JPH0479538B2 - - Google Patents
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- JPH0479538B2 JPH0479538B2 JP59068895A JP6889584A JPH0479538B2 JP H0479538 B2 JPH0479538 B2 JP H0479538B2 JP 59068895 A JP59068895 A JP 59068895A JP 6889584 A JP6889584 A JP 6889584A JP H0479538 B2 JPH0479538 B2 JP H0479538B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/02—Soldered or welded connections
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、高温で使用するセンサーのセラミツ
ク基板の端子構造に関するものである。
ク基板の端子構造に関するものである。
[従来の技術]
従来より、セラミツク材からなる基板上に金又
は白金族の貴金属を主体とした貴金属ペーストに
てパターンを形成し、焼結することによつて、電
子回路の小型化し、軽量化を図るといつたことが
行なわれている。
は白金族の貴金属を主体とした貴金属ペーストに
てパターンを形成し、焼結することによつて、電
子回路の小型化し、軽量化を図るといつたことが
行なわれている。
ここで、この種のセラミツク基板における信号
を入・出力するための端子構造としては、例えば
第1図に図示する如く、基板1の端面に上記貴金
属ペーストにて電極パターン2を形成し、銅等か
らなる通常のリード線3を半他付けAするように
しているもの、あるいは第2図に示す如く、セラ
ミツク基板4に形成された上記貴金属ペーストの
パータン5上に、貴金属からなるリード線、例え
ば白金リード線6を設け、その上からセラミツク
板7を密着し、一体焼結させることによつてこの
白金リード線6を端子とするものがある。
を入・出力するための端子構造としては、例えば
第1図に図示する如く、基板1の端面に上記貴金
属ペーストにて電極パターン2を形成し、銅等か
らなる通常のリード線3を半他付けAするように
しているもの、あるいは第2図に示す如く、セラ
ミツク基板4に形成された上記貴金属ペーストの
パータン5上に、貴金属からなるリード線、例え
ば白金リード線6を設け、その上からセラミツク
板7を密着し、一体焼結させることによつてこの
白金リード線6を端子とするものがある。
ところで上記前者の半田付けによる端子構造の
場合、リード線3に外力が加わつたり基板1自体
が振動するような場合には、電極パターン2と基
板1との間が剥がれるといつた問題があり、また
半田付けによる接続であるため高温での使用は不
可能であつた。一方上記後者の白金リード線6を
用いてセラミツク基板4と一体成形した場合に
は、耐熱性は有するのであるが白金自体郷土が小
さいことからリード線に外力が加わつたり、振動
するような場所では使用することができなかつ
た。
場合、リード線3に外力が加わつたり基板1自体
が振動するような場合には、電極パターン2と基
板1との間が剥がれるといつた問題があり、また
半田付けによる接続であるため高温での使用は不
可能であつた。一方上記後者の白金リード線6を
用いてセラミツク基板4と一体成形した場合に
は、耐熱性は有するのであるが白金自体郷土が小
さいことからリード線に外力が加わつたり、振動
するような場所では使用することができなかつ
た。
[発明の目的]
そこで本発明は、耐熱性を有すると共に高強度
のセラミツク基板の端子構造を提供することによ
つて、セラミツク基板を高温、高振動の場所に設
置したような場合にも充分に耐え得るようにする
ことを目的としている。
のセラミツク基板の端子構造を提供することによ
つて、セラミツク基板を高温、高振動の場所に設
置したような場合にも充分に耐え得るようにする
ことを目的としている。
[発明の構成および作用]
かかる目的を達するための本発明の構成は、
高温で使用するセンサーのセラミツク基板の端
子構造において、 セラミツク基板に一体形成された、検知素子と
該検知素子の加熱用発熱抵抗体とに通電するため
の導電部に、焼結固着されることによつて、一端
が接続された、白金族を主成分とする第1の電極
線と、 上記第1の電極線と他端と接続された、一部わ
ん曲された第2の電極線と、 上記セラミツク基板と上記第1の電極線との接
合部から、上記第1の電極線と上記第2の電極線
との接続部にかけて、被覆封止するガラス材から
なる電極保護層と、 セラミツク基板、上記第1の電極線、上記第2
の電極線、および上記電極保護層を囲む外筒又は
内筒と、 を有することを特徴とする高温で使用するセンサ
ーのセラミツク基板の端子構造を要旨としてい
る。
子構造において、 セラミツク基板に一体形成された、検知素子と
該検知素子の加熱用発熱抵抗体とに通電するため
の導電部に、焼結固着されることによつて、一端
が接続された、白金族を主成分とする第1の電極
線と、 上記第1の電極線と他端と接続された、一部わ
ん曲された第2の電極線と、 上記セラミツク基板と上記第1の電極線との接
合部から、上記第1の電極線と上記第2の電極線
との接続部にかけて、被覆封止するガラス材から
なる電極保護層と、 セラミツク基板、上記第1の電極線、上記第2
の電極線、および上記電極保護層を囲む外筒又は
内筒と、 を有することを特徴とする高温で使用するセンサ
ーのセラミツク基板の端子構造を要旨としてい
る。
ここで上記第1の電極線として白金族を主成分
とするものとしたのは、セラミツク基板の導電部
と焼結固着する際に他の金属では酸化されてしま
い使用できなくなるからであつて、この第1の電
極線は白金、イリジウム、パラジウム、ルテニウ
ム、ロジウム、オスミウムの白金族又はその合金
であればよく、特に耐熱性と価格の点で白金を用
いた方が望ましい。
とするものとしたのは、セラミツク基板の導電部
と焼結固着する際に他の金属では酸化されてしま
い使用できなくなるからであつて、この第1の電
極線は白金、イリジウム、パラジウム、ルテニウ
ム、ロジウム、オスミウムの白金族又はその合金
であればよく、特に耐熱性と価格の点で白金を用
いた方が望ましい。
また、上記第2の電極線はCu、Fe、Ni又はそ
れらの合金が適し、その理由は、コスト、強度、
耐熱性の点から適しているからである。このうち
Ni又はNi合金が耐熱性にもつとも適しているが、
大電流を必要とする場合はCuを使用する。
れらの合金が適し、その理由は、コスト、強度、
耐熱性の点から適しているからである。このうち
Ni又はNi合金が耐熱性にもつとも適しているが、
大電流を必要とする場合はCuを使用する。
更に第2の電極線を一部わん曲されたものとし
た理由は、複数のリード線の場合、リード間に長
さの違いが生じると、リードを引つ張つたとき、
もつとも短い1本に応力が集中し、リード引張り
の耐力が低いが、平形電極線を成形するときに1
部にわん曲部を設けることにより、1本のリード
に応力が集中したとき、このわん曲部が伸び、複
数のリードに均一に応力がかかり、応力の集中を
防ぎ、安定したリード強度を有するセンサーを提
供することができるからである。
た理由は、複数のリード線の場合、リード間に長
さの違いが生じると、リードを引つ張つたとき、
もつとも短い1本に応力が集中し、リード引張り
の耐力が低いが、平形電極線を成形するときに1
部にわん曲部を設けることにより、1本のリード
に応力が集中したとき、このわん曲部が伸び、複
数のリードに均一に応力がかかり、応力の集中を
防ぎ、安定したリード強度を有するセンサーを提
供することができるからである。
次に、ガラス材としてはホウケイ酸ガラス、リ
ン酸ガラス、ホウ酸鉛ガラス等を用いることがで
き、そのうちでも特に低温でシールでき、金具の
酸化消耗が少なくなることからホウ酸鉛ガラスを
用いることが好ましい。
ン酸ガラス、ホウ酸鉛ガラス等を用いることがで
き、そのうちでも特に低温でシールでき、金具の
酸化消耗が少なくなることからホウ酸鉛ガラスを
用いることが好ましい。
このガラス材の被覆封止によつて、第1の電極
線と第2の電極線との接続部は、熱によつて外れ
ることがなく、また第1の電極線もガラス材にて
補強されることとなるので、振動にも強く、さら
に、第2の電極線を一部わん曲させて使用してい
るので、第1の電極線が切断するといつたことも
防止できる。
線と第2の電極線との接続部は、熱によつて外れ
ることがなく、また第1の電極線もガラス材にて
補強されることとなるので、振動にも強く、さら
に、第2の電極線を一部わん曲させて使用してい
るので、第1の電極線が切断するといつたことも
防止できる。
さらに、外筒又は内筒を設けることによつて、
セラミツク基板、第1の電極線、第2の電極線、
および電極保護層が保護される。
セラミツク基板、第1の電極線、第2の電極線、
および電極保護層が保護される。
[実施例]
以下、本発明の端子構造を有するセラミツク基
板をガス成分又はその濃度を検出する検出部と
し、内燃機関の排気中の酸素濃度を検出する酸素
センサに適用した場合を例にとり説明する。
板をガス成分又はその濃度を検出する検出部と
し、内燃機関の排気中の酸素濃度を検出する酸素
