JPH0495389A - Ｅｌ発光素子 - Google Patents
Ｅｌ発光素子Info
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- JPH0495389A JPH0495389A JP2203714A JP20371490A JPH0495389A JP H0495389 A JPH0495389 A JP H0495389A JP 2203714 A JP2203714 A JP 2203714A JP 20371490 A JP20371490 A JP 20371490A JP H0495389 A JPH0495389 A JP H0495389A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、大型のマトリックス型ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）パネルに用いられるＥＬ発光素子に関し、
特に輝度むらを防止して画質の向上を図ることができる
ＥＬ発光素子の構造に関するものである。
ネッセンス）パネルに用いられるＥＬ発光素子に関し、
特に輝度むらを防止して画質の向上を図ることができる
ＥＬ発光素子の構造に関するものである。
（従来の技術）
薄膜ＥＬ発光素子を用いた大型のマトリックス型ＥＬパ
ネルには、第３図にその模式図を示すように、基板上に
形成された複数の帯状下部電極（ＳＣＡＮ側）と、これ
ら下部電極と直交する複数の帯状上部電極（ＤＡＴＡ側
）とを具備し、下部電極と上部電極との交差部分が発光
層を挟むことによりＥＬ発光素子ＣＥＬを構成する単純
マトリックス型と呼ばれるものがある。このＥＬ発光素
子は、下部電極と上部電極との間に２００Ｖ程度の駆動
電圧を印加させることによって、画電極に挟まれた発光
層を発光させるものである。
ネルには、第３図にその模式図を示すように、基板上に
形成された複数の帯状下部電極（ＳＣＡＮ側）と、これ
ら下部電極と直交する複数の帯状上部電極（ＤＡＴＡ側
）とを具備し、下部電極と上部電極との交差部分が発光
層を挟むことによりＥＬ発光素子ＣＥＬを構成する単純
マトリックス型と呼ばれるものがある。このＥＬ発光素
子は、下部電極と上部電極との間に２００Ｖ程度の駆動
電圧を印加させることによって、画電極に挟まれた発光
層を発光させるものである。
マトリックス型ＥＬパネルの断面構造について第４図を
参照して説明する。すなわち、ＥＬ発光素子は、ガラス
基板１と、ガラス基板１上に形成された帯状（図の表裏
方向）の下部電極２と、該下部電極２を覆うように着膜
された第１絶縁層３及び発光層４及び第２絶縁層５と、
前記下部電極２と直交するよう形成された帯状（図の左
右方向）の上部電極６とから構成されている。前記下部
電極２は透明導電膜（ＩＴＯ）で、上部電極６はアルミ
ニウム（ＡＩ）でそれぞれ構成され、ガラス基板１側に
発光光が照射するようになっている。
参照して説明する。すなわち、ＥＬ発光素子は、ガラス
基板１と、ガラス基板１上に形成された帯状（図の表裏
方向）の下部電極２と、該下部電極２を覆うように着膜
された第１絶縁層３及び発光層４及び第２絶縁層５と、
前記下部電極２と直交するよう形成された帯状（図の左
右方向）の上部電極６とから構成されている。前記下部
電極２は透明導電膜（ＩＴＯ）で、上部電極６はアルミ
ニウム（ＡＩ）でそれぞれ構成され、ガラス基板１側に
発光光が照射するようになっている。
上記構成において、下部電極２は２００ＯＡ程度の膜厚
の透明導電膜（ＩＴＯ）で形成されているため、シート
抵抗が大きい。特に１４インチ以上の大型のマトリック
ス型ＥＬパネルとする場合、下部電極２の時定数が大き
くなり、下部電極２に沿って各画素（各ＥＬ発光素子）
に印加される電圧が異なってしまう。すなわち、駆動電
圧Ｖａが印加される位置Ａからの距離により、Ａ点、Ｂ
点。
の透明導電膜（ＩＴＯ）で形成されているため、シート
