JPH0474469A - 固体撮像素子 - Google Patents
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- JPH0474469A JPH0474469A JP2188442A JP18844290A JPH0474469A JP H0474469 A JPH0474469 A JP H0474469A JP 2188442 A JP2188442 A JP 2188442A JP 18844290 A JP18844290 A JP 18844290A JP H0474469 A JPH0474469 A JP H0474469A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は固体撮像素子に係わり、特にカラーカメラに用
いられるものに関する。
いられるものに関する。
(従来の技術)
固体撮像素子を用いてカラーカメラを構成する場合、三
板式、単板式、あるいは三板式のいずれかが用いられて
いる。先ず、三板式のカラーカメラの構成を第5図に示
す。撮像レンズ51に入射されて通過した白色光Wか、
ダイクロイック・ブリズム50により青色光(B)、赤
色光(R)及び緑色光(G)に分光される。そして各々
の光路に設けられた三枚の固体撮像素子53.55及び
57に入射され、カラー画像信号が得られる。
板式、単板式、あるいは三板式のいずれかが用いられて
いる。先ず、三板式のカラーカメラの構成を第5図に示
す。撮像レンズ51に入射されて通過した白色光Wか、
ダイクロイック・ブリズム50により青色光(B)、赤
色光(R)及び緑色光(G)に分光される。そして各々
の光路に設けられた三枚の固体撮像素子53.55及び
57に入射され、カラー画像信号が得られる。
具体的には、撮像レンズ51を通過した白色光Wのうち
、ダイクロイック面58により青色光Bのみが反射され
、反射鏡52で反射された後、青色用固体撮像素子53
に入射する。ダイクロイック面58により反射されなか
った光のうち、赤色光Rはダイクロイック面56により
反射され、反射鏡54により反射されて赤色用固体撮像
素子55に入射する。残りの緑色光Gは、いずれにも反
射されずに緑色用固体撮像素子57に入射される。そし
て、固体撮像素子53.55及び57において光電変換
され、出力された三つの電気信号からカラー画像信号が
得られる。
、ダイクロイック面58により青色光Bのみが反射され
、反射鏡52で反射された後、青色用固体撮像素子53
に入射する。ダイクロイック面58により反射されなか
った光のうち、赤色光Rはダイクロイック面56により
反射され、反射鏡54により反射されて赤色用固体撮像
素子55に入射する。残りの緑色光Gは、いずれにも反
射されずに緑色用固体撮像素子57に入射される。そし
て、固体撮像素子53.55及び57において光電変換
され、出力された三つの電気信号からカラー画像信号が
得られる。
この三板式カメラは、白色光Wを分光して全ての波長の
光を用いるため感度が高い。さらに、各色毎に白黒像と
同じ画素数にすることかでき、空間的分解能に優れ画質
が良いという特徴かある。
光を用いるため感度が高い。さらに、各色毎に白黒像と
同じ画素数にすることかでき、空間的分解能に優れ画質
が良いという特徴かある。
しかし、一つのカメラに三個の固体撮像素子5355及
び57を用いるために、高価なダイクロイック・プリズ
ム50が必要となる。さらに固体撮像素子53.55及
び57と、撮像レンズ51及びダイクロイック・プリズ
ム50の光学系との間で精密な位置合せを要し、カメラ
が大型化すると共に高価なものとなる。このため、この
方式によるカメラは放送用、業務用等に用途か限られて
いる。
び57を用いるために、高価なダイクロイック・プリズ
ム50が必要となる。さらに固体撮像素子53.55及
び57と、撮像レンズ51及びダイクロイック・プリズ
ム50の光学系との間で精密な位置合せを要し、カメラ
が大型化すると共に高価なものとなる。このため、この
方式によるカメラは放送用、業務用等に用途か限られて
いる。
次に、第6図に単板式のカラーカメラの構成を示す。撮
像レンズ61を通過した白色光Wが、色フィルタ62を
通過して一枚の白黒用固体撮像素子63に入射される。
像レンズ61を通過した白色光Wが、色フィルタ62を
通過して一枚の白黒用固体撮像素子63に入射される。
色フィルタ62は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(
B)の各部分が、第7図のようにモザイク状に配置され
ている。この色フィルタ62には、ガラス基板上に印刷
されたフィルタか白黒用素子のチップ上に密着固定され
たものと、白黒用素子のチップ上に直接バターニングに
より形成されたものとかある。
B)の各部分が、第7図のようにモザイク状に配置され
ている。この色フィルタ62には、ガラス基板上に印刷
されたフィルタか白黒用素子のチップ上に密着固定され
たものと、白黒用素子のチップ上に直接バターニングに
より形成されたものとかある。
固体撮像素子63から出力された信号は、色分離回路6