センサに適用した場合を例にとり説明する。
第3図は酸素センサの部分断側面面図である。
図において、10はセラミツク基板上に検出素子
11を備えた酸素濃度を検出するための検出部、
12は検出部10を把持すると共に本センサを内
燃機関に取る付けるための筒状に形成された主体
金具、13は主体金具12の内燃機関先端部12
aに取り付けられ、検出部10を保護するための
プロテクタ、14は主体金具12と共に検出部1
0を把持するための内筒であり、検出部10はス
ペーサ15、充填粉末16及びガラスシール17
を介して主体金具12及び内筒14に把持されて
いる。また主体金具12の外周には内燃機関取付
用のねじ部12bが刻設されており、内燃機関壁
面当接部分には排気が漏れないようガスケツト1
8が設けられている。
図において、10はセラミツク基板上に検出素子
11を備えた酸素濃度を検出するための検出部、
12は検出部10を把持すると共に本センサを内
燃機関に取る付けるための筒状に形成された主体
金具、13は主体金具12の内燃機関先端部12
aに取り付けられ、検出部10を保護するための
プロテクタ、14は主体金具12と共に検出部1
0を把持するための内筒であり、検出部10はス
ペーサ15、充填粉末16及びガラスシール17
を介して主体金具12及び内筒14に把持されて
いる。また主体金具12の外周には内燃機関取付
用のねじ部12bが刻設されており、内燃機関壁
面当接部分には排気が漏れないようガスケツト1
8が設けられている。
ここで充填粉末16は滑石及びガラスの1:1
の混合粉末からなり、検出部10を内筒14内に
固定するためのもの、ガラスシール17は低融点
ガラスからなり、検出ガスの洩れを防止すると共
に、検出部10の端子を保護するように、検出部
10と白金よりなり第1の電極線48ないし50
との接合部から、白金よりなる第1の電極線48
ないし50と第2の電極線となる端子31ないし
33との接続部にかけて、被覆封止しており、内
筒14内に充填されている。尚、このガラスシー
ル17は、本発明を構成する電極保護層に相当す
る。
の混合粉末からなり、検出部10を内筒14内に
固定するためのもの、ガラスシール17は低融点
ガラスからなり、検出ガスの洩れを防止すると共
に、検出部10の端子を保護するように、検出部
10と白金よりなり第1の電極線48ないし50
との接合部から、白金よりなる第1の電極線48
ないし50と第2の電極線となる端子31ないし
33との接続部にかけて、被覆封止しており、内
筒14内に充填されている。尚、このガラスシー
ル17は、本発明を構成する電極保護層に相当す
る。
19は内筒14を覆うように主体金具12に取
り付けられる外筒であつて、セラミツク基板、第
1の電極線、第2の電極線、および電極保護層を
保護する。20はシリコンゴムからなるシール材
であつて、リード線21ないし23と、第4図に
示すガラスシール17より突出された検出部10
からの第2の電極線となる端子31ないし33と
の接続部を絶縁保護するためのものである。ま
た、このリード線21ないし23と第2の電極線
となる端子31ないし33との接続は、第5図に
示す如く、予め外筒19内にシール材20及びリ
ード線21ないし23を収めると共に、各リード
線21ないし23の先端に加締金具24ないし2
6を接続し、その後加締金具24ないし26を第
2の電極線となる端子31ないし33と加締接続
することによつて行なわれる。
り付けられる外筒であつて、セラミツク基板、第
1の電極線、第2の電極線、および電極保護層を
保護する。20はシリコンゴムからなるシール材
であつて、リード線21ないし23と、第4図に
示すガラスシール17より突出された検出部10
からの第2の電極線となる端子31ないし33と
の接続部を絶縁保護するためのものである。ま
た、このリード線21ないし23と第2の電極線
となる端子31ないし33との接続は、第5図に
示す如く、予め外筒19内にシール材20及びリ
ード線21ないし23を収めると共に、各リード
線21ないし23の先端に加締金具24ないし2
6を接続し、その後加締金具24ないし26を第
2の電極線となる端子31ないし33と加締接続
することによつて行なわれる。
次に検出部10は第6図ないし第9図に示す如
き手順に従つて作成される。尚、第6図ないし第
9図に示すイは検出部10の正面図を示し、ロは
A−A線断面図を示している。
き手順に従つて作成される。尚、第6図ないし第
9図に示すイは検出部10の正面図を示し、ロは
A−A線断面図を示している。
ここで上記第6図ないし第9図の各図におい
て、40及び41は平均粒径1.5μmのAl2O392重
量%、SiO24重量%、CaO2重量%及びMgO2重量