抵抗が大きい。特に１４インチ以上の大型のマトリック
ス型ＥＬパネルとする場合、下部電極２の時定数が大き
くなり、下部電極２に沿って各画素（各ＥＬ発光素子）
に印加される電圧が異なってしまう。すなわち、駆動電
圧Ｖａが印加される位置Ａからの距離により、Ａ点、Ｂ
点。
０点の印加電圧波形はそれぞれ第５図（ａ）（ｂ）（ｃ
）のようになる。従って、下部電極２の端部の０点にお
いては、第５図（Ｃ）のように、駆動電圧Ｖａに達する
までに立ち下がり始めるために印加される電圧値が小さ
くなり、ＥＬパネルの輝度むらを生じさせるという欠点
があった。
）のようになる。従って、下部電極２の端部の０点にお
いては、第５図（Ｃ）のように、駆動電圧Ｖａに達する
までに立ち下がり始めるために印加される電圧値が小さ
くなり、ＥＬパネルの輝度むらを生じさせるという欠点
があった。
そこで、ＥＬパネルの輝度むらを防止するためには、下
部電極２の抵抗値を小さくする必要があり、従来は、下
部電極２の膜厚を厚くするということがなされていた。
部電極２の抵抗値を小さくする必要があり、従来は、下
部電極２の膜厚を厚くするということがなされていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら下部電極２の膜厚を５０００Ａの厚さにす
ると、第６図に示すように、第１絶縁層３部分て急峻な
段差２０か生じ、下部電極２と発光層４との間で短絡が
発生しやすくなり、歩留まりや信頼性を低下させるとい
う問題点があったｄまた、第１絶縁層３部分で急峻な段
差が生じないように、下部電極２の膜厚を厚くするとと
もに、第１絶縁層３の膜厚も厚くすることが考えられる
。
ると、第６図に示すように、第１絶縁層３部分て急峻な
段差２０か生じ、下部電極２と発光層４との間で短絡が
発生しやすくなり、歩留まりや信頼性を低下させるとい
う問題点があったｄまた、第１絶縁層３部分で急峻な段
差が生じないように、下部電極２の膜厚を厚くするとと
もに、第１絶縁層３の膜厚も厚くすることが考えられる
。
しかしながら、第１絶縁層３の膜厚を厚くすると、第７
図に示すように、同一の発光輝度を得るためにはＥＬ発
光素子に印加する駆動電圧Ｖａを駆動電圧Ｖａ’ にシ
フトさせなければならず、高い電圧の印加が必要となり
従来の駆動ＩＣでの駆動ができなくなるとともに、エネ
ルギー効率が悪くなるという新たな問題が生じる。
図に示すように、同一の発光輝度を得るためにはＥＬ発
光素子に印加する駆動電圧Ｖａを駆動電圧Ｖａ’ にシ
フトさせなければならず、高い電圧の印加が必要となり
従来の駆動ＩＣでの駆動ができなくなるとともに、エネ
ルギー効率が悪くなるという新たな問題が生じる。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、駆動電圧の
高電圧化あるいは歩留まり及び信頼性を低下させること
なく、輝度むらを防止して良好な画質の大型のマトリッ
クス型ＥＬパネルを得ることがてきるＥＬ発光素子の構
造を提供することを目的とする。
高電圧化あるいは歩留まり及び信頼性を低下させること
なく、輝度むらを防止して良好な画質の大型のマトリッ
クス型ＥＬパネルを得ることがてきるＥＬ発光素子の構
造を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため本発明は、基板上に
形成された帯状の下部電極と、該下部電極を覆うように
着膜された第１絶縁層及び発光層及び第２絶縁層と、前
記下部電極と直交するよう形成された帯状の上部電極と
を具備す名ＥＬ発光素子において、前記基板と第１絶縁
層との間に、耐熱性絶縁部材から成り、膜厚が前記下部
電極と時間−の平坦化層を介在させたことを特徴として
いる。
形成された帯状の下部電極と、該下部電極を覆うように
着膜された第１絶縁層及び発光層及び第２絶縁層と、前
記下部電極と直交するよう形成された帯状の上部電極と
を具備す名ＥＬ発光素子において、前記基板と第１絶縁
層との間に、耐熱性絶縁部材から成り、膜厚が前記下部
