JPH0480366A - 有機金属気相成長装置 - Google Patents
有機金属気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0480366A JPH0480366A JP19259290A JP19259290A JPH0480366A JP H0480366 A JPH0480366 A JP H0480366A JP 19259290 A JP19259290 A JP 19259290A JP 19259290 A JP19259290 A JP 19259290A JP H0480366 A JPH0480366 A JP H0480366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gases
- substrate
- growth chamber
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 78
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気相成長装置に関し、特に有機金属気相成長
法（ＭＯＣＶＤ）の使用に適した気相成長装置に関する
。
法（ＭＯＣＶＤ）の使用に適した気相成長装置に関する
。
近時、トリメチルガリウムやトリメチルアルミニウム等
の有機金属のガスと、アルシン、ホスフィン等の水素化
物のガスとを原料ガスとし、これら原料ガスを混合して
なる混合ガスを基板上に供給して化合物半導体薄膜を形
成する有機金属気相成長法が行われている。
の有機金属のガスと、アルシン、ホスフィン等の水素化
物のガスとを原料ガスとし、これら原料ガスを混合して
なる混合ガスを基板上に供給して化合物半導体薄膜を形
成する有機金属気相成長法が行われている。
この方法は、通常、気相成長室内にｐ板を配置し、該室
内に上記混合ガスを導入して行われるものである。例え
ば第７図は、混合ガスを基板面に垂直に供給する縦型Ｍ
ＯＣＶＤ装置の例である。
内に上記混合ガスを導入して行われるものである。例え
ば第７図は、混合ガスを基板面に垂直に供給する縦型Ｍ
ＯＣＶＤ装置の例である。
この装置は、気相成長室１内に設けたサセプタ２ａ上の
基板２を、所定温度に加熱するとともに、気相成長室１
上部のガス導入部１ａに設けた原料ガス導入管３ａ、３
ｂからそれぞれ前記有機金属ガスと水素化物ガスの原料
ガスを導入し、該ガス導入部］ａに設けた多孔板からな
るガスミキサー４（第８図参照）で混合し、基板２上で
熱分解させ、基板２上に化合物半導体薄膜を製造するも
のである。
基板２を、所定温度に加熱するとともに、気相成長室１
上部のガス導入部１ａに設けた原料ガス導入管３ａ、３
ｂからそれぞれ前記有機金属ガスと水素化物ガスの原料
ガスを導入し、該ガス導入部］ａに設けた多孔板からな
るガスミキサー４（第８図参照）で混合し、基板２上で
熱分解させ、基板２上に化合物半導体薄膜を製造するも
のである。
また、この方法では、２種類以上の多種類の原料を用い
て多元系薄膜を製造するほか、特に導入する原料の種類
を切換えて、即ち組成の異なる混合ガスを基板上に供給
して組成の異なる薄膜を多層に積層することが行われて
いる。従って、基板上に供給される混合ガスは、複数の
原料ガスが均−に混合されている必要があるとともに、
前記多層の薄膜の形成では、界面の急峻性がデバイス製
作上での問題となるので、組成の異なる混合ガスが迅速
に切換わる必要がある。
て多元系薄膜を製造するほか、特に導入する原料の種類
を切換えて、即ち組成の異なる混合ガスを基板上に供給
して組成の異なる薄膜を多層に積層することが行われて
いる。従って、基板上に供給される混合ガスは、複数の
原料ガスが均−に混合されている必要があるとともに、
前記多層の薄膜の形成では、界面の急峻性がデバイス製
作上での問題となるので、組成の異なる混合ガスが迅速
に切換わる必要がある。
このため、従来の装置においても、気相成長室１のガス
導入部１ａのガスミキサー４の二次側（基板側）を末広
がりの紡錘形にするなとの工夫が施されている。
導入部１ａのガスミキサー４の二次側（基板側）を末広
がりの紡錘形にするなとの工夫が施されている。
しかしながら、上述の装置を用いると、気相成長室１の
紡錘形部分の周辺部に渦流Ｑか生じて原料ガスが滞留す
ることがあり、原料ガスの切換えが迅速に行えず、界面
の急峻性を阻害する不都合があった。
紡錘形部分の周辺部に渦流Ｑか生じて原料ガスが滞留す
ることがあり、原料ガスの切換えが迅速に行えず、界面
の急峻性を阻害する不都合があった。
さらに従来のガスミキサー４は、単に平板に孔を設けて
いるだけなので、気相成長室１のガス導入部１ａに導入
された原料ガスの流速が少しでも異なると、例えは原料
ガス導入管３ｂから導入される原料ガスの流速が早いと
図に示す位置に偏流Ｐを生しることがある。この偏流Ｐ
を防止するためには、各原料ガスが同一圧力でガス導入
部１ａに供給されるように、精密な圧力制御を行う必要
があった。
いるだけなので、気相成長室１のガス導入部１ａに導入
された原料ガスの流速が少しでも異なると、例えは原料
ガス導入管３ｂから導入される原料ガスの流速が早いと
図に示す位置に偏流Ｐを生しることがある。この偏流Ｐ
を防止するためには、各原料ガスが同一圧力でガス導入
部１ａに供給されるように、精密な圧力制御を行う必要
があった。
そこで、本発明は、複数種類の原料ガスを均一に混合さ
せることができるとともに、ガスの切換えも迅速に行う
ことのできる気相成長装置を提供することを目的として
いる。
せることができるとともに、ガスの切換えも迅速に行う
ことのできる気相成長装置を提供することを目的として
いる。
上記した目的を達成するために、本発明の気相成長装置
は、気相成長室内の基板上に原料ガスを供給して薄膜を
形成する気相成長装置において、前記気相成長室の原料
ガス導入部に、前記原料ガスを旋回流として基板方向に
供給するガス旋回装置を設けたことを特徴としている。
は、気相成長室内の基板上に原料ガスを供給して薄膜を
形成する気相成長装置において、前記気相成長室の原料
