JPH05100183A - 半導体レーザ光源装置 - Google Patents

半導体レーザ光源装置

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JPH05100183A
JPH05100183A JP28363391A JP28363391A JPH05100183A JP H05100183 A JPH05100183 A JP H05100183A JP 28363391 A JP28363391 A JP 28363391A JP 28363391 A JP28363391 A JP 28363391A JP H05100183 A JPH05100183 A JP H05100183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
high resolution
light source
extremely high
semiconductor laser
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP28363391A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Ito
嘉則 伊藤
Shiro Ogata
司郎 緒方
Masami Tada
昌実 多田
Koichi Imanaka
行一 今仲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 形状を大きくすることなくビーム径を小さく
することができる半導体レーザ光源装置を提供する。 【構成】 光源3と集光レンズとして用いた超解像レン
ズレンズ10を一体化することにより、レンズ径や光源
の持つ外形形状が同じ大きさでもより小さなビーム径を
持つ集光スポットが得られ、また回折限界以上に集光ビ
ームを絞ることができるため、この光源を使用する機器
の性能を限界まで向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オプトエレクトロニク
ス等の光源に使用する半導体レーザ光源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、オプトエレクトロニクス等の光源
には半導体レーザ装置が使用されている。これは半導体
レーザ装置を発光源として用い、非球面レンズあるいは
マイクロフレネルレンズを集光レンズとして用い、これ
らを一体化して一つの光源としていた。
【0003】図9は従来から用いられている半導体レー
ザ光源装置であり、導電性材料で形成された円板状のス
テム1の表面中央に長方形状の凸部2を設け、その凸部
2の表面にヒートシンク4を介して半導体レーザ等の発
光素子3を実装する。そして発光素子3より下側に発光
素子3の出力光をモニタして、その発光素子の出力制御
を行うためのモニタ用受光素子5が設けられている。
【0004】これら発光素子3および受光素子4はステ
ム1に取付けられ頂部に円形の穴6aの穿設されたキャ
ップ6によって覆われ、ステム1のキャップ6と反対側
に入出力用の信号線およびアース端子からなるリード線
7a乃至7cが設けられている。それらリード線7a乃
至7cと内部電極との間はジャンパ線8によって接続さ
れ、また発光素子3で発生した光は光学素子としてのマ
イクロフレネルレンズ9で集光されるようになってい
る。
【0005】信号線として使用されるリード線7a、7
bはステム1に対して絶縁状態に貫通装着され、それぞ
れ発光素子とモニタ用受光素子5にジャンパ8を介して
電気的に接続されている。一方、アース端子として使用
されるリード線7cはステム1に対して電気的に接続す
るように植設され、発光素子3およびモニタ用受光素子
5にステム1を介して接続されている。
【0006】マイクロフレネルレンズ9は発光素子3か
ら発生した光をコリメートあるいは集光するものであ
り、そのレンズ部分周縁の平坦部分の1個所がステム1
の凸部2の先端に接着剤で接着されている。この様な半
導体光源装置は光ピックアップのセンサ等の光源として
使用される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な半導体レーザ光源装置は、レンズ径と開口数(NA)
により決まるビーム径の回折限界値以上には集光スポッ
トを絞り込むことはできないので、集光スポットのビー
ム径を小さくするにはレンズ径を大きくする必要があ
り、そのために光源全体が大きな形状となってしまうと
いう課題を有していた。
【0008】本発明はこの様な状況に鑑みてなされたも
ので、形状を大きくすることなくビーム径を小さくでき
る半導体レーザ光源装置を提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この様な課題を解決する
ために第1の発明は、半導体レーザ装置で発光したレー
ザ光を集光して送出する半導体レーザ光源装置におい
て、半導体レーザ装置と同一きょう体に収容された超解
像レンズを集光レンズとして使用することを特徴とする
ことを特徴とする。第2の発明は第1の発明において、
超解像レンズは超解像フレネルレンズによって構成され
ることを特徴とする。
【0010】
【作用】超解像レンズによって口径が同じであっても従
来の装置よりもビームスポット径を小さくすることがで
きる。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は本発明の半導体レーザ光源装置の一実施例
を示す斜視図であり、図9と同一部分は同記号を用いて
いる。図1において、10は超解像フレネルレンズであ
り、このレンズは例えば、マイクロフレネルレンズ(M
FL)のレンズ基板に遮光部を設け、マイクロフレネル
レンズの2P法による作製時にレンズパターンと基板上
の遮光パターンをアライメントし、図2に示すようにマ
イクロフレネルレンズ9の反対側に遮光部11を中央部
に設けることによって形成している。この様な超解像レ
ンズとして、例えばレンズの面積比で8%の遮光部を設
