JPH047536B2 - - Google Patents
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- JPH047536B2 JPH047536B2 JP58086811A JP8681183A JPH047536B2 JP H047536 B2 JPH047536 B2 JP H047536B2 JP 58086811 A JP58086811 A JP 58086811A JP 8681183 A JP8681183 A JP 8681183A JP H047536 B2 JPH047536 B2 JP H047536B2
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- Japan
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- output
- electron beam
- grid
- signal
- power supply
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 27
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
- H01J37/241—High voltage power supply or regulation circuits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は被加工物に電子ビームを照射し、電
子ビームにより溶接・熱処理等を行なう電子ビー
ム加工装置に関するものである。
子ビームにより溶接・熱処理等を行なう電子ビー
ム加工装置に関するものである。
従来この種の装置として第１図に示すものがあ
つた。図において、１は主電源、２は主昇圧トラ
ンス、３は高電圧整流平滑回路、４は補助電源、
５は絶縁トランス、６は陰極加熱電源、７はグリ
ツド電源、８は電子ビーム電流制御回路、９は光
信号伝送系、１０は陰極、１１はグリツド電極、
１２はアノード電極、１３は電子ビーム、１４は
被加工物、１５は電子ビーム電流測定抵抗であ
る。
つた。図において、１は主電源、２は主昇圧トラ
ンス、３は高電圧整流平滑回路、４は補助電源、
５は絶縁トランス、６は陰極加熱電源、７はグリ
ツド電源、８は電子ビーム電流制御回路、９は光
信号伝送系、１０は陰極、１１はグリツド電極、
１２はアノード電極、１３は電子ビーム、１４は
被加工物、１５は電子ビーム電流測定抵抗であ
る。
次に動作について説明する。主電源１の出力電
圧は昇圧トランス２で昇圧され、次いで高電圧整
流平滑回路３で整流平滑され、陰極１０とアノー
ド電極１２の間に印加される。一方、陰極１０は
補助電源４と絶縁トランス５で絶縁された陰極加
熱電源６により加熱され、陰極から放出される熱
電子は陰極１０とアノード電極１２間に印加され
た高電圧によつて加速され、電子ビーム１３とな
つて被加工物１４を加工する。この際、電子ビー
ム電流は電子ビーム電流測定抵抗１５によつて検
出され、電子ビーム電流制御回路８にフイードバ
ツクされる。また、電子ビーム電流は陰極１０と
グリツド電極１１との間に印加されるバイアス電
圧によつて制御される。このため、光信号伝送系
９を介してグリツド電源７の出力電圧を電子ビー
ム制御回路８で制御することにより、電子ビーム
電流は電子ビーム電流制御回路８の設定値に保た
れる。
圧は昇圧トランス２で昇圧され、次いで高電圧整
流平滑回路３で整流平滑され、陰極１０とアノー
ド電極１２の間に印加される。一方、陰極１０は
補助電源４と絶縁トランス５で絶縁された陰極加
熱電源６により加熱され、陰極から放出される熱
電子は陰極１０とアノード電極１２間に印加され
た高電圧によつて加速され、電子ビーム１３とな
つて被加工物１４を加工する。この際、電子ビー
ム電流は電子ビーム電流測定抵抗１５によつて検
出され、電子ビーム電流制御回路８にフイードバ
ツクされる。また、電子ビーム電流は陰極１０と
グリツド電極１１との間に印加されるバイアス電
圧によつて制御される。このため、光信号伝送系
９を介してグリツド電源７の出力電圧を電子ビー
ム制御回路８で制御することにより、電子ビーム
電流は電子ビーム電流制御回路８の設定値に保た
れる。
以上のような構成になつている従来の電子ビー
ム加工装置では、陰極とグリツド電極との間の絶
縁が劣化すると無バイアス状態になり、加速電圧
を印加すると、電子ビーム電流設定値に関係なく
電子ビーム電流が暴走し、被加工物を損なつたり
するなどの欠点があつた。
ム加工装置では、陰極とグリツド電極との間の絶
縁が劣化すると無バイアス状態になり、加速電圧
を印加すると、電子ビーム電流設定値に関係なく
電子ビーム電流が暴走し、被加工物を損なつたり
するなどの欠点があつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためなされたもので、電子銃のグリツド電
極にバイアスを印加するグリツド電源の入力また
は出力を検出し、基準値と比較し、この比較値に
応じて上記電子銃の高電圧電源の出力を制御する
ことによつて、電子ビーム電流の暴走による被加
工物の加工損傷のない電子ビーム加工装置を提供
するものである。
去するためなされたもので、電子銃のグリツド電
極にバイアスを印加するグリツド電源の入力また
は出力を検出し、基準値と比較し、この比較値に
応じて上記電子銃の高電圧電源の出力を制御する
ことによつて、電子ビーム電流の暴走による被加
工物の加工損傷のない電子ビーム加工装置を提供
するものである。
以下第２図に示すこの発明の一実施例について