5に入力されて三原色の各信号G、R及びBに分離され
る。このうち緑信号Gは、IH遅延回路64により遅延
された信号と原信号とか一画素毎に交互にサンプリング
されて、加算されることによって得られる。そして、各
信号毎に区域濾波器66、プロセス増幅器67及び高域
分離回路68を経て、カラーエンコーダ69により三色
光に相当するカラー画像信号Vが合成される。
5に入力されて三原色の各信号G、R及びBに分離され
る。このうち緑信号Gは、IH遅延回路64により遅延
された信号と原信号とか一画素毎に交互にサンプリング
されて、加算されることによって得られる。そして、各
信号毎に区域濾波器66、プロセス増幅器67及び高域
分離回路68を経て、カラーエンコーダ69により三色
光に相当するカラー画像信号Vが合成される。
ここで、色フィルタ62は半導体チップに含まれた状態
でパッケージに収容される場合か多い。
でパッケージに収容される場合か多い。
このため、白黒用の撮像素子と同じように光学系を構成
することができ、カメラの小型化及び低価格化が可能で
ある。しかし色フィルタ62により、各特定波長以外の
光を吸収しなければならず、全入射光量のうちの1/3
しか固体撮像素子63の画素部に到達しない。このため
、三枚式に比べて感度の低下は免れない。さらに、各波
長帯毎に対応する画素数も、白黒の場合よりも1/3に
減少し空間的分解能も低下する。
することができ、カメラの小型化及び低価格化が可能で
ある。しかし色フィルタ62により、各特定波長以外の
光を吸収しなければならず、全入射光量のうちの1/3
しか固体撮像素子63の画素部に到達しない。このため
、三枚式に比べて感度の低下は免れない。さらに、各波
長帯毎に対応する画素数も、白黒の場合よりも1/3に
減少し空間的分解能も低下する。
三板式のカメラは、二枚の固体撮像素子からの信号を合
成して三波長帯分の信号を得るものであり、上述の三板
式カメラと単板式カメラとの欠点を補うようにしている
。しかし、大きさ、価格、感度及び空間的分解能とも中
間的な存在であり、それぞれの方式が持つ問題を本質的
に解決することはできない。
成して三波長帯分の信号を得るものであり、上述の三板
式カメラと単板式カメラとの欠点を補うようにしている
。しかし、大きさ、価格、感度及び空間的分解能とも中
間的な存在であり、それぞれの方式が持つ問題を本質的
に解決することはできない。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来の固体撮像素子を用いたカラーカメラは
、いずれの方式を選択した場合にも、大きさや感度等の
いずれも満足させることはできなかった。
、いずれの方式を選択した場合にも、大きさや感度等の
いずれも満足させることはできなかった。
本発明は上記事情に鑑み、単一の固体撮像素子を用いて
、白黒用の素子同様の光学系で高感度なカラーカメラを
構成することが可能なカラー用固体撮像素子を提供する
ことを目的とする。
、白黒用の素子同様の光学系で高感度なカラーカメラを
構成することが可能なカラー用固体撮像素子を提供する
ことを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、画素列が複数設けられた半導体チップと、画
素列の2倍又は3倍のピッチで画素列に平行に設けられ
た光学格子を有し、この光学賂子毎に入射された光を異
なる波長分布に分光して画素列に入射させる光学格子体
とを備えたことを特徴としている。
素列の2倍又は3倍のピッチで画素列に平行に設けられ
た光学格子を有し、この光学賂子毎に入射された光を異
なる波長分布に分光して画素列に入射させる光学格子体
とを備えたことを特徴としている。
ここで、光学格子体が半導体チップとの間に空気層が存
在する状態で設けられ、さらに半導体チップの表面上に
、各画素列毎に光を集光して入射させるレンズ体が設け
られていてもよい。
在する状態で設けられ、さらに半導体チップの表面上に
、各画素列毎に光を集光して入射させるレンズ体が設け
られていてもよい。
また光学格子体は、半導体チップの配線部にバンプ状金
属により接合されていてもよい。
属により接合されていてもよい。
光学格子体は、パッケージの光学窓に形成されていても
よい。
よい。
半導体チップと光学格子体は、間に空気層が存在する状
態でポツティング樹脂によりモールドされていてもよい
。
態でポツティング樹脂によりモールドされていてもよい
。
(作 用)
光が光学格子体に入射されると光学格子毎に異なる波長
分布に分光された状態で、2又は3の画素列毎にそれぞ
れ入射される。従来の単板式のカラーカメラのように、
入射光を色フィルタで吸収して分光した場合には、入射
光の1/3の光量しか画素列に到達しないが、光学格子
によりプリズムの如く分光し全ての波長の光を用いるた
め、高い感度が得られる。また高価で寸法の大きいダイ
クロイックプリズムを用いずに光学格子体により分光す
るため、小型でかつ低価格化がもたらされる。
分布に分光された状態で、2又は3の画素列毎にそれぞ
れ入射される。従来の単板式のカラーカメラのように、
入射光を色フィルタで吸収して分光した場合には、入射
光の1/3の光量しか画素列に到達しないが、光学格子
によりプリズムの如く分光し全ての波長の光を用いるた
め、高い感度が得られる。また高価で寸法の大きいダイ
クロイックプリズムを用いずに光学格子体により分光す
るため、小型でかつ低価格化がもたらされる。
ここで、光学格子体が半導体チップとの間に空気層が存
在する状態で設けられ、半導体チップ表面上にレンズ体
が設けられている場合には、光学格子体と空気層との境
界で異なる波長分布に分光され、さらにレンズ体で画素
列毎に集光され、多くの光量が得られる。
在する状態で設けられ、半導体チップ表面上にレンズ体
が設けられている場合には、光学格子体と空気層との境
界で異なる波長分布に分光され、さらにレンズ体で画素
列毎に集光され、多くの光量が得られる。
光学格子体が、半導体チップの配線部にバンプ状金属に
より接合されている場合は、両者の間で高い平行度か得
られ、分光された光か入射されるべき各画素列に正確に
到達することになる。
より接合されている場合は、両者の間で高い平行度か得
られ、分光された光か入射されるべき各画素列に正確に
到達することになる。
また、光学格子体とパッケージの光学窓とが各々別に設
けられていると多重反射を起こしてフレア成分が発生す
るが、光学格子体か光学窓に形成されている場合には、
このようなフレア成分が減少する。
けられていると多重反射を起こしてフレア成分が発生す
るが、光学格子体か光学窓に形成されている場合には、
このようなフレア成分が減少する。
半導体チップと光学格子体とが、間に空気層が存在する
状態でポツティング樹脂によりモールドされている場合
には、空気層か密閉されて曇りが防止される。
状態でポツティング樹脂によりモールドされている場合
には、空気層か密閉されて曇りが防止される。
(実施例)
以下、本発明の一実施例について説明する。第1図に、
本実施例による固体撮像素子の縦断面構造を示す。この
固体撮像素子は通常のテレビカメラに用いられ、30万
個の画素を有しインターライン転送方式を採用したもの
である。半導体基板18の表面部分には、フォトダイオ
ード17か形成されており、紙面の垂直方向に向かって
画素列が配置されている。この半導体基板18の表面上
に、CVD法により保護膜15が堆積されている。
本実施例による固体撮像素子の縦断面構造を示す。この
固体撮像素子は通常のテレビカメラに用いられ、30万
個の画素を有しインターライン転送方式を採用したもの
である。半導体基板18の表面部分には、フォトダイオ
ード17か形成されており、紙面の垂直方向に向かって
画素列が配置されている。この半導体基板18の表面上
に、CVD法により保護膜15が堆積されている。
この保護膜15の内部には、半導体基板18上のフォト
ダイオード17が存在しない箇所を遮光するために、遮
光膜16が設けられている。
ダイオード17が存在しない箇所を遮光するために、遮
光膜16が設けられている。
保護膜15の表面上には、透明な有機物から成るマイク
ロレンズ体14が形成されている。このマイクロレンズ
体14は、各フォトダイオード17に入射される光を点
線りのように集光し、光量を増すために設けられたもの
で、各画素毎に微小なレンズが連続的に形成されている
。マイクロレンズ自体は、既に市販されている単板式の
カラー用固体撮像素子において色フィルタの一部として
用いられているか、本実施例のマイクロレンズ体14は
色フィルタの一部ではなく色分離を行わない。
ロレンズ体14が形成されている。このマイクロレンズ
体14は、各フォトダイオード17に入射される光を点
線りのように集光し、光量を増すために設けられたもの
で、各画素毎に微小なレンズが連続的に形成されている
。マイクロレンズ自体は、既に市販されている単板式の
カラー用固体撮像素子において色フィルタの一部として
用いられているか、本実施例のマイクロレンズ体14は
色フィルタの一部ではなく色分離を行わない。
マイクロレンズ体14の上部には、空気層13を介して
光学格子体12が設けられている。この光学格子体12
は透明樹脂から成り、二画素のピッチ毎に光学格子が設
けられている。空気層]lから光学格子体]2に光しか
入射されると、空気層13との境界において各光学格子
毎にあたかもプリズムのように分光され、三つの画素に
それぞれ異なる波長分布が与えられる。この波長分布は
第2図に示されたように、画素の位置に対応して、赤色
光R1緑色光G及び青色光Bのそれぞれの光量が多くな
るように分布している。
光学格子体12が設けられている。この光学格子体12
は透明樹脂から成り、二画素のピッチ毎に光学格子が設
けられている。空気層]lから光学格子体]2に光しか
入射されると、空気層13との境界において各光学格子
毎にあたかもプリズムのように分光され、三つの画素に
それぞれ異なる波長分布が与えられる。この波長分布は
第2図に示されたように、画素の位置に対応して、赤色
光R1緑色光G及び青色光Bのそれぞれの光量が多くな
るように分布している。
二こで波長の分布は、光学格子体12の断面形状、透明
樹脂と空気との間の屈折率、画素ピッチ、及び光学格子
