JPH0492398A - プラズマトーチにおける原料ガス励起方法 - Google Patents

プラズマトーチにおける原料ガス励起方法

Info

Publication number
JPH0492398A
JPH0492398A JP2209627A JP20962790A JPH0492398A JP H0492398 A JPH0492398 A JP H0492398A JP 2209627 A JP2209627 A JP 2209627A JP 20962790 A JP20962790 A JP 20962790A JP H0492398 A JPH0492398 A JP H0492398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
gas
raw gas
torch
raw material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2209627A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2907345B2 (ja
Inventor
Michihiko Yanagisawa
道彦 柳澤
Tsugio Sato
継男 佐藤
Akira Iino
顕 飯野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2209627A priority Critical patent/JP2907345B2/ja
Publication of JPH0492398A publication Critical patent/JPH0492398A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2907345B2 publication Critical patent/JP2907345B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413Reactant delivery systems
    • C03B37/0142Reactant deposition burners
    • C03B37/01426Plasma deposition burners or torches

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Arc Welding Control (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、プラズマトーチにおける原料ガス励起方法に
関するものである。
[従来の技術] 例えば、アルゴンのようなプラズマ生成用ガス或いはこ
れと原料との混合ガスをプラズマトーチの一方の端若し
くは途中から注入し、このガス流路に高周波加熱コイル
又はマイクロ波キャビティ等のプラズマ生成部を設け、
これらのガスをプラズマ状態にする。生成したプラズマ
は、プラズマトーチの先端より吹き出し、必要な用途に
供される。
従来のプラズマトーチでは、高周波加熱コイル又はマイ
クロ波キャビティ等のプラズマ生成部から発生する高周
波電磁場を直接ガスに印加するが、通常室温のガスは電
気的に中性であって、印加された電磁場のエネルギーを
充分に吸収できるほど電離していない。このため、従来
のプラズマトーチでは、プラズマ生成時に印加される高
周波電磁場エネルギーを吸収できるように、ガス流路中
に電極を設け、該電極でアーク放電させる等の方法で予
めガスを弱電離させていた。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、ガス流路中に電極を設けていると、電極
材料のプラズマ中への混入が避けられない問題点があっ
た。
また、従来のプラズマトーチでは、プラズマが持続して
いる場合、ガス流量が大きくなるとプラズマ温度が下が
り、且つプラズマ中で生成された荷電粒子が新たに供給
されて来たガスを充分電離しないうちに流出してしまい
、プラズマ炎が不安定になり消失する問題点があった。
これをできる限り防ぐために、ガスを励起しプラズマを
生成すること以外に、プラズマ持続のために過大な高周
波エネルギーを供給する必要があり、このようにすると
消費電力が大きくならざるを得ない問題点がある。
本発明の目的は、プラズマ中への電極材料の混入ヲ防止
できると共に安定してプラズマを形成テきるプラズマト
ーチにおける原料ガス励起方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するための本発明の詳細な説明すると
、本発明に係るプラズマトーチにおける原料ガス励起方
法は、プラズマトーチ内に供給された原料ガスがプラズ
マ生成部に達する前に、該原料ガスにし・−ザ光を照射
し予め励起することを特徴とする。
[作用コ プラズマトーチ内でレーザを照射された原料ガスは、励
起されて一部電離する。この原料ガスがプラズマ生成部
に達すると、一部電離状態となっている電子或いはイオ
ンかエネルギーを吸収し、周囲の中性ガスを励起してプ
ラズマを生成する。
E実施例コ 以下、本発明の実施例を第1図を参照して詳細に説明す
る。図において、1は内在的35mm、長さ約130m
mのハウジングが水冷できるように二重構造となってい
る石英製のプラズマトーチ、2Aは該プラズマトーチ1
のハウジング内に冷却水を供給する冷却水入口、2Bは
該プラズマトーチ1のハウジンクからの冷却水の出口、
3はプラズマトーチ1に酸素、SiCβ4等の原料ガス
を供給する原料ガス供給管、4はプラズマトーチ1内で
原料ガス供給管3の先端から原料ガスを放出するキャッ
プ状の原料ガス放出部、5はプラズマトーチ1内にプラ
ズマガスを供給するプラズマガス供給管、6は原料ガス
放出部4内の原料ガス中にCO2レーザ光を照射する中
空円筒状のレーザ光入射ボート、7はレーザ光入射ボー
ト6内に外部から大気中の不純物が入って来ないように
シールガスが供給されるシール部、8はプラズマトーチ
1の先端外周に設けられた高周波加熱コイル9によりプ
ラズマトーチ1内に形成されているプラズマ生成部、1
0は原料ガス放出部4内に形成された弱電離ガス、11
はプラズマ生成部8で形成されたプラズマ炎である。
プラズマトーチ1内の原料ガス放出部4に原料ガス供給
管3からo2.sicβ4等の原料ガスを供給する。こ
れら原料ガスは、原料ガス放出部4から放出された直後
にレーザ光入射ポート6からCO2レーザ光の照射を連
続的に受けて、そのエネルギーを吸収し、一部が電離さ
れ、弱電離ガス10となる。原料ガス放出部4にレーザ
光を照射するレーザ光入射ポート6は、中空円筒状をし
ているので、原料ガスに照射される前に該レーザ光が吸
収、散乱されるのを防止できる。弱電離ガスは、プラズ
マ生成部8に流れ込む。
一方、プラズマガス(例えばAr、02或いはこれらの
混合ガス)はプラズマガス供給管5からプラズマトーチ
1内に供給され、原料ガス放出部4の壁面を冷却した後
、レーザ光照射領域の真下で弱電離ガス10と一部混合
する。プラズマガス及び弱電離状態の原料ガスは、プラ
ズマ生成部8で高周波加熱コイル9から供給された高周
波電磁場のエネルギーによりプラズマ炎11となり、プ
ラズマトーチ1から吹き出し、該プラズマトーチ1の下
流にある試料上に反応生成物を堆積する。
例えば、平面上の基体表面に不純物の少ないガラス膜を
長時間に亘って形成することができる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明に係るプラズマトーチにおけ
る原料ガス励起方法は、プラズマトーチ内に供給された
原料ガスがプラズマ生成部に達する前に、該原料ガスに
レーザ光を照射して予め励起するので、ガス流路中に電
極を配置する必要がなく、電極材料がプラズマ中に混入
されなくなり、反応生成物中の金属不純物の濃度を従来
に比べて低い水準に抑えたまま、プラズマ炎を長時間安
定に保つことができる。また、本発明によれば、高周波
エネルギーも所望の反応を起こさせるに必要な分だけ印
加すればよく、消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るプラズマトーチの一実施例の縦断
面図である。 1・・・プラズマトーチ、3・・・原料ガス供給管、4
・・・原料ガス放出部、5・・・プラズマガス供給管、
6・・・レーザ光入射ボート、7・・・シール部、8・
・・プラズマ生成部、9・・・高周波加熱コイル、10
・・・弱電離ガス、11・・・プラズマ炎。 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. プラズマトーチ内に供給された原料ガスがプラズマ生成
    部に達する前に、該原料ガスにレーザ光を照射し予め励
    起することを特徴とするプラズマトーチにおける原料ガ
    ス励起方法。
JP2209627A 1990-08-08 1990-08-08 プラズマトーチにおける原料ガス励起方法 Expired - Lifetime JP2907345B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2209627A JP2907345B2 (ja) 1990-08-08 1990-08-08 プラズマトーチにおける原料ガス励起方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2209627A JP2907345B2 (ja) 1990-08-08 1990-08-08 プラズマトーチにおける原料ガス励起方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0492398A true JPH0492398A (ja) 1992-03-25
JP2907345B2 JP2907345B2 (ja) 1999-06-21

