JPH048077A - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置の駆動方法Info
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- JPH048077A JPH048077A JP2113869A JP11386990A JPH048077A JP H048077 A JPH048077 A JP H048077A JP 2113869 A JP2113869 A JP 2113869A JP 11386990 A JP11386990 A JP 11386990A JP H048077 A JPH048077 A JP H048077A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract description 14
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体撮像装置の駆動方法に関するものである。
従来の技術
近年、固体撮像装置の開発が進み、性能の点から見て撮
像管に匹敵するものあるいはそれを上回るものかある。
像管に匹敵するものあるいはそれを上回るものかある。
第２図（ａ）および（ｂ）は従来の固体撮像装置の単位
セルの断面図および同単位セルの読み出し電極に電圧の
印加されたときのＡ−Ｂ間ポテンシャル図である。１は
電荷転送を行うＣＣＤ、２は光電変換素子、３はＰウェ
ル、４は光電変換素子表面のＰ層、５は光電変換素子か
らＣＣＤへ電荷を読み出す読み出し電極、６は素子分離
部、７はＣＣＤと光電変換素子の分離部、８は光電変換
素子からＣＣＤへ読み出された電荷、９は光電変換素子
内へ取り残された電荷である。
セルの断面図および同単位セルの読み出し電極に電圧の
印加されたときのＡ−Ｂ間ポテンシャル図である。１は
電荷転送を行うＣＣＤ、２は光電変換素子、３はＰウェ
ル、４は光電変換素子表面のＰ層、５は光電変換素子か
らＣＣＤへ電荷を読み出す読み出し電極、６は素子分離
部、７はＣＣＤと光電変換素子の分離部、８は光電変換
素子からＣＣＤへ読み出された電荷、９は光電変換素子
内へ取り残された電荷である。
読み出し電荷５に、読み出し電圧が加わると、ＣＣＤと
光電変換素子の分類部のポテンシャルがさがり、光電変
換素子２に蓄積されていた電荷がＣＣＤ１へ読み出され
る。電荷がＣＣＤへ読み出された時のポテンシャル図が
第２図（ｂ）の状態である。
光電変換素子の分類部のポテンシャルがさがり、光電変
換素子２に蓄積されていた電荷がＣＣＤ１へ読み出され
る。電荷がＣＣＤへ読み出された時のポテンシャル図が
第２図（ｂ）の状態である。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、読み出し電極５
が光電変換素子のｎ型表面上にある場合には、読み出し
電圧が加わった場合でも、光電変換素子内の読み出し電
極５の下のポテンシャルは、ＣＣＤと光電変換素子の分
離部７のポテンシャルよりも高くなる。したがって、光
電変換素子内へ取り残される電荷９か発生し残像が悪（
なってしまう。
が光電変換素子のｎ型表面上にある場合には、読み出し
電圧が加わった場合でも、光電変換素子内の読み出し電
極５の下のポテンシャルは、ＣＣＤと光電変換素子の分
離部７のポテンシャルよりも高くなる。したがって、光
電変換素子内へ取り残される電荷９か発生し残像が悪（
なってしまう。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は光電変換素子表面
がＰ型となっている固体撮像装置の前記充電変換素子内
にあって前記充電変換素子の電荷を電荷転送部へ読み出
す役割を持つ第１電極と絶縁膜をはさんで接する第２電
極に加わる電位が前記第１電極に加わる電位よりも低い
電位となっているものである。
がＰ型となっている固体撮像装置の前記充電変換素子内
にあって前記充電変換素子の電荷を電荷転送部へ読み出
す役割を持つ第１電極と絶縁膜をはさんで接する第２電
極に加わる電位が前記第１電極に加わる電位よりも低い
電位となっているものである。
作用
この構成によって、読み出し電極に絶縁膜をはさんで接
する電極（以下、取り残し解消電極と記す）に、読み出
し電極に加わる最大電位よりも低い電圧を加えることで
、取り残し解消電極からの電界により、充電変換素子内
で読み出し電極下のｎ型領域のポテンシャルがＣＣＤと
光電変換素子の分離部のポテンシャルよりも低くなり、
光電変換素子内へ取り残される電荷をなくし、残像を改
善することができる。
する電極（以下、取り残し解消電極と記す）に、読み出
し電極に加わる最大電位よりも低い電圧を加えることで
、取り残し解消電極からの電界により、充電変換素子内
で読み出し電極下のｎ型領域のポテンシャルがＣＣＤと
光電変換素子の分離部のポテンシャルよりも低くなり、
光電変換素子内へ取り残される電荷をなくし、残像を改
善することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について、図面を参照しなから説
明する。第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の実施例に
おける固体撮像装置の単位セルの断面図及びそのＸ−Ｙ
間のポテンシャル図である。この実施例では、第１図（
ａ）の固体撮像装置とくらへると、取り残し解消電極１
０が付加されたものである。取り残し解消電極１０に、
読み出し電極５に加わる読み出し電圧よりも低い電圧を
加えることで、取り残し解消電極１０に接する読み出し
電極５の下の光電変換素子のｎ型領域に、ポテンシャル
が浅（なるような電界が発生し、読み出し電極５の下の