説明する。第２図において、第１図と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略す
る。２１はグリツド電流測定抵抗、２２は電圧を
周波数に変換するVF変換器、２３はVF変換器２
２の出力信号を増幅する出力増幅器、２４はVF
変換器２２および出力増幅器２３に電力を供給す
る測定部電源、２６はグリツド電流測定抵抗２
１、VF変換器２２、出力増幅器２３および測定
部電源２４で構成されたグリツド電流測定器２５
に電力を供給する絶縁トランス５の２次側に配置
された第３の次巻線、３１はグリツド電流測定器
２５の出力電気信号を光信号に変換する発光素
子、３２は光信号を伝送する光フアイバーケーブ
ル、３３は光信号を電気信号に変換する受光素
子、３４は発光素子３１、光フアイバーケーブル
３２および受光素子３３で構成された第２の光信
号伝送系、４１は周波数を電圧に変換するFV変
換器、４２は基準信号設定器、４３はFV変換器
４１の出力信号が基準信号設定器４２の出力信号
より大きくなると信号を出力するコンパレータな
どの比較器、４４は比較器４３の出力信号を増幅
する第２の出力増幅器、４５は比較器４３の出力
信号を表示するランプやブザーなどの表示器、４
６はFV変換器４１基準信号設定器４２、比較器
４３、第２の出力増幅器４４および表示器４５で
構成された主電源出力介入判定器、５１は電路開
閉器である。
説明する。第２図において、第１図と同一符号は
同一または相当部分を示すのでその説明を省略す
る。２１はグリツド電流測定抵抗、２２は電圧を
周波数に変換するVF変換器、２３はVF変換器２
２の出力信号を増幅する出力増幅器、２４はVF
変換器２２および出力増幅器２３に電力を供給す
る測定部電源、２６はグリツド電流測定抵抗２
１、VF変換器２２、出力増幅器２３および測定
部電源２４で構成されたグリツド電流測定器２５
に電力を供給する絶縁トランス５の２次側に配置
された第３の次巻線、３１はグリツド電流測定器
２５の出力電気信号を光信号に変換する発光素
子、３２は光信号を伝送する光フアイバーケーブ
ル、３３は光信号を電気信号に変換する受光素
子、３４は発光素子３１、光フアイバーケーブル
３２および受光素子３３で構成された第２の光信
号伝送系、４１は周波数を電圧に変換するFV変
換器、４２は基準信号設定器、４３はFV変換器
４１の出力信号が基準信号設定器４２の出力信号
より大きくなると信号を出力するコンパレータな
どの比較器、４４は比較器４３の出力信号を増幅
する第２の出力増幅器、４５は比較器４３の出力
信号を表示するランプやブザーなどの表示器、４
６はFV変換器４１基準信号設定器４２、比較器
４３、第２の出力増幅器４４および表示器４５で
構成された主電源出力介入判定器、５１は電路開
閉器である。
次にこの発明による動作について説明する。陰
極１０とグリツド電極１１間にバイアス電圧を印
加するグリツド電源７の出力電流は、グリツド流
測定抵抗２１で電圧信号として検出され、VF変
換器２２によつて周波数信号に変換される。この
周波数信号は出力増幅器２３を介して発光素子３
１により光信号に変換される。この光信号は光電
位部から光フアイバーブル３２を介して、低電位
部の受光素子３３に伝送され、受光素子および
FV変換器４１により電圧信号に再変換される。
比較器４３は基準信号設定器４２の出力信号と
FV変換器４１の出力信号を比較して、FV変換器
４１の出力信号が基準信号設定器４２の出力信号
より大きくなると信号を出力する。この比較器４
３の出力信号は表示器４５を作動するとともに第
２の出力増幅器４４によつて電力増巾され、電路
開閉器を制御する。
極１０とグリツド電極１１間にバイアス電圧を印
加するグリツド電源７の出力電流は、グリツド流
測定抵抗２１で電圧信号として検出され、VF変
換器２２によつて周波数信号に変換される。この
周波数信号は出力増幅器２３を介して発光素子３
１により光信号に変換される。この光信号は光電
位部から光フアイバーブル３２を介して、低電位
部の受光素子３３に伝送され、受光素子および
FV変換器４１により電圧信号に再変換される。
比較器４３は基準信号設定器４２の出力信号と
FV変換器４１の出力信号を比較して、FV変換器
４１の出力信号が基準信号設定器４２の出力信号
より大きくなると信号を出力する。この比較器４
３の出力信号は表示器４５を作動するとともに第
２の出力増幅器４４によつて電力増巾され、電路
開閉器を制御する。
今、主電源出力介入判定器４６で、陰極１０と
グリツド電極１１との間の絶縁劣化などによるグ
リツド電源７の出力電流の増加を検出した場合、
陰極１０とアノード電極１２間に加速電圧を印加
して電子ビーム電流が暴走しないように、主電源
出力介入判定器４６からの出力信号により電路開
閉器５１を制御して、主電源と昇圧トランス２と
の電路を断つ。また主電源出力介入判定器４６が
主電源１の出力に介入したことを表示器４５で表
示する。
グリツド電極１１との間の絶縁劣化などによるグ
リツド電源７の出力電流の増加を検出した場合、
陰極１０とアノード電極１２間に加速電圧を印加
して電子ビーム電流が暴走しないように、主電源
出力介入判定器４６からの出力信号により電路開
閉器５１を制御して、主電源と昇圧トランス２と
の電路を断つ。また主電源出力介入判定器４６が
主電源１の出力に介入したことを表示器４５で表
示する。
なお、上記実施例ではグリツド電源７の出力に
グリツド電流測定器２５を設けたものについて説
明したが、グリツド電源７の入力にグリツド電流
測定器２５と同様の機能を有する入力測定器を設
けても、上記実施例と同様の効果を奏する。また
グリツド電源の出力電圧を測定するグリツド電圧
測定器を設けても上記実施例と同様の効果を奏す
る。
グリツド電流測定器２５を設けたものについて説
明したが、グリツド電源７の入力にグリツド電流