ガス導入部に、前記原料ガスを旋回流として基板方向に
供給するガス旋回装置を設けたことを特徴としている。
従って、気相成長室に導入された複数の原料ガスは、上
記ガス旋回装置により旋回流となって流れ、ガスの混合
が促進されるとともに、渦流の発生を防止できるので、
均一に混合した原料ガスを基板に供給し、良好な薄膜成
長を行え、さらにガスの切換えも迅速に行えるので、界
面の急峻性の良好な多層薄膜も容易に得ることができる
。また、原料ガスの圧力が多少異なっていても偏流を生
しることがなく、原料ガスの圧力制御が容易になる。
記ガス旋回装置により旋回流となって流れ、ガスの混合
が促進されるとともに、渦流の発生を防止できるので、
均一に混合した原料ガスを基板に供給し、良好な薄膜成
長を行え、さらにガスの切換えも迅速に行えるので、界
面の急峻性の良好な多層薄膜も容易に得ることができる
。また、原料ガスの圧力が多少異なっていても偏流を生
しることがなく、原料ガスの圧力制御が容易になる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて、さらに詳
細に説明する。
細に説明する。
まず、第１図は、本発明を縦型ＭＯＣＶＤ装置に適用し
た一実施例を示している。即ち、従来と略同様に形成さ
れた気相成長室１０のガス導入部１１に、原料ガス導入
管１２ａ、１２ｂから導入される原料ガスを旋回流とし
て基板１３の方向に供給するガス旋回装置２０を設けた
ものである。
た一実施例を示している。即ち、従来と略同様に形成さ
れた気相成長室１０のガス導入部１１に、原料ガス導入
管１２ａ、１２ｂから導入される原料ガスを旋回流とし
て基板１３の方向に供給するガス旋回装置２０を設けた
ものである。
また、第２図は、本発明を、混合ガスを基板面に平行に
供給する横型ＭＯＣＶＤ装置に適用した一実施例で、気
相成長室１５のガス導入部１６に、原料ガス導入管１７
ａ、１７ｂから導入される原料ガスを旋回流として基板
１８の方向に供給するガス旋回装置２０を設けたもので
ある。
供給する横型ＭＯＣＶＤ装置に適用した一実施例で、気
相成長室１５のガス導入部１６に、原料ガス導入管１７
ａ、１７ｂから導入される原料ガスを旋回流として基板
１８の方向に供給するガス旋回装置２０を設けたもので
ある。
上記ガス旋回装置２０は、第３図及び第４図に示すよう
に、適当な直径の中心軸部２１に、軸方向に斜めに傾斜
し、かつ外周端が略気相成長室１０のガス導入部の内径
に等しい羽２２．２２を径方向に一様に配設したもので
ある。従って、軸方向から供給された原料ガスは、羽２
２の傾斜に沿って流れ、気相成長室内に旋回流となって
導入される。尚、羽２２の形状は、導入されたガスを旋
回流にすることができる形状ならば、任意の形状で形成
することが可能であり、例えば、第３図に示すように、
羽２２の両端をラップさせても、第４図に示すように羽
２２をラップさせないようにしても良い。また、羽２２
の形状は、平面でも曲面でも良く、羽２２の枚数や軸線
に対する角度も適宜設定することが可能であり、中心軸
部の直径や気相成長室のガス導入部の内径に応じて設定
することができる。これらのガス旋回装置２０の形状の
設定は、気相成長装置の構成や基板に成長させる薄膜の
種類、その他の気相成長における様々な条件を勘案して
最適な状態にすることができる。
に、適当な直径の中心軸部２１に、軸方向に斜めに傾斜
し、かつ外周端が略気相成長室１０のガス導入部の内径
に等しい羽２２．２２を径方向に一様に配設したもので
ある。従って、軸方向から供給された原料ガスは、羽２
２の傾斜に沿って流れ、気相成長室内に旋回流となって
導入される。尚、羽２２の形状は、導入されたガスを旋
回流にすることができる形状ならば、任意の形状で形成
することが可能であり、例えば、第３図に示すように、
羽２２の両端をラップさせても、第４図に示すように羽
２２をラップさせないようにしても良い。また、羽２２
の形状は、平面でも曲面でも良く、羽２２の枚数や軸線
に対する角度も適宜設定することが可能であり、中心軸
部の直径や気相成長室のガス導入部の内径に応じて設定
することができる。これらのガス旋回装置２０の形状の
設定は、気相成長装置の構成や基板に成長させる薄膜の
種類、その他の気相成長における様々な条件を勘案して
最適な状態にすることができる。
第５図は、前記第１図に示す実施例装置と前記第７図に
示した従来例装置とを用いて、２インチのＧａＡｓ基板
上にＩｎＧａＰの薄膜を同一条件で作成し、基板各点に
おけるフォトルミネッセンス測定を行った結果を示して
いる。ここで、フォトルミネッセンス測定とは、薄膜に
レーサー光を当てて薄膜中に電子とホールとを励起させ
、その電子とホールとが再結合するときの発光を測定す
るものであり、発光ピークの波長から半導体のバンドギ
ャップ、ひいては多元系半導体の組成が分かる。第５図
から明らかなように、本実施例装置で作成した薄膜の基
板面内分布は、従来装置に比べて５０％程良くなり、組
成の面内均一性か改善されたことが分かる。
示した従来例装置とを用いて、２インチのＧａＡｓ基板
上にＩｎＧａＰの薄膜を同一条件で作成し、基板各点に
おけるフォトルミネッセンス測定を行った結果を示して
いる。ここで、フォトルミネッセンス測定とは、薄膜に
レーサー光を当てて薄膜中に電子とホールとを励起させ
、その電子とホールとが再結合するときの発光を測定す
るものであり、発光ピークの波長から半導体のバンドギ
ャップ、ひいては多元系半導体の組成が分かる。第５図
から明らかなように、本実施例装置で作成した薄膜の基
板面内分布は、従来装置に比べて５０％程良くなり、組
成の面内均一性か改善されたことが分かる。
第６図は、同様に、前記第１図に示す実施例装置と前記
第７図に示した従来例装置とを用いて、２インチのＧａ
Ａｓ基板上にＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓの多重量子井戸
層を積み、フォトルミネッセンス測定を行った結果を示
している。第６図中Ａ、Ｂ、Ｃは、発光ピークの設言１
位置を示しており、該設計ピーク位置と実際に得られた
薄膜から得られる発光ピークとのずれか小さいほど界面
が急峻であることを示している。第６図から明らかなよ
うに、本実施例装置で作成した薄膜の発光ピークは、は
ぼ設計位置に現れるのに対し、従来装置で得た薄膜ては
、ＧａＡｓ井戸内に少量のＡＩが混入し、発光ピークが
ずれているのが判る。
第７図に示した従来例装置とを用いて、２インチのＧａ
Ａｓ基板上にＡｌＧａＡｓ及びＧａＡｓの多重量子井戸
層を積み、フォトルミネッセンス測定を行った結果を示
している。第６図中Ａ、Ｂ、Ｃは、発光ピークの設言１
位置を示しており、該設計ピーク位置と実際に得られた
薄膜から得られる発光ピークとのずれか小さいほど界面
が急峻であることを示している。第６図から明らかなよ
うに、本実施例装置で作成した薄膜の発光ピークは、は
ぼ設計位置に現れるのに対し、従来装置で得た薄膜ては
、ＧａＡｓ井戸内に少量のＡＩが混入し、発光ピークが
ずれているのが判る。
以上説明したように、本発明の気相成長装置は、気相成
長室の原料ガス導入部にガス旋回装置を設けたから、気
相成長室内に導入する原料ガスに旋回流を発生させるこ
とかでき、複数の原料ガスの混合を確実に行えるととも
に、原料ガスを混合してなる混合ガスの切換えも迅速に
行うことかできる。また、原料（混合）ガスを旋回させ
なから気相成長室内に導入するので、偏流か生しること
もないので、原料ガスの導入圧力を厳密にｆｆ１ｌＪ御
する必要がなくなる。
長室の原料ガス導入部にガス旋回装置を設けたから、気
相成長室内に導入する原料ガスに旋回流を発生させるこ
とかでき、複数の原料ガスの混合を確実に行えるととも
に、原料ガスを混合してなる混合ガスの切換えも迅速に
行うことかできる。また、原料（混合）ガスを旋回させ
なから気相成長室内に導入するので、偏流か生しること
もないので、原料ガスの導入圧力を厳密にｆｆ１ｌＪ御
する必要がなくなる。
従って、ＭＯＣＶＤのように複数の原料ガスを用いる気
相成長装置に特に好適であり、膜質の均一化が図れると
ともに、界面の急峻な多層薄膜も容易に得ることができ
る。
相成長装置に特に好適であり、膜質の均一化が図れると
ともに、界面の急峻な多層薄膜も容易に得ることができ
る。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の実施例を示すもの
で、第１図は縦型ＭＯＣＶＤ装置の要ｆｆＪｓの断面図
、第２図は横型ＭＯＣＶＤ装置の要部の断面図、第３図
及び第４図はそれぞれガス旋回装置の実施例を示す側面
図、第５図及び第６図はそれぞれ実験結果を示す図、第
７図は従来の縦型ＭＯＣＶＤ装置の一例を示す要部の断
面図、第８図は従来のガスミキサーを示す正面図である
。
で、第１図は縦型ＭＯＣＶＤ装置の要ｆｆＪｓの断面図
、第２図は横型ＭＯＣＶＤ装置の要部の断面図、第３図
及び第４図はそれぞれガス旋回装置の実施例を示す側面
図、第５図及び第６図はそれぞれ実験結果を示す図、第
７図は従来の縦型ＭＯＣＶＤ装置の一例を示す要部の断
面図、第８図は従来のガスミキサーを示す正面図である
。
Claims (1)
- １．気相成長室内の基板上に原料ガスを供給して薄膜を
形成する気相成長装置において、前記気相成長室の原料
ガス導入部に、前記原料ガスを旋回流として基板方向に
供給するガス旋回装置を設けたことを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19259290A JP2939823B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 有機金属気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19259290A JP2939823B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 有機金属気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480366A true JPH0480366A (ja) | 1992-03-13 |
| JP2939823B2 JP2939823B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=16293840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19259290A Expired - Fee Related JP2939823B2 (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | 有機金属気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939823B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852168B2 (en) * | 2000-06-24 | 2005-02-08 | Ips Ltd. | Reactor for depositing thin film on wafer |
| WO2013146680A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社ブイテックス | 気化装置 |
| JP2015528060A (ja) * | 2012-07-12 | 2015-09-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ガス混合装置 |
| JP2017226863A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス混合装置および基板処理装置 |
| US11732355B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP19259290A patent/JP2939823B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6852168B2 (en) * | 2000-06-24 | 2005-02-08 | Ips Ltd. | Reactor for depositing thin film on wafer |
| WO2013146680A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社ブイテックス | 気化装置 |
| JP2013208524A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | V Tex:Kk | 気化装置 |
| JP2015528060A (ja) * | 2012-07-12 | 2015-09-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ガス混合装置 |
| US10232324B2 (en) | 2012-07-12 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Gas mixing apparatus |
| JP2017226863A (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス混合装置および基板処理装置 |
| US11732355B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-08-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying improved gas flow to a processing volume of a processing chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2939823B2 (ja) | 1999-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5304247A (en) | Apparatus for depositing compound semiconductor crystal | |
| KR100272752B1 (ko) | 기상성장장치및기상성장방법 | |
| US7479303B2 (en) | Method for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead and method thereof | |
| EP1452626B9 (en) | Mixer, and device and method for manufacturing thin film | |
| JPH04364024A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH0480366A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH09293681A (ja) | 気相成長装置 | |
| FR2661554A1 (fr) | Dispositif d'introduction des gaz dans la chambre d'un reacteur d'epitaxie, chambre de reacteur comportant un tel dispositif d'introduction de gaz, et utilisation d'une telle chambre pour la realisation de couches semiconductrices. | |
| JP2000511705A (ja) | 半導体デバイスの製造方法及びこの方法を実施する装置 | |
| JPH03263818A (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP3880096B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JP5011631B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体製造システム | |
| JPH08139034A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPH02126632A (ja) | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 | |
| JPH0878336A (ja) | 反応処理装置 | |
| JPH10242062A (ja) | 半導体薄膜の成長方法 | |
| JP3010739B2 (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法及び装置 | |
| EP0917596A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device and a device for applying such a method | |
| JP2712910B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS6333811A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP3743945B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH03244119A (ja) | ３―５族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS62216993A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0462834A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH04221820A (ja) | 有機金属気相成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |