JPH048946B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH048946B2 JPH048946B2 JP7489782A JP7489782A JPH048946B2 JP H048946 B2 JPH048946 B2 JP H048946B2 JP 7489782 A JP7489782 A JP 7489782A JP 7489782 A JP7489782 A JP 7489782A JP H048946 B2 JPH048946 B2 JP H048946B2
- Authority
- JP
- Japan
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- slit
- heat sink
- internal heat
- exposed
- chip
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
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- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、とくに半導体チツ
プを内包する封止体から放熱板の一部が露出して
いる構造の半導体装置に関するものである。
プを内包する封止体から放熱板の一部が露出して
いる構造の半導体装置に関するものである。
第１図は放熱板の一部がモールド樹脂で覆われ
た構造の従来の装置を示す平面図である。チツプ
１０１を搭載した内部放熱板１０２の一部をモー
ルド樹脂１０４により露出させた構造である。露
出した放熱板１０２にはビスの取り付け用穴２０
３が設けられている。このような樹脂封止型の半
導体装置ではチツプを搭載した内部放熱板の一部
が樹脂より露出しているため、内部放熱板が全て
樹脂で覆われたものに比べて外部からの機械的衝
撃の影響を受け易い。特にメーカー側の製造工程
中やユーザー側の取り扱い中に起こる落下、ある
いは確認のためにメーカーやユーザーで実施する
落下試験において内部放熱板の露出部分の上側面
部から着地した場合（以下逆落下という）には、
内部放熱板に搭載されたチツプが受ける衝撃も大
きくなり、特性劣化やチツプにクラツクを生じる
といつた欠点があつた。
た構造の従来の装置を示す平面図である。チツプ
１０１を搭載した内部放熱板１０２の一部をモー
ルド樹脂１０４により露出させた構造である。露
出した放熱板１０２にはビスの取り付け用穴２０
３が設けられている。このような樹脂封止型の半
導体装置ではチツプを搭載した内部放熱板の一部
が樹脂より露出しているため、内部放熱板が全て
樹脂で覆われたものに比べて外部からの機械的衝
撃の影響を受け易い。特にメーカー側の製造工程
中やユーザー側の取り扱い中に起こる落下、ある
いは確認のためにメーカーやユーザーで実施する
落下試験において内部放熱板の露出部分の上側面
部から着地した場合（以下逆落下という）には、
内部放熱板に搭載されたチツプが受ける衝撃も大
きくなり、特性劣化やチツプにクラツクを生じる
といつた欠点があつた。
本発明の目的は落下に対して影響をうけにくい
構造の半導体装置を提供することにある。
構造の半導体装置を提供することにある。
本発明による半導体装置は、半導体チツプを封
止した封止本体の一辺からその一部分が外側に露
出した内部放熱板において、内部放熱板の露出部
に該封止本体の上記一辺と平行な方向に延びるス
リツトを設け、かつ上記半導体チツプからみてス
リツトの外側にあたる内部放熱板の外縁部を突出
させたことを特徴とする。
止した封止本体の一辺からその一部分が外側に露
出した内部放熱板において、内部放熱板の露出部
に該封止本体の上記一辺と平行な方向に延びるス
リツトを設け、かつ上記半導体チツプからみてス
リツトの外側にあたる内部放熱板の外縁部を突出
させたことを特徴とする。
この結果、逆落下の際には、突起した外側面部
から着地するとともに、その際の衝撃をスリツト
で集中的に吸収することができる。このためチツ
プへの直接的な衝撃を低下せしめ、落下衝撃耐量
を大きく向上できる。
から着地するとともに、その際の衝撃をスリツト
で集中的に吸収することができる。このためチツ
プへの直接的な衝撃を低下せしめ、落下衝撃耐量
を大きく向上できる。
以下に図面を用いて本発明の実施例をより詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は、本発明の一実施例による装置の平面
図である。これはビスによる締め付け用穴２０３
が２カ所設けられている場合である。第２図の装
置に対してチツプ１０１を搭載した内部放熱板１
０２の一部がモールド樹脂１０４より露出してい
る点は同じである。しかし、ビスによる締め付け
用穴２０３を互いにビスの直径より幅の狭いスリ
ツト３０７で結び、さらに内部放熱板の露出部の
上側面部２０６が外部へ突起している。これによ