体12とマイクロレンズ体14との間の距離によって決
定される。
樹脂と空気との間の屈折率、画素ピッチ、及び光学格子
体12とマイクロレンズ体14との間の距離によって決
定される。
このような構造を有することにより、入射光は次のよう
にして各画素に到達する。入射光11か、先ず光学格子
体12によって赤色光R1、緑色光G1及び青色光B1
に分光される。分光された各光Rユ、Gユ及びB1はマ
イクロレンズ体14によって集光され、それぞれフォト
ダイオード17a、17b及び17cに入射される。ま
た入射光12は、光学格子体12によって赤色光R2、
緑色光G2及び青色光B2に分光され、マイクロレンズ
体14を介して、それぞれフォトダイオード17b、1
7c及び17dに入射される。入射光】3は赤色光R3
、緑色光G3及び青色光B3に分光されて、フォトダイ
オード17d、17e及び17fにそれぞれ入射される
。このようにして、フォトダイオード17 bには緑色
光G1及び赤色光R2、フォトダイオード17cには青
色光B1及び緑色光G2、フォトダイオード17dには
青色光B2及び赤色光R3が入射されることになる。
にして各画素に到達する。入射光11か、先ず光学格子
体12によって赤色光R1、緑色光G1及び青色光B1
に分光される。分光された各光Rユ、Gユ及びB1はマ
イクロレンズ体14によって集光され、それぞれフォト
ダイオード17a、17b及び17cに入射される。ま
た入射光12は、光学格子体12によって赤色光R2、
緑色光G2及び青色光B2に分光され、マイクロレンズ
体14を介して、それぞれフォトダイオード17b、1
7c及び17dに入射される。入射光】3は赤色光R3
、緑色光G3及び青色光B3に分光されて、フォトダイ
オード17d、17e及び17fにそれぞれ入射される
。このようにして、フォトダイオード17 bには緑色
光G1及び赤色光R2、フォトダイオード17cには青
色光B1及び緑色光G2、フォトダイオード17dには
青色光B2及び赤色光R3が入射されることになる。
従来の単板式のカラーカメラでは、上述したように入射
光を色フィルタで吸収して分光していたため、光量か1
/3に低下し感度か低かった。これに対し本実施例の固
体撮像素子によれば、単板式でありなから三板式の場合
と同様の光量か得られ、感度が大幅に向上する。
光を色フィルタで吸収して分光していたため、光量か1
/3に低下し感度か低かった。これに対し本実施例の固
体撮像素子によれば、単板式でありなから三板式の場合
と同様の光量か得られ、感度が大幅に向上する。
そして本実施例の固体撮像素子のパッケージ構造は、従
来の単板式によるものと同様に簡易である。先ず第3図
に、中空型のパッケージ構造を用いた場合を示す。セラ
ミック・パッケージ33の内部底面に半導体チップ39
が載置され、そのアルミニウム電極とリード34とかボ
ンディングワイヤ35により接続されている。半導体チ
ップ39の表面上には、マイクロレンズ体36か設けら
れている。セラミック・パッケージ33の上面は、シー
ル樹脂32によりガラス窓31か接着されている。
来の単板式によるものと同様に簡易である。先ず第3図
に、中空型のパッケージ構造を用いた場合を示す。セラ
ミック・パッケージ33の内部底面に半導体チップ39
が載置され、そのアルミニウム電極とリード34とかボ
ンディングワイヤ35により接続されている。半導体チ
ップ39の表面上には、マイクロレンズ体36か設けら
れている。セラミック・パッケージ33の上面は、シー
ル樹脂32によりガラス窓31か接着されている。
そして半導体チップ39の表面には、空気層37が存在
する状態で光学格子体38が接着されている。この接着
は、半導体チップ39表面の周辺部にシール樹脂30を
塗ることで行われる。光学格子体38によって所望の波
長分布を得るには、半導体チップ39と光学格子体38
との平行度か重要であるが、このような接着によって精
度は確保される。
する状態で光学格子体38が接着されている。この接着
は、半導体チップ39表面の周辺部にシール樹脂30を
塗ることで行われる。光学格子体38によって所望の波
長分布を得るには、半導体チップ39と光学格子体38
との平行度か重要であるが、このような接着によって精
度は確保される。
第4図に示されたパッケージ構造は、いわゆるPace
Down方式と称されるものである。半導体チップ4
70表面にマイクロレンズ体44か形成され、周辺のア
ルミニウム電極部46には金のバンプ45が形成されて
いる。この半導体チップ47の上部に、光学格子体41
aが形成されたガラス窓41が接着されている。ガラス
窓41の光学格子41gが形成された箇所以外の周辺部
には配線部42が形成されており、その配線部42の表
面にハンダバンプ43か形成されて、金バンプ45と接
合している。そして、半導体チップ47と光学格子41
aとの間に空気層49が存在した状態で、半導体チップ
47の裏面を覆うように、樹脂48によってポツティン
グか行われている。
Down方式と称されるものである。半導体チップ4
70表面にマイクロレンズ体44か形成され、周辺のア
ルミニウム電極部46には金のバンプ45が形成されて
いる。この半導体チップ47の上部に、光学格子体41
aが形成されたガラス窓41が接着されている。ガラス
窓41の光学格子41gが形成された箇所以外の周辺部
には配線部42が形成されており、その配線部42の表
面にハンダバンプ43か形成されて、金バンプ45と接
合している。そして、半導体チップ47と光学格子41
aとの間に空気層49が存在した状態で、半導体チップ
47の裏面を覆うように、樹脂48によってポツティン
グか行われている。
この場合には、光学格子41aと半導体チップ47との
間の距離Xは、金バンプ45とハンダバンプ43の高さ
によって約30μmに自動的に決まり、しかも良好な平
行度が得られる。さらに中空型パッケージ構造と比較し
、光学格子41aかガラス窓4]に設けられているため
、組み立てる要素が一つ減少して工程数が減り、製造コ
ストを低減させることかできる。また中空型の場合には
、ガラス窓3]と光学格子体38との間で多重反射がお
こり、フレアか生しるおそれがあるが、両者を一体とす
ることで防止される。さらに、空気層49が樹脂48に
より密閉されているため、気温が変化した場合にも曇り
の発生が防止される。但し、機械的な強度等の信頼性と
いう点では中空型パッケージ構造が優れており、用途に
応じて使い分ける必要がある。
間の距離Xは、金バンプ45とハンダバンプ43の高さ
によって約30μmに自動的に決まり、しかも良好な平
行度が得られる。さらに中空型パッケージ構造と比較し
、光学格子41aかガラス窓4]に設けられているため
、組み立てる要素が一つ減少して工程数が減り、製造コ
ストを低減させることかできる。また中空型の場合には
、ガラス窓3]と光学格子体38との間で多重反射がお
こり、フレアか生しるおそれがあるが、両者を一体とす
ることで防止される。さらに、空気層49が樹脂48に
より密閉されているため、気温が変化した場合にも曇り
の発生が防止される。但し、機械的な強度等の信頼性と
いう点では中空型パッケージ構造が優れており、用途に
応じて使い分ける必要がある。
上述した実施例は一例であり、本発明を限定するもので
はない。例えば、光学格子体として第ユ図に示されたも
のは断面形状か鋸ぎり状であるが、このような形状に限
らず、画素列の2倍又は3倍のピッチで入射光を異なる
波長分布に分光し得るものであればよい。またマイクロ
レンズ体かあれば、光量を多くすることができるが、必
ずしも必要なものではない。
はない。例えば、光学格子体として第ユ図に示されたも
のは断面形状か鋸ぎり状であるが、このような形状に限
らず、画素列の2倍又は3倍のピッチで入射光を異なる
波長分布に分光し得るものであればよい。またマイクロ
レンズ体かあれば、光量を多くすることができるが、必
ずしも必要なものではない。
以上説明したように本発明の固体撮像素子は、光学格子
体により入射光を異なる波長分布に分光して半導体チッ
プの各画素列に与えるため、色フィルタ等により吸収さ
せて分光させる場合と異なり全光量を画素列に到達させ
ることができ、高い感度のカラーカメラを白黒用素子並
みの簡易な光学系で構成することができる。
体により入射光を異なる波長分布に分光して半導体チッ
プの各画素列に与えるため、色フィルタ等により吸収さ
せて分光させる場合と異なり全光量を画素列に到達させ
ることができ、高い感度のカラーカメラを白黒用素子並
みの簡易な光学系で構成することができる。
第1図は本発明の一実施例による固体撮像素子の構造を
示した縦断面図、第2図は同素子の光学格子体により分
光された光の波長分布を示す説明図、第3図は同素子の
中空型パッケージ構造を示した縦断面図、第4図は同素
子のFace Down方式によるパッケージ構造を示
した縦断面図、第5図は従来の固体撮像素子を用いた三
板式カラーカメラの構造を示した縦断面図、第6図は従
来の固体撮像素子を用いた単板式カラーカメラの回路構
成を示したブロック図、第7図は同カラーカメラに用い
られる色フィルタの構成を示した説明図である。 11.13・・・空気層、12・・・光学格子体、14
・・・マイクロレンズ体、15・・−保護膜、16・・
・遮光膜、17・・・フォトダイオード、18・・半導
体基板、30.32・・・ンール樹脂、31・・ガラス
窓、33・・・セラミックパッケージ、34・・・リー
ト、35・・・ボンディングワイヤ、36.44・マイ
クロレンズ体、37.49・・・空気層、38・・光学
格子体、3947・・・半導体チップ、41・・・ガラ
ス窓、42・・・配線部、43・・・ハンダバンプ、4
5・・・金バンプ、46・・アルミニウム電極、48・
・・ポツティング樹脂。 出願人代理人 佐 藤 −雄 牛3図 第1図 第4図 第2図 第5図 づU
示した縦断面図、第2図は同素子の光学格子体により分
光された光の波長分布を示す説明図、第3図は同素子の
中空型パッケージ構造を示した縦断面図、第4図は同素
子のFace Down方式によるパッケージ構造を示
した縦断面図、第5図は従来の固体撮像素子を用いた三
板式カラーカメラの構造を示した縦断面図、第6図は従
来の固体撮像素子を用いた単板式カラーカメラの回路構
成を示したブロック図、第7図は同カラーカメラに用い
られる色フィルタの構成を示した説明図である。 11.13・・・空気層、12・・・光学格子体、14
・・・マイクロレンズ体、15・・−保護膜、16・・
・遮光膜、17・・・フォトダイオード、18・・半導
体基板、30.32・・・ンール樹脂、31・・ガラス
窓、33・・・セラミックパッケージ、34・・・リー
ト、35・・・ボンディングワイヤ、36.44・マイ
クロレンズ体、37.49・・・空気層、38・・光学
格子体、3947・・・半導体チップ、41・・・ガラ
ス窓、42・・・配線部、43・・・ハンダバンプ、4
5・・・金バンプ、46・・アルミニウム電極、48・
・・ポツティング樹脂。 出願人代理人 佐 藤 −雄 牛3図 第1図 第4図 第2図 第5図 づU
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、画素列が複数設けられた半導体チップと、前記画素
列の2倍又は3倍のピッチで前記画素列に平行に設けら
れた光学格子を有し、この光学格子毎に入射された光を
異なる波長分布に分光して前記画素列に入射させる光学
格子体とを備えたことを特徴とする固体撮像素子。 2、前記光学格子体は、前記半導体チップとの間に空気
層が存在する状態で設けられており、さらに前記半導体
チップの表面上には、各画素列毎に光を集光して入射さ
せるレンズ体が設けられていることを特徴とする請求項
1記載の固体撮像素子。 3、前記光学格子体は、前記半導体チップの配線部にバ
ンプ状金属により接合されていることを特徴とする請求
項1記載の固体撮像素子。 4、前記光学格子体は、パッケージの光学窓に形成され
ていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 5、前記半導体チップと前記光学格子体は、間に空気層
が存在する状態でポッティング樹脂によりモールドされ
ていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2188442A JPH0821703B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 固体撮像素子 |
US07/730,542 US5210400A (en) | 1990-07-17 | 1991-07-16 | Solid-state imaging device applicable to high sensitivity color camera and using diffraction gratings |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2188442A JPH0821703B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0474469A true JPH0474469A (ja) | 1992-03-09 |
JPH0821703B2 JPH0821703B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16223756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2188442A Expired - Fee Related JPH0821703B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | 固体撮像素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5210400A (ja) |
JP (1) | JPH0821703B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738075A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JP2001309395A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2003078917A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Canon Inc | 撮像装置 |
WO2010070869A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5519205A (en) * | 1992-09-30 | 1996-05-21 | Lsi Logic Corporation | Color electronic camera including photosensor array having binary diffractive lens elements |
US5529936A (en) * | 1992-09-30 | 1996-06-25 | Lsi Logic Corporation | Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor |
US5340978A (en) * | 1992-09-30 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array |
US5406065A (en) * | 1993-05-06 | 1995-04-11 | Litton Systems, Inc. | Linear photoelectric array with optical gain |
US5731874A (en) * | 1995-01-24 | 1998-03-24 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Discrete wavelength spectrometer |
US5734155A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-31 | Lsi Logic Corporation | Photo-sensitive semiconductor integrated circuit substrate and systems containing the same |
US6043481A (en) * | 1997-04-30 | 2000-03-28 | Hewlett-Packard Company | Optoelectronic array device having a light transmissive spacer layer with a ridged pattern and method of making same |
JP3652260B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2005-05-25 | キヤノン株式会社 | 回折光学素子、該回折光学素子を有する光学系、撮影装置、観察装置 |
US6630661B1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-10-07 | Amkor Technology, Inc. | Sensor module with integrated discrete components mounted on a window |
JP3742775B2 (ja) * | 2002-02-21 | 2006-02-08 | 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 | 固体撮像素子 |
US7095026B2 (en) * | 2002-11-08 | 2006-08-22 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Methods and apparatuses for selectively limiting undesired radiation |
US7351977B2 (en) | 2002-11-08 | 2008-04-01 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Methods and systems for distinguishing multiple wavelengths of radiation and increasing detected signals in a detection system using micro-optic structures |
TWM249381U (en) * | 2003-12-19 | 2004-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Image sensor |
US7807972B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-10-05 | Analog Devices, Inc. | Radiation sensor with cap and optical elements |
US7718967B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-05-18 | Analog Devices, Inc. | Die temperature sensors |
US7692148B2 (en) * | 2005-01-26 | 2010-04-06 | Analog Devices, Inc. | Thermal sensor with thermal barrier |
US7326932B2 (en) * | 2005-01-26 | 2008-02-05 | Analog Devices, Inc. | Sensor and cap arrangement |
US8487260B2 (en) * | 2005-01-26 | 2013-07-16 | Analog Devices, Inc. | Sensor |
