JPH0472772A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH0472772A JPH0472772A JP18619590A JP18619590A JPH0472772A JP H0472772 A JPH0472772 A JP H0472772A JP 18619590 A JP18619590 A JP 18619590A JP 18619590 A JP18619590 A JP 18619590A JP H0472772 A JPH0472772 A JP H0472772A
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- JP
- Japan
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- sensor chip
- pressure
- resistors
- gauge
- semiconductor pressure
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 101001133899 Protobothrops flavoviridis Basic phospholipase A2 BP-II Proteins 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体圧力センサに関する。
（従来の技術）
従来の半導体圧力センサには、それの平面図である第３
図、および第３図のＩＶ−ＩＶ線の断面図である第４図
でそれぞれ示すように例えばＳｉ単結晶からなる基板を
図示の形状のセンサチップＳＣに形成する一方、該セン
サチップＳＣにおける感圧ダイヤフラムＳＤの表面に半
導体技術でもってゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４を拡散形成する
とともに、各ゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４をボンディング用パ
ッドＢＰＩ−ＢＰ４に対してワイヤーＷＲＩ−ＷＲ４を
介してホイーストンブリッジ回路の各ブリッジ抵抗を構
成するように接続してなり、感圧ダイヤフラムＳＤの裏
面に加わる測定圧力で該感圧ダイヤフラムＳＤが変形す
ることに対応してゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値がピエ
ゾ抵抗効果でもって変化するときの、該ゲージ抵抗Ｒ１
〜Ｒ４の抵抗値変化を電気的に出力して測定圧力を測定
できるようにしたものがある。
図、および第３図のＩＶ−ＩＶ線の断面図である第４図
でそれぞれ示すように例えばＳｉ単結晶からなる基板を
図示の形状のセンサチップＳＣに形成する一方、該セン
サチップＳＣにおける感圧ダイヤフラムＳＤの表面に半
導体技術でもってゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４を拡散形成する
とともに、各ゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４をボンディング用パ
ッドＢＰＩ−ＢＰ４に対してワイヤーＷＲＩ−ＷＲ４を
介してホイーストンブリッジ回路の各ブリッジ抵抗を構
成するように接続してなり、感圧ダイヤフラムＳＤの裏
面に加わる測定圧力で該感圧ダイヤフラムＳＤが変形す
ることに対応してゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の抵抗値がピエ
ゾ抵抗効果でもって変化するときの、該ゲージ抵抗Ｒ１
〜Ｒ４の抵抗値変化を電気的に出力して測定圧力を測定
できるようにしたものがある。
（発明が解決しようとする課題）
このような構成を有した従来例の半導体圧力センサにあ
っては、センサチップＳＣの感圧ダイヤフラムＳＤの表
面上における各ゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の配置は測定圧力
とは無関係に固定されたものであるから、センサチップ
ＳＣの感圧ダイヤフラムＳＤの厚さを変更することで異
なる測定圧力の測定に対処していたため、測定圧力が異
なれば、それに応じた種類のセンサチップＳＣが必要と
なるという不具合があった。
っては、センサチップＳＣの感圧ダイヤフラムＳＤの表
面上における各ゲージ抵抗Ｒ１〜Ｒ４の配置は測定圧力
とは無関係に固定されたものであるから、センサチップ
ＳＣの感圧ダイヤフラムＳＤの厚さを変更することで異
なる測定圧力の測定に対処していたため、測定圧力が異
なれば、それに応じた種類のセンサチップＳＣが必要と
なるという不具合があった。
そこで、本発明においては、測定圧力が異なってもセン
サチップとしては１種類のもので済ませることができる
ようにすることを目的としている。
サチップとしては１種類のもので済ませることができる
ようにすることを目的としている。