電極と時間−の平坦化層を介在させたことを特徴として
いる。
（作用）
本発明によれば、基板と第１絶縁層との間に、膜厚が前
記下部電極と時間−の平坦化層を介在させたので、下部
電極上に形成する各層を平坦化させることができる。従
って、下部電極の膜厚を厚くすることができる。
記下部電極と時間−の平坦化層を介在させたので、下部
電極上に形成する各層を平坦化させることができる。従
って、下部電極の膜厚を厚くすることができる。
（実施例）
本発明の一実施例について第１図を参照しながら説明す
る。
る。
第１図（ｅ）は本発明の実施例に係るＥＬ発光素子の断
面説明図である。
面説明図である。
ガラス基板１上に帯状（図の表裏方向）の酸化インジウ
ム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電性部材から成る下部電
極２を形成し、下部電極２が形成されないガラス基板１
上に、膜厚が前記下部電極２と時間−の平坦化層７を形
成している。この平坦化層７は、５１０２ ｒ Ｓ’
ｚ ＮＪ Ｉ Ａ１２０３ ＋Ｙ、 Ｏ，、ポリイミド
等の耐熱性絶縁部材から構成されている。また、平坦化
層７は下部電極２の膜厚と時間−としたので、平坦化層
７及び下部電極２上には、平坦面が形成されている。そ
して、平坦面上に、第１絶縁層３１発光層４．第２絶縁
層５が前記下部電極２を覆うように平坦化して着膜され
ている。更に、第２絶縁層５上に、前記下部電極２と直
交するように帯状（図の左右方向）の上部電極６が形成
されている。第１絶縁層３及び第２絶縁層５はＳｉ３Ｎ
、て、発光層４はＺｎＳ：Ｍｎて、上部電極６はＡ１で
それぞれ構成されている。
ム・スズ（ＩＴＯ）等の透明導電性部材から成る下部電
極２を形成し、下部電極２が形成されないガラス基板１
上に、膜厚が前記下部電極２と時間−の平坦化層７を形
成している。この平坦化層７は、５１０２ ｒ Ｓ’
ｚ ＮＪ Ｉ Ａ１２０３ ＋Ｙ、 Ｏ，、ポリイミド
等の耐熱性絶縁部材から構成されている。また、平坦化
層７は下部電極２の膜厚と時間−としたので、平坦化層
７及び下部電極２上には、平坦面が形成されている。そ
して、平坦面上に、第１絶縁層３１発光層４．第２絶縁
層５が前記下部電極２を覆うように平坦化して着膜され
ている。更に、第２絶縁層５上に、前記下部電極２と直
交するように帯状（図の左右方向）の上部電極６が形成
されている。第１絶縁層３及び第２絶縁層５はＳｉ３Ｎ
、て、発光層４はＺｎＳ：Ｍｎて、上部電極６はＡ１で
それぞれ構成されている。
次に上述したＥＬ発光素子の製造方法について第１図（
ａ）乃至第１図（ｅ）を参照して説明する。
ａ）乃至第１図（ｅ）を参照して説明する。
ガラス基板１上に透明導電性部材（ＩＴＯ）をスパッタ
法で５００ＯＡの膜厚に着膜する。ポジ型レジストを着
膜し、露光、現像して膜厚１，７μｍのレジストパター
ン１０を形成する。塩化第２鉄、塩酸の混合溶液で前記
透明導電性部材（ｌＴｏ）をエツチングし、図の表裏方
向に帯状となる下部電極２を形成する（第１図（ａ））
。
法で５００ＯＡの膜厚に着膜する。ポジ型レジストを着
膜し、露光、現像して膜厚１，７μｍのレジストパター
ン１０を形成する。塩化第２鉄、塩酸の混合溶液で前記
透明導電性部材（ｌＴｏ）をエツチングし、図の表裏方
向に帯状となる下部電極２を形成する（第１図（ａ））
。
次いて、全面にＳｉｎ、などの耐熱性絶縁部材７′をス
パッタ法で５００ＯＡの膜厚に着膜する（第１図（ｂ）
）。
パッタ法で５００ＯＡの膜厚に着膜する（第１図（ｂ）
）。
次にガラス基板１をレジスト剥離液に浸漬させ、レジス
トパターン１０及びレジストパターン１０上の耐熱性絶
縁部材７′を除去し、下部電極２か形成されないガラス
基板１上に平坦化層７を残し、平坦面を形成する（第１
図（Ｃ））。
トパターン１０及びレジストパターン１０上の耐熱性絶
縁部材７′を除去し、下部電極２か形成されないガラス
基板１上に平坦化層７を残し、平坦面を形成する（第１