TWI288973B (en) * | 2005-09-27 | 2007-10-21 | Visera Technologies Co Ltd | Image sensing device and manufacture method thereof |
EP1840968B1 (en) | 2006-03-30 | 2014-06-25 | Visera Technologies Company Ltd. | Image sensing device and manufacture method thereof |
US20080173791A1 (en) * | 2007-01-19 | 2008-07-24 | Palum Russell J | Image sensor with three sets of microlenses |
US20090096900A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-16 | Chin-Poh Pang | Image sensor device |
US8523427B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-09-03 | Analog Devices, Inc. | Sensor device with improved sensitivity to temperature variation in a semiconductor substrate |
JP5709040B2 (ja) | 2010-10-27 | 2015-04-30 | 株式会社リコー | 分光画像撮像装置 |
JP2012195921A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Sony Corp | 固体撮像素子およびカメラシステム |
CN107613182A (zh) * | 2017-10-27 | 2018-01-19 | 北京小米移动软件有限公司 | 摄像头感光组件、摄像头和摄像终端 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60204170A (ja) * | 1984-03-29 | 1985-10-15 | Toshiba Corp | 画像読取り装置 |
US4841140A (en) * | 1987-11-09 | 1989-06-20 | Honeywell Inc. | Real-time color comparator |
US4898467A (en) * | 1988-11-07 | 1990-02-06 | Eastman Kodak Company | Spectrometer apparatus for self-calibrating color imaging apparatus |
US5020910A (en) * | 1990-03-05 | 1991-06-04 | Motorola, Inc. | Monolithic diffraction spectrometer |
US5037201A (en) * | 1990-03-30 | 1991-08-06 | Xerox Corporation | Spectral resolving and sensing apparatus |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP2188442A patent/JPH0821703B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-07-16 US US07/730,542 patent/US5210400A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738075A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
JP2001309395A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2003078917A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Canon Inc | 撮像装置 |
WO2010070869A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
US8208052B2 (en) | 2008-12-19 | 2012-06-26 | Panasonic Corporation | Image capture device |
JP5331107B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2013-10-30 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5210400A (en) | 1993-05-11 |
JPH0821703B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |