JPH0477470B2 - - Google Patents
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- JPH0477470B2 JPH0477470B2 JP57009197A JP919782A JPH0477470B2 JP H0477470 B2 JPH0477470 B2 JP H0477470B2 JP 57009197 A JP57009197 A JP 57009197A JP 919782 A JP919782 A JP 919782A JP H0477470 B2 JPH0477470 B2 JP H0477470B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の特定波長域に感光する感光装置
に関する。
に関する。
光活性層に単結晶シリコンを用いた複数の特定
波長域に感光する感光装置、所謂色センサーの存
在は既に知られている。その原理的な構成は、第
１図示す如く、単結晶シリコン基板１の表面に複
数の感光領域であるフオトダイオード領域２Ｒ，
２Ｇ，２Ｂを設けると共に、これら各領域上に透
過波長域の異なる光学フイルタ、例えば赤色フイ
ルタ３Ｒ、緑色フイルタ３Ｇ及び青色フイルタ３
Ｂを配し、更にその上に赤外カツトフイルタ４を
配したもので、斯るセンサーに於いて、各フイル
タ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，４を介して可視光が基板１
に入射すると、入射可視光の含む色に応じて、そ
れが赤なら赤色フイルタ３Ｒに対応したフオトダ
イオード領域２Ｒに、緑なら緑色フイルタ３Ｇに
対応したフオトダイオード領域２Ｇに、また青な
ら青色フイルタ３Ｂに対応したフオトダイオード
領域２Ｂに夫々信号が出力される。
波長域に感光する感光装置、所謂色センサーの存
在は既に知られている。その原理的な構成は、第
１図示す如く、単結晶シリコン基板１の表面に複
数の感光領域であるフオトダイオード領域２Ｒ，
２Ｇ，２Ｂを設けると共に、これら各領域上に透
過波長域の異なる光学フイルタ、例えば赤色フイ
ルタ３Ｒ、緑色フイルタ３Ｇ及び青色フイルタ３
Ｂを配し、更にその上に赤外カツトフイルタ４を
配したもので、斯るセンサーに於いて、各フイル
タ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ，４を介して可視光が基板１
に入射すると、入射可視光の含む色に応じて、そ
れが赤なら赤色フイルタ３Ｒに対応したフオトダ
イオード領域２Ｒに、緑なら緑色フイルタ３Ｇに
対応したフオトダイオード領域２Ｇに、また青な
ら青色フイルタ３Ｂに対応したフオトダイオード
領域２Ｂに夫々信号が出力される。
単結晶シリコン自体の感光度特性は第２図の曲
線Ａに示す如く、赤外領域にピースを呈する。一
方、赤色フイルタ３Ｒは赤色帯域で透過度のピー
クを示すものの、その帯域特性の拡がりは減衰し
ながらも赤外領域にまですそ野を引いている。従
つて、光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、
赤色フイルタ３Ｒを通すだけではフオトダイオー
ド領域２Ｒは、減衰しながらも共に入射する赤外
光に、単結晶シリコン自体の感光度特性に応じて
強く感応してしまい、正確な色情報を検出できな
い。前記従来の色センサーに於ける赤外カツトフ
イルタ４は、この様な入射赤外光を除去するため
に設けられており、不可欠な存在である。
線Ａに示す如く、赤外領域にピースを呈する。一
方、赤色フイルタ３Ｒは赤色帯域で透過度のピー
クを示すものの、その帯域特性の拡がりは減衰し
ながらも赤外領域にまですそ野を引いている。従
つて、光活性層に単結晶シリコンを用いた場合、
赤色フイルタ３Ｒを通すだけではフオトダイオー
ド領域２Ｒは、減衰しながらも共に入射する赤外
光に、単結晶シリコン自体の感光度特性に応じて
強く感応してしまい、正確な色情報を検出できな
い。前記従来の色センサーに於ける赤外カツトフ
イルタ４は、この様な入射赤外光を除去するため
に設けられており、不可欠な存在である。
然し乍ら、斯る赤外カツトフイルタ４の存在は
センサーの構成を複雑にするだけでなく、製造に
際して、そのフイルタ４並びに各色フイルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂを単結晶シリコン基板１上に重量
被着する工程で、脆弱なシリコン基板１を破損し
やすい、といつた欠点をもたらす。
センサーの構成を複雑にするだけでなく、製造に
際して、そのフイルタ４並びに各色フイルタ３
Ｒ，３Ｇ，３Ｂを単結晶シリコン基板１上に重量
被着する工程で、脆弱なシリコン基板１を破損し
やすい、といつた欠点をもたらす。
本発明は斯る点に鑑みて為されたものであつ
て、以下に本発明の実施例につき詳述する。
て、以下に本発明の実施例につき詳述する。
第３図Ａ，Ｂは本発明の一実施例である色セン
サーの光照射側から見た正面図並びにＢ−B′線
断面図である。同図において、１０はガラス・耐
熱プラスチツク等の透光性基板、１１Ｒ，１１
Ｇ，１１Ｂは前記透光性基板１０の一方の主面に