図（Ｃ））。
下部電極２及び平坦化層７を覆うように、Ｓｉ３Ｎ、を
スパッタ法で２５００Ａの膜厚に着膜して第１絶縁層３
を形成する。続いてＺｎＳ：ＭｎをＥＢ蒸着法で５００
０Ａの膜厚に、Ｓｉ、Ｎ。
スパッタ法で２５００Ａの膜厚に着膜して第１絶縁層３
を形成する。続いてＺｎＳ：ＭｎをＥＢ蒸着法で５００
０Ａの膜厚に、Ｓｉ、Ｎ。
をスパッタ法で２５００Ａの膜厚にそれぞれ着膜して発
光層４及び第２絶縁層５を形成する（第１図（ｄ））。
光層４及び第２絶縁層５を形成する（第１図（ｄ））。
そして、Ａ１をスパッタ法で６０００Ａの膜厚に全面着
膜し、前記下部電極２と直交するレジストパターン（図
示せず）を形成し、熱リン酸によってＡ１をエツチング
した後、Ａ１上の前記レジストパターンを除去する（第
１図（ｅ））。
膜し、前記下部電極２と直交するレジストパターン（図
示せず）を形成し、熱リン酸によってＡ１をエツチング
した後、Ａ１上の前記レジストパターンを除去する（第
１図（ｅ））。
ＥＬ発光素子の他の製造方法について第２図（ａ）乃至
第２図（ｅ）を参照して説明する。
第２図（ｅ）を参照して説明する。
ガラス基板１上の全面にＳｉｎ、などの耐熱性絶縁部材
７′をスパッタ法で５００ＯＡの膜厚に着膜する（第１
図（ａ））。
７′をスパッタ法で５００ＯＡの膜厚に着膜する（第１
図（ａ））。
前記耐熱性絶縁部材７′上に帯状の四部１２を有するレ
ジストパターン１１を形成する（第１図（ｂ））。
ジストパターン１１を形成する（第１図（ｂ））。
次に耐熱性絶縁部材７′をエツチングして平坦化層７を
形成する（第１図（Ｃ））。
形成する（第１図（Ｃ））。
次いで、全面に透明導電性部材（ＩＴＯ）２’をスパッ
タ法で５００ＯＡの膜厚に着膜する（第１図（ｄ））。
タ法で５００ＯＡの膜厚に着膜する（第１図（ｄ））。
次にガラス基板１をレジスト剥離液に浸漬させ、レジス
トパターン１１及びレジストパターン１１上の透明導電
性部材（ＩＴＯ）を除去し、図の表裏方向に帯状の下部
電極２を形成する。下部電極２及び平坦化層７はともに
５００ＯＡの膜厚としたので、これらの表面は平坦面と
なっている（第１図（ｅ））。
トパターン１１及びレジストパターン１１上の透明導電
性部材（ＩＴＯ）を除去し、図の表裏方向に帯状の下部
電極２を形成する。下部電極２及び平坦化層７はともに
５００ＯＡの膜厚としたので、これらの表面は平坦面と
なっている（第１図（ｅ））。
以後、第１図（ｄ）（ｅ）と同様の工程を行ってＥＬ発
光素子を形成する。
光素子を形成する。
上述した実施例によると、平坦化層７を設けることによ
り、第１絶縁層３の下面が平坦化するので、下部電極２
の膜厚を厚くすることができる。
り、第１絶縁層３の下面が平坦化するので、下部電極２
の膜厚を厚くすることができる。
前記実施例のように、下部電極２の膜厚を５０００Ａと
すれば、シート抵抗は５Ω／四程度と小さくでき、下部
電極２の端部における印加電圧の低下を十分防止できる
。
すれば、シート抵抗は５Ω／四程度と小さくでき、下部
電極２の端部における印加電圧の低下を十分防止できる
。
また、平坦化層７は耐熱性部材で形成されているので、
その後の高温着膜工程においての損傷や劣化を防止する
ことができる。
その後の高温着膜工程においての損傷や劣化を防止する
ことができる。
（発明の効果）
本発明によれば、基板と第１絶縁層との間に、膜厚が前
記下部電極と略同一の平坦化層を介在させたので、下部
電極上に形成する各層を平坦化させることができる。従
って、下部電極の膜厚を厚くすることによりシート抵抗
を小さくすることができ、輝度むらを除去して画質の向
上を図ることができる。特に、大型のマトリックス型Ｅ
Ｌパネルにおいて効果がある。
記下部電極と略同一の平坦化層を介在させたので、下部
電極上に形成する各層を平坦化させることができる。従
って、下部電極の膜厚を厚くすることによりシート抵抗
を小さくすることができ、輝度むらを除去して画質の向
上を図ることができる。特に、大型のマトリックス型Ｅ