Family

ID=16575931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2209627A Expired - Lifetime JP2907345B2 (ja) 1990-08-08 1990-08-08 プラズマトーチにおける原料ガス励起方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2907345B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06293950A (ja) * 1993-04-06 1994-10-21 Sansha Electric Mfg Co Ltd 金属基材の表面改質方法
FR2714371A1 (fr) * 1993-12-24 1995-06-30 Cabloptic Sa Procédé de recharge d'une préforme de fibre optique, dispositif pour la mise en Óoeuvre de ce procédé et fibre optique par ce procédé.
JP2009070586A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Imagineering Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置
US9714525B2 (en) 2012-06-05 2017-07-25 Sargent Manufacturing Company Anti-ligature handle and escutcheon for operating a lock

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06293950A (ja) * 1993-04-06 1994-10-21 Sansha Electric Mfg Co Ltd 金属基材の表面改質方法
FR2714371A1 (fr) * 1993-12-24 1995-06-30 Cabloptic Sa Procédé de recharge d'une préforme de fibre optique, dispositif pour la mise en Óoeuvre de ce procédé et fibre optique par ce procédé.
JP2009070586A (ja) * 2007-09-10 2009-04-02 Imagineering Kk プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置
US9714525B2 (en) 2012-06-05 2017-07-25 Sargent Manufacturing Company Anti-ligature handle and escutcheon for operating a lock

Also Published As

Publication number Publication date
JP2907345B2 (ja) 1999-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0858249B1 (en) Laser plasma X-ray source, semiconductor lithography apparatus and method using those devices
Al-Shamma'a et al. Design and construction of a 2.45 GHz waveguide-based microwave plasma jet at atmospheric pressure for material processing
US20090260972A1 (en) Plasma Generator and Method of Generating Plasma Using the Same
US20100021340A1 (en) Method and device for the disinfection of objects
JP2007323812A (ja) 大気圧プラズマ発生方法及び装置
EP0002623A1 (en) Electric arc apparatus and method for treating a flow of material by an electric arc
JPS6254005A (ja) 超微粒子の製造方法
JP2005276618A (ja) マイクロプラズマ生成装置および方法
JPS63274762A (ja) 反応蒸着膜の形成装置
JP2009505342A (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ発生方法
US20080280065A1 (en) Method and Device for Generating a Low-Pressure Plasma and Applications of the Low-Pressure Plasma
JPS6169185A (ja) 金属蒸気レ−ザ装置
JPH1116696A (ja) 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
JPH0492398A (ja) プラズマトーチにおける原料ガス励起方法
JP2000514362A (ja) 金属のプラズマ―アーク溶接方法
JP2003080058A (ja) 反応性ガスの発生方法およびその発生装置
JP2010218801A (ja) 大気圧プラズマ発生装置
JP2007258097A (ja) プラズマ処理装置
JP3401365B2 (ja) プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置
JPS59210349A (ja) 微粒子長距離搬送プラズマ発光分光法による溶融金属の分析方法および装置
JPH11273894A (ja) 薄膜形成装置
JP2779000B2 (ja) 誘導プラズマ発生装置
JPH0367496A (ja) 誘導プラズマ発生装置
JPH0263549A (ja) プラズマ反応方法及び装置
JPH0973997A (ja) レーザ熱プラズマ方法