設けられた複数例えば３個の感光領域で、該感光
領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは前記透光性基板１
側から透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ、アモ
ルフアス半導体から成る光活性層１３Ｒ，１３
Ｇ，１３Ｂ、及び金属電極１４Ｒ，１４Ｇ，１４
Ｂを積層した構造を持つ。前記光活性層１３Ｒ，
１３Ｇ，１３Ｂを構成するアモルフアス半導体と
しては、グロー放電等のガス反応を用いて任意の
基板上に形成されるアモルフアスシリコン（ａ−
Si）・アモルフアスシリコンカーバイト（ａ−
Sic）・アモルフアスシリコンゲルマニウム（ａ−
siGe）・アモルフアスシリコンナイトライド（ａ
−SiN）・アモルフアスシリコンスズ（ａ−SiSn）
及びそれらを微結晶化したもの等種々のものが知
られており、更にこれらの物質中に水素やハロゲ
ン元素、あるいはドーパントとしては砒素As・
燐Ｐ・ボロンＢ・アルミニウムAlを含むものが
適用される。斯るａ−Si系から成る光活性層１３
Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの感光度特性は第２図Ｂに示
す如く可視光域に感度ピークを有すると共に、感
光帯域も大概ね可視光域内に存在する。この感光
度特性はPIN接合型ａ−Siの光活性層１３Ｒ，１
３Ｇ，１３Ｂのものであり、従来の如く単結晶シ
リコンの感度ピークが赤外領域に存在することに
起因して使用される赤外カツトフイルタ４を用い
るまでもなく、赤外領域に対し感光しない極めて
重要な特性を具備している。
サーの光照射側から見た正面図並びにＢ−B′線
断面図である。同図において、１０はガラス・耐
熱プラスチツク等の透光性基板、１１Ｒ，１１
Ｇ，１１Ｂは前記透光性基板１０の一方の主面に
設けられた複数例えば３個の感光領域で、該感光
領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは前記透光性基板１
側から透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ、アモ
ルフアス半導体から成る光活性層１３Ｒ，１３
Ｇ，１３Ｂ、及び金属電極１４Ｒ，１４Ｇ，１４
Ｂを積層した構造を持つ。前記光活性層１３Ｒ，
１３Ｇ，１３Ｂを構成するアモルフアス半導体と
しては、グロー放電等のガス反応を用いて任意の
基板上に形成されるアモルフアスシリコン（ａ−
Si）・アモルフアスシリコンカーバイト（ａ−
Sic）・アモルフアスシリコンゲルマニウム（ａ−
siGe）・アモルフアスシリコンナイトライド（ａ
−SiN）・アモルフアスシリコンスズ（ａ−SiSn）
及びそれらを微結晶化したもの等種々のものが知
られており、更にこれらの物質中に水素やハロゲ
ン元素、あるいはドーパントとしては砒素As・
燐Ｐ・ボロンＢ・アルミニウムAlを含むものが
適用される。斯るａ−Si系から成る光活性層１３
Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂの感光度特性は第２図Ｂに示
す如く可視光域に感度ピークを有すると共に、感
光帯域も大概ね可視光域内に存在する。この感光
度特性はPIN接合型ａ−Siの光活性層１３Ｒ，１
３Ｇ，１３Ｂのものであり、従来の如く単結晶シ
リコンの感度ピークが赤外領域に存在することに
起因して使用される赤外カツトフイルタ４を用い
るまでもなく、赤外領域に対し感光しない極めて
重要な特性を具備している。
１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは前記透光性基板１０
の他方の主面に於いて前記３個の感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの夫々に対向すべく配置せし
められた赤色・緑色・青色フイルタで、これ等の
各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは赤・緑・
青の各色の特定波長域の可視光を透過せしめるも
ので着色ガラス或いは着色有機樹脂等により構成
され、前記各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ
は一体化されたものであつても良い。
の他方の主面に於いて前記３個の感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの夫々に対向すべく配置せし
められた赤色・緑色・青色フイルタで、これ等の
各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは赤・緑・
青の各色の特定波長域の可視光を透過せしめるも
ので着色ガラス或いは着色有機樹脂等により構成
され、前記各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ
は一体化されたものであつても良い。
各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、各色フ
イルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂより小面積でその
内方に位置するように配されている。
イルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂより小面積でその
内方に位置するように配されている。
而して、前記光活性層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ
が、PIN接合のものであるので赤色・緑色・青色
の各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂで選択さ
れた特定波長域の光照射により自由状態の電子及
び又はホールを生ぜしめ、それらが夫々の透光性
電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ及び金属電極１４
Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに到達して両電極１２Ｒ，１
４Ｒ・１２Ｇ，１４Ｇ・１２Ｂ，１４Ｂ間に光起
電力を発生する。この様にして各感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは特定波長域の照射光に感光
し、その照射光の強度に対応したレベルの信号を
出力する。即ち、前記各感光領域１１Ｒ，１１
Ｇ，１１Ｂの出力信号のレベルから入射光の波長
成分比を知ることができ、本実施例の如く光の３
原色である赤色・緑色・青色の色フイルタ１５
Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを用いることによつて全ての
色情報を得ることができる。
が、PIN接合のものであるので赤色・緑色・青色
の各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂで選択さ
れた特定波長域の光照射により自由状態の電子及
び又はホールを生ぜしめ、それらが夫々の透光性
電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ及び金属電極１４
Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに到達して両電極１２Ｒ，１
４Ｒ・１２Ｇ，１４Ｇ・１２Ｂ，１４Ｂ間に光起
電力を発生する。この様にして各感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは特定波長域の照射光に感光
し、その照射光の強度に対応したレベルの信号を
出力する。即ち、前記各感光領域１１Ｒ，１１
Ｇ，１１Ｂの出力信号のレベルから入射光の波長
成分比を知ることができ、本実施例の如く光の３
原色である赤色・緑色・青色の色フイルタ１５
Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを用いることによつて全ての
色情報を得ることができる。
ところで、今、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１
１Ｂを、各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと
同じ面積とすると、以下のような問題が生じる。
１Ｂを、各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと
同じ面積とすると、以下のような問題が生じる。
即ち、各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと各
色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂとの間に透光
性基板１０が存在するために、例えば、色フイル
タ１５Ｒの色フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜め
に照射される光は、色フイルタ１５Ｇと対向する
感光領域１１Ｇに入射されてしまう、所謂、クロ
ストークが発生する。従つて、感光領域１１Ｇは
色フイルタ１５Ｇを透過してきた光のみならず、
色フイルタ１５Ｒを透過した光をも検出すること
となるため、正確な信号を得ることができない。
色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂとの間に透光
性基板１０が存在するために、例えば、色フイル
タ１５Ｒの色フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜め
に照射される光は、色フイルタ１５Ｇと対向する
感光領域１１Ｇに入射されてしまう、所謂、クロ
ストークが発生する。従つて、感光領域１１Ｇは
色フイルタ１５Ｇを透過してきた光のみならず、
色フイルタ１５Ｒを透過した光をも検出すること
となるため、正確な信号を得ることができない。
それに対し、本発明は、各感光領域１１Ｒ，１
１Ｇ，１１Ｂは、各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，