Ｌパネルにおいて効果がある。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の一実施例に係るＥＬ
発光素子の製造工程を示す断面説明図、第２図（ａ）乃
至（ｅ）は他の製造工程を示す断面説明図、第３図は薄
膜ＥＬ発光素子を用いたマトリックス型ＥＬパネルの模
式図、第４図はマトリックス型ＥＬパネルの断面説明図
、第５図（ａ）乃至（ｃ）は第３図におけるＡ、Ｂ、Ｃ
各点での印加電圧波形図、第６図は下部電極の膜厚を厚
くした場合のＥＬ発光素子の断面説明図、第７図番マＥ
Ｌ発光素子における印加電圧と輝度との関係を示すグラ
フである。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・下部電極 ３・・・・・・第１絶縁層 ４・・・・・・発光層 ５・・・・・・第２絶縁層 ６・・・・・・上部電極 ７・・・・・・平坦化層 第３図 第４図 第５図 （ｂ）
発光素子の製造工程を示す断面説明図、第２図（ａ）乃
至（ｅ）は他の製造工程を示す断面説明図、第３図は薄
膜ＥＬ発光素子を用いたマトリックス型ＥＬパネルの模
式図、第４図はマトリックス型ＥＬパネルの断面説明図
、第５図（ａ）乃至（ｃ）は第３図におけるＡ、Ｂ、Ｃ
各点での印加電圧波形図、第６図は下部電極の膜厚を厚
くした場合のＥＬ発光素子の断面説明図、第７図番マＥ
Ｌ発光素子における印加電圧と輝度との関係を示すグラ
フである。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・下部電極 ３・・・・・・第１絶縁層 ４・・・・・・発光層 ５・・・・・・第２絶縁層 ６・・・・・・上部電極 ７・・・・・・平坦化層 第３図 第４図 第５図 （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に形成された帯状の下部電極と、該下部電極を
覆うように着膜された第１絶縁層及び発光層及び第２絶
縁層と、前記下部電極と直交するよう形成された帯状の
上部電極とを具備するＥＬ発光素子において、 前記基板と第１絶縁層との間に、耐熱性絶縁部材から成
り、膜厚が前記下部電極と略同一の平坦化層を介在させ
たことを特徴とするＥＬ発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203714A JPH0495389A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Ｅｌ発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2203714A JPH0495389A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Ｅｌ発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0495389A true JPH0495389A (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=16478632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2203714A Pending JPH0495389A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | Ｅｌ発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0495389A (ja) |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2203714A patent/JPH0495389A/ja active Pending
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