JPH0476046B2 - - Google Patents
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- JPH0476046B2 JPH0476046B2 JP59027652A JP2765284A JPH0476046B2 JP H0476046 B2 JPH0476046 B2 JP H0476046B2 JP 59027652 A JP59027652 A JP 59027652A JP 2765284 A JP2765284 A JP 2765284A JP H0476046 B2 JPH0476046 B2 JP H0476046B2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/16—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying resistance
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜発明の属する技術分野＞
本発明は、圧力、差圧等の被測定物理量に応じ
て抵抗値が変化する可変抵抗を有するセンサを用
いた抵抗式変換装置に関するものである。
て抵抗値が変化する可変抵抗を有するセンサを用
いた抵抗式変換装置に関するものである。
＜従来技術＞
例えば、半導体のピエゾ抵抗効果を利用したシ
リコン圧力センサにおいては、ピエゾ抵抗変化の
温度依存性が大きいため、温度変動による影響を
受ける欠点がある。このため一般には、サーミス
タ、ポジスタ、トランジスタ等の感温素子を用
い、温度変動に応じてセンサのブリツジ電源電圧
を制御することによつて補償を行つている。この
方法で精度よく補償を行うには、センサの温度依
存性と補償用感温素子の温度特性を一致させる必
要がある。しかしながら両者を一致させることは
容易でなく、高精度な補償は困難であつた。
リコン圧力センサにおいては、ピエゾ抵抗変化の
温度依存性が大きいため、温度変動による影響を
受ける欠点がある。このため一般には、サーミス
タ、ポジスタ、トランジスタ等の感温素子を用
い、温度変動に応じてセンサのブリツジ電源電圧
を制御することによつて補償を行つている。この
方法で精度よく補償を行うには、センサの温度依
存性と補償用感温素子の温度特性を一致させる必
要がある。しかしながら両者を一致させることは
容易でなく、高精度な補償は困難であつた。
＜発明の目的＞
本発明は、センサの温度係数による影響を受け
ず、高精度に被測定物理量を検出できる抵抗式変
換装置を実現するにある。
ず、高精度に被測定物理量を検出できる抵抗式変
換装置を実現するにある。
＜発明の構成＞
本発明は、被測定物理量に応じて抵抗値RMが
変化する可変抵抗とこの可変抵抗の初期値と等し
い抵抗値RZを持つゼロ点用抵抗および一定の物
理量の印加に対応した抵抗値RSを持つスパン用
抵抗を有するセンサと、所定の電圧が印加された
演算増幅器の演算係数として先の可変抵抗と先の
ゼロ点用抵抗を用いこれらの各抵抗値の差（RM
−RZ）を演算する第１演算手段と先の電圧と同
一の電圧が印加された演算増幅器の演算係数とし
て先のスパン用抵抗と先のゼロ点用抵抗を用いこ
れらの各抵抗値の差（RS−RZ）を演算する第２
演算手段とを有しこの演算結果を用いて実質的に
（RM−RZ）／（RS−RZ）なる演算をして被測定
物理量に応じた信号を出力する信号処理回路とを
具備したことを特徴とするものである。
変化する可変抵抗とこの可変抵抗の初期値と等し
い抵抗値RZを持つゼロ点用抵抗および一定の物
理量の印加に対応した抵抗値RSを持つスパン用
抵抗を有するセンサと、所定の電圧が印加された
演算増幅器の演算係数として先の可変抵抗と先の
ゼロ点用抵抗を用いこれらの各抵抗値の差（RM
−RZ）を演算する第１演算手段と先の電圧と同
一の電圧が印加された演算増幅器の演算係数とし
て先のスパン用抵抗と先のゼロ点用抵抗を用いこ
れらの各抵抗値の差（RS−RZ）を演算する第２
演算手段とを有しこの演算結果を用いて実質的に
（RM−RZ）／（RS−RZ）なる演算をして被測定
物理量に応じた信号を出力する信号処理回路とを
具備したことを特徴とするものである。
＜実施例＞
第１図は本発明装置の一実施例を示す接続図、
第２図は本発明装置に用いるセンサの一例を示す
構成説明図である。両図において、１０はセンサ