１５Ｂより小面積でその内方に位置するように配
されているので、例えば、色フイルタ１５Ｒの色
フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜めに光が照射さ
れても、感光領域１１Ｇは、色フイルタ１５Ｒの
端部から引つ込んで位置するため、この領域１１
Ｇに入射されることはない。よつて、正確な色情
報を得ることができる。
１Ｇ，１１Ｂは、各色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，
１５Ｂより小面積でその内方に位置するように配
されているので、例えば、色フイルタ１５Ｒの色
フイルタ１５Ｇとの境界近傍に斜めに光が照射さ
れても、感光領域１１Ｇは、色フイルタ１５Ｒの
端部から引つ込んで位置するため、この領域１１
Ｇに入射されることはない。よつて、正確な色情
報を得ることができる。
次いで本発明の具体的実施例をその製造方法と
共に説明する。
共に説明する。
先ず、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとし
てインジウム錫酸化物（ITO）がスパツタにより
被着されパターニングされたガラスから成る厚み
0.3mmの透光性基板１０をプラズマ反応炉の反応
電極間に配置し、前記透光性基板１０を約300℃
に加熱した状態でシラシ（SiH4）ガスと不純物
ガスとしてジボラン（B2H6）を1000PPm導入す
る。そして上記反応電極に13.56MHz100Wの高
周波電力を付与してグロー放電を生起せしめ前記
透光性基板１０上に全面にわたつて厚み約100Å
のＰ型のアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）を
得る。その後B2H6ガスのみを除去して厚み約
5000ÅのＩ型ａ−Si：Ｈを析出せしめ、更にフオ
スフイン（PH3）を不純物ガスとして1000PPm
混入し300Å程度のＮ型ａ−Si：Ｈを形成し、透
光性基板１０側からPIN各層を重畳したPIN接合
を有するアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）か
ら成る１枚の光活性層１３の製造を終了する。尚
上記ａ−Si：Ｈの成長速度は各層とも約1μm／／
hrであるので、所望の厚みを得るべく時間制御す
る。
てインジウム錫酸化物（ITO）がスパツタにより
被着されパターニングされたガラスから成る厚み
0.3mmの透光性基板１０をプラズマ反応炉の反応
電極間に配置し、前記透光性基板１０を約300℃
に加熱した状態でシラシ（SiH4）ガスと不純物
ガスとしてジボラン（B2H6）を1000PPm導入す
る。そして上記反応電極に13.56MHz100Wの高
周波電力を付与してグロー放電を生起せしめ前記
透光性基板１０上に全面にわたつて厚み約100Å
のＰ型のアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）を
得る。その後B2H6ガスのみを除去して厚み約
5000ÅのＩ型ａ−Si：Ｈを析出せしめ、更にフオ
スフイン（PH3）を不純物ガスとして1000PPm
混入し300Å程度のＮ型ａ−Si：Ｈを形成し、透
光性基板１０側からPIN各層を重畳したPIN接合
を有するアモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）か
ら成る１枚の光活性層１３の製造を終了する。尚
上記ａ−Si：Ｈの成長速度は各層とも約1μm／／
hrであるので、所望の厚みを得るべく時間制御す
る。
そして、上記ａ−Si：Ｈの光活性層１３を予め
定められたパターンにフオトエツチング若しくは
プラズマエツチング等の手段によつて分割する。
この分割によつて近接する光活性層１３Ｒ，１３
Ｇ，１３Ｂ同士は確実に絶縁された状態となる。
また、上記エツチング手段を使用せず、アモルフ
アスシリコン形成時に金属マスクを用いて初めか
ら選択的に分離した光活性層１３Ｒ，１３Ｇ，１
３Ｂを形成しても良い。
定められたパターンにフオトエツチング若しくは
プラズマエツチング等の手段によつて分割する。
この分割によつて近接する光活性層１３Ｒ，１３
Ｇ，１３Ｂ同士は確実に絶縁された状態となる。
また、上記エツチング手段を使用せず、アモルフ
アスシリコン形成時に金属マスクを用いて初めか
ら選択的に分離した光活性層１３Ｒ，１３Ｇ，１
３Ｂを形成しても良い。
その後、上記光活性層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ
上にアルミニウムに金属電極１４を蒸着し不要部
を除去して３個の感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂを前記透光性基板１０の一方の主面に完成す
る。
上にアルミニウムに金属電極１４を蒸着し不要部
を除去して３個の感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１
Ｂを前記透光性基板１０の一方の主面に完成す
る。
上述の如く感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを
形成後、赤色・緑色・青色の各フイルタ１５Ｒ，
１５Ｇ，１５Ｂを透光性基板１０の他方の主面に
於いて前記各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの
夫々と対向するように被着する。斯る赤色・緑
色・青色の各フイルタ１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは
例えばイーストマン・コダツク社製の商品名
WRATTEN GELA−TIN FILTERNo.25（赤
色）・No.58（緑色）・No.47B（青色）であつて、第４
図の如き透過特性を持つている。このコダツク社
製の色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはフイル
ム状であり所望パターンに形成後透明な樹脂系の
接着剤で接着される。
形成後、赤色・緑色・青色の各フイルタ１５Ｒ，
１５Ｇ，１５Ｂを透光性基板１０の他方の主面に
於いて前記各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの
夫々と対向するように被着する。斯る赤色・緑
色・青色の各フイルタ１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは
例えばイーストマン・コダツク社製の商品名
WRATTEN GELA−TIN FILTERNo.25（赤
色）・No.58（緑色）・No.47B（青色）であつて、第４
図の如き透過特性を持つている。このコダツク社
製の色フイルタ１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはフイル
ム状であり所望パターンに形成後透明な樹脂系の
接着剤で接着される。
第５図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明感光装置の他の実施
例であつて、Ａに於いては感光領域１１が３個、
Ｂに於いては４個、Ｃに於いては６個夫々中心対
称に集中的配置せしめられ、夫々の感光領域１１
……には透過波長域の異なる光学フイルタ１５…
…が対向するべく設けられているが、先の実施例
の如く赤色・緑色・青色の光の３原色を用いれば
全ての可視光域をカバーすることができるので、
相対感度の低い波長域の色フイルタ１５……を重
複して使用すれば低感度を補償することもでき
る。また感光領域１１……が６個存在するものに
ついては赤色・緑色・青色の３原色と補色の関係
にあるシアン色・マゼンタ色・黄色の色フイルタ
１５……を追加しても良い。
例であつて、Ａに於いては感光領域１１が３個、
Ｂに於いては４個、Ｃに於いては６個夫々中心対
称に集中的配置せしめられ、夫々の感光領域１１
……には透過波長域の異なる光学フイルタ１５…
…が対向するべく設けられているが、先の実施例
の如く赤色・緑色・青色の光の３原色を用いれば
全ての可視光域をカバーすることができるので、
相対感度の低い波長域の色フイルタ１５……を重
複して使用すれば低感度を補償することもでき
る。また感光領域１１……が６個存在するものに
ついては赤色・緑色・青色の３原色と補色の関係
にあるシアン色・マゼンタ色・黄色の色フイルタ
１５……を追加しても良い。
更に図示はしないが、多数の感光領域を一直線
上に配列した構成が特にカラーフアクシミリ用の
光学読み取り装置として有用である。この場合、
赤色・緑色・青色の各色フイルタを備えた３個の
感光領域を１ユニツトとしたものが一直線上に配
列される。
上に配列した構成が特にカラーフアクシミリ用の
光学読み取り装置として有用である。この場合、
赤色・緑色・青色の各色フイルタを備えた３個の
感光領域を１ユニツトとしたものが一直線上に配
列される。
尚、以上の説明に於けるアモルフアス半導体は
反応ガスの組成並びに組成比を適宜選択すること
によつて感光度特性の異なるものが容易に得られ
ることが知られている。例えば反応ガスとして
SiH4にメタン（CH4）を加えアモルフアスシリ
コンカーバイトを形成すれば、短波長側での感光
度が上昇し、ゲルマン（GeH4）を添加すること
によつてアモルフアスシリコンゲルマニウムを得
て長波長側での感光度を増大せしめることもでき
る。
反応ガスの組成並びに組成比を適宜選択すること
によつて感光度特性の異なるものが容易に得られ
ることが知られている。例えば反応ガスとして
SiH4にメタン（CH4）を加えアモルフアスシリ
コンカーバイトを形成すれば、短波長側での感光
度が上昇し、ゲルマン（GeH4）を添加すること
によつてアモルフアスシリコンゲルマニウムを得
て長波長側での感光度を増大せしめることもでき
る。
上記実施例では、光活性層１３Ｒ，１３Ｇ，１
３Ｂ、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂそして
金属電極１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂのいずれもを、
各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ毎に夫々分割
せしめている。
３Ｂ、透光性電極１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂそして
金属電極１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂのいずれもを、
各感光領域１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ毎に夫々分割
せしめている。
とりわけ、本願発明は、光活性層１３Ｒ，１３
Ｇ，１３Ｂを各感光素子毎に分離するようにパタ
ーン化している。このことは、各感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを各色フイルタ１５Ｒ，１５
Ｇ，１５Ｂより小面積でその内方に位置するよう
に配することで、正確な色検出を行わしめるのと
同様の理由によるものである。
Ｇ，１３Ｂを各感光素子毎に分離するようにパタ
ーン化している。このことは、各感光領域１１
Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを各色フイルタ１５Ｒ，１５
Ｇ，１５Ｂより小面積でその内方に位置するよう
に配することで、正確な色検出を行わしめるのと
同様の理由によるものである。
即ち、上記光活性層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂを
各感光素子間に跨るように形成したならば、この
素子間に在る光活性層に各色フイルタの境界近傍
から斜めに入射した光が照射されることとなり誤
つた色情報が含まれることとなるからである。
各感光素子間に跨るように形成したならば、この
素子間に在る光活性層に各色フイルタの境界近傍
から斜めに入射した光が照射されることとなり誤
つた色情報が含まれることとなるからである。
本発明感光装置は以上の説明から明らかな如
く、透光性基板を挟んで感光波長域の異なる複数
の感光領域は、感光度特性が大概ね可視光領域に
存在するアモルフアス半導体を主構成要素とする
光活性層を含んでいるので、従来の赤外領域に感
度ピークを有している単結晶シリコンに於いて不
可欠であつた赤外カツトフイルタを省略すること
ができると共に、前記透光性基板が脆弱な光活性
層に悪影響を与えることなく感光波長域を規制す
る光学フイルタを配置せしめる際の保護体並びに
支持体として作用し装置の歩留りの低下を防止す
ることができる。
く、透光性基板を挟んで感光波長域の異なる複数
の感光領域は、感光度特性が大概ね可視光領域に
存在するアモルフアス半導体を主構成要素とする
光活性層を含んでいるので、従来の赤外領域に感
度ピークを有している単結晶シリコンに於いて不
可欠であつた赤外カツトフイルタを省略すること
ができると共に、前記透光性基板が脆弱な光活性
層に悪影響を与えることなく感光波長域を規制す
る光学フイルタを配置せしめる際の保護体並びに
支持体として作用し装置の歩留りの低下を防止す
ることができる。
更に、各感光領域は、各色フイルタより小面積
でその内方に位置するように配されているので、
クロストークが発生せず、正確な色情報を得るこ
とができる。
でその内方に位置するように配されているので、
クロストークが発生せず、正確な色情報を得るこ
とができる。
第１図は従来装置の断面図、第２図は従来装置
の単結晶シリコンと本発明装置のアモルフアス半
導体の感光度特性図、第３図Ａは本発明装置の光
照射側から見た正面図、同図ＢはＡに於けるＢ−
B′線断面図、第４図は本発明装置に用いられる
光学フイルタの透過特性図、第５図Ａ〜Ｃは本発
明の更に他の実施例断面図、を夫々示している。 １０……透光性基板、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，
１１Ｂ……感光領域、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１
３Ｂ……光活性層、１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５
Ｂ……光学フイルタ。
の単結晶シリコンと本発明装置のアモルフアス半
導体の感光度特性図、第３図Ａは本発明装置の光
照射側から見た正面図、同図ＢはＡに於けるＢ−
B′線断面図、第４図は本発明装置に用いられる
光学フイルタの透過特性図、第５図Ａ〜Ｃは本発
明の更に他の実施例断面図、を夫々示している。 １０……透光性基板、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，
１１Ｂ……感光領域、１３，１３Ｒ，１３Ｇ，１
３Ｂ……光活性層、１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５
Ｂ……光学フイルタ。
Claims (1)
- １ 透光性基板の一方の主面に複数の感光領域を
設けると共に、前記透光性基板の他方の主面に透
過波長域の異なる複数の光学フイルタを前記感光
領域の夫々に対向すべく配置せしめた感光装置に
於いて、各々の前記感光領域は、透明電極と、前
記透光性基板側よりｐ型アモルフアス半導体層、