測定器２５と同様の機能を有する入力測定器を設
けても、上記実施例と同様の効果を奏する。また
グリツド電源の出力電圧を測定するグリツド電圧
測定器を設けても上記実施例と同様の効果を奏す
る。
以上のように、この発明によればグリツド電源
の出力異常を検知して、主電源の出力を断ち加速
電圧が印加しないような構成にしたので、電子ビ
ーム電流の暴走によつて被加工物を損うことがな
いので、被加工物の損失による費用損失がなくな
る。また電子ビーム加工装置の異常個所も、簡単
に発見できるので、電子ビーム加工装置の保守時
間が短くなるなどの効果がある。
の出力異常を検知して、主電源の出力を断ち加速
電圧が印加しないような構成にしたので、電子ビ
ーム電流の暴走によつて被加工物を損うことがな
いので、被加工物の損失による費用損失がなくな
る。また電子ビーム加工装置の異常個所も、簡単
に発見できるので、電子ビーム加工装置の保守時
間が短くなるなどの効果がある。
第１図は従来の電子ビーム加工装置を示す構成
図、第２図はこの発明の一実施例を示す構成図で
ある。 図において、１は主電源、２は昇圧トランス、
３は高伝圧整流平滑回路、６は陰極加熱電源、７
はグリツド電源、８は電子ビーム電流制御回路、
１０は陰極、１１はグリツド電極、１２はアノー
ド電極、２５はグリツド電流測定器、４６は主電
源出力介入判定器、５１は電路開閉器である。な
お図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図、第２図はこの発明の一実施例を示す構成図で
ある。 図において、１は主電源、２は昇圧トランス、
３は高伝圧整流平滑回路、６は陰極加熱電源、７
はグリツド電源、８は電子ビーム電流制御回路、
１０は陰極、１１はグリツド電極、１２はアノー
ド電極、２５はグリツド電流測定器、４６は主電
源出力介入判定器、５１は電路開閉器である。な
お図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 電子銃の電子ビーム電流を検出し、この検出
された電子ビーム電流に応じてグリツド電流の出
力を制御し、上記電子銃のグリツド電極のバイア
ス電圧を調整するようにしたものにおいて、上記
グリツド電源の入力または出力を検出し基準値と
比較し、この比較値に応じて上記電子銃の電子ビ
ームを加速する主電源の出力を制御するようにし
たことを特徴とする電子ビーム加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8681183A JPS59211950A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 電子ビ−ム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8681183A JPS59211950A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 電子ビ−ム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211950A JPS59211950A (ja) | 1984-11-30 |
| JPH047536B2 true JPH047536B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=13897191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8681183A Granted JPS59211950A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 電子ビ−ム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211950A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2556549B2 (ja) * | 1988-04-08 | 1996-11-20 | 日本電子株式会社 | 直流高電圧発生装置 |
| US10987752B2 (en) | 2016-12-21 | 2021-04-27 | Arcam Ab | Additive manufacturing of three-dimensional articles |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279756A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Hitachi Ltd | Field emission device |
| JPS5737403U (ja) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP8681183A patent/JPS59211950A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5279756A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Hitachi Ltd | Field emission device |
| JPS5737403U (ja) * | 1980-08-13 | 1982-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59211950A (ja) | 1984-11-30 |
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