で、２０は信号処理回路である。センサ１０は、
ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有してい
る。ピエゾ抵抗１１ａはシリコン基板１２の第１
のダイヤフラム部１２ａに、ピエゾ抵抗１１ｂは
シリコン基板１２の第２のダイヤフラム部１２ｂ
に、ピエゾ抵抗１１ｃはシリコン基板１２の固定
部１２ｃに設けられている。シリコン基板１２は
ガラス等の絶縁体１３に取付けられており、その
第１のダイヤフラム部１２ａには絶縁体１３の開
口１３ａを介して被測定圧力PMが与えられ、第
２のダイヤフラム部１２ｂはネジ１５により調整
できる恒弾性ばね合金であるNi−SpaoＣ等のバネ
１４によつて押圧されている。またシリコン基板
１２の外側は大気圧（または真空）とされてい
る。したがつて、ピエゾ抵抗１１ａは被測定圧力
PMに応じたダイヤフラム部１２ａの変形により、
その抵抗値RMが変化する可変抵抗である。また
ピエゾ抵抗１１ｂはバネ１４の押圧に応じたダイ
ヤフラム部１２ｂの変形により、その抵抗値RS
が決るスパン抵抗であり、ピエゾ抵抗１１ｃはそ
の抵抗RZが、被測定圧力RMおよびバネ１４によ
る押圧の影響を受けないゼロ点用抵抗である。そ
して、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、被
測定圧力PMにより変化する応力をσM、バネ１４
による一定応力をσS、ピエゾ抵抗係数をπ，σM，
σSが零のときの初期抵抗値をＲとしたとき、各抵
抗値RM，RS，RZが次式を満足するように構成さ
れている。
第２図は本発明装置に用いるセンサの一例を示す
構成説明図である。両図において、１０はセンサ
で、２０は信号処理回路である。センサ１０は、
ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有してい
る。ピエゾ抵抗１１ａはシリコン基板１２の第１
のダイヤフラム部１２ａに、ピエゾ抵抗１１ｂは
シリコン基板１２の第２のダイヤフラム部１２ｂ
に、ピエゾ抵抗１１ｃはシリコン基板１２の固定
部１２ｃに設けられている。シリコン基板１２は
ガラス等の絶縁体１３に取付けられており、その
第１のダイヤフラム部１２ａには絶縁体１３の開
口１３ａを介して被測定圧力PMが与えられ、第
２のダイヤフラム部１２ｂはネジ１５により調整
できる恒弾性ばね合金であるNi−SpaoＣ等のバネ
１４によつて押圧されている。またシリコン基板
１２の外側は大気圧（または真空）とされてい
る。したがつて、ピエゾ抵抗１１ａは被測定圧力
PMに応じたダイヤフラム部１２ａの変形により、
その抵抗値RMが変化する可変抵抗である。また
ピエゾ抵抗１１ｂはバネ１４の押圧に応じたダイ
ヤフラム部１２ｂの変形により、その抵抗値RS
が決るスパン抵抗であり、ピエゾ抵抗１１ｃはそ
の抵抗RZが、被測定圧力RMおよびバネ１４によ
る押圧の影響を受けないゼロ点用抵抗である。そ
して、ピエゾ抵抗１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、被
測定圧力PMにより変化する応力をσM、バネ１４
による一定応力をσS、ピエゾ抵抗係数をπ，σM，
σSが零のときの初期抵抗値をＲとしたとき、各抵
抗値RM，RS，RZが次式を満足するように構成さ
れている。
RM＝Ｒ（１＋σMπ）
RS＝Ｒ（１＋σSπ）
RZ＝Ｒ ……(1)
(1)式において、初期抵抗値Ｒとピエゾ抵抗係数π
にそれぞれ温度係数α，βがあり、基準温度のと
きの初期抵抗値をRO，基準温度のときのピエゾ
抵抗係数をπOおよび温度をｔとすると、Ｒとπは
それぞれ次式で与えられる。
にそれぞれ温度係数α，βがあり、基準温度のと
きの初期抵抗値をRO，基準温度のときのピエゾ
抵抗係数をπOおよび温度をｔとすると、Ｒとπは
それぞれ次式で与えられる。
Ｒ＝RO（１＋αt）
π＝πO（１＋βt） ……(2)
信号処理回路２０において、２１ａ，２１ｂ，２
１ｃは各々センサアンプで、センサアンプ２１ａ
の帰還回路にセンサ１０のピエゾ抵抗１１ａが、
センサアンプ２１ｂの帰還回路にセンサ１０のピ
エゾ抵抗１１ｂが、センサアンプ２１ｃの帰還回
路にセンサ１０のピエゾ抵抗１１ｃがそれぞれ接
続されている。２２は誤差増幅器で、その出力
ECが抵抗値の等しい抵抗２３ａ，２３ｂ，２３
ｃをそれぞれ介してセンサアンプ２１ａ，２１
ｂ，２１ｃの入力に加えられている。２４，２５