り、逆落下の際には、突起した上側面部２０６か
ら着地すると共に、その際の衝撃をスリツト３０
７で集中的に吸収してチツプ１０１への直接的な
衝撃を低下せしめ、落下衝撃耐量を大きく向上出
来る。
図である。これはビスによる締め付け用穴２０３
が２カ所設けられている場合である。第２図の装
置に対してチツプ１０１を搭載した内部放熱板１
０２の一部がモールド樹脂１０４より露出してい
る点は同じである。しかし、ビスによる締め付け
用穴２０３を互いにビスの直径より幅の狭いスリ
ツト３０７で結び、さらに内部放熱板の露出部の
上側面部２０６が外部へ突起している。これによ
り、逆落下の際には、突起した上側面部２０６か
ら着地すると共に、その際の衝撃をスリツト３０
７で集中的に吸収してチツプ１０１への直接的な
衝撃を低下せしめ、落下衝撃耐量を大きく向上出
来る。
尚、前述の如くスリツト３０７は、取り付けに
用いるビスの直径より幅狭いものであれば取り付
け用穴２０３を用いてビス締めする際に何ら悪影
響を及ぼすことなく、むしろしめつけ力に対する
緩衝作用としての役目も同時に有することにな
る。しかも、スリツト３０７は取り付け用穴２０
３を設ける際、同一工程で設けることができるの
で、特に新たな加工工程を必要としないため、作
業性においても大きな効果がある。又、スリツト
３０７の形状は、直線に限らず同様な効果を供す
るものなら形状は問わないが、断続的なものより
も連続的に開孔されているものがよい。
用いるビスの直径より幅狭いものであれば取り付
け用穴２０３を用いてビス締めする際に何ら悪影
響を及ぼすことなく、むしろしめつけ力に対する
緩衝作用としての役目も同時に有することにな
る。しかも、スリツト３０７は取り付け用穴２０
３を設ける際、同一工程で設けることができるの
で、特に新たな加工工程を必要としないため、作
業性においても大きな効果がある。又、スリツト
３０７の形状は、直線に限らず同様な効果を供す
るものなら形状は問わないが、断続的なものより
も連続的に開孔されているものがよい。
第３図は本発明の他の実施例を示す平面図であ
り、これは半導体集積回路装置パツケージの内部
放熱板をビスを用いて外部放熱板に取り付けるた
めに設けられた１つの穴の左右両端又は左右両端
と上部にスリツトを入れることにより、逆落下の
際の衝撃力をスリツト部で吸収せしめ落下衝撃耐
量を向上させるようにしたものである。図ではチ
ツプ１０１を搭載した内部放熱板１０２の一部が
モールド樹脂１０４より露出している点は第２図
と同じであるが、ビスによる締め付け用穴の左右
両端と上部にビスの直径より幅の狭いスリツト３
０７を入れ、さらに内部放熱板の露出部の上側面
部の２０６が外部へ突起している。これにより、
逆落下の際には、突起した上側面部２０６で着地
すると共に、その際の衝撃をスリツト３０７で集
中的に吸収し、チツプ１０１への衝撃を低下せし
めパツケージの落下衝撃耐量を向上出来る。尚、
この例でもスリツト３０７の形状は直線に限らず
同様な効果を供するものなら波線のような形状で
もよい。
り、これは半導体集積回路装置パツケージの内部
放熱板をビスを用いて外部放熱板に取り付けるた
めに設けられた１つの穴の左右両端又は左右両端
と上部にスリツトを入れることにより、逆落下の
際の衝撃力をスリツト部で吸収せしめ落下衝撃耐
量を向上させるようにしたものである。図ではチ
ツプ１０１を搭載した内部放熱板１０２の一部が
モールド樹脂１０４より露出している点は第２図
と同じであるが、ビスによる締め付け用穴の左右
両端と上部にビスの直径より幅の狭いスリツト３
０７を入れ、さらに内部放熱板の露出部の上側面
部の２０６が外部へ突起している。これにより、
逆落下の際には、突起した上側面部２０６で着地
すると共に、その際の衝撃をスリツト３０７で集
中的に吸収し、チツプ１０１への衝撃を低下せし
めパツケージの落下衝撃耐量を向上出来る。尚、
この例でもスリツト３０７の形状は直線に限らず
同様な効果を供するものなら波線のような形状で
もよい。
更に第４図は他の実施例で、一枚の金属板を打
ち抜いて加工し、そのほぼ中央に半導体集積回路
チツプを搭載し、一方に複数のリードを他方に前
記チツプ搭載部を含めた放熱板を形成して、半導
体集積回路チツプを中心に樹脂封止されたもので
あるが、放熱板の露出部分に少なくとも２ケのビ
ス止め用穴をあけるとともに最両端の穴から各々
左右両外部にかけてビスより狭い幅のスリツトを
入れ、このスリツトに沿つた部分、すなわち放熱
板露出部の上側面部両端の形状が他の部分より突
出した構造となした半導体集積回路装置の平面図
である。即ち、チツプ１０１を搭載した内部放熱
板１０２の一部がモールド樹脂１０４より露出し
ている点は同じであるが、ビスによる２ケの締め
付け用穴２０３に外部からビスの直径より幅の狭
いスリツト３０７によつて切り込みを入れ、さら
に内部放熱板の露出部の上側面部両端２０６が外
部へ突出している。これにより逆落下の際には、
突起した上側面部両端２０６で着地すると共に、
