KR940005463B1 - 고주파수 발생기 - Google Patents

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KR940005463B1
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스테파네 크리스티안
페테르 후벤 아르트
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엔.브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
이반 밀러 레르너
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Abstract

내용 없음.

Description

고주파수 발생기
제1도는 본 발명에 따른 고주파수 발생기의 매우 간단화되고, 도식적인 회로도.
제2도는 제1도의 고주파수 발생기내의 저전압 제어회로의 기능 수행도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 고주파 발생기 3 : 외부회로
4,13 : 고전압 변압기 15`,15 : 발진기회로
160 : 제어 트랜지스터 170 : 비교기회로
본 발명은 전자관 발진기회로, 발진기회로의 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드 및 직류전원에 접속된 전자관 양극을 구비하는 고주파수 가열 발생기에 관한 것이다.
본 발명은 특히 수 KW에서 수 MW까지의 산업 시스템용 고주파수 발생기에 관한 것이다. 현재 산업상에 적용되는 고주파수 발생기는 전자관으로서 종래의 통상 3극관으로 오로지 동작된다. 시중에 4극관이 시판되고 있다는 사실에도 불구하고, 고주파수 또는 유도성 가열 발생기에는 사용되지 않는데, 이것은, 필적할만한 전력치에 대해서 말하자면, 고주파수 발생기에 4극관보다 3극관을 내장시키는 것이 상당히 경제적인 것으로 고려되기 때문이다.
본 발명은 평행 코스트 분석상, 전체적으로 발진기 회로를 고려치 않고 고주파수 발생기로만 고려된다는 사실에 근거를 둔다.
3극관의 높은 효울 전력제어에는 전압을 500V까지 상승시키는 간단한 방법으로 수행될 수 있는 더리스터 제어기가 필요로 된다. 그러나, 고도로 효율적인 사용에 있어서는 이러한 동일한 3극관은 더리스터 제어기 다음에 고정압 변압기를 내장하는 것을 필용로 하는 10 내지 50KV를 필요로 한다.
더리스터 제어기의 사용결과, 공지된 고주파수 발생기의 코스트는 더리스처 제어기가 사용되지 않는 경우보다 높은 뿐만 아니라, 산업 시스템에 있어서 더리스터 제어기는 대부분 고전압 정류기의 출력에서 필터를 필요로 하며, 이 필터는 코스트가 높은 뿐만 아니라 이 필터에서 발생하는 고전압 때문에 부피가 크다. 이러한 점에 관련하여, 프라즈마 발생에는 불가피적으로 이러한 점에 관련하여, 프라즈마 발생에는 불가피적으로 이러한 형의 사용이 필요로 되지만 한편으로 프라즈마 불꽃에서의 전력변도은 귀를 멍멍하게 만드는 잡음을 발생시킬 것이다.
본 발명의 목적은 더리스터 제어기를 필요로 하지 않은 상황하에서 고주파수 발생기를 제공하는데 있다.
이러한 목적을 위해 본 발명은 서문에서 언급된 형의 고주파수 발생기를 제공하는데, 이 발생기는 부가 그리드 및 부가 그리드 또는 발생기 출력 전력을 셋트 및 제어하도록 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드에 접속된 저전압 제어회로를 갖춘 전자관을 구비하며, 저전압 제어회로는 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드에 접속되며, 셋팅 전압은 부가 그리드에 인가되며, 직류 전원은 비제어된 직류 전압원인 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따라 고주파수 발생기에 부가 그리드를 구비한 전자관으로 수행하면, 발생기 출력 전력은 부가 그리드 또는 발진기 궤환회로에 접속된 전자관 그리드에 접속된 저전압 제어회로의 저제어 전력으로 제어될수 있으며, 상기 저전압 제어회로는 종래기술의 고주파수 발생기에서 통상 3극관의 그리드에 접속된 고전압 제어회로 또는 쵸퍼 대신에 진폭제어를 제공한다.
저전압 제어회로는 수행하는데 있어서 경제적인 뿐만 아니라 보다 크기 보다 정확한 제어범위를 제공할 수 있다.
어떠한 경우에 있어서, 발생기는 정류기를 통해 약 10KV의 고전압 전기본관에 직접 접속될 수 있다.
본 발명에 따른 고주파수 발생기의 전자관 그리드에 접속된 저저압 제어회로는 고주파수 발생기 또는 이에 접속된 외부회로로부터 나온 궤환호를 기준신호와 비교하여 생겨날 수 있는 제어신호를 트랜스터 제어전극에 인가되는 예를들어 100W 정도의 비교적 저전력값 트랜지스터를 구비할 수 있다.
종래기술의 고주파수 발생기와 대비하여, 본 발명에 따른 고주파수 발생기의 전력은 특히 플라즈마 적용에 유리한 10MHz까지의 주파수 범위내에서 쉽사리 제어될 수 있다.
지금부터 적합한 실시예 및 도면을 참도하여 보다 상세히 본 발명을 기술하고자 한다.
