JPH0484421A - 半導体基板の熱処理方法 - Google Patents
半導体基板の熱処理方法Info
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- JPH0484421A JPH0484421A JP19792390A JP19792390A JPH0484421A JP H0484421 A JPH0484421 A JP H0484421A JP 19792390 A JP19792390 A JP 19792390A JP 19792390 A JP19792390 A JP 19792390A JP H0484421 A JPH0484421 A JP H0484421A
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- JP
- Japan
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- board
- furnace body
- heat treatment
- furnace
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Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造工程における半導体基板の熱処
理方法及び熱処理装置に関する。
理方法及び熱処理装置に関する。
従来の縦型熱処理装置は、石英管を縦に配置してその下
端を炉口として、複数の半導体基板を載せた石英ボード
を上記炉口より挿入し同炉口より引出して熱処理を行っ
ていた。
端を炉口として、複数の半導体基板を載せた石英ボード
を上記炉口より挿入し同炉口より引出して熱処理を行っ
ていた。
上記従来技術は横型の熱処理炉に比べ、ウェハ内での熱
処理のバラツキが少ないという点で改善されているが、
ひとつの般送装置によりウェハを下部炉口より挿入し同
炉口より取出すという先入れ後出しの方法をとっている
ため、石英ボード上の半導体基板の位置により熱処理時
間が違い半導体基板の品質のバラツキを大きくしていた
。
処理のバラツキが少ないという点で改善されているが、
ひとつの般送装置によりウェハを下部炉口より挿入し同
炉口より取出すという先入れ後出しの方法をとっている
ため、石英ボード上の半導体基板の位置により熱処理時
間が違い半導体基板の品質のバラツキを大きくしていた
。
本発明の目的は上記の熱処理の不均一性をなくすことに
ある。
ある。
上記目的を達成するために、ボードを下部炉口より挿入
し上部炉口より脱出させることにより、ボード内のどの
位置でも熱処理時間が等しくなるようにしたものである
。
し上部炉口より脱出させることにより、ボード内のどの
位置でも熱処理時間が等しくなるようにしたものである
。
本発明による熱処理装置は、半導体基板を先入れ先出し
で処理するため、バッチ内での半導体基板の熱処理によ
る特性のバラツキを低減させることができる。
で処理するため、バッチ内での半導体基板の熱処理によ
る特性のバラツキを低減させることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明するヶ
まず、ウェハ移載機７によりウェハ１０を搭載したボー
ド２をローダ５に設置し、下ブタ３を開は炉体下部炉口
１ａよりボード２を炉体１内に挿入し、任意のガス状態
による熱処理を行う。熱処理終了後上ブタ４を開け、炉
体上部炉口１ｂよりアンローダ６を炉体１内に挿入して
ボード２をアンローダ６に設置し、そのままアンローダ
６を上方へ移動させボード２を炉体１より引出す。ボー
ド２が炉体１より引出された抜上ブタ４を閉じ、アンロ
ーダ６をウェハ移載機７まで移動させボード２及びウェ
ハ１０を回収し、同時にローダ５を炉体１より引出し下
ブタ３を閉じる。ローダ５をウェハ移載機２まで移動さ
せ、次に熱処理を行うウェハを搭載したボードをローダ
５に設置し１次の熱処理を行う６ 本実施例により、ウェハのボード内位置によらず、個々
のウェハの熱処理時間を均一にすることができ、ウェハ
間の熱処理特性のバラツキを低減することができる。
ド２をローダ５に設置し、下ブタ３を開は炉体下部炉口
１ａよりボード２を炉体１内に挿入し、任意のガス状態
による熱処理を行う。熱処理終了後上ブタ４を開け、炉
体上部炉口１ｂよりアンローダ６を炉体１内に挿入して
ボード２をアンローダ６に設置し、そのままアンローダ
６を上方へ移動させボード２を炉体１より引出す。ボー
ド２が炉体１より引出された抜上ブタ４を閉じ、アンロ
ーダ６をウェハ移載機７まで移動させボード２及びウェ
ハ１０を回収し、同時にローダ５を炉体１より引出し下
ブタ３を閉じる。ローダ５をウェハ移載機２まで移動さ
せ、次に熱処理を行うウェハを搭載したボードをローダ
５に設置し１次の熱処理を行う６ 本実施例により、ウェハのボード内位置によらず、個々
のウェハの熱処理時間を均一にすることができ、ウェハ
間の熱処理特性のバラツキを低減することができる。
本発明によれば、複数の半導体基板を上り均一に熱処理
することができるので、半導体基板の熱処理特性のバラ
ツキを低減することができる。
することができるので、半導体基板の熱処理特性のバラ
ツキを低減することができる。
第１図は本発明一実施例の構成図を示す。
Claims (1)
- １、炉体の上部と下部に炉口があり任意に開閉できるフ
タが上部と下部それぞれの炉口に設置された縦型の熱処
理炉と、半導体基板を載せたボードを下部炉口から炉内
に挿入するローダと、上記ボードを上部炉口から引出す
アンローダと、上記ボードをアンローダから受取り半導
体基板を移載した後ローダに設置することのできるウェ
ハ移載機より成ることを特徴とする半導体基板の熱処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19792390A JPH0484421A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 半導体基板の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19792390A JPH0484421A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 半導体基板の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484421A true JPH0484421A (ja) | 1992-03-17 |
Family
ID=16382525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19792390A Pending JPH0484421A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 半導体基板の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0484421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008026572A1 (ja) * | 2006-08-28 | 2010-01-21 | 積水樹脂株式会社 | 自発光式道路標識柱 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP19792390A patent/JPH0484421A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008026572A1 (ja) * | 2006-08-28 | 2010-01-21 | 積水樹脂株式会社 | 自発光式道路標識柱 |
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