JPH0496502A - マイクロ波モノリシック集積回路 - Google Patents
マイクロ波モノリシック集積回路Info
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- JPH0496502A JPH0496502A JP2213880A JP21388090A JPH0496502A JP H0496502 A JPH0496502 A JP H0496502A JP 2213880 A JP2213880 A JP 2213880A JP 21388090 A JP21388090 A JP 21388090A JP H0496502 A JPH0496502 A JP H0496502A
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- capacitor
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- monolithic integrated
- microwave monolithic
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims 1
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- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
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- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波モノリシック集積回路に関し、特
にマイクロストリップ線路形の容量性回路を用いたマイ
クロ波モノリシック集積回路に関する。
にマイクロストリップ線路形の容量性回路を用いたマイ
クロ波モノリシック集積回路に関する。
従来のマイクロ波モノリシック集積回路は、第２図の部
分斜視図に示すように、誘電体基板４上に半導体素子３
を形成し、この半導体素子３にマイクロストリップ線路
形のオープスタブ２を接続した構成がある。ここでオー
プンスタブ２は容量性アドミッタンスを形成している。
分斜視図に示すように、誘電体基板４上に半導体素子３
を形成し、この半導体素子３にマイクロストリップ線路
形のオープスタブ２を接続した構成がある。ここでオー
プンスタブ２は容量性アドミッタンスを形成している。
ここでオープンスタブの長さと得られる容量性アドミッ
タンスの関係は第３図の曲線Ａのようになる。すなわち
、この特性は直線的ではな（ｔａｎβｌ（βは位相定数
、ｌは長さ）の関数であるしたがって、大きいアドミッ
タンスを必要とする場合には、はとんどλ／４（λは等
価波長）近くの長さを必要とする。このようなマイクロ
波モノリシック集積回路では、その占有する面積は半導
体誘電体基板の誘電率で決まってしまう。例えば現在最
も一般的に用いられているガリウムひ素基板の比誘電率
は１２．７である為１／４波長のオープンスタブを形成
しようとすると５ＧＨ２で５．４ｍｍ、ｌ０ＧＨ２で２
．７ｍｍ、１５ＧＨ２でも１．８ｍｍの長さを必要とす
る。また、容量性アドミッタンスを集中定数素子を用い
て構成する場合には必要とする容量性アドミッタンスが
相当に大きいので、半導体誘電体基板上に設けた二層の
金属の間に誘電体をはさみ込んだＭＩＭ形キャパシタを
採用している。
タンスの関係は第３図の曲線Ａのようになる。すなわち
、この特性は直線的ではな（ｔａｎβｌ（βは位相定数
、ｌは長さ）の関数であるしたがって、大きいアドミッ
タンスを必要とする場合には、はとんどλ／４（λは等
価波長）近くの長さを必要とする。このようなマイクロ
波モノリシック集積回路では、その占有する面積は半導
体誘電体基板の誘電率で決まってしまう。例えば現在最
も一般的に用いられているガリウムひ素基板の比誘電率
は１２．７である為１／４波長のオープンスタブを形成
しようとすると５ＧＨ２で５．４ｍｍ、ｌ０ＧＨ２で２
．７ｍｍ、１５ＧＨ２でも１．８ｍｍの長さを必要とす
る。また、容量性アドミッタンスを集中定数素子を用い
て構成する場合には必要とする容量性アドミッタンスが
相当に大きいので、半導体誘電体基板上に設けた二層の
金属の間に誘電体をはさみ込んだＭＩＭ形キャパシタを
採用している。
このように、ＭＩＭ形キャパシタを用いる場合には、そ
の容量値精度は構成する二層の誘電体の厚み精度の影響
を受けるのであるが、プロセス技術的にその精度は±１
５〜２０％程度である。
の容量値精度は構成する二層の誘電体の厚み精度の影響
を受けるのであるが、プロセス技術的にその精度は±１
５〜２０％程度である。
この従来のマイクロ波モノリシック集積回路では、前者
のオープンスタフを用いた例ではチップサイズか使用す
る半導体素子の数や規模で決定されるのではなく、マイ
クロストリップ線路の大きさで決まるということを意味
し、チップの小形化、コストダウンができにくいという
欠点があった。ＭＩＭ形キャパシタを用いた例では、製
造プロセス技術上困難があるので、所望の精度が得られ
ない欠点があった。
のオープンスタフを用いた例ではチップサイズか使用す
る半導体素子の数や規模で決定されるのではなく、マイ
クロストリップ線路の大きさで決まるということを意味
し、チップの小形化、コストダウンができにくいという
欠点があった。ＭＩＭ形キャパシタを用いた例では、製
造プロセス技術上困難があるので、所望の精度が得られ
ない欠点があった。
本発明のマイクロ波モノリシック集積回路は誘電体基板
上に形成された半導体素子と、この半導体素子の一端に
接続さたマイクロストリップ線路形のオープンスタブと
、このオープンスタブの他端に接続されたインターディ
ジタル形キャパシタと、このインターディジタル形キャ
パシタと対向する所定間隔のキャップで配置された接地
電極とを有する。
上に形成された半導体素子と、この半導体素子の一端に
接続さたマイクロストリップ線路形のオープンスタブと
、このオープンスタブの他端に接続されたインターディ
ジタル形キャパシタと、このインターディジタル形キャ
パシタと対向する所定間隔のキャップで配置された接地
電極とを有する。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の部分斜視図である。第１図
の実施例はインターディジタル形キャパシタ１、マイク
ロストリップ線路形のオープンスタブ２、半導体素子３
、誘電体基板４、接地電極５から構成される。
の実施例はインターディジタル形キャパシタ１、マイク
ロストリップ線路形のオープンスタブ２、半導体素子３
、誘電体基板４、接地電極５から構成される。
次に本実施例の動作を説明する。
第１図のＡ点でのオープンスタブ２の容量性アｌ〜ミツ
タンスは、オープンスタブの先端にインターディジタル
形キャパシタ１による対接地容量が装荷されているため
に、第３図の曲線Ｂのようになり、先端に容量を装荷し
ない従来例の曲線Ａに比べて、同じ容量に対して必要と