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明の半導体圧力
センサにおいては、センサチップの感圧ダイヤフラムの
表面に、少なくとも２組のホイーストンブリッジ回路の
それぞれを構成するゲージ抵抗が配置されてあることを
特徴としている。
センサにおいては、センサチップの感圧ダイヤフラムの
表面に、少なくとも２組のホイーストンブリッジ回路の
それぞれを構成するゲージ抵抗が配置されてあることを
特徴としている。
（作用）
例えばある任意の圧力の測定に対しては、それの測定に
対応した側のホイーストンブリッジ回路を構成する配置
にあるゲージ抵抗を選択接続し、他の圧力の測定に対し
ては、他方のホイーストンブリッジ回路を構成する配置
にあるゲージ抵抗を選択接続することで、各圧力それぞ
れの測定に対処することができる。
対応した側のホイーストンブリッジ回路を構成する配置
にあるゲージ抵抗を選択接続し、他の圧力の測定に対し
ては、他方のホイーストンブリッジ回路を構成する配置
にあるゲージ抵抗を選択接続することで、各圧力それぞ
れの測定に対処することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に係る半導体圧力センサのセン
サチップの平面図であり、第２図は第１図の■−■線の
断面図であり、これらの図において、従来例に係る第３
図および第４図と対応する部分には同一の符号を付して
いる。
サチップの平面図であり、第２図は第１図の■−■線の
断面図であり、これらの図において、従来例に係る第３
図および第４図と対応する部分には同一の符号を付して
いる。
第１図および第２図に示されるセンサチップＳＣの感圧
ダイヤフラムＳＤの表面上には、第１のホイーストンブ
リッジ回路を構成する第１のゲージ抵抗Ｒ１１〜Ｒｌ４
と、第２のホイーストンブリッジ回路を構成する第２の
ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４とが、それぞれ、配置形成さ
れである。そして、第１のゲージ抵抗Ｒ１１〜ＲＩ４は
、それぞれ、第１の’フイヤーＷＲＩＩ−ＷＲ１４を介
して第１のボンディング用パッドＢＰＩＩ〜ＢＰＩ４の
それぞれに接続されており、また、第２のゲージ抵抗Ｒ
２１〜Ｒ２４は、それぞれ、第２のワイヤーＷＲ２１〜
ＷＲ２４を介して第２のボンディング用パッドＢＰ２１
〜ＢＰ２４のそれぞれに、接続されている。
ダイヤフラムＳＤの表面上には、第１のホイーストンブ
リッジ回路を構成する第１のゲージ抵抗Ｒ１１〜Ｒｌ４
と、第２のホイーストンブリッジ回路を構成する第２の
ゲージ抵抗Ｒ２１〜Ｒ２４とが、それぞれ、配置形成さ
れである。そして、第１のゲージ抵抗Ｒ１１〜ＲＩ４は
、それぞれ、第１の’フイヤーＷＲＩＩ−ＷＲ１４を介
して第１のボンディング用パッドＢＰＩＩ〜ＢＰＩ４の
それぞれに接続されており、また、第２のゲージ抵抗Ｒ
２１〜Ｒ２４は、それぞれ、第２のワイヤーＷＲ２１〜
ＷＲ２４を介して第２のボンディング用パッドＢＰ２１
〜ＢＰ２４のそれぞれに、接続されている。
上記半導体圧力センサにおいては、例えば第１の測定圧
力として例えば１気圧を測定するときは、それに対応し
て、その測定の電気信号取り出しのために第１のボンデ
ィング用パッドＢＰＩＩ−ＢＰ１４を選択し、このパッ
ドＨＰ １１−ＢＰ １４から第１の測定圧力に対応し
た電気信号を得、また、第２の測定圧力として例えば２
気圧を測定するときは、それに対応して、第２のボンデ
ィング用パッドＢＰ２１−ＢＰ２４から第２の測定圧力
に対応した電気信号を得ることができる。
力として例えば１気圧を測定するときは、それに対応し
て、その測定の電気信号取り出しのために第１のボンデ
ィング用パッドＢＰＩＩ−ＢＰ１４を選択し、このパッ
ドＨＰ １１−ＢＰ １４から第１の測定圧力に対応し
た電気信号を得、また、第２の測定圧力として例えば２
気圧を測定するときは、それに対応して、第２のボンデ
ィング用パッドＢＰ２１−ＢＰ２４から第２の測定圧力
に対応した電気信号を得ることができる。
すなわち、この実施例の半導体圧力センサでは、測定圧
力が異なるときは、センサチップｓｃの厚さをその測定
圧力に合わせて変更するのではなく、感圧ダイヤフラム
ＳＤ表面での配置位置が異なるゲージ抵抗を選択するだ
けでよいことになるから、センサチップＳＣとしては、
１種類用意しておくだけで異なる圧力を測定することが
できる。
力が異なるときは、センサチップｓｃの厚さをその測定
圧力に合わせて変更するのではなく、感圧ダイヤフラム
ＳＤ表面での配置位置が異なるゲージ抵抗を選択するだ
けでよいことになるから、センサチップＳＣとしては、
１種類用意しておくだけで異なる圧力を測定することが
できる。
なお、上記実施例においては、センサチップＳＣの感圧
ダイヤフラムＳＤの表面上に２組のホイーストンブリッ
ジ回路を構成するゲージ抵抗が配置されであるが、３組
とか、あるいはそれ以上の組のホイーストンブリッジ回
