FIG.

【図14】図1のディジタル・アナログ変換器を構成す
る抵抗素子のレイアウトの第4実施例を示す平面図であ
る。
FIG. 14 is a plan view showing a fourth embodiment of the layout of the resistance elements that make up the digital-analog converter of FIG.

【図15】従来の8ビットのディジタル・アナログ変換
器を示す回路図である。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a conventional 8-bit digital-analog converter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4 第1ディジタル・アナログ変換
回路 5 第2ディジタル・アナログ変換
回路 R1 〜R7 ,RM0〜RM2 抵抗(抵抗体) r5 〜r7 ,rM0a ,rM0b ,rM1a ,rM1b
M2a ,rM2b 抵抗素子 RL 基準線
4 first digital-to-analog converter 5 second digital-analog converter circuit R 1 ~R 7, R M0 ~R M2 resistor (resistor) r 5 ~r 7, r M0a , r M0b, r M1a, r M1b,
r M2a , r M2b Resistance element RL Reference line

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1導電型の半導体領域に第1の方向に
同一形状及び同一の大きさで形成された第2導電型の半
導体層からなる複数の第1の抵抗素子をR−2R回路を
構成するように電気的に接続してなり、下位ビットのデ
ィジタルデータに基づいて駆動される第1ディジタル・
アナログ回路と、前記半導体領域に前記第1の方向に前
記第1の抵抗素子と同一形状及び同一の大きさで形成さ
れた第2導電型の半導体層からなる複数の第2の抵抗素
子を2R回路を構成するように電気的に接続してなり、
上位ビットのディジタルデータに基づいて駆動される第
2ディジタル・アナログ回路とを備え、前記上位ビット
と前記下位ビットからなる2進数のディジタル信号をア
ナログ信号に変換するディジタル・アナログ変換器にお
いて、 前記第2ディジタル・アナログ変換回路が、前記第1の
方向に対し垂直な第2の方向に伸びた基準線を対称中心
とし対称配置された2つの前記第2の抵抗素子を直列接
続してなる複数の抵抗体によって構成されたことを特徴
とするディジタル・アナログ変換器。
1. An R-2R circuit comprising a plurality of first resistance elements formed of a second conductivity type semiconductor layer formed in the first conductivity type semiconductor region in the first direction and having the same shape and the same size. Are electrically connected to form a first digital signal driven based on the lower bit digital data.
An analog circuit and a plurality of second resistance elements 2R composed of a second conductive type semiconductor layer formed in the semiconductor region in the first direction and having the same shape and size as the first resistance element 2R are provided. Electrically connected to form a circuit,
A second digital-analog circuit driven based on digital data of upper bits, wherein the second digital-analog converter converts a binary digital signal consisting of the upper bits and the lower bits into an analog signal, A plurality of two digital-analog converter circuits are formed by serially connecting two second resistance elements symmetrically arranged with a reference line extending in a second direction perpendicular to the first direction as a symmetry center. A digital-analog converter characterized by being constituted by a resistor.
【請求項2】 さらに、前記複数の第1の抵抗素子のう
ち、少なくとも1組以上の抵抗素子対が前記基準線に対
し対称配置された請求項1のディジタル・アナログ変換
器。
2. The digital-analog converter according to claim 1, wherein at least one or more pairs of resistance elements among the plurality of first resistance elements are symmetrically arranged with respect to the reference line.
【請求項3】 抵抗値がRになるように設定された半導
体層からなる抵抗体が第1の方向に所定間隔離隔して複
数配置され、これら複数の抵抗体が電気的に接続される
ことによってR−2R回路を構成し、少なくとも出力端
に接続される抵抗体が半導体基板の第1の領域に配置さ
れているとともに、残りの抵抗体が半導体基板の第2の
領域に配置され、下位ビットのディジタルデータに基づ
いて駆動される第1ディジタル・アナログ回路と、 抵抗値がRになるように設定された半導体層からなる抵
抗体が第1の方向に所定間隔離隔して複数配置され、こ
れら複数の抵抗体が電気的に接続されることによって2
R回路を構成し、直列接続される2つの抵抗体が、前記
第1の方向に対して垂直な第2の方向に伸びた基準線を
対称中心として対称に配置され、かつ、複数の抵抗体が
前記第1及び第2の領域の間に位置する半導体基板の第
3の領域に配置され、上位ビットのディジタルデータに
基づいて駆動される第2ディジタル・アナログ回路を備
えたディジタル・アナログ変換器。
3. A plurality of resistors, each of which is composed of a semiconductor layer whose resistance value is set to R, are arranged in the first direction at predetermined intervals, and the plurality of resistors are electrically connected. And a resistor connected to at least the output terminal is arranged in the first region of the semiconductor substrate, and the remaining resistors are arranged in the second region of the semiconductor substrate. A plurality of first digital / analog circuits driven based on bit digital data, and a plurality of resistors each including a semiconductor layer whose resistance value is set to R are separated by a predetermined distance in a first direction, By electrically connecting these resistors,
Two resistors, which form an R circuit and are connected in series, are arranged symmetrically with a reference line extending in a second direction perpendicular to the first direction as a center of symmetry, and a plurality of resistors. Is arranged in a third region of the semiconductor substrate located between the first and second regions, and is provided with a second digital-analog circuit driven based on digital data of upper bits. .
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