は各々減算回路である。減算回路２４は演算増幅
器２４ａと抵抗値の等しい４個の演算抵抗２４
ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅからなり、センサア
ンプ２１ｂの出力ESとセンサアンプ２１ｃの出力
EZとの差（ES−EZ）を演算して、誤差増幅器２
２の入力端子（−）に抵抗２２ａを介して加え
る。減算回路２５は演算増幅器２５ａと抵抗値の
等しい４個の演算抵抗２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，
２５ｅからなり、センサアンプ２１ａの出力EM
とセンサアンプ２１ｃの出力EZとの差（EM−EZ）
を演算して、出力端子OUTに出力電圧EOとして
与える。２６は基準電圧源で、一定電圧ERを誤
差増幅器２２の入力端子（＋）に与える。
１ｃは各々センサアンプで、センサアンプ２１ａ
の帰還回路にセンサ１０のピエゾ抵抗１１ａが、
センサアンプ２１ｂの帰還回路にセンサ１０のピ
エゾ抵抗１１ｂが、センサアンプ２１ｃの帰還回
路にセンサ１０のピエゾ抵抗１１ｃがそれぞれ接
続されている。２２は誤差増幅器で、その出力
ECが抵抗値の等しい抵抗２３ａ，２３ｂ，２３
ｃをそれぞれ介してセンサアンプ２１ａ，２１
ｂ，２１ｃの入力に加えられている。２４，２５
は各々減算回路である。減算回路２４は演算増幅
器２４ａと抵抗値の等しい４個の演算抵抗２４
ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅからなり、センサア
ンプ２１ｂの出力ESとセンサアンプ２１ｃの出力
EZとの差（ES−EZ）を演算して、誤差増幅器２
２の入力端子（−）に抵抗２２ａを介して加え
る。減算回路２５は演算増幅器２５ａと抵抗値の
等しい４個の演算抵抗２５ｂ，２５ｃ，２５ｄ，
２５ｅからなり、センサアンプ２１ａの出力EM
とセンサアンプ２１ｃの出力EZとの差（EM−EZ）
を演算して、出力端子OUTに出力電圧EOとして
与える。２６は基準電圧源で、一定電圧ERを誤
差増幅器２２の入力端子（＋）に与える。
このように構成した本発明装置においては、セ
ンサアンプ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの出力EM，
ES，EZは抵抗２３ａ，２３ｂ，２３ｃの抵抗値
をRCとすると、 となり、減算回路２４，２５の出力EA，EOはそ
れぞれ次式の如くなる。
ンサアンプ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの出力EM，
ES，EZは抵抗２３ａ，２３ｂ，２３ｃの抵抗値
をRCとすると、 となり、減算回路２４，２５の出力EA，EOはそ
れぞれ次式の如くなる。
EA＝−（ES−EZ）＝１／RC（RS−RZ）EC ……(4)
EO＝−（EM−EZ）＝１／RC（RM−RZ）EC ……(5)
そして、誤差増幅器２２により減算回路２４の出
力EAが基準電圧ERと等しくなるように、センサ
アンプ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの入力電圧ECが
制御されるので、次式の関係が成立する。
力EAが基準電圧ERと等しくなるように、センサ
アンプ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの入力電圧ECが
制御されるので、次式の関係が成立する。
１／RC（RS−RZ）EC＝ER ……(6)
よつて、(6)式を(5)式に代入すると、出力電圧EO
は、 EO＝RM−RZ／RS−RZER ……(7) となる。(7)式に(1)式に代入すると、出力電圧EO
は、 EO＝σM／σS ……(8) となり、温度係数を持つた初期抵抗値Ｒとピエゾ
抵抗係数πの項を含まないので、温度変化による
影響を受けない。また、スパン調整は一定応力σS
の値をネジ１５によりバネ１４の押圧を変えるこ
とによつてできる。
は、 EO＝RM−RZ／RS−RZER ……(7) となる。(7)式に(1)式に代入すると、出力電圧EO
は、 EO＝σM／σS ……(8) となり、温度係数を持つた初期抵抗値Ｒとピエゾ
抵抗係数πの項を含まないので、温度変化による
影響を受けない。また、スパン調整は一定応力σS
の値をネジ１５によりバネ１４の押圧を変えるこ
とによつてできる。
第３図は本発明装置の他の実施例を示す接続図