その際の衝撃をスリツト３０７で集中的に吸収す
ることができ、チツプ１０１への衝撃を低下せし
め、容器の落下衝撃耐量を向上出来る。勿論、前
例と同様スリツトの形状は変更してもよい。
ち抜いて加工し、そのほぼ中央に半導体集積回路
チツプを搭載し、一方に複数のリードを他方に前
記チツプ搭載部を含めた放熱板を形成して、半導
体集積回路チツプを中心に樹脂封止されたもので
あるが、放熱板の露出部分に少なくとも２ケのビ
ス止め用穴をあけるとともに最両端の穴から各々
左右両外部にかけてビスより狭い幅のスリツトを
入れ、このスリツトに沿つた部分、すなわち放熱
板露出部の上側面部両端の形状が他の部分より突
出した構造となした半導体集積回路装置の平面図
である。即ち、チツプ１０１を搭載した内部放熱
板１０２の一部がモールド樹脂１０４より露出し
ている点は同じであるが、ビスによる２ケの締め
付け用穴２０３に外部からビスの直径より幅の狭
いスリツト３０７によつて切り込みを入れ、さら
に内部放熱板の露出部の上側面部両端２０６が外
部へ突出している。これにより逆落下の際には、
突起した上側面部両端２０６で着地すると共に、
その際の衝撃をスリツト３０７で集中的に吸収す
ることができ、チツプ１０１への衝撃を低下せし
め、容器の落下衝撃耐量を向上出来る。勿論、前
例と同様スリツトの形状は変更してもよい。
尚、上記いづれの実施例もビス取り付け穴を用
いたスリツト構造を例示したもので、ビスしめつ
け時における圧力を直接スリツト部で緩衝できる
ように工夫したものであるが、スリツトとその上
に突起とを対して設け、ビス用穴に設けるように
してもよい。
いたスリツト構造を例示したもので、ビスしめつ
け時における圧力を直接スリツト部で緩衝できる
ように工夫したものであるが、スリツトとその上
に突起とを対して設け、ビス用穴に設けるように
してもよい。
第１図は従来の半導体装置の平面図、第２図乃
至第４図は夫々本発明の第１，第２，第３の実施
例による平面図である。 １０１……チツプ、１０２……内部放熱板、１
０３……ビス取り付け用ミゾ、１０４……モール
ド樹脂、１０５……リード、２０６……突起部、
３０７……スリツト、２０３……ビス取り付け用
穴。
至第４図は夫々本発明の第１，第２，第３の実施
例による平面図である。 １０１……チツプ、１０２……内部放熱板、１
０３……ビス取り付け用ミゾ、１０４……モール
ド樹脂、１０５……リード、２０６……突起部、
３０７……スリツト、２０３……ビス取り付け用
穴。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体チツプを封止した封止本体の一辺から
その一部分が外側に露出した内部放熱板におい
て、内部放熱板の露出部に該封止本体の前記一辺
と平行な方向に延びるスリツトを設け、かつ前記
半導体チツプからみてスリツトの外側にあたる内
部放熱板の外縁部を突出させたことを特徴とする
半導体装置。 ２ 前記内部放熱板の露出部に少なくとも２つ以
上のビス取り付け用穴が設けてあり、前記スリツ
トが前記穴から延在するように設けてあることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7489782A JPS58191458A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7489782A JPS58191458A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58191458A JPS58191458A (ja) | 1983-11-08 |
| JPH048946B2 true JPH048946B2 (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=13560636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7489782A Granted JPS58191458A (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58191458A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610286B2 (ja) * | 1988-03-17 | 1994-02-09 | 日本ピストンリング株式会社 | カムシャフトの製造方法 |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP7489782A patent/JPS58191458A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58191458A (ja) | 1983-11-08 |
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