JPH0478551U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0478551U JPH0478551U JP12154890U JP12154890U JPH0478551U JP H0478551 U JPH0478551 U JP H0478551U JP 12154890 U JP12154890 U JP 12154890U JP 12154890 U JP12154890 U JP 12154890U JP H0478551 U JPH0478551 U JP H0478551U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- thickness
- thin film
- semiconductor thin
- part electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
第１図は従来の半導体式薄膜ガスセンサの概略
断面図である。第２図は本考案の一実施例を説明
するための半導体式薄膜ガスセンサの概略断面図
である。第３図は半導体式薄膜ガスセンサの電極
構造の違いによるベースラインとなる清浄大気中
での抵抗値の経時的変化を示した図である。 １……絶縁基板、２……電極、３……検知部電
極、４……信号取り出し部電極、４……酸化物半
導体薄膜層、５……ヒータ。
断面図である。第２図は本考案の一実施例を説明
するための半導体式薄膜ガスセンサの概略断面図
である。第３図は半導体式薄膜ガスセンサの電極
構造の違いによるベースラインとなる清浄大気中
での抵抗値の経時的変化を示した図である。 １……絶縁基板、２……電極、３……検知部電
極、４……信号取り出し部電極、４……酸化物半
導体薄膜層、５……ヒータ。
Claims (1)
- 貴金属より成る検知部電極３の厚みが半導体薄膜
層５以下或は同程度であることを特徴とし、検知
部電極３につながる同種の貴金属より成る信号取
り出し部電極４との電極の厚みに差を設けた二段
電極構造を特徴とする半導体薄膜式ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12154890U JPH0478551U (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12154890U JPH0478551U (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478551U true JPH0478551U (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=31869399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12154890U Pending JPH0478551U (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0478551U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169052A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 感ガス素子 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP12154890U patent/JPH0478551U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169052A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-05 | Toshiba Corp | 感ガス素子 |