である。第３図において、第１図の実施例と異る
ところは、センサ１０に抵抗値がRZのピエゾ抵
抗１１ｄを追加し、ゼロ点用抵抗を２個にすると
ともに、センサアンプに演算機能を持たせ、（RM
−RZ）の演算をセンサアンプ２１ｄで行い、（RS
−RZ）の演算をセンサアンプ２１ｅで行うよう
にした点である。すなわち、ピエゾ抵抗１１ａが
センサアンプ２１ｄの入力端子（＋）とコモン間
に、ピエゾ抵抗１１ｃがセンサアンプ２１ｄの帰
還回路に、ピエゾ抵抗１１ｂがセンサアンプ２１
ｅの入力端子（＋）とコモン間に、ピエゾ抵抗１
１ｄがセンサアンプ２１ｅの帰還回路にそれぞれ
接続されている。誤差増幅器２２の出力ECが抵
抗２３ｄ，２３ｅを介してセンサアンプ２１ｄの
入力端子（＋）、（−）に加えられるとともに、抵
抗２３ｆ，２３ｇを介してセンサアンプ２１ｅの
入力端子（＋）、（−）に加えられている。よつ
て、誤差増幅器２２でセンサアンプ２１ｅの出力
が基準電圧ERと等しくなるように制御すれば、
センサアンプ２１ｄの出力端には、(7)式で示す出
力電圧EOが得られる。なお第３図においては誤
差増幅器２２の帰還回路にコンデンサ２２ｂを接
続して、誤差増幅器２２に積分特性を持たせてあ
る。また、第４図に示すようにセンサアンプ２１
ａ，２１ｂ，２１ｃの入力電圧ECを一定にし、
減算回路２４，２５の出力を割算回路２７で割算
して、(7)式の関係を得るようにしてもよい。この
場合センサアンプ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの出力
EM，ES，EZをそれぞれＡ／Ｄ変換器でデイジタ
ル量に変換後マイクロコンピユータに与え、マイ
クロコンピユータで実質的にRM−RZ／RS−RZなる演算を 行うようにしてもよい。
である。第３図において、第１図の実施例と異る
ところは、センサ１０に抵抗値がRZのピエゾ抵
抗１１ｄを追加し、ゼロ点用抵抗を２個にすると
ともに、センサアンプに演算機能を持たせ、（RM
−RZ）の演算をセンサアンプ２１ｄで行い、（RS
−RZ）の演算をセンサアンプ２１ｅで行うよう
にした点である。すなわち、ピエゾ抵抗１１ａが
センサアンプ２１ｄの入力端子（＋）とコモン間
に、ピエゾ抵抗１１ｃがセンサアンプ２１ｄの帰
還回路に、ピエゾ抵抗１１ｂがセンサアンプ２１
ｅの入力端子（＋）とコモン間に、ピエゾ抵抗１
１ｄがセンサアンプ２１ｅの帰還回路にそれぞれ
接続されている。誤差増幅器２２の出力ECが抵
抗２３ｄ，２３ｅを介してセンサアンプ２１ｄの
入力端子（＋）、（−）に加えられるとともに、抵
抗２３ｆ，２３ｇを介してセンサアンプ２１ｅの
入力端子（＋）、（−）に加えられている。よつ
て、誤差増幅器２２でセンサアンプ２１ｅの出力
が基準電圧ERと等しくなるように制御すれば、
センサアンプ２１ｄの出力端には、(7)式で示す出
力電圧EOが得られる。なお第３図においては誤
差増幅器２２の帰還回路にコンデンサ２２ｂを接
続して、誤差増幅器２２に積分特性を持たせてあ
る。また、第４図に示すようにセンサアンプ２１
ａ，２１ｂ，２１ｃの入力電圧ECを一定にし、
減算回路２４，２５の出力を割算回路２７で割算
して、(7)式の関係を得るようにしてもよい。この
場合センサアンプ２１ａ，２１ｂ，２１ｃの出力
EM，ES，EZをそれぞれＡ／Ｄ変換器でデイジタ
ル量に変換後マイクロコンピユータに与え、マイ
クロコンピユータで実質的にRM−RZ／RS−RZなる演算を 行うようにしてもよい。
第５図は本発明装置に用いるセンサの他の例の
構成を示す断面図である。第５図において第２図
と異るところは、ピエゾ抵抗１１ｃもシリコン基
板１２の第３のダイヤフラム部１２ｄに設けて、
σM，σSが零にもかかわらずシリコン基板１２と絶
縁体１３との接着等により発生する初期応力σOに
よる影響を受けないようにした点である。すなわ
ち第３のダイヤフラム部１２ｄの両側を同じ圧力
（例えば大気圧）とすると、各抵抗値RM，RS，RZ
は、 RM＝Ｒ〔１＋（σM＋σO）π〕 RS＝Ｒ〔１＋（σS＋σO）π〕 RZ＝Ｒ（１＋σOπ） ……(9) となり、RZはσM，σSが零のときのRM，RSの初期
値と等しくなるので、RM−RZ／RS−RZなる演算を行うこ とによつて、σOの影響も除去できる。
構成を示す断面図である。第５図において第２図
と異るところは、ピエゾ抵抗１１ｃもシリコン基
板１２の第３のダイヤフラム部１２ｄに設けて、