ｉ型アモルフアス半導体層及びｎ型アモルフアス
半導体層を順次積層して成る光活性層と、該光活
性層に被着形成された裏面電極とを備えると共
に、前記光学フイルタより小面積にパターン化さ
れ、且つその配置を前記光学フイルタより内方と
なるように配されると共に、感光度特性が概ね可
視光領域に存在するアモルフアス半導体を主構成
要素とする光活性層を含んでいることを特徴とし
た感光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009197A JPS58125865A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
| GB08300968A GB2115980B (en) | 1982-01-22 | 1983-01-14 | Color sensor |
| FR8300882A FR2520557B1 (fr) | 1982-01-22 | 1983-01-20 | Capteur chromatique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57009197A JPS58125865A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125865A JPS58125865A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0477470B2 true JPH0477470B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=11713776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57009197A Granted JPS58125865A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 感光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125865A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3800379A1 (de) * | 1988-01-08 | 1989-07-20 | Boehringer Mannheim Gmbh | Vorrichtung zum abwaschen der innenflaeche eines reaktionsgefaesses und/oder der aussenflaeche eines reagenzkugelkoerpers |
| JP2717015B2 (ja) * | 1990-03-16 | 1998-02-18 | シャープ株式会社 | カラーセンサ |
| US20050073605A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Burns Jeffrey H. | Integrated optical filter |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
| JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
| JPS564286A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
| JPS56138362A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57009197A patent/JPS58125865A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4846280A (ja) * | 1971-10-05 | 1973-07-02 | ||
| JPS562784A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image pickup device |
| JPS564286A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS56103573A (en) * | 1980-01-22 | 1981-08-18 | Canon Inc | Color reading device |
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
| JPS56138362A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Canon Inc | Photoelectric converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58125865A (ja) | 1983-07-27 |
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