路を構成するようにゲージ抵抗を配置することで異なる
圧力の測定に対処できるようにしてもよい。
ダイヤフラムＳＤの表面上に２組のホイーストンブリッ
ジ回路を構成するゲージ抵抗が配置されであるが、３組
とか、あるいはそれ以上の組のホイーストンブリッジ回
路を構成するようにゲージ抵抗を配置することで異なる
圧力の測定に対処できるようにしてもよい。
（発明の効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
測定圧力が異なってもセンサチップとしてはＩＮ類のも
ので済ませることができる。
測定圧力が異なってもセンサチップとしてはＩＮ類のも
ので済ませることができる。
第１図および第２図は本発明の実施例に係り、第１図は
同実施例に係る半導体圧力センサのセンサチップの平面
図、第２図は第１図の■−■線の断面図である。 第３図および第４図は従来例に係り、第３図は従来例に
係る半導体圧力センサのセンサチップの平面図、第４図
は第３図の■−ＩＶ線の断面図である。 ＳＣ・・・センサチップ、ＳＤ・・・感圧ダイヤフラム
、Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４・・・ゲージ抵抗、
ＢＰ１１〜ＢＰ１４．ＢＰ２１〜ＢＰ２４・・・ボンデ
ィング用パッド、ＷＲＩ １−ＷＲＩ４．ＷＲ２１−Ｗ
Ｒ２４・・ワイヤー 図中、 同一符号は同一ないしは相当部分を示 す。
同実施例に係る半導体圧力センサのセンサチップの平面
図、第２図は第１図の■−■線の断面図である。 第３図および第４図は従来例に係り、第３図は従来例に
係る半導体圧力センサのセンサチップの平面図、第４図
は第３図の■−ＩＶ線の断面図である。 ＳＣ・・・センサチップ、ＳＤ・・・感圧ダイヤフラム
、Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４・・・ゲージ抵抗、
ＢＰ１１〜ＢＰ１４．ＢＰ２１〜ＢＰ２４・・・ボンデ
ィング用パッド、ＷＲＩ １−ＷＲＩ４．ＷＲ２１−Ｗ
Ｒ２４・・ワイヤー 図中、 同一符号は同一ないしは相当部分を示 す。
Claims (1)
- （１）センサチップ（ＳＣ）の感圧ダイヤフラム（Ｄ）
の表面に、少なくとも２組のホイーストンブリッジ回路
のそれぞれを構成するゲージ抵抗（Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ
２１〜Ｒ２４）が配置されてあることを特徴とする半導
体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18619590A JPH0472772A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18619590A JPH0472772A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472772A true JPH0472772A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16184049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18619590A Pending JPH0472772A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472772A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005464A1 (de) * | 1995-07-28 | 1997-02-13 | Robert Bosch Gmbh | Prüfbarer membransensor mit zwei vollbrücken |
| JP2018021923A (ja) * | 2017-09-12 | 2018-02-08 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン及び音響処理システム |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18619590A patent/JPH0472772A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997005464A1 (de) * | 1995-07-28 | 1997-02-13 | Robert Bosch Gmbh | Prüfbarer membransensor mit zwei vollbrücken |
| JP2018021923A (ja) * | 2017-09-12 | 2018-02-08 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン及び音響処理システム |
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