%からなる混合粉末100重量部に対してブチラー
ル樹脂12重量部及びジブチルフタレート(DBP)
6重量部を添加し、有機溶剤通で混合してスラリ
ーとし、ドクタープレートを用いて形成されたグ
リーンシートであり、グリーンシート40は厚さ
1mm、グリーンシート41は厚さ0.2mmに予め作
成されたものである。また42ないし47はPt
に対し7%のAu2O3を添加した白金ペーストで厚
膜印刷したパターンであつて、42,43,4
5,46および47は前述の導電部に相当し、4
2及び43は検出素子11の電極となる電極パタ
ーン、44は検出素子11を加熱するためのヒー
タとなる発熱抵抗体パターン、45ないし47は
発熱抵抗体パターン44を検出素子11に電極を
印加あるいは検出信号を抽出するための電極パタ
ーンである。
て、40及び41は平均粒径1.5μmのAl2O392重
量%、SiO24重量%、CaO2重量%及びMgO2重量
%からなる混合粉末100重量部に対してブチラー
ル樹脂12重量部及びジブチルフタレート(DBP)
6重量部を添加し、有機溶剤通で混合してスラリ
ーとし、ドクタープレートを用いて形成されたグ
リーンシートであり、グリーンシート40は厚さ
1mm、グリーンシート41は厚さ0.2mmに予め作
成されたものである。また42ないし47はPt
に対し7%のAu2O3を添加した白金ペーストで厚
膜印刷したパターンであつて、42,43,4
5,46および47は前述の導電部に相当し、4
2及び43は検出素子11の電極となる電極パタ
ーン、44は検出素子11を加熱するためのヒー
タとなる発熱抵抗体パターン、45ないし47は
発熱抵抗体パターン44を検出素子11に電極を
印加あるいは検出信号を抽出するための電極パタ
ーンである。
本検出部10の製造は、第6図に示す如く、ま
ずグリーンシート40上に上記42ないし47の
各パターンを白金ペーストで厚膜印刷することに
より始められ、次いで第7図に示す如く、電極パ
ターン45ないし47上に第1の電極線となる直
径0.2mmの白金よりなる第1の電極線48ないし
50が夫々配設される。
ずグリーンシート40上に上記42ないし47の
各パターンを白金ペーストで厚膜印刷することに
より始められ、次いで第7図に示す如く、電極パ
ターン45ないし47上に第1の電極線となる直
径0.2mmの白金よりなる第1の電極線48ないし
50が夫々配設される。
次に第8図から明らかな如く、グリーンシート
41に電極パターン42及び43の先端部が露出
するよう打ち抜きによつて開口61が形成され、
電極パターン42の先端部を除く全てのパターン
を覆うべく、グリーンシート40上にグリーンシ
ート41が積層熱圧着される。ここで上記第1の
電極線48ないし50は、積層熱圧着後その一部
は外部に突出される。
41に電極パターン42及び43の先端部が露出
するよう打ち抜きによつて開口61が形成され、
電極パターン42の先端部を除く全てのパターン
を覆うべく、グリーンシート40上にグリーンシ
ート41が積層熱圧着される。ここで上記第1の
電極線48ないし50は、積層熱圧着後その一部
は外部に突出される。
このようにして、第1の電極線48ないし50
の一部が突出され、電極パターン42及び43の
先端部が露出された積層板が作成されると、今度
はこの積層板を1500℃の大気中に2時間放置する
ことによつて、セラミツク基板が焼成される。
の一部が突出され、電極パターン42及び43の
先端部が露出された積層板が作成されると、今度
はこの積層板を1500℃の大気中に2時間放置する
ことによつて、セラミツク基板が焼成される。
次に第9図に示す如く、上記焼成されたセラミ
ツク基板の開口61に検出素子11を設けること
となるのであるが、この検出素子11は平均粒径
1.2μmのTiO2粉末100モル部に対し1モル部の白
金ブラツクを添加し、更に全粉末に対して3重量
%のエチルセルロースを添加しブチルカルビトー
ル(2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールの
商品名)中で混合し300ボイズに粘度調整した
TiO2ペーストを、開口61を充塞しかつ電極パ
ターン42及び43の先端に披着するよう厚膜印
刷した後、1200℃の大気中に1時間放置して焼き
付けることによつて形成される。
ツク基板の開口61に検出素子11を設けること
となるのであるが、この検出素子11は平均粒径
1.2μmのTiO2粉末100モル部に対し1モル部の白
金ブラツクを添加し、更に全粉末に対して3重量
%のエチルセルロースを添加しブチルカルビトー
ル(2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールの
商品名)中で混合し300ボイズに粘度調整した
TiO2ペーストを、開口61を充塞しかつ電極パ
ターン42及び43の先端に披着するよう厚膜印
刷した後、1200℃の大気中に1時間放置して焼き
付けることによつて形成される。
このように作成された検出部10の、外部に突
出された第1の電極線48ないし50と第2の電
極線となる端子31ないし33との接続は第10
図に示す如く行なわれる。尚、図においてイは正
面図、ロは右側図を示している。
出された第1の電極線48ないし50と第2の電
極線となる端子31ないし33との接続は第10
図に示す如く行なわれる。尚、図においてイは正
面図、ロは右側図を示している。
第10図に示す如く、第2の電極線となる各端
子31ないし33は、予め厚さ0.3mmのニツケル
板にエツチング加工によつて一体形成されてお
り、第2の電極線となる各端子31ないし33を
第1の電極線48ないし50に夫々配設し、その
部分をスポツト溶接することによつて端子の接続
が行われる。ここでこの第1の電極線48ないし
50と第2の電極線となる各端子31ないし33
との接続は熱や振動によつて外れることがなけれ
ばどのような接続方法であつてもよい。また、第
2の電極線となる各端子31ないし33が一体形
成されたニツケル板は、検出部10が主体金具1
2に固定され、その後検出部10と第1の電極線
48ないし50との接合部から、第1の電極線4
8ないし50と第2の電極線となる各端子31な
いし33との接続部にかけて、ガラスシール17
によつて広く保護され、内筒14内に固定された
後に、所定の長さに切断される。尚、第3図及び
第4図において、第2の電極線となる各端子31
ないし33のわん曲部51ないし53はガラスシ
ール17に被覆されているが、該わん曲部51な
いし53はガラスシール17に被覆されず、ガラ
スシール17の外部に出ていてもよい。
子31ないし33は、予め厚さ0.3mmのニツケル
板にエツチング加工によつて一体形成されてお
り、第2の電極線となる各端子31ないし33を
第1の電極線48ないし50に夫々配設し、その
部分をスポツト溶接することによつて端子の接続
が行われる。ここでこの第1の電極線48ないし
50と第2の電極線となる各端子31ないし33
との接続は熱や振動によつて外れることがなけれ
ばどのような接続方法であつてもよい。また、第
2の電極線となる各端子31ないし33が一体形
成されたニツケル板は、検出部10が主体金具1
2に固定され、その後検出部10と第1の電極線
48ないし50との接合部から、第1の電極線4
8ないし50と第2の電極線となる各端子31な
いし33との接続部にかけて、ガラスシール17
によつて広く保護され、内筒14内に固定された
後に、所定の長さに切断される。尚、第3図及び
第4図において、第2の電極線となる各端子31
ないし33のわん曲部51ないし53はガラスシ
ール17に被覆されているが、該わん曲部51な
いし53はガラスシール17に被覆されず、ガラ
スシール17の外部に出ていてもよい。
そして第2の電極線となる端子31および端子
33と加熱用の電源とを接続することによつて発
熱抵抗体パターン44を加熱し、検出素子11を
活性化させ、第2の電極となる端子32及び端子
33間の抵抗値の変化を検出することによつて、
酸素濃度を検知することができるようになる。
33と加熱用の電源とを接続することによつて発
熱抵抗体パターン44を加熱し、検出素子11を
活性化させ、第2の電極となる端子32及び端子
33間の抵抗値の変化を検出することによつて、
酸素濃度を検知することができるようになる。
尚、本実施例では第2の電極線にニツケル材を
用いたが、本発明はこれにこだわることなくCu、
Fe、Ni当の合金を用いても良好な結果が得られ
る。
用いたが、本発明はこれにこだわることなくCu、
Fe、Ni当の合金を用いても良好な結果が得られ
る。
以上本実施例の高温で使用する酸素センサにお
けるセラミツク基板の端子構造は、セラミツク基
板と一体形成された白金よりなる第1の電極線4
8ないし50と、ニツケル板からなる第2の電極
線となる端子31ないし33とを、スポツト溶接
によつて接続し、更にその接続部をセラミツク基
板と共に内筒14内に低融点ガラスからなるガラ
スシール17を用いて固定し保護するようにして
いる。従つて、第1の電極線48ないし50と第
2の電極線となる端子31ないし33との接続部
は熱によつて外れることがなく、また第1の電極
線48ないし50もガラスシール17にて補強さ
れることとなるので振動にも強く、さらに第2の
電極線となる端子31ないし33ち一部わん曲し
たニツケル板を使用しているので端子自体が劣化