けた超解像マイクロフレネルレンズを用いた場合、集光
スポット径は約20%小さくなる。
【0012】マイクロフレネルレンズの原盤は電子描画
法によって作製されるが、描画時に遮光部に該当する範
囲の描画を止め、図3に示すようにマイクロフレネルレ
ンズ9の中に光が透過する透過部12を設けるだけの構
造としても超解像レンズとしての効果を得られる。ま
た、マイクロフレネルレンズのレンズ効率がその格子厚
に依存する事に着目し、格子厚を制御してレンズ面が所
望の効率分布となるようにして、超解像マイクロフレネ
ルレンズを形成することもできる。
【0013】図4は本発明の他の実施例を示す断面図で
あり、図1の場合と同様に集光レンズとして超解像マイ
クロフレネルレンズ9を用い、回折限界よりも小さな集
光スポットが得られるようにしている。この実施例では
回折形素子である超解像マイクロフレネルレンズ9はレ
ンズスペーサ13とレンズ基板14が温度により伸縮す
ることで、温度変動による半導体レーザからなる発光素
子3の波長変動の影響を相殺できる構造としている。
【0014】図5は他の実施例を示し、超解像レンズと
して球面レンズあるいは非球面レンズ等の屈折形レンズ
に遮光部11を設けるか、あるいは中央をくりぬく等し
て作製された超解像レンズを用いたものであり、効果は
前述したものと同様である。屈折形の超解像レンズとし
ては例えばレンズの片面のみを球面あるいは非球面と
し、その平面側に遮光パターンを設けることにより超解
像レンズとした図6に示すような片球面・片非球面遮光
形のものがある。
【0015】また、図7に示すように両球面・両非球面
とし、レンズ片面に遮光部11を設けたもの、図8に示
すように樹脂を素材とした射出成形あるいはガラスを素
材としたガラスモールド等の金型を用いた作製が可能で
ある。金形を中央部のない貫通形のものとし、それを用
いて作製することによって前述のものと同じ超解像レン
ズの効果が得られる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明による受光装
置は光源と集光レンズとして用いた超解像レンズレンズ
を一体化したので、レンズ径や光源の持つ外形形状が同
じ大きさでもより小さなビーム径を持つ集光スポットが
得られ、また回折限界以上に集光ビームを絞ることがで
きるため、この光源を使用する機器の性能を限界まで向
上することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成を示す斜視図
【図2】マイクロフレネルレンズの構造の一例を示す側
面図
【図3】マイクロフレネルレンズの構造の他の例を示す
側面図
【図4】本発明の第2の実施例の構成を示す図
【図5】本発明の第3の実施例の構成を示す図
【図6】屈折形の超解像レンズの一例を示す側面図
【図7】屈折形の超解像レンズの第2の例を示す側面図
【図8】屈折形の超解像レンズの第3の例を示す断面図
【図9】従来の装置の一例の構成を示す斜視図
【符号の説明】
1 ステム 2 凸部 3 発光素子 4 受光素子 5 ヒートシンク 6 キャップ 6a 穴 7a乃至7c リード 8 ジャンパ線 9 マイクロフレネルレンズ 10 超解像フレネルレンズ 11 遮光部 12 透過部 13 レンズスペーサ 14 レンズ基板
フロントページの続き (72)発明者 今仲 行一 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体レーザ装置で発光したレーザ光を
    集光して送出する半導体レーザ光源装置において、 前記半導体レーザ装置と同一きょう体に収容された超解
    像レンズを集光レンズとして使用することを特徴とする
    半導体レーザ光源装置。
  2. 【請求項2】 請求項1において、超解像レンズは超解
    像フレネルレンズによって構成されることを特徴とする
    半導体レーザ光源装置。
JP28363391A 1991-10-03 1991-10-03 半導体レーザ光源装置 Withdrawn JPH05100183A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28363391A JPH05100183A (ja) 1991-10-03 1991-10-03 半導体レーザ光源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28363391A JPH05100183A (ja) 1991-10-03 1991-10-03 半導体レーザ光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05100183A true JPH05100183A (ja) 1993-04-23

Family

ID=17668047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28363391A Withdrawn JPH05100183A (ja) 1991-10-03 1991-10-03 半導体レーザ光源装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH05100183A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771501B1 (ko) * 2006-04-07 2007-10-30 주식회사 쎄라텍 적층형 칩 타입 전자 부품의 표면 코팅용 조성물, 이를이용한 적층형 칩 타입 전자 부품 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771501B1 (ko) * 2006-04-07 2007-10-30 주식회사 쎄라텍 적층형 칩 타입 전자 부품의 표면 코팅용 조성물, 이를이용한 적층형 칩 타입 전자 부품 및 그 제조방법

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Effective date: 19990107