제1도는 예를들어 10KV의 교류전압을 갖는 본관 접속(2)과 예를 들어 하나나 다수의 가열 인덕터나 워크(Work) 코일(도시되지 않음), 또는 플라즈마 토치(도시되지 않음)를 구비하는 외부회로(3)사이에 내장된 본 발명을 실체화하는 고주파수 발생기(1)를 도시한다. 고주파수 발생기의 산업상 이용의 경우에 있어서와 본 발명에 따른 고주파수 발생기(1)를 적용하여 도시된 경우에 있어서, 고전압 변압기(4)는 주공급단자(2)와 고주파수 발생기(1)사이에 내장되며, 주단자(2)에서의 10KV주전압을 380V의 3상(전력)전압으로까지 하강변압시킨다. 명확한 목적을 위해, 고주파수 발생기(1)는 스위치(12) 및 380V의 전력 전압을 예를들어 10내지15KV의 고전압까지 상승변압시키는 고전압 변압기(13)를 구비한다. 본 발명에 따른 고주파수 발생기(1)와 대비하여, 산업적용용 공지된 고주파수 발생기는 스위치(12)와 고전압 변압기(13)다음에 필터가 내장되어 있다. 본 발명에 따른 발생기는 고전압 변압기(4 및 13)가 없으며 제1도의 선도에서 상호접속으로 대치될 수 있다는 유리한 장점을 가지며, 제1도의 경우에 있어서, 스위치(12)는 예를들어 10KV의 주전압을 고전압 변압기(13)에 다른 방식으로 접속된 정류기(14)에 직접 급송한다.
고주파수 발생기(1)는 발진기 회로(15`,15)를 구비하며, 이 경우에 있어서 부(15`)는 공지되어 있기 때문에 제1도의 선도에서는 4극관(15)인 전자관만을 도시하였다. 4극관(15)의 양극(151)은 정류기(14) 및 발진기 회로의 부(15`)에 접속되며, 제1그리드(153)는 발진기 회로부(15`)의 정궤환 회로(도시되지 않음)에 접속되며, 이 경우에 있어서, 4극관(15)이 제2도는 부가 그리드(152)는 제2도를 참조하여 기술될 저전압 제어회로(16)에 접속된다. 본 발명에 따라 사용된 전자관은 하나의 여분의 그리드를 갖는 변형된 관일 수 있으나, 5극관과 같이 하나이상을 갖는 전자관일 수도 있다는 것에 주목된다. 제1도에서 도시된 것과 다르게, 저전압 제어회로는 제1도에서 도시된 바와같이 그리드(152)에 접속되는 대신에 4극관(15)의 그리드(153)에 접속될 수 있으며, 이러한 경우에 있어서, 그리드(152)에 셋팅 전압이 인가된다. 단자(2)를 통해 본관에 접속될 수 있는 고전압 변압기(4 및 3) 및 정류기(14) 또는 정류기(14)만을 갖는 직렬회로는 종래기술의 더리스터 제어기의 경우에 있어서 스위칭 직류전압원과 비교하여 비제어되 정직류 전압원으로 고려될수 있다. 기술된 상황하에서의 본 발명은 더리스터 제어기의 사용을 절약할 뿐 아니라 어떠한 경우에 있어서는, 고가이며 부피가 큰 필터 회로의 사용을 절약할 수 있다.
바꾸어 기술하자면, 동작시에 예를들어 10 내지 15KV의 직류 고전압이, 종래기술의 경우에서와 같이 전자관(15)의 양극(151)에 인가된다. 본 발명에 의하면, 이것은 기본적으로 정고전압이며, 이 전압은 본질적으로 셋트될 수 있으나 고주파수 발생기(1)의 출력 전압을 제어하는데는 사용되지 않는다.
본 발명에 따라, 고주파수 발생기(1)의 출력 전력은 전자관(15)의 그리드(153) 또는 부가그리드(152)에 접속되며 제어가능한 진폭을 갖는 신호를 공급하는 기능을 지닌 저전압 제어회로로 제어될 수 있다. 이러한 것에 연관하여, 송신기에서 사용된 발진기에 반하여, 의도된 적용분야를 위한 고주파수 발생기에 있어서, 출력 주파수가 부하 종속되며, 예를들어, 기본적으로 상이한 제어수단을 수반하는 수정으로 고정되지 않는것이 필수적인 것을 기술하기 위한 단지 부수적인 것이다. 종래기술의 고전압 전력제어에 반하여, 본 발명에 따른 저전압 전력제어로 인하여, 고주파수 발생기(1)가, 예를들어, 특히 수정관으로 제조된 광섬유의 제조시 플라즈마 토치에서 사용될때라도, 이러한 종류의 적용에 필요로 되는 정확한 제어를 쉽사리 얻을 수 있다. 또한, 전체 시스템은 보다 높은 효율로 향상되며 보다 적은 성분이 내장되므로 시스템이 절감될 수 있다. 4극관이 3극관보다 짧은 상승 시간을 갖기 때문에, 본 발명에 따른 고주파 발생기(1)는 고전력으로 변조되어지는 레이저에 유리하게 사용될 수 있다.
고주파수 변압기(4 및 13)가 사용되지 않으면, 변압기 손실이 발생하지 않는 결과로서 보다 향상된 효율을 나타낸다.
상술된 바와 같이, 제2도를 저전압 제어회로(16)의 가능한 수행에 대한 극도로 간략화되며 개략적인 선도를 도시한 것이다. 이러한 수행에 있어서, 저전압 제어회로(16)는 제어전극(161)이 비교기회로(170)의 출력(171)에 접속된 제어 트랜지스터(160)를 구비한다. 비교기호로(170)의 제1출력(172)은 셋팅신호를 수신하며, 비교기 회로의 제2출력(173)은 고주파수 발생기(1), 가능하게는 제1도의 발전기 회로부(15`)로부터나온 궤환신호를 수신한다. 비교기 회로(170)의 출력(171)은 비교기 회로(170)의 입력(173)에서의 궤환신호를 비교한 결과인 제어신호를 공급한다.
제어트랜지스터(160)의 제1주전극(162)은 저항(163)을 통해 제1도의 선도에서 전자관(15)의 부가전극(152) 또는 전극(153)에 접속된다. 제어트랜지스터(160)의 제2주전극(164)은, 예를들어, 가능하면 제1도의 선도에서 도시된 바와 같이 전자관(15)의 음극과 같은 동일한 방법으로 접지된다. 제1도에서 전자관(15)의 예를들어 부가 그리드(152)의 전압 레벨은 제어트랜지스터(160)의 제어전극(161)상의 제어전압의 진폭에 비례한다는 것은 명백한 사실이다.
간단히 기술하자면 부가 그리드, 예를들어, 4극관을 구비하는 전자관을 사용하여, 더리스터 제어기가 사용된 경우에 있어서 제1도의 정류기(14)에 의해 전달된 고전압을 평활하는 6 또는 12 에너지 더리스터 및 부피가 큰 필터를 갖춘 더리스터 제어기는 기본적으로 저전압 제어회로(160,170)에서 (설정시에)하나보다 많지 않은 저전압 트랜지스터로 대치될 수 있다는 것이다.
상술한 바와같이, 이것은 고주파수 발생기를 보다 경제적으로 할 뿐만 아니라 실현하는데 있어서 간단화할 수 있다.

Claims (3)

  1. 전자관 발진기 회로, 발진기 회로의 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드 및 직류 전력원에 접속된 전자관 양극을 구비하는 고주파수 가열 발생기에 있어서, 발생기는 부가 그리드 및 부가 그리드 또는 발생기 출력 전력을 제어하도록 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드에 접속된 저전압 제어회로를 갖춘 전자관을 구비하며, 만일 저전압 제어회로가 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드에 접속된면, 셋팅 전압이 부가 그리드에 인가되며, 직류 전력원은 비제어되 직류 전력원인 것을 특징으로 하는 고주파수 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 전자관은 4극관인 것을 특징으로 하는 고주파수 발생기.
  3. 제1또는 2항에 있어서, 저전압 제어회로는 트랜지스터, 부가 전자관 그리드 또는 정궤환 회로에 접속된 전자관 그리드에 접속된 제1주전극 및 기준 전위에서 동작하는 제2주전극, 발생기 또는 이 발생기에 접속된 외부회로로 부터 나온 궤환신호 및 셋팅신호 각각을 입력에서 수신하여 트랜지스터의 제어전극에 접속된 출력에 공급하는 비교기 회로를 구비하며, 상기 출력신호는 궤환신호와 셋팅신호의 비교결과에 대응하는 것을 특징으로 하는 고주파수 발생기.
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