σM，σSが零にもかかわらずシリコン基板１２と絶
縁体１３との接着等により発生する初期応力σOに
よる影響を受けないようにした点である。すなわ
ち第３のダイヤフラム部１２ｄの両側を同じ圧力
（例えば大気圧）とすると、各抵抗値RM，RS，RZ
は、 RM＝Ｒ〔１＋（σM＋σO）π〕 RS＝Ｒ〔１＋（σS＋σO）π〕 RZ＝Ｒ（１＋σOπ） ……(9) となり、RZはσM，σSが零のときのRM，RSの初期
値と等しくなるので、RM−RZ／RS−RZなる演算を行うこ とによつて、σOの影響も除去できる。
なお上述では、センサ１０のピエゾ抵抗１１ｂ
に一定応力σSを作用させるために、バネ１４を用
いる場合を例示したが、バネ１４の代りに一定圧
力PSを加える等必要に応じて種々の手段を用いる
ことができる。また上述では、センサ１０として
応力によつて抵抗値が変るものを例示したが、ス
トレンゲージのように変位によつて抵抗値が変る
ものでも同様にできる。
に一定応力σSを作用させるために、バネ１４を用
いる場合を例示したが、バネ１４の代りに一定圧
力PSを加える等必要に応じて種々の手段を用いる
ことができる。また上述では、センサ１０として
応力によつて抵抗値が変るものを例示したが、ス
トレンゲージのように変位によつて抵抗値が変る
ものでも同様にできる。
＜発明の効果＞
本発明においては、温度変化の影響を受けず、
高精度に被測定物量を検出できる抵抗式変換装置
が得られる。
高精度に被測定物量を検出できる抵抗式変換装置
が得られる。
第１図は本発明装置の一実施例を示す接続図、
第２図は本発明装置に用いるセンサの構成の一例
を示す断面図、第３図、第４図は本発明装置の他
の実施例を示す接続図、第５図は本発明装置に用
いるセンサの構成の他の例を示す断面図である。 １０……センサ、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１
１ｄ……ピエゾ抵抗、１２……シリコン基板、１
２ａ，１２ｂ，１２ｄ……ダイヤフラム部、１２
ｃ……固定部、１３……絶縁体、２０……信号処
理回路、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１
ｅ……センサアンプ、２２……誤差増幅器、２３
ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆ，
２３ｇ……抵抗、２４，２５……減算回路、２６
……基準電圧源、２７……割算回路。
第２図は本発明装置に用いるセンサの構成の一例
を示す断面図、第３図、第４図は本発明装置の他
の実施例を示す接続図、第５図は本発明装置に用
いるセンサの構成の他の例を示す断面図である。 １０……センサ、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１
１ｄ……ピエゾ抵抗、１２……シリコン基板、１
２ａ，１２ｂ，１２ｄ……ダイヤフラム部、１２
ｃ……固定部、１３……絶縁体、２０……信号処
理回路、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１
ｅ……センサアンプ、２２……誤差増幅器、２３
ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ，２３ｅ，２３ｆ，
２３ｇ……抵抗、２４，２５……減算回路、２６
……基準電圧源、２７……割算回路。
Claims (1)
- １ 被測定物理量に応じて抵抗値RMが変化する
可変抵抗とこの可変抵抗の初期値と等しい抵抗値
RZを持つゼロ点用抵抗および一定の物理量の印
加に対応した抵抗値RSを持つスパン用抵抗を有
するセンサと、所定の電圧が印加された演算増幅
器の演算係数として前記可変抵抗と前記ゼロ点用
抵抗を用いこれらの各抵抗値の差（RM−RZ）を
演算する第１演算手段と前記電圧と同一の電圧が
印加された演算増幅器の演算係数として前記スパ
ン用抵抗と前記ゼロ点用抵抗を用いこれらの各抵
抗値の差（RS−RZ）を演算する第２演算手段と
を有しこの演算結果を用いて実質的に（RM−
RZ）／（RS−RZ）なる演算をして被測定物理量
に応じた信号を出力する信号処理回路とを具備し
たことを特徴とする抵抗式変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027652A JPS60171415A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 抵抗式変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59027652A JPS60171415A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 抵抗式変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60171415A JPS60171415A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0476046B2 true JPH0476046B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=12226848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59027652A Granted JPS60171415A (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 抵抗式変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60171415A (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940782A (ja) * | 1972-08-21 | 1974-04-16 | ||
| JPS49119676A (ja) * | 1973-03-15 | 1974-11-15 | ||
| JPS52156648A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Measurement of sensor |
| JPS5747858U (ja) * | 1980-09-01 | 1982-03-17 | ||
| JPS5791431A (en) * | 1980-10-09 | 1982-06-07 | Gen Motors Corp | Double hollow pressure sensor |
| JPS5896399A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-08 | 日産自動車株式会社 | 補償機能付き測定回路 |
| JPS58187024A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Chino Works Ltd | 入力切換回路 |
-
1984
- 1984-02-16 JP JP59027652A patent/JPS60171415A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940782A (ja) * | 1972-08-21 | 1974-04-16 | ||
| JPS49119676A (ja) * | 1973-03-15 | 1974-11-15 | ||
| JPS52156648A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Measurement of sensor |
| JPS5747858U (ja) * | 1980-09-01 | 1982-03-17 | ||
| JPS5791431A (en) * | 1980-10-09 | 1982-06-07 | Gen Motors Corp | Double hollow pressure sensor |
| JPS5896399A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-08 | 日産自動車株式会社 | 補償機能付き測定回路 |
| JPS58187024A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Chino Works Ltd | 入力切換回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60171415A (ja) | 1985-09-04 |
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