するといつたことも防止できる。更に、電極線を
一部わん曲されたものとしたため、リード間に長
さの違いがあつても、リードを引張つたときもつ
とも短い1本のわん曲部が伸び複数のリードに均
一に応力がかかり、応力の集中を防ぎ安定したリ
ード強度を有するものである。これを確めるため
に、引張り切断強度を測定したところ、切断強度
が直接のものは平均38Kg、最低で17Kgであるのに
対しわん曲したものは平均40Kg最低35Kgで、特に
最低強度の高い効果があつた。このため本酸素セ
ンサは耐熱性、耐振性及び耐久性を有するものと
なり、内燃機関のような高温とか急熱急冷が頻繁
に繰り返され、かつ高振動の場所にでも充分に耐
え得るようになる。
けるセラミツク基板の端子構造は、セラミツク基
板と一体形成された白金よりなる第1の電極線4
8ないし50と、ニツケル板からなる第2の電極
線となる端子31ないし33とを、スポツト溶接
によつて接続し、更にその接続部をセラミツク基
板と共に内筒14内に低融点ガラスからなるガラ
スシール17を用いて固定し保護するようにして
いる。従つて、第1の電極線48ないし50と第
2の電極線となる端子31ないし33との接続部
は熱によつて外れることがなく、また第1の電極
線48ないし50もガラスシール17にて補強さ
れることとなるので振動にも強く、さらに第2の
電極線となる端子31ないし33ち一部わん曲し
たニツケル板を使用しているので端子自体が劣化
するといつたことも防止できる。更に、電極線を
一部わん曲されたものとしたため、リード間に長
さの違いがあつても、リードを引張つたときもつ
とも短い1本のわん曲部が伸び複数のリードに均
一に応力がかかり、応力の集中を防ぎ安定したリ
ード強度を有するものである。これを確めるため
に、引張り切断強度を測定したところ、切断強度
が直接のものは平均38Kg、最低で17Kgであるのに
対しわん曲したものは平均40Kg最低35Kgで、特に
最低強度の高い効果があつた。このため本酸素セ
ンサは耐熱性、耐振性及び耐久性を有するものと
なり、内燃機関のような高温とか急熱急冷が頻繁
に繰り返され、かつ高振動の場所にでも充分に耐
え得るようになる。
[発明の効果]
以上詳述した如く、本発明の高温で使用するセ
ンサーのセラミツク基板の端子構造によれば、熱
や振動、急熱急冷に強く、セラミツク基板を高温
でかつ振動する場所に設置した場合にも充分耐え
得る端子構造とすることができ、耐久性のある端
子構造を提供することができるようになる。
ンサーのセラミツク基板の端子構造によれば、熱
や振動、急熱急冷に強く、セラミツク基板を高温
でかつ振動する場所に設置した場合にも充分耐え
得る端子構造とすることができ、耐久性のある端
子構造を提供することができるようになる。
第1図及び第2図は従来のセラミツク基板の端
子構造を示す斜視図、第3図ないし第10図は本
発明の端子構造を酸素センサに適用した実施例を
示し、第3図ないし第5図は本センサの構造を示
す部分断面図、第6図ないし第9図は検出部10
の組み立て工程を示す正面図イ及びA−A線断面
図ロ、第10図は電極線と端子との接続を示す正
面図イ及び右側面図ロである。 10……検出部、11……検知素子、17……
ガラスシール、14……内筒、19……外筒、3
1,32,33……第2の電極線となる端子、4
0……グリーンシート、44……発熱抵抗体パタ
ーン、42,43,45,46,47……電極パ
ターン、48,49,50……白金よりなる第1
の電極線、51,52,53……わん曲部。
子構造を示す斜視図、第3図ないし第10図は本
発明の端子構造を酸素センサに適用した実施例を
示し、第3図ないし第5図は本センサの構造を示
す部分断面図、第6図ないし第9図は検出部10
の組み立て工程を示す正面図イ及びA−A線断面
図ロ、第10図は電極線と端子との接続を示す正
面図イ及び右側面図ロである。 10……検出部、11……検知素子、17……
ガラスシール、14……内筒、19……外筒、3
1,32,33……第2の電極線となる端子、4
0……グリーンシート、44……発熱抵抗体パタ
ーン、42,43,45,46,47……電極パ
ターン、48,49,50……白金よりなる第1
の電極線、51,52,53……わん曲部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 高温で使用するセンサーのセラミツク基板の
端子構造において、 セラミツク基板40に一体形成された、検知素
子11と該検知素子11の加熱用発熱抵抗体44
とに通電するための導電部42,42,45,4
6,47に、焼結固着されることにおつて、一端
が接続された、白金族を主成分とする第1の電極
線48,49,50と、 前記第1の電極線48,49,50の他端と接
続された、一部わん曲された第2の電極線31,
32,33と、 上記セラミツク基板40と上記第1の電極線4
8,49,50との接合部から、上記第1の電極
線48,49,50と上記第2の電極線31,3
2,33との接続部にかけて、被覆封止するガラ
ス材からなる電極保護層17と、 上記セラミツク基板40、上記第1の電極線4
8,49,50、上記第2の電極線31,32,
33、および上記電極保護層17を囲む外筒19
又は内筒14と、 を有することを特徴とする高温で使用するセンサ
ーのセラミツク基板の端子構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59068895A JPS60211345A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 高温で使用するセンサーのセラミック基板の端子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59068895A JPS60211345A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 高温で使用するセンサーのセラミック基板の端子構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60211345A JPS60211345A (ja) | 1985-10-23 |
JPH0479538B2 true JPH0479538B2 (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=13386844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59068895A Granted JPS60211345A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 高温で使用するセンサーのセラミック基板の端子構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60211345A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2708915B2 (ja) * | 1989-11-25 | 1998-02-04 | 日本特殊陶業株式会社 | ガス検出センサ |
JPH0718834B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1995-03-06 | 株式会社岡崎製作所 | 液―ガスセンサ |
JP3786330B2 (ja) | 1997-12-26 | 2006-06-14 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
JP3735206B2 (ja) | 1997-12-26 | 2006-01-18 | 日本特殊陶業株式会社 | ガスセンサ |
DE19847537A1 (de) * | 1998-10-15 | 2000-05-04 | Mannesmann Vdo Ag | Platine mit auf beiden Seiten angeordneten Leiterbahnen |
JP2001281206A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Kyocera Corp | 検出素子 |
US8552311B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-10-08 | Advanced Bionics | Electrical feedthrough assembly |
US8386047B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-02-26 | Advanced Bionics | Implantable hermetic feedthrough |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59068895A patent/JPS60211345A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60211345A (ja) | 1985-10-23 |
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