JPH0480734B2 - - Google Patents

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JPH0480734B2
JPH0480734B2 JP60032799A JP3279985A JPH0480734B2 JP H0480734 B2 JPH0480734 B2 JP H0480734B2 JP 60032799 A JP60032799 A JP 60032799A JP 3279985 A JP3279985 A JP 3279985A JP H0480734 B2 JPH0480734 B2 JP H0480734B2
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JP
Japan
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substrate
chamber
holder assembly
rotating drum
jig
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP60032799A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61192334A (ja
Inventor
Haruo Sugyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
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Publication of JPS61192334A publication Critical patent/JPS61192334A/ja
Publication of JPH0480734B2 publication Critical patent/JPH0480734B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、薄膜の形成に用いられる真空蒸着装
置やスパツタリング装置等のような真空処理装置
に関するものである。
従来の技術 従来、例えばスパツタ装置においては、処理す
べき基板の形状をあまり問わないこと、構造が簡
単で多層膜の形成に有利であること、カソードの
大きさに応じてドラム治具を大きくする事により
枚葉式のものに比べバツチ内で処理できることや
生産性が高いことなどの理由によつてドラム治具
方式のものが広く応用されている。そして最近の
電子部品の薄膜品質等の観点でバツチ方式に代つ
て、基板の仕込み・取出し室とスパツタ成膜室と
を分離したLOAD/LOCK方式が各種の成膜装置
で一般化してきている。そのような装置の一例を
添附図面の第3図に概略的に示す。
第3図に示すようにスパツタ室Aと基板仕込
み・取出し室Bとを仕切バルブCで分離し、この
仕切バルブCを開放することによつて基板の装着
されるドラム治具Dはスパツタ室A内の処理位置
と基板仕込み・取出し室Bにおける基板仕込み・
取出し位置との間で移動できるようにされてお
り、基板の仕込みや取出しは前面扉Eを開けて行
なわれる。なお第3図においてFはカソードを示
している。
ところで、図示したような従来装置では、回転
ドラム治具全体を基板仕込み・取出し室とスパツ
タ成膜室との間で移動させるようにしているため
次のような問題点がある。すなわち、 (1) 通常回転ドラム治具は外径が約500φ〜、高
さが500H程度で相当大型でかさばるためこの
回転ドラム治具を通過させるためには大型の仕
切バルブを用いる必要があり、その結果全体の
システム系が相当大きくなり、装置が全体的に
コスト高となる。
(2) 回転ドラム治具内は中空であるため、基板仕
込み・取出し室内のデツドスペースとなり、そ
の結果排気系の負荷が大きくなり、従つて排気
系も大容量、高性能のものが要求される。
(3) 回転ドラム治具の取出し時に外気に触れるた
め治具に水蒸気等が付着し、排気やスパツタリ
ングに悪影響を及ぼすことになる。
(4) 電子装置の製作に用いる場合にはスパツタ成
膜中に冷却する必要があるが、回転ドラム治具
が移動するため冷却機構を実質的に組込むこと
ができない。その結果このようなスパツタ装置
で成膜できる対象物が必然に制限されることに
なつたり、膜特性等に悪影響を及ぼしたりする
ことになる。
(5) ドラム治具全体が移動するため、インライン
化ができず、大量生産化に不向きである。
(6) 不純物の拡散防止やステツプカバレージの向
上等のためにバイアススパツタ方式が有利に用
いられるが、しかしこの種の装置では回転ドラ
ム治具が移動するため設計上電力供給を安定に
できず、従つてバイアススパツタ方式を採用す
ることは実質的に困難である。
発明が解決しようとする問題点 そこで、本発明は、処理すべき基板の形状を問
わず、構造が簡単で多層膜形成に有利であり、ま
た一度の多数の基板処理ができるという特徴を有
するドラム治具方式の真空処理装置において全体
装置の小型化、冷却機構の導入、RFまたはDCバ
イアスの印加、インライン化等を可能にすること
を目的とするものである。
問題点を解決するための手段 上記の目的を達成するために、本発明による真
空処理装置は、処理室内に処理すべき基板の装着
される回転ドラム治具を固定配置し、処理室内の
上記回転ドラム治具に対して処理すべき基板・ホ
ルダ組立体を着脱するための基板・ホルダ組立体
着脱機構を設け、処理室に対して基板・ホルダ組
立体を搬入・搬出できるように構成したことを特
徴としている。
作 用 このように構成した本発明による真空処理装置
においては、回転ドラム治具を処理室内に固定配
置しているため、回転ドラム治具に冷却機構およ
びRFまたはDCバイアス印加機構を容易に組込む
ことができる。これにより基板の温度制御を十分
かつ適切に行なうことができ、また不純物の拡散
防止、ステツプカバレージの向上を容易に達成す
ることができる。
またドラム治具を処理案内に固定配置し、しか
も基板・ホルダ組立体着脱機構を設けたことによ
り、各室の仕切バルブは基板・ホルダ組立体を通
過させ得る開口部をもつだけで十分であり、従つ
て装置を小型化することができ、当然排気系の負
荷も軽減させることができる。
さらに本発明の装置においては、処理室を複数
個設けて多層膜の製作や生産性の向上を図ること
ができると共に、インライン化することも可能と
なる。
なお、基板・ホルダ組立体の移送機構は信頼性
や生産性を考慮して任意の適当な型式例えばレー
ル、ベアリング、チエーン等を用いることがで
き、そして基板・ホルダ組立体着脱機構と連動す
るように組合され得る。
また本発明による真空処理装置は基板の仕込み
および取出しに同一真空室を使用する片側ロード
ロツク式或いは基板の仕込みと取出しとをそれぞ
れ別個の専用の真空室で行なう両側ロードロツク
式で実施することができる。
実施例 以下、添附図面中の第1図および第2図を参照
して本発明の実施例について説明する。
第1図には本発明の一実施例であるスパツタ成
膜装置を概略的に示し、1はスパツタ成膜室で、
その内部には多面体(通常6面〜10面をもつ)の
回転ドラム治具2が配置されている。この回転ド
ラム治具2と同心円周上で回転ドラム治具2の各
基板装着面2aと対向し得る位置にカソード3が
配置されている。回転ドラム治具2は図示してな
い駆動装置によつて制御された予定の速度で回転
駆動される。
スパツタ成膜室1の両側にはそれぞれ基板仕込
み室4および基板取出し室5が連結通路6,7を
介して連続されており、各室と連結通路との間に
は符号8,9,10,11で示すように仕切バル
ブが設けられている。また基板仕込み室4および
基板取出し室5はそれぞれ図示したように開閉扉
4a,5aを備えている。図面には示してないが
当然各室1,4,5は適当な排気系に連結され、
所要なレベルに排気できるようにされている。そ
してまたスパツタ成膜室1と基板仕込み室4との
間には基板を加熱したりスパツタリングするため
の前処理室が挿置され得る。なお第1図において
符号12は基板・ホルダ組立体を示す。各基板・
ホルダ組立体12は第2図に符号13で示すよう
な搬送装置によつて基板仕込み室4からスパツタ
成膜室1へ搬入し、そしてスパツタ成膜室1から
基板取出し室5へ搬出するようにされている。
さらに、スパツタ成膜室1には、搬送装置によ
つて搬入されてきた基板・ホルダ組立体12を回
転ドラム治具2の各基板装着面2aに装着しそし
て処理の終つた基板・ホルダ組立体12を装着面
2aからはずして基板取出し室5への搬送装置へ
移す基板・ホルダ組立体着脱装置14が設けられ
ており、この装置14は回転ドラム治具2に対し
て近接したり離れたりするように作動する。
次に第2図を参照して回転ドラム治具に対する
基板・ホルダ組立体の着脱機構の一例を説明す
る。なお第2図において第1図と対応する部分は
同じ符号で示す。
第2図において搬送装置13は基板・ホルダ組
立体12の両側部を滑動案内するようにされた複
数個の案内ローラ13aと駆動ローラ13bとを
有し、駆動ローラ13bは駆動機構13cによつ
て駆動される。基板・ホルダ組立体着脱装置14
は二つのシリンダ作動機構14a,14bから成
り、その一方14aは前進すなわち伸長位置に、
また他方14bは後退位置に示されているが、実
際には両機構14a,14bは同時に同一動作を
行なうように作動される。各シリンダ作動機構1