充電変換素子内へ取り残された電荷９をＣＣＤへ読み出
すことができる。取り残し解消電極１０に加える電位は
、光電変換素子表面のＰ層の電位よりも、低くなると、
より効果がある。また、取り残し解消電極１０に交流の
電位を加えることでも、その効果はあるが、直流電位を
加えることで、交流のパルスなどの交流成分を新たに作
る必要がなく有利である。
明する。第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の実施例に
おける固体撮像装置の単位セルの断面図及びそのＸ−Ｙ
間のポテンシャル図である。この実施例では、第１図（
ａ）の固体撮像装置とくらへると、取り残し解消電極１
０が付加されたものである。取り残し解消電極１０に、
読み出し電極５に加わる読み出し電圧よりも低い電圧を
加えることで、取り残し解消電極１０に接する読み出し
電極５の下の光電変換素子のｎ型領域に、ポテンシャル
が浅（なるような電界が発生し、読み出し電極５の下の
充電変換素子内へ取り残された電荷９をＣＣＤへ読み出
すことができる。取り残し解消電極１０に加える電位は
、光電変換素子表面のＰ層の電位よりも、低くなると、
より効果がある。また、取り残し解消電極１０に交流の
電位を加えることでも、その効果はあるが、直流電位を
加えることで、交流のパルスなどの交流成分を新たに作
る必要がなく有利である。
また取り残し解消電極１０の下の光電変換素子表面がｎ
型であるので、光電変換素子表面がピンチオフする電位
を取り残し解消電極１０に加えれば、表面準位で熱励起
により発生する電荷の発生を防ぐことができる。
型であるので、光電変換素子表面がピンチオフする電位
を取り残し解消電極１０に加えれば、表面準位で熱励起
により発生する電荷の発生を防ぐことができる。
発明の効果
以上のように本発明は、読み出し電極の端部に、絶縁膜
をはさんで取り残し解消電極を設け、これに、読み出し
電極に加わる読み出し電圧よりも低い電圧を加えること
で、読み出し電極下へ取り残された電荷をなくし、残像
を改善することができ、その実用的効果は大なるものが
ある。
をはさんで取り残し解消電極を設け、これに、読み出し
電極に加わる読み出し電圧よりも低い電圧を加えること
で、読み出し電極下へ取り残された電荷をなくし、残像
を改善することができ、その実用的効果は大なるものが
ある。
第１図は本発明の実施例における固体撮像装置の単位セ
ルの断面図とそのポテンシャル図、第２図は従来の固体
撮像装置の単位セルの断面図とそのポテンシャル図であ
る。 １・・・・・・ＣＣＤ、２・・・・・・光電変換素子、
３・・・・・・Ｐウェル、４・・・・・・光電変換素子
表面のＰ層、５・・・・・・読み出し電極、６・・・・
・・素子分離部、７・・・・・・ＣＣＤと光電変換素子
の分離部、８・・・・・・光電変換素子からＣＣＤへ読
み出された電荷、９・・・・・・光電変換素子内へ取り
残された電荷、１０・・・・・・取り残し解消電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 第 図
ルの断面図とそのポテンシャル図、第２図は従来の固体
撮像装置の単位セルの断面図とそのポテンシャル図であ
る。 １・・・・・・ＣＣＤ、２・・・・・・光電変換素子、
３・・・・・・Ｐウェル、４・・・・・・光電変換素子
表面のＰ層、５・・・・・・読み出し電極、６・・・・
・・素子分離部、７・・・・・・ＣＣＤと光電変換素子
の分離部、８・・・・・・光電変換素子からＣＣＤへ読
み出された電荷、９・・・・・・光電変換素子内へ取り
残された電荷、１０・・・・・・取り残し解消電極。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第 図 第 図
Claims (2)
- （１）光電変換素子表面がＰ型となっている固体撮像装
置の前記光電変換素子の電荷を電荷転送部へ読み出す役
割を持つ第１電極と絶縁膜をはさんで接する第２電極に
加わる電位が前記第１電極に加わる電位よりも低い電位
であることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - （２）第２電極の電位が光電変換素子表面をピンチオフ
する電位であることを特徴とする請求項１記載の固体撮
像装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113869A JPH048077A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113869A JPH048077A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH048077A true JPH048077A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14623146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113869A Pending JPH048077A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 固体撮像装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH048077A (ja) |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP2113869A patent/JPH048077A/ja active Pending
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