JPH0474487A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0474487A JPH0474487A JP18859690A JP18859690A JPH0474487A JP H0474487 A JPH0474487 A JP H0474487A JP 18859690 A JP18859690 A JP 18859690A JP 18859690 A JP18859690 A JP 18859690A JP H0474487 A JPH0474487 A JP H0474487A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（イ）産業上の利用分野
本発明は、可視光を出射するＩｎＧａＡＩＰ系の半導体
レーザに関する。 （ロ）従来の技術 第５図に示す従来の半導体レーザの素子・構造は、Ｊａ
ｐａｒ＋ｅＳｃＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
ｌ”ｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ。 ２８、 Ｎｏ、 ９． Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ、 ＋９８
９． ｐｐ、 １６］５−］６２］に開示されたもので
ある。同図において、上からＡｕＺｎ／Ａｕ電極１（１
１，ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０２、ｎ型ＧａＡｓブロ
ック層１０３、ｐ型１ｎｏ、 ＋（Ｇａ＋−ｘＡｌｘ）
。５Ｐクラッド層１０４、ノンドープのＩｎｏｓＧａｏ
ｓＰ活性層１０５、ｎ型Ｉｎｏ ５（Ｇａ＋−ｘＡｌｘ
）ａ ｉＰクラッド層１０６、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
】０７、ｎ型ＧａＡｓ基板１０８、へｕＧｅ／Ａｕ電極
】０９である。 この例ようにノンドープのｌ ｎＧａ ｒ’活性層１０
５を、ｐ型、ｎ型１ｎＧａＡＩＰクラッド層１（１４，
］（１６で挟んだ素子構造では、製造工程中にｐ型、ｎ
型クラッド層１０４１０６のドーパント （例えばケイ
素Ｓ１．セレンＳｅ、亜鉛Ｚｎ）が活性層］０５内に混
入し、素子の信頼性を低ドさせるという問題点があった
。 第６図は第５図の構造を有する素子においてｎ型クラッ
ド層１０６にドーパントとしてＳｅを用いた素ｆ−のＳ
ｃ、ｌｎ’ｔＱ度ブ′ロファイルを示し、第７図は同じ
くドーパントとしてＳｌを用いた素子のＳｉ、Ｚｎ濃度
プロファイルを示したものである。但し、ドーパント濃
度は５１Ｍ５を用いて測定した。 これらの図からｎ型ドーパントとしてＳｅを用いると、
Ｓｅのメモリ効果によって、活性層１０５内にＳｅが多
量に取り込まれていることが分かる。 一方ドーパントとしてＳｌを用いると、Ｓｅの場合に比
べて活性層１０５へのＳｉの取り込みが低減されるもの
の、活性層１０５とｎ型クラッド層１０６との界面では
Ｓｉの取り込み量が多くなる。 さらに、第６．７図においてｐ型ドーパントのＺｎも活
性層１０５内に多く拡散して取り込まれていることが分
かる。 （ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、活性層内にｐ型
、ｎ型ドーパントが取り込まれる現象を軽減するための
新しい素子構造を提供することを目的とする。 （ニ）課題を解決するための手段 本発明は、１ｎＧａＡＩＩ’系化合物゛ｒ導体からなる
ｐ型及び
レーザに関する。 （ロ）従来の技術 第５図に示す従来の半導体レーザの素子・構造は、Ｊａ
ｐａｒ＋ｅＳｃＪｏｕｒｎａｌｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ
ｌ”ｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ。 ２８、 Ｎｏ、 ９． Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ、 ＋９８
９． ｐｐ、 １６］５−］６２］に開示されたもので
ある。同図において、上からＡｕＺｎ／Ａｕ電極１（１
１，ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０２、ｎ型ＧａＡｓブロ
ック層１０３、ｐ型１ｎｏ、 ＋（Ｇａ＋−ｘＡｌｘ）
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ｓＰ活性層１０５、ｎ型Ｉｎｏ ５（Ｇａ＋−ｘＡｌｘ
）ａ ｉＰクラッド層１０６、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
】０７、ｎ型ＧａＡｓ基板１０８、へｕＧｅ／Ａｕ電極
】０９である。 この例ようにノンドープのｌ ｎＧａ ｒ’活性層１０
５を、ｐ型、ｎ型１ｎＧａＡＩＰクラッド層１（１４，
］（１６で挟んだ素子構造では、製造工程中にｐ型、ｎ
型クラッド層１０４１０６のドーパント （例えばケイ
素Ｓ１．セレンＳｅ、亜鉛Ｚｎ）が活性層］０５内に混
入し、素子の信頼性を低ドさせるという問題点があった
。 第６図は第５図の構造を有する素子においてｎ型クラッ
ド層１０６にドーパントとしてＳｅを用いた素ｆ−のＳ
ｃ、ｌｎ’ｔＱ度ブ′ロファイルを示し、第７図は同じ
くドーパントとしてＳｌを用いた素子のＳｉ、Ｚｎ濃度
プロファイルを示したものである。但し、ドーパント濃
度は５１Ｍ５を用いて測定した。 これらの図からｎ型ドーパントとしてＳｅを用いると、
Ｓｅのメモリ効果によって、活性層１０５内にＳｅが多
量に取り込まれていることが分かる。 一方ドーパントとしてＳｌを用いると、Ｓｅの場合に比
べて活性層１０５へのＳｉの取り込みが低減されるもの
の、活性層１０５とｎ型クラッド層１０６との界面では
Ｓｉの取り込み量が多くなる。 さらに、第６．７図においてｐ型ドーパントのＺｎも活
性層１０５内に多く拡散して取り込まれていることが分
かる。 （ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、活性層内にｐ型
、ｎ型ドーパントが取り込まれる現象を軽減するための
新しい素子構造を提供することを目的とする。 （ニ）課題を解決するための手段 本発明は、１ｎＧａＡＩＩ’系化合物゛ｒ導体からなる
ｐ型及び
【１型りランｒ層と、ノンドープのＩｎＧａＰ
系活性層と、を有し、前記活性層とｐ Ｆ！！Ｉ 、
ｎ型クラッド層との夫々の間に、ノンドープのクラッド
層を設けたものである。 そして、前記ノンドープのクラッド層の膜厚は、ｐ１！
２クラッド層と活性層との間及びｎ型クランド層と活性
層との間の平均膜厚で３００λ以下とすることが望まし
い。 （ホ）作用 活性層の両側にあるノンドープのクラッド層により活性
層内へのｐ型、ｎ型ドーパントの取り込み量を抑制する
。 （へ）実施例 以Ｆ本発明の半導体レーザを図面に基づき詳細に説明す
る。 第１図は素子構造を示す断面図であり、上から順に、Ｃ
ｒ−＾Ｕ電極１、ｐ型ＧａＡｓキャンプ層２、ｎ型Ｇａ
Ａｓ１０７２層３、ｐ型Ｉｎ（Ｇａａ、 ５Ａｌｏ、
ｓ）Ｐクラッド層４、Ｉｎ（Ｇａｏ、 ５ＡＩｃ、 ｓ
）Ｐノンドープ２９フ１層５／ンドープ′のＩｎＧａ１
’活性層６、Ｉｎ（Ｇａｏ、 ５Ａｌｏ、 ｓ）Ｐノン
ドープクラッド層７、ｎ’ＦＩｎ（Ｇａｏ ５八１．Ｓ
）Ｐクランド層８、ｎ型１ｎＧａｌ’バッファ層９、ｎ
’ＪＧａＡｓ基板１０、Ｃｒ−８ｎ−Ａｕ電極１１であ
る。 前記各層は周知のＭＯＣＶＤ法を用いて基板１０の一主
面Ｉ−に順次エピタキシャル成長され、前記メンドープ
クラッド層５．７の厚みはそれぞれ１００人である。 第２図は第１図の素子構造を有する半導体レーザ用素子
において、ｎ型ドーパントとしてＳｌを用い、ｐ＋５ド
ーパントとしてＺｎを用いたときのドーピングプロファ
イルを示した図である。前記第７図と比較すると、活性
層６内へのドーパントの取り込みが軽減されていること
が分かる。 即ち、従来の素子では、活性層１０５とｎ型クラッド層
１０４との界面では３Ｘ １（１” （ｃｍ−’ ）程
度のＺｎの拡散が見られ、活性層１０５とｎ型クランド
層】０６との界面では７．５Ｘ１０１７（ｃｍ−’）程
度のＺｎの拡散が見られるのに対し、本発明の素子では
各ノンドープクラッド層５，７と活性層６との界面では
夫々ＩＸＩ（１”２．５Ｘｌ（１”（ｃｍ−３）程度の
Ｚｎの拡散しか見られない。 第３図は前記ノンドープクラッド層５，７の平均膜厚と
２０ｍＡＧ二おける順方向電圧■、との関係を示す図で
ある。ここで平均膜厚とは次式によるものとする。 この図を見ると平均膜厚が３００人程度まではＶ、の変
化が少なく安定していることが明らかである。 第４図は従来の素子と本発明の素子との寿命試験を行っ
た結果を示す電流特性図である。ここで素ｆ−のストラ
イブ幅、活性層６の厚み寸法、共振器長は夫々５μｍ、
＋１．（ｌｈｍ、３（ｌｏｇｍ、端面コート無しとし、
寿命試験は５０℃、５ｍＷ、 Ａ Ｐ Ｃ（ＡｕＬｏｍ
ａｔｉｃＰｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）法で行った。 この図から明らかなように従来の素子は１５００時間程
度までは大きな電流の変化はみられないが、１５（０１
時間を過ぎると、その電流値が大きく変化してしまうの
に比して、本発明素子では４０００時間に達しても初期
の電流値を保持していることが観察された。 （ト）発明の効果 本発明は以１−の説明の如く、活性層の両側にノンドー
プのクラッド層を介在させることにより、ドーパントの
活性層への拡散を抑制し、長寿命化、及び歩留まりの改
善を期待できるという効果が生まれる。
系活性層と、を有し、前記活性層とｐ Ｆ！！Ｉ 、
ｎ型クラッド層との夫々の間に、ノンドープのクラッド
層を設けたものである。 そして、前記ノンドープのクラッド層の膜厚は、ｐ１！
２クラッド層と活性層との間及びｎ型クランド層と活性
層との間の平均膜厚で３００λ以下とすることが望まし
い。 （ホ）作用 活性層の両側にあるノンドープのクラッド層により活性
層内へのｐ型、ｎ型ドーパントの取り込み量を抑制する
。 （へ）実施例 以Ｆ本発明の半導体レーザを図面に基づき詳細に説明す
る。 第１図は素子構造を示す断面図であり、上から順に、Ｃ
ｒ−＾Ｕ電極１、ｐ型ＧａＡｓキャンプ層２、ｎ型Ｇａ
Ａｓ１０７２層３、ｐ型Ｉｎ（Ｇａａ、 ５Ａｌｏ、
ｓ）Ｐクラッド層４、Ｉｎ（Ｇａｏ、 ５ＡＩｃ、 ｓ
）Ｐノンドープ２９フ１層５／ンドープ′のＩｎＧａ１
’活性層６、Ｉｎ（Ｇａｏ、 ５Ａｌｏ、 ｓ）Ｐノン
ドープクラッド層７、ｎ’ＦＩｎ（Ｇａｏ ５八１．Ｓ
）Ｐクランド層８、ｎ型１ｎＧａｌ’バッファ層９、ｎ
’ＪＧａＡｓ基板１０、Ｃｒ−８ｎ−Ａｕ電極１１であ
る。 前記各層は周知のＭＯＣＶＤ法を用いて基板１０の一主
面Ｉ−に順次エピタキシャル成長され、前記メンドープ
クラッド層５．７の厚みはそれぞれ１００人である。 第２図は第１図の素子構造を有する半導体レーザ用素子
において、ｎ型ドーパントとしてＳｌを用い、ｐ＋５ド
ーパントとしてＺｎを用いたときのドーピングプロファ
イルを示した図である。前記第７図と比較すると、活性
層６内へのドーパントの取り込みが軽減されていること
が分かる。 即ち、従来の素子では、活性層１０５とｎ型クラッド層
１０４との界面では３Ｘ １（１” （ｃｍ−’ ）程
度のＺｎの拡散が見られ、活性層１０５とｎ型クランド
層】０６との界面では７．５Ｘ１０１７（ｃｍ−’）程
度のＺｎの拡散が見られるのに対し、本発明の素子では
各ノンドープクラッド層５，７と活性層６との界面では
夫々ＩＸＩ（１”２．５Ｘｌ（１”（ｃｍ−３）程度の
Ｚｎの拡散しか見られない。 第３図は前記ノンドープクラッド層５，７の平均膜厚と
２０ｍＡＧ二おける順方向電圧■、との関係を示す図で
ある。ここで平均膜厚とは次式によるものとする。 この図を見ると平均膜厚が３００人程度まではＶ、の変
化が少なく安定していることが明らかである。 第４図は従来の素子と本発明の素子との寿命試験を行っ
た結果を示す電流特性図である。ここで素ｆ−のストラ
イブ幅、活性層６の厚み寸法、共振器長は夫々５μｍ、
＋１．（ｌｈｍ、３（ｌｏｇｍ、端面コート無しとし、
寿命試験は５０℃、５ｍＷ、 Ａ Ｐ Ｃ（ＡｕＬｏｍ
ａｔｉｃＰｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）法で行った。 この図から明らかなように従来の素子は１５００時間程
度までは大きな電流の変化はみられないが、１５（０１
時間を過ぎると、その電流値が大きく変化してしまうの
に比して、本発明素子では４０００時間に達しても初期
の電流値を保持していることが観察された。 （ト）発明の効果 本発明は以１−の説明の如く、活性層の両側にノンドー
プのクラッド層を介在させることにより、ドーパントの
活性層への拡散を抑制し、長寿命化、及び歩留まりの改
善を期待できるという効果が生まれる。
第１図は本発明の半導体レーザ素子の構造を示す断面図
、第２図は同じくドーピングプロファイルを示す図、第
３図は同じくノンドープ層の膜厚とＶ、との関係を示す
図、第４図は本発明の素子と従来の素子との寿命特性を
比較した図、第５図は従来素子の構造断面図、第６図は
ｎ型ドーパントとしてＳｅを用いた従来素Ｐのドーピン
グプロファイルを示す図、第７図は第５図に相当する従
来素子のドーピングプロファイルを示す図である。 ４・・・ｎ型クラッド層、 ６ ノンドープの活性層、 ５．７ ノンドープクラッド層、 ８ ・ｎ型クラッド層。
、第２図は同じくドーピングプロファイルを示す図、第
３図は同じくノンドープ層の膜厚とＶ、との関係を示す
図、第４図は本発明の素子と従来の素子との寿命特性を
比較した図、第５図は従来素子の構造断面図、第６図は
ｎ型ドーパントとしてＳｅを用いた従来素Ｐのドーピン
グプロファイルを示す図、第７図は第５図に相当する従
来素子のドーピングプロファイルを示す図である。 ４・・・ｎ型クラッド層、 ６ ノンドープの活性層、 ５．７ ノンドープクラッド層、 ８ ・ｎ型クラッド層。
Claims (2)
- （１）ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなるｐ型及び
ｎ型クラッド層と、ノンドープのＩｎＧａＰ系活性層と
、を有し、前記活性層とｐ型、ｎ型クラッド層との夫々
の間に、ノンドープのクラッド層を設けたことを特徴と
する半導体レーザ。 - （２）前記ノンドープのクラッド層の膜厚をｐ型クラッ
ド層と活性層との間及びｎ型クラッド層と活性層との間
の平均膜厚で３００Å以下としたことを特徴とする請求
項（１）の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188596A JP2950927B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2188596A JP2950927B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474487A true JPH0474487A (ja) | 1992-03-09 |
| JP2950927B2 JP2950927B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=16226427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2188596A Expired - Fee Related JP2950927B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2950927B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789773A (en) * | 1995-10-02 | 1998-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| US6563850B1 (en) | 1997-10-06 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| US6798808B1 (en) | 1999-01-29 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2188596A patent/JP2950927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789773A (en) * | 1995-10-02 | 1998-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device |
| US6563850B1 (en) | 1997-10-06 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device and fabricating method thereof |
| US6798808B1 (en) | 1999-01-29 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2950927B2 (ja) | 1999-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 9 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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