4a,14bは図示したようにその先端部にホル
ダチヤツク部材15a,15bを備えており、こ
れらのホルダチヤツク部材は各基板・ホルダ組立
体12のホルダ12a(基板は12bで示す)に
設けられた握り部12cを握持できるようにされ
ている。またホルダ12aは回転ドラム治具2の
各装着面2aに設けられた係止穴2cに係止する
突子12dを備えている。なお第2図において符
号16は回転ドラム治具2を所定の位置(すなわ
ち基板・ホルダ組立体12の着脱位置)で停止さ
せる停止案内装置である。
このように構成された基板・ホルダ組立体12
の着脱機構の動作において、搬送装置13によつ
て基板仕込み室4から搬入されてきた基板・ホル
ダ組立体12は仮想線で示す位置においてシリン
ダ作動機構14a,14bのホルダチヤツク部材
15a,15bで受けられ、搬送装置13の案内
ローラ13aおよび駆動ローラ13bは基板・ホ
ルダ組立体12から離され、そして各シリンダ作
動機構14a,14bは、所定の位置に停止され
ている回転ドラム治具2の装着面2aに対して基
板・ホルダ組立体12を押し当て各突子12dを
治具2における係止穴2cに係止させる。こうし
て基板・ホルダ組立体12は治具2に装着され、
この操作を繰返して治具2の全装着面2aに処理
すべき基板を装着する。こうして準備をした後所
要のスパツタ成膜動作が行なわれる。成膜の終了
した基板は上述の装着動作と逆にして取り外ずさ
れる。
なお、基板・ホルダ組立体のドラム治具への装
着手段は図示例に限定されず、任意の他の固定手
段を用いてもよく、また着脱機構14も任意適当
に設計することができる。
効 果 以上、説明してきたように、本発明による真空
処理装置においては、回転ドラム治具を処理室内
に固定配置し、着脱機構を用いて基板・ホルダ組
立体だけを搬入装着、取外し搬出するように構成
しているので、ドラム治具自体に必要な装置、例
えば冷却機構やバイアス印加手段を組込むことが
でき、また各室の仕切バルブも小型化でき、デツ
トスペースの縮小と共に装置自体を小型化でき、
そして排気系の負荷も軽減させることができる。
さらに装置をインターバツク方式でもインライン
方式でも必要に応じて任意に実施することがで
き、種々の目的に使用することができしかも高い
処理能力はもちろんのこと処理特性も十分に高く
維持することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す概略断面図、
第2図は第1図の装置の一部の具体例を示す部分
断面図、第3図は従来例を示す概略断面図であ
る。 図中、1:処理室、2:回転ドラム治具、4:
基板仕込み室、5:基板取出し室、8,9,1
0,11:仕切バルブ、12:基板・ホルダ組立
体、13:搬送装置、14:着脱機構。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 処理室内に、処理すべき基板の装着される回
    転ドラム治具を固定配置し、処理室内の上記回転
    ドラム治具に対して処理すべき基板・ホルダ組立
    体を着脱するための基板・ホルダ組立体着脱機構
    を設け、処理室に対して基板・ホルダ組立体を搬
    入、搬出できるように構成したことを特徴とする
    真空処理装置。
JP3279985A 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置 Granted JPS61192334A (ja)

Priority Applications (1)

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JP3279985A JPS61192334A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置

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JP3279985A JPS61192334A (ja) 1985-02-22 1985-02-22 真空処理装置

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JPS61192334A JPS61192334A (ja) 1986-08-26
JPH0480734B2 true JPH0480734B2 (ja) 1992-12-21

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JPS61192334A (ja) 1986-08-26

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