するオープンスタブ長は短くなる。インターディジタル
形キャパシタは、二層の金属の間に誘電体をはさんで形
成するＭＩＭ形キャパシタに比べて小容量であってもバ
ラツキが少ない特徴をもっている。先端に装荷する容量
値としては、０．１〜０．５ＰＦ位が得られる。これ以
上大きい容量値を装荷さようとすると、インターディジ
タル形キャパシタの面積が大きくなり得策ではない。第
１図に示すように、形状は二つの対向したくし形電極で
静電容量を得るが、従来のマイクロ波集積回路では、そ
のパターン形成精度が良くなかっなので、バラツキが比
較的大きかったが、このインターディジタル形キャパシ
タは半導体誘電体基板上に形成する半導体を製造するの
と同じ微細リソグラフィー技術を使用しているので、電
極間ギャップが、狭くても精度良く製作出来る。
タンスは、オープンスタブの先端にインターディジタル
形キャパシタ１による対接地容量が装荷されているため
に、第３図の曲線Ｂのようになり、先端に容量を装荷し
ない従来例の曲線Ａに比べて、同じ容量に対して必要と
するオープンスタブ長は短くなる。インターディジタル
形キャパシタは、二層の金属の間に誘電体をはさんで形
成するＭＩＭ形キャパシタに比べて小容量であってもバ
ラツキが少ない特徴をもっている。先端に装荷する容量
値としては、０．１〜０．５ＰＦ位が得られる。これ以
上大きい容量値を装荷さようとすると、インターディジ
タル形キャパシタの面積が大きくなり得策ではない。第
１図に示すように、形状は二つの対向したくし形電極で
静電容量を得るが、従来のマイクロ波集積回路では、そ
のパターン形成精度が良くなかっなので、バラツキが比
較的大きかったが、このインターディジタル形キャパシ
タは半導体誘電体基板上に形成する半導体を製造するの
と同じ微細リソグラフィー技術を使用しているので、電
極間ギャップが、狭くても精度良く製作出来る。
以上説明したように本発明は、誘電体基板上に形成され
たマイクロストリップ線路のオープンスタブの先端にイ
ンターディジタル形キャパシタにより対接地間に容量値
を装荷したので、オープンスタブの長さが、短くて済み
、チップサイズを小形化出来るという効果を有する。
たマイクロストリップ線路のオープンスタブの先端にイ
ンターディジタル形キャパシタにより対接地間に容量値
を装荷したので、オープンスタブの長さが、短くて済み
、チップサイズを小形化出来るという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の部分斜視図、第２図は従来
のマイクロ波モノシリツク集積回路の部分斜視図、第３
図は本実施例と従来例の特性比較図である。 １・・・インターディジタル形キャパシタ、２１．、マ
イクロストリップ線路形のオープンスタブ、３・・・半
導体素子、４・・・誘電体基板、５・・・接地電極。
のマイクロ波モノシリツク集積回路の部分斜視図、第３
図は本実施例と従来例の特性比較図である。 １・・・インターディジタル形キャパシタ、２１．、マ
イクロストリップ線路形のオープンスタブ、３・・・半
導体素子、４・・・誘電体基板、５・・・接地電極。
Claims (2)
- １．誘電体基板上に形成された半導体素子と、この半導
体素子の一端に接続さたマイクロストリップ線路形のオ
ープンスタブと、このオープンスタブの他端に接続され
たインターディジタル形キャパシタと、このインターデ
ィジタル形キャパシタと対向する所定間隔のギャップで
配置された接地電極とを有することを特徴とするマイク
ロ波モノリシック集積回路。 - ２．前記インターディジタル形キャパシタの形状がくし
の歯形の形状を有し、この対向するくしの歯のそれぞれ
が電極を形成し、かつ、対向するくしの歯間の間隙に前
記接地電極をほぼ同じくしの歯形状でインタリーブさせ
て構成したことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波
モノリシック集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213880A JPH0496502A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | マイクロ波モノリシック集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213880A JPH0496502A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | マイクロ波モノリシック集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0496502A true JPH0496502A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16646546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213880A Pending JPH0496502A (ja) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | マイクロ波モノリシック集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0496502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010165730A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波帯用ｅｓｄ保護回路 |
| JP2011151694A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813714A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-26 | Toho Rayon Co Ltd | 湿式紡糸用ノズル |
-
1990
- 1990-08-13 JP JP2213880A patent/JPH0496502A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5813714A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-26 | Toho Rayon Co Ltd | 湿式紡糸用ノズル |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010165730A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波帯用ｅｓｄ保護回路 |
